JP2001002407A - クロロシラン類中のボロン化合物の分離方法及びクロロシラン類蒸発用組成物 - Google Patents
クロロシラン類中のボロン化合物の分離方法及びクロロシラン類蒸発用組成物Info
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 ボロン化合物を含有するクロロシラン類
にフッ素元素を含む塩を作用させて、上記ボロン化合物
をフッ素元素を含む塩に吸着させることを特徴とするク
ロロシラン類中のボロン化合物の分離方法。 【効果】 本発明によれば、極めて簡単な操作で、プロ
セス上の特別な装置がなくても安価に、しかも微量のク
ロロシラン類中のボロンを除去又は濃縮することができ
る。また、シリコン単結晶において高抵抗品の供給が可
能になることにより、高品位の高電圧サイリスタが確実
に供給できると共に、不純物元素のドーピングにより従
来グレードの範囲が広がる。
にフッ素元素を含む塩を作用させて、上記ボロン化合物
をフッ素元素を含む塩に吸着させることを特徴とするク
ロロシラン類中のボロン化合物の分離方法。 【効果】 本発明によれば、極めて簡単な操作で、プロ
セス上の特別な装置がなくても安価に、しかも微量のク
ロロシラン類中のボロンを除去又は濃縮することができ
る。また、シリコン単結晶において高抵抗品の供給が可
能になることにより、高品位の高電圧サイリスタが確実
に供給できると共に、不純物元素のドーピングにより従
来グレードの範囲が広がる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、極めて簡単な操作
で、プロセス上の特別な装置がなくても安価に、しかも
クロロシラン類中の微量のボロン化合物を除去し又はボ
ロン化合物を濃縮することができるクロロシラン類中の
ボロン化合物の分離方法、及びクロロシラン類蒸発用組
成物に関する。
で、プロセス上の特別な装置がなくても安価に、しかも
クロロシラン類中の微量のボロン化合物を除去し又はボ
ロン化合物を濃縮することができるクロロシラン類中の
ボロン化合物の分離方法、及びクロロシラン類蒸発用組
成物に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】シリコ
ンのデバイスとしての特性を直接的に決定している電気
抵抗は、シリコン単結晶中に含まれるドナー元素（Ｐ、
Ａｓなどの５Ｂ属元素）とアクセプター元素（Ｂ、Ａｌ
などの３Ｂ属元素）の量によって決定、制御されてい
る。
ンのデバイスとしての特性を直接的に決定している電気
抵抗は、シリコン単結晶中に含まれるドナー元素（Ｐ、
Ａｓなどの５Ｂ属元素）とアクセプター元素（Ｂ、Ａｌ
などの３Ｂ属元素）の量によって決定、制御されてい
る。
【０００３】ところで、シリコン単結晶を製造する方法
として、シリコン単結晶上でクロロシラン類を用いて化
学的気相成長を行い、シリコンの単結晶を成長させる方
法が知られているが、クロロシラン類には、通常その製
造の過程、特に原料金属珪素などからボロンがボロン塩
化物等（主としてＢＣｌ3）として数千ｐｐｂ程度混入
しており、このようなクロロシラン類を蒸発させてシリ
コン単結晶に供給した場合、ボロン塩化物も同時に蒸
発、供給され、得られるシリコン単結晶にボロンが混入
し、その電気抵抗が低いものになる。
として、シリコン単結晶上でクロロシラン類を用いて化
学的気相成長を行い、シリコンの単結晶を成長させる方
法が知られているが、クロロシラン類には、通常その製
造の過程、特に原料金属珪素などからボロンがボロン塩
化物等（主としてＢＣｌ3）として数千ｐｐｂ程度混入
しており、このようなクロロシラン類を蒸発させてシリ
コン単結晶に供給した場合、ボロン塩化物も同時に蒸
発、供給され、得られるシリコン単結晶にボロンが混入
し、その電気抵抗が低いものになる。
【０００４】この場合、ボロン以外の元素は比較的除去
が容易であるが、シリコン単結晶を生成した時の電気特
性に影響を与えるドーパント元素であるボロンについて
は、蒸留法、吸着剤法等の方法では、クロロシラン類か
らボロンを充分に除去することができない。
が容易であるが、シリコン単結晶を生成した時の電気特
性に影響を与えるドーパント元素であるボロンについて
は、蒸留法、吸着剤法等の方法では、クロロシラン類か
らボロンを充分に除去することができない。
【０００５】例えば、ボロンの除去に関して、蒸留法に
おいてその効果が有効なのは、％オーダーまでであり、
ｐｐｂは勿論、ｐｐｍレベル除去も困難であった。
おいてその効果が有効なのは、％オーダーまでであり、
ｐｐｂは勿論、ｐｐｍレベル除去も困難であった。
【０００６】また、ボロンの反応性を利用し、誘導体化
試薬を加え反応させてクロロシラン類と蒸留分離する方
法があるが、この方法は誘導体化効率が低く、誘導体化
試薬及び反応生成物との分離が困難である場合が多かっ
た。このため、加熱、還流して反応性を高めて誘導体化
効率をあげる方法も提案されているが、なお誘導体化効
果は低く、最終的には、この誘導体化効果が低い方法を
何回も繰り返すことが行われていた。従って、シリコン
単結晶において、１０，０００Ω−ｃｍの高抵抗品であ
る、高電圧サイリスタ、センサー等は、ボロン濃度が
０．１ｐｐｂ以下であることが要求されることから、従
来の方法ではこれらの用途には適用できなかった。
試薬を加え反応させてクロロシラン類と蒸留分離する方
法があるが、この方法は誘導体化効率が低く、誘導体化
試薬及び反応生成物との分離が困難である場合が多かっ
た。このため、加熱、還流して反応性を高めて誘導体化
効率をあげる方法も提案されているが、なお誘導体化効
果は低く、最終的には、この誘導体化効果が低い方法を
何回も繰り返すことが行われていた。従って、シリコン
単結晶において、１０，０００Ω−ｃｍの高抵抗品であ
る、高電圧サイリスタ、センサー等は、ボロン濃度が
０．１ｐｐｂ以下であることが要求されることから、従
来の方法ではこれらの用途には適用できなかった。
【０００７】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、極めて簡単な操作で、プロセス上の特別な装置がな
くても安価に、しかもクロロシラン類中の微量のボロン
化合物を除去又はボロン化合物を濃縮することができる
クロロシラン類中のボロン化合物の分離方法、及びクロ
ロシラン類蒸発用組成物を提供することを目的とする。
で、極めて簡単な操作で、プロセス上の特別な装置がな
くても安価に、しかもクロロシラン類中の微量のボロン
化合物を除去又はボロン化合物を濃縮することができる
クロロシラン類中のボロン化合物の分離方法、及びクロ
ロシラン類蒸発用組成物を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した結
果、ガス状又は液体であるクロロシラン類に、常温で固
体の吸着剤であるフッ素元素を含む塩類を作用させるこ
と、例えばボロン塩化物を微量含有するクロロシランに
フッ素元素を含む塩を添加した後、このクロロシランを
蒸発させた場合、蒸発するクロロシラン中には実質的に
ボロン塩化物が随伴せず、蒸発残渣中にボロン塩化物が
濃縮し、従って、極めて簡単な操作で、プロセス上の特
別な装置がなくても安価に、しかもクロロシラン類中の
微量のボロンを除去又はクロロシラン類から分離、ボロ
ンを濃縮し得ることを知見し、本発明をなすに至ったも
のである。
発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討した結
果、ガス状又は液体であるクロロシラン類に、常温で固
体の吸着剤であるフッ素元素を含む塩類を作用させるこ
と、例えばボロン塩化物を微量含有するクロロシランに
フッ素元素を含む塩を添加した後、このクロロシランを
蒸発させた場合、蒸発するクロロシラン中には実質的に
ボロン塩化物が随伴せず、蒸発残渣中にボロン塩化物が
濃縮し、従って、極めて簡単な操作で、プロセス上の特
別な装置がなくても安価に、しかもクロロシラン類中の
微量のボロンを除去又はクロロシラン類から分離、ボロ
ンを濃縮し得ることを知見し、本発明をなすに至ったも
のである。
【０００９】従って、本発明は、（１）ボロン化合物を
含有するクロロシラン類にフッ素元素を含む塩を作用さ
せて、上記ボロン化合物をフッ素元素を含む塩に吸着さ
せることを特徴とするクロロシラン類中のボロン化合物
の分離方法、（２）ボロン化合物を含有するクロロシラ
ン類にフッ素元素を含む塩を添加した後、クロロシラン
類を蒸発させることを特徴とするクロロシラン類中のボ
ロン化合物の分離方法、（３）ボロン化合物を含有する
クロロシラン類にフッ素元素を含む塩を添加してなるこ
とを特徴とするクロロシラン類蒸発用組成物を提供す
る。
含有するクロロシラン類にフッ素元素を含む塩を作用さ
せて、上記ボロン化合物をフッ素元素を含む塩に吸着さ
せることを特徴とするクロロシラン類中のボロン化合物
の分離方法、（２）ボロン化合物を含有するクロロシラ
ン類にフッ素元素を含む塩を添加した後、クロロシラン
類を蒸発させることを特徴とするクロロシラン類中のボ
ロン化合物の分離方法、（３）ボロン化合物を含有する
クロロシラン類にフッ素元素を含む塩を添加してなるこ
とを特徴とするクロロシラン類蒸発用組成物を提供す
る。
【００１０】本発明において、クロロシラン類中のボロ
ンは主としてＢＣｌ3で存在し、例えばクロロシラン類
にＮａＦを作用させた場合、クロロシラン類中でＢＣｌ
3はＮａＦとＢＣｌ3−ＮａＦのような複合体を作るもの
と考えられる。この場合、クロロシラン類は無極性溶媒
であり、添加したＮａＦには関与しない。
ンは主としてＢＣｌ3で存在し、例えばクロロシラン類
にＮａＦを作用させた場合、クロロシラン類中でＢＣｌ
3はＮａＦとＢＣｌ3−ＮａＦのような複合体を作るもの
と考えられる。この場合、クロロシラン類は無極性溶媒
であり、添加したＮａＦには関与しない。
【００１１】従って、Ｂ（１Ｓ2２Ｓ2２Ｐ）とＣｌ（１
Ｓ2２Ｓ2２Ｐ6３Ｓ2３Ｐ5）３原子との結合が、ＢのＳ
Ｐ2混成軌道３個（１Ｓ2２Ｓ2ＰＸ2ＰＹ）がＣｌの３Ｐ
軌道１つずつと結合しているところにＮａＦが添加され
ると、フッ素イオン（１Ｓ2２Ｓ2２Ｐ5）は塩素イオン
よりも反応性が高く、イオン半径も小さいため立体障害
が少なく、相互作用が発生して付加反応即ち、吸着能が
発生する。
Ｓ2２Ｓ2２Ｐ6３Ｓ2３Ｐ5）３原子との結合が、ＢのＳ
Ｐ2混成軌道３個（１Ｓ2２Ｓ2ＰＸ2ＰＹ）がＣｌの３Ｐ
軌道１つずつと結合しているところにＮａＦが添加され
ると、フッ素イオン（１Ｓ2２Ｓ2２Ｐ5）は塩素イオン
よりも反応性が高く、イオン半径も小さいため立体障害
が少なく、相互作用が発生して付加反応即ち、吸着能が
発生する。
【００１２】この反応が置換反応ではなく、ＢＣｌ3−
ＮａＦのような複合体が形成されることにより起こる付
加反応であることが、以下の知見から確認された。
ＮａＦのような複合体が形成されることにより起こる付
加反応であることが、以下の知見から確認された。
【００１３】即ち、クロロシラン類にＮａＦを添加し
て、加熱によりクロロシラン類を完全に蒸発除去した
後、残留物（ＮａＦ）中のボロン濃度をメチレンブルー
法により測定したところ、もし置換反応が起きていれば
ＢＦ3が生成され、沸点が−１０１℃のため蒸発した時
点で揮散したはずであるが、結果は実験開始前に存在し
たボロン濃度と同一値を示したものである。
て、加熱によりクロロシラン類を完全に蒸発除去した
後、残留物（ＮａＦ）中のボロン濃度をメチレンブルー
法により測定したところ、もし置換反応が起きていれば
ＢＦ3が生成され、沸点が−１０１℃のため蒸発した時
点で揮散したはずであるが、結果は実験開始前に存在し
たボロン濃度と同一値を示したものである。
【００１４】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明のクロロシラン類中のボロン化合物の分離方法
は、主としてＢＣｌ3として存在するボロン塩化物など
のボロン化合物を微量、通常０．１ｐｐｂ〜１重量％、
特に０．１ｐｐｂ〜１０ｐｐｍ含有するクロロシラン類
にフッ素元素を含む塩類を作用させるものである。
本発明のクロロシラン類中のボロン化合物の分離方法
は、主としてＢＣｌ3として存在するボロン塩化物など
のボロン化合物を微量、通常０．１ｐｐｂ〜１重量％、
特に０．１ｐｐｂ〜１０ｐｐｍ含有するクロロシラン類
にフッ素元素を含む塩類を作用させるものである。
【００１５】本発明におけるクロロシラン類としては、
ジクロロシラン、トリクロロシラン、テトラクロロシラ
ン等が挙げられる。
ジクロロシラン、トリクロロシラン、テトラクロロシラ
ン等が挙げられる。
【００１６】また、フッ素元素を含む塩類としては、電
解質物質が挙げられ、具体的には、ＮａＦ、ＫＦ、Ｃａ
Ｆ、ＭｇＦ、ＮＨ4Ｆ、ＢａＦ、フッ化トリフェニルス
ズ、フッ化トリブチルスズ等が挙げられる。
解質物質が挙げられ、具体的には、ＮａＦ、ＫＦ、Ｃａ
Ｆ、ＭｇＦ、ＮＨ4Ｆ、ＢａＦ、フッ化トリフェニルス
ズ、フッ化トリブチルスズ等が挙げられる。
【００１７】これらのフッ素元素を含む塩類の添加量
は、クロロシラン類中に存在するボロン濃度に特に関係
ないが、ボロン濃度と１：１のモル比化学量論であるこ
とが好ましく、過剰に加えても構わない。
は、クロロシラン類中に存在するボロン濃度に特に関係
ないが、ボロン濃度と１：１のモル比化学量論であるこ
とが好ましく、過剰に加えても構わない。
【００１８】本発明において、クロロシラン類中のボロ
ン化合物を除去する方法は、クロロシラン類にフッ素元
素を含む塩類を添加し、常温で軽く撹拌後、ゆっくりと
クロロシラン類を蒸発させることにより行うことができ
る。吸着剤であるフッ素元素を含む塩類は、ろ過又は蒸
留（単発蒸留で十分）で簡単に回収できる。
ン化合物を除去する方法は、クロロシラン類にフッ素元
素を含む塩類を添加し、常温で軽く撹拌後、ゆっくりと
クロロシラン類を蒸発させることにより行うことができ
る。吸着剤であるフッ素元素を含む塩類は、ろ過又は蒸
留（単発蒸留で十分）で簡単に回収できる。
【００１９】また、円筒容器に吸着剤としてフッ素元素
を含む塩類を充填して、クロロシラン類を通過させるこ
とにより、クロロシラン類中のボロン化合物を吸着させ
ることができるため、このような方法を採用した場合に
は吸着剤の回収操作は不要である。
を含む塩類を充填して、クロロシラン類を通過させるこ
とにより、クロロシラン類中のボロン化合物を吸着させ
ることができるため、このような方法を採用した場合に
は吸着剤の回収操作は不要である。
【００２０】なお、フッ素元素を含む塩類をクロロシラ
ン類中に添加した後、クロロシラン類を実際に使用する
までの間、ボロンによる汚染が考えられる場合は、その
ままフッ素元素を含む塩類を容器中に存在させ、クロロ
シラン類の使用時にクロロシラン類を単発蒸留させるこ
とにより使用することができる。
ン類中に添加した後、クロロシラン類を実際に使用する
までの間、ボロンによる汚染が考えられる場合は、その
ままフッ素元素を含む塩類を容器中に存在させ、クロロ
シラン類の使用時にクロロシラン類を単発蒸留させるこ
とにより使用することができる。
【００２１】本発明のクロロシラン類にフッ素元素を含
む塩類を添加した組成物は、クロロシラン類を蒸発させ
て、例えば常法によりシリコン単結晶を成長させる目的
に使用することができ、この場合蒸発するクロロシラン
類には実質的にボロン化合物が随伴されることがないた
め、ボロンを実質的に含まない、高抵抗のシリコン単結
晶を得ることができる。
む塩類を添加した組成物は、クロロシラン類を蒸発させ
て、例えば常法によりシリコン単結晶を成長させる目的
に使用することができ、この場合蒸発するクロロシラン
類には実質的にボロン化合物が随伴されることがないた
め、ボロンを実質的に含まない、高抵抗のシリコン単結
晶を得ることができる。
【００２２】また、本発明によれば、ボロン化合物がフ
ッ素元素を含む塩類に吸着して濃縮されるので、例えば
定量分析において、従来到達し得なかった超微量濃度領
域におけるボロン濃度を確実に定量することができるも
のである。
ッ素元素を含む塩類に吸着して濃縮されるので、例えば
定量分析において、従来到達し得なかった超微量濃度領
域におけるボロン濃度を確実に定量することができるも
のである。
【００２３】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。なお、実施例中、ボロン濃度が「０．１
ｐｐｂ以下」である旨の記載は、本発明の方法により永
続的に濃縮が可能であるため、濃縮比を増せば、その下
限は下がるものであるが、一応の区切りとして、「０．
１ｐｐｂ以下」としたものである。
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。なお、実施例中、ボロン濃度が「０．１
ｐｐｂ以下」である旨の記載は、本発明の方法により永
続的に濃縮が可能であるため、濃縮比を増せば、その下
限は下がるものであるが、一応の区切りとして、「０．
１ｐｐｂ以下」としたものである。
【００２４】［実施例１］ＢＣｌ3がボロン濃度として
それぞれ１００ｐｐｍ、１ｐｐｍ、１０ｐｐｂ、０．１
ｐｐｂであるトリクロロシラン５０ｇにＮａＦ（和光純
薬工業（株）製）を約２０ｍｇを添加し、常温で軽く撹
拌後、ゆっくりとトリクロロシラン（信越化学工業
（株）製）を蒸発させて、各ＮａＦ残留物中のボロン濃
度（試料液換算）と留出液中のボロン濃度を測定した。
結果を表１に示す。
それぞれ１００ｐｐｍ、１ｐｐｍ、１０ｐｐｂ、０．１
ｐｐｂであるトリクロロシラン５０ｇにＮａＦ（和光純
薬工業（株）製）を約２０ｍｇを添加し、常温で軽く撹
拌後、ゆっくりとトリクロロシラン（信越化学工業
（株）製）を蒸発させて、各ＮａＦ残留物中のボロン濃
度（試料液換算）と留出液中のボロン濃度を測定した。
結果を表１に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】［実施例２］ボロン濃度が１０ｐｐｂであ
るテトラクロロシラン５０ｇに各種のフッ素元素を含む
塩類（和光純薬工業（株）製）を添加し、常温で軽く撹
拌後、ゆっくりとテトラクロロシラン（信越化学工業
（株）製）を蒸発させ、各残留物中のボロン濃度（試料
液換算）と留出液中のボロン濃度を測定した。結果を表
２に示す。
るテトラクロロシラン５０ｇに各種のフッ素元素を含む
塩類（和光純薬工業（株）製）を添加し、常温で軽く撹
拌後、ゆっくりとテトラクロロシラン（信越化学工業
（株）製）を蒸発させ、各残留物中のボロン濃度（試料
液換算）と留出液中のボロン濃度を測定した。結果を表
２に示す。
【００２７】
【表２】
【００２８】［実施例３］ジクロロシラン（信越化学工
業（株）製）５０ｋｇにＮａＦ（和光純薬工業（株）
製）２０ｇを加え、常温で撹拌後、加熱し気化させ、水
素と混合し、約１２００℃に加熱してシリコン単結晶上
で化学的気相成長を行い、シリコンの単結晶を成長させ
た。この時に得られた単結晶部の抵抗値は、−１２，０
００Ω−ｃｍであった。
業（株）製）５０ｋｇにＮａＦ（和光純薬工業（株）
製）２０ｇを加え、常温で撹拌後、加熱し気化させ、水
素と混合し、約１２００℃に加熱してシリコン単結晶上
で化学的気相成長を行い、シリコンの単結晶を成長させ
た。この時に得られた単結晶部の抵抗値は、−１２，０
００Ω−ｃｍであった。
【００２９】［実施例４］トリクロロシラン（信越化学
工業（株）製）５０ｋｇにＮａＦ（和光純薬工業（株）
製）２０ｇを加え、常温で撹拌後、加熱し気化させ、水
素と混合し、約１２００℃に加熱してシリコン単結晶上
で化学的気相成長を行い、シリコンの単結晶を成長させ
た。この時に得られた単結晶部の抵抗値は、−１１，０
００Ω−ｃｍであった。
工業（株）製）５０ｋｇにＮａＦ（和光純薬工業（株）
製）２０ｇを加え、常温で撹拌後、加熱し気化させ、水
素と混合し、約１２００℃に加熱してシリコン単結晶上
で化学的気相成長を行い、シリコンの単結晶を成長させ
た。この時に得られた単結晶部の抵抗値は、−１１，０
００Ω−ｃｍであった。
【００３０】［実施例５］テトラクロロシラン（信越化
学工業（株）製）５０ｋｇにＮａＦ（和光純薬工業
（株）製）２０ｇを加え、常温で撹拌後、加熱し気化さ
せ、水素と混合し、約１２００℃に加熱してシリコン単
結晶上で化学的気相成長を行い、シリコンの単結晶を成
長させた。この時に得られた単結晶部の抵抗値は−１
５，０００Ω−ｃｍであった。
学工業（株）製）５０ｋｇにＮａＦ（和光純薬工業
（株）製）２０ｇを加え、常温で撹拌後、加熱し気化さ
せ、水素と混合し、約１２００℃に加熱してシリコン単
結晶上で化学的気相成長を行い、シリコンの単結晶を成
長させた。この時に得られた単結晶部の抵抗値は−１
５，０００Ω−ｃｍであった。
【００３１】［実施例６］テトラクロロシラン（信越化
学工業（株）製）５０ｇにＮａＦ（和光純薬工業（株）
製）２０ｍｇを加え、常温で撹拌後、加熱しテトラクロ
ロシランを気化させ、各残留物中のボロンをメチレンブ
ルーにより定量した。なお、正確性を確認するために、
ボロンの既知量を添加し定量した。
学工業（株）製）５０ｇにＮａＦ（和光純薬工業（株）
製）２０ｍｇを加え、常温で撹拌後、加熱しテトラクロ
ロシランを気化させ、各残留物中のボロンをメチレンブ
ルーにより定量した。なお、正確性を確認するために、
ボロンの既知量を添加し定量した。
【００３２】
【表３】
【００３３】［比較例１］ＮａＦの代わりにＮａＣｌ
（和光純薬工業（株）製）、ＮａＢｒ（和光純薬工業
（株）製）をそれぞれ２０ｍｇ添加した以外は実施例１
と同様に残留物中及び留出液中のボロン濃度を測定し
た。結果を表４に示す。
（和光純薬工業（株）製）、ＮａＢｒ（和光純薬工業
（株）製）をそれぞれ２０ｍｇ添加した以外は実施例１
と同様に残留物中及び留出液中のボロン濃度を測定し
た。結果を表４に示す。
【００３４】
【表４】
【００３５】［比較例２］ＮａＦの代わりにＮａＣｌ
（和光純薬工業（株）製）とした以外は実施例３と同様
にして得られたシリコンの単結晶部の抵抗値は、１０Ω
−ｃｍであった。
（和光純薬工業（株）製）とした以外は実施例３と同様
にして得られたシリコンの単結晶部の抵抗値は、１０Ω
−ｃｍであった。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、極めて簡単な操作で、
プロセス上の特別な装置がなくても安価に、しかも微量
のクロロシラン類中のボロンを除去又は濃縮することが
できる。また、シリコン単結晶において高抵抗品の供給
が可能になることにより、高品位の高電圧サイリスタが
確実に供給できると共に、不純物元素のドーピングによ
り従来グレードの範囲が広がる。更に、従来本発明のよ
うな微量ボロンも除去する方法がなかったため、エレク
トロニクス用クロロシランを合成するためには、極力ボ
ロン濃度の低い金属珪素を厳選して使用しなければなら
なかったが、本発明の方法によりあらゆる種類の金属珪
素を使用することが可能になった。
プロセス上の特別な装置がなくても安価に、しかも微量
のクロロシラン類中のボロンを除去又は濃縮することが
できる。また、シリコン単結晶において高抵抗品の供給
が可能になることにより、高品位の高電圧サイリスタが
確実に供給できると共に、不純物元素のドーピングによ
り従来グレードの範囲が広がる。更に、従来本発明のよ
うな微量ボロンも除去する方法がなかったため、エレク
トロニクス用クロロシランを合成するためには、極力ボ
ロン濃度の低い金属珪素を厳選して使用しなければなら
なかったが、本発明の方法によりあらゆる種類の金属珪
素を使用することが可能になった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ３０Ｂ 29/06 ５０４ Ｃ３０Ｂ 29/06 ５０４Ｂ Ｆターム(参考） 4D076 AA16 AA22 AA24 BA01 BB01 CD02 EA04X EA12X EA12Z EA20X EA20Z FA03 FA15 GA10 HA03 HA12 JA05 4G066 AA32B AA35B AA36B AE20B BA36 CA31 CA45 DA10 DA20 EA13 4G072 AA11 AA14 GG02 GG03 HH07 HH09 JJ28 JJ33 JJ34 JJ45 MM08 MM11 TT19 UU01 UU30 4G077 AA10 AB06 DB05 EC10 TA04
Claims (3)
- 【請求項１】 ボロン化合物を含有するクロロシラン類
にフッ素元素を含む塩を作用させて、上記ボロン化合物
をフッ素元素を含む塩に吸着させることを特徴とするク
ロロシラン類中のボロン化合物の分離方法。 - 【請求項２】 ボロン化合物を含有するクロロシラン類
にフッ素元素を含む塩を添加した後、クロロシラン類を
蒸発させることを特徴とするクロロシラン類中のボロン
化合物の分離方法。 - 【請求項３】 ボロン化合物を含有するクロロシラン類
にフッ素元素を含む塩を添加してなることを特徴とする
クロロシラン類蒸発用組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17081799A JP3734009B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | クロロシラン類中のボロン化合物の分離方法及びクロロシラン類蒸発用組成物 |
| KR1020000033126A KR100721090B1 (ko) | 1999-06-17 | 2000-06-16 | 클로로실란류 중의 붕소 화합물의 분리 방법 및클로로실란류 증발용 조성물 |
| TW89111887A TW572848B (en) | 1999-06-17 | 2000-06-16 | Separation method of boron compound in chlorosilanes and composition for evaporating chlorosilanes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17081799A JP3734009B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | クロロシラン類中のボロン化合物の分離方法及びクロロシラン類蒸発用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001002407A true JP2001002407A (ja) | 2001-01-09 |
| JP3734009B2 JP3734009B2 (ja) | 2006-01-11 |
Family
ID=15911893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17081799A Expired - Fee Related JP3734009B2 (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | クロロシラン類中のボロン化合物の分離方法及びクロロシラン類蒸発用組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3734009B2 (ja) |
| KR (1) | KR100721090B1 (ja) |
| TW (1) | TW572848B (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2005119956A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Showa Denko Kk | テトラフルオロシランの製造方法 |
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| EP2033936A2 (en) | 2007-09-05 | 2009-03-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing trichlorosilane and method for producing polycrystalline silicon |
| EP2033937A2 (en) | 2007-09-05 | 2009-03-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing trichlorosilane and method for producing polycrystalline silicon |
| EP2036857A2 (en) | 2007-09-05 | 2009-03-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing trichlorosilane |
| EP2036858A2 (en) | 2007-09-05 | 2009-03-18 | Shinetsu Chemical Co., Ltd. | Method for purifying chlorosilanes |
| WO2012056621A1 (ja) | 2010-10-27 | 2012-05-03 | 信越化学工業株式会社 | クロロシラン類の精製方法 |
| KR20170049571A (ko) * | 2014-09-08 | 2017-05-10 | 피에스씨 폴리실란 케미칼스 게엠베하 | 할로겐화 올리고실란의 정화 방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1088820B (it) | 1977-12-05 | 1985-06-10 | Smiel Spa | Processo di purificazione di clorosilani impiegabili nella preparazione di silicio per elettronica |
| US4755370A (en) | 1982-03-18 | 1988-07-05 | General Electric Company | Purification of silicon halides |
| JP2846408B2 (ja) * | 1990-05-30 | 1999-01-13 | 川崎製鉄株式会社 | シリコンの精製方法 |
| JPH04300206A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-23 | Osaka Titanium Co Ltd | シリコン塩化物の精製方法 |
-
1999
- 1999-06-17 JP JP17081799A patent/JP3734009B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-06-16 TW TW89111887A patent/TW572848B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-06-16 KR KR1020000033126A patent/KR100721090B1/ko not_active IP Right Cessation
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| EP2033937A2 (en) | 2007-09-05 | 2009-03-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing trichlorosilane and method for producing polycrystalline silicon |
| EP2036857A2 (en) | 2007-09-05 | 2009-03-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing trichlorosilane |
| EP2036858A2 (en) | 2007-09-05 | 2009-03-18 | Shinetsu Chemical Co., Ltd. | Method for purifying chlorosilanes |
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| WO2012056621A1 (ja) | 2010-10-27 | 2012-05-03 | 信越化学工業株式会社 | クロロシラン類の精製方法 |
| US9126838B2 (en) | 2010-10-27 | 2015-09-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for purifying chlorosilanes |
| KR20170049571A (ko) * | 2014-09-08 | 2017-05-10 | 피에스씨 폴리실란 케미칼스 게엠베하 | 할로겐화 올리고실란의 정화 방법 |
| US20170247260A1 (en) * | 2014-09-08 | 2017-08-31 | Psc Polysiland Chemicals Gmbh | Method for purifying halogenated oligosilanes |
| US10457559B2 (en) * | 2014-09-08 | 2019-10-29 | Psc Polysilane Chemicals Gmbh | Method for purifying halogenated oligosilanes |
| KR102504143B1 (ko) | 2014-09-08 | 2023-02-28 | 크리스티안 바우흐 | 할로겐화 올리고실란의 정화 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW572848B (en) | 2004-01-21 |
| JP3734009B2 (ja) | 2006-01-11 |
| KR100721090B1 (ko) | 2007-05-23 |
| KR20010049557A (ko) | 2001-06-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050530 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050615 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050722 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050830 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081028 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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