JP2000353775A - 導電性接続ピンおよびパッケージ基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ヒートサイクル条件下や、実装の際に、応力
が集中し難い導電性接続ピン、および、係る応力が加わ
っても導電性接続ピンが剥離し難い樹脂パッケージ基板
を提供する。 【解決手段】 導電性接続ピン１００を、銅または銅合
金製などの可撓性の高い材質で構成する。これにより、
ヒートサイクル時やパッケージ基板の装着時にピンに加
わる応力を充分に吸収し、導電性接続ピン１００が基板
から剥離するのを防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導電性接続ピンお
よび導電性接続ピンが固定された樹脂パッケージ基板に
関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣチップ等をマザーボード又はドータ
ボードへ接続するためのパッケージ基板は、近年、信号
の高周波数化に伴い、低誘電率、低誘電正接が求められ
るようになった。そのため、基板の材質もセラミックか
ら樹脂へと主流が移りつつある。

【０００３】このような背景の下、樹脂基板を用いたプ
リント配線板に関する技術として、例えば、特公平４−
５５５５５号公報に、回路形成がなされたガラスエポキ
シ基板にエポキシアクリレートを層間樹脂絶縁層として
形成し、続いて、フォトリソグラフィの手法を用いてバ
イアホール用開口を設け、表面を粗化した後、めっきレ
ジストを設けて、めっきにより導体回路およびバイアホ
ールを形成した、いわゆるビルドアップ多層配線板が提
案されている。

【０００４】このようなビルドアップ多層配線板をパッ
ケージ基板として使用する場合には、マザーボードやド
ータボードヘ接続するための導電性接続ピンを取り付け
る必要がある。このピンはＴ型ピンと呼ばれ、図１７に
示すように柱状の接続部１２２と板状の固定部１２１と
で側面視略Ｔ字形状に形成されており、接続部１２２を
介してマザーボードのソケット等に接続するようになっ
ている。この導電性接続ピン１２０は、ビルトアップ多
層配線板の最外層の層間樹脂絶縁層２００（又は、コア
基板）の導体層をパッド１６とし、このパッド１６にハ
ンダなどの導電性接着剤１７を介して接着固定される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た構造では、パッド１６とその内層の層間樹脂絶縁層２
００との接着面積が小さいことに加え、金属製のパッド
と樹脂絶縁層という全く異なる材質ため、両者の接着強
度が充分でないという問題があった。そのため、信頼性
試験としての高温と低温とを繰り返すヒートサイクル条
件下で、パッケージ基板側とマザーボード又はドータボ
ード側との熱膨張率差により、基板に反りや凹凸が生じ
た場合、パッド１６と層間樹脂絶縁層２００との界面で
破壊が起こり、導電性接続ピン１２０がパッド１６と共
に基板から剥離する問題が見られた。また、当該導電性
接続ピンを介してパッケージ基板をマザーボードへ装着
する際、導電性接続ピンの位置と接続すべきマザーボー
ドのソケットとの間に位置ずれがあると、接続部に応力
が集中して導電性接続ピンがパッドとともに剥離するこ
とがあった。ヒートサイクルの高温領域下またはＩＣチ
ップを実装する際の熱によって、導電性ピンが脱落、傾
きを起こしたり、電気的接続が取れないこともあった。

【０００６】本発明は、このような問題点を解決するた
めに提案されたものであって、ヒートサイクル条件下
や、実装の際に、応力が集中し難い導電性接続ピン、お
よび、係る応力が加わっても導電性接続ピンが剥離、脱
落し難いかつ電気的接続の取れる樹脂パッケージ基板を
提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果本発明に到達した。すなわち、請求項１の発明
は、導電性接続ピンに関するもので、パッケージ基板に
固定されて他の基板との接続を得るための導電性接続ピ
ンにおいて、前記導電性接続ピンが柱状の接続部と板状
の固定部よりなり、銅または銅合金、スズ、亜鉛、アル
ミニウム、貴金属から選ばれる少なくとも１種類以上の
金属からなる事を技術手段としている。

【０００８】請求項１の発明では、導電性接続ピンを可
撓性に優れた銅または銅合金、スズ、亜鉛、アルミニウ
ム、貴金属から選ばれる少なくとも１種類以上の金属製
とすることで、ピンに応力が加わった際に撓んでその応
力が吸収され、基板から導電性接続ピンが剥離しにくく
なっている。この導電性接続ピンに用いられる銅合金と
しては、リン青銅が好適である。可撓性に優れているだ
けでなく、電気的特性も良好でしかも導電性接続ピンへ
の加工性にも優れているからである。

【０００９】この導電性接続ピンには、板状の固定部と
この板状の固定部の略中央に突設された柱状の接続部と
からなる、いわゆるＴ型ピンが好適に用いられる。板状
の固定部は、パッドとなる導体層に導電性接着剤を介し
て固定される部分であって、パッドの大きさに合わせた
円形状や多角形状など適宜に形成される。また、接続部
の形状は、他の基板に挿入可能な形状であれば特に問題
はなく、円柱・角柱・円錐・角錐など何でもよい。この
接続部は、通常位置のピンに対し基本的１本であるが、
２本以上設けても特に問題はなく、実装される他の基板
に応じて適宜に形成してよい。

【００１０】導電性接続ピンにおいて、柱状の接続部
は、直径が０．１〜０．８ｍｍで長さが１．０〜１０ｍ
ｍ、板状の固定部の直径は０．５〜２．０ｍｍの範囲と
することが望ましく、パッドの大きさや装着される他の
基板の種類などによって適宜に選択される。

【００１１】また、請求項３の発明では、導体層を設け
た基板上に他の基板との接続を得るための導電性接続ピ
ンが固定されてなるパッケージ基板において、前記導電
性接続ピンは、柱状の接続部と板状の固定部よりなり、
銅または銅合金、スズ、亜鉛、アルミニウム、貴金属か
ら選ばれる少なくとも１種類以上の金属であって、前記
導体層の一部または全部に前記導電性接続ピンを固定す
るためのパッドが形成され、前記パッドに前記導電性接
続ピンの固定部が導電性接着剤を介して固定されている
ことを技術手段としている。従って、このパッケージ基
板を外部の電子部品などに取り付ける際などに、たとえ
ば導電性接続ピンと他の基板との間に位置のずれなどが
あって当該導電性接続ピンに応力が加わった場合には、
接続部が撓むことでその応力を吸収することができる。
また、ヒートサイクル条件の熱履歴で基板に反りなどを
生じた場合には、固定部が撓んでその変形に対応するの
で、導電性接続ピンが基板から剥離するのを防止でき、
信頼性の高いパッケージ基板となる。

【００１２】請求項３のパッケージ基板は、導電性接続
ピンが固定されるパッドを、当該パッドを部分的に露出
する開口部が設けられた有機樹脂絶縁層で覆ってもよ
い。それにより、先に述べた導電性接続ピンへの応力の
集中や基板の変形などが生じた場合でも、パッドが有機
樹脂絶縁層で押さえられており、基板から剥離するのを
防止できる。特に金属製のパッドと層間樹脂絶縁層とい
う全く異なる材質同士の接着で充分な接着力を得難い場
合でも、パッド表面を有機樹脂絶縁層で覆うことで高い
剥離強度を付与することができる。

【００１３】パッドを有機樹脂絶縁層で覆う場合、その
パッドの大きさは、当該パッドが現れる有機樹脂絶縁層
の開口部よりやや大きくすることが重要である。それに
より、パッドを開口部から部分的に露出させることがで
きる。すなわち、パッドの周縁が有機樹脂絶縁層で被わ
れるのである。パッドの大きさは、その直径が、当該パ
ッドを露出する有機樹脂絶縁層の開口部の直径の、１．
０２から１００倍とするのがよい。パッドの直径が、開
口部の直径の１．０２倍未満では、パッドの周囲を有機
樹脂絶縁層で確実に押さえることができず、導電性接続
ピンの剥離を防止できない。また、１００倍より大きく
すると、導体層の高密度化を阻害するからである。具体
的には、有機樹脂絶縁層に設けられた開口部の直径を１
００から１，５００μｍとしたとき、パッドの直径を１
１０から２，０００μｍとする。

【００１４】請求項７の発明は、導体層と層間樹脂絶縁
層とが交互に積層された構造を少なくとも一つ以上有す
るビルドアップ基板に、他の基板との電気的接続を得る
ための導電性接続ピンが固定されてなるパッケージ基板
において、前記導電性接続ピンは、柱状の接続部と板状
の固定部よりなり、銅または銅合金、スズ、亜鉛、アル
ミニウム、貴金属から選ばれる少なくとも１種類以上の
金属であって、前記ビルドアップ基板の最外層の導体層
の一部または全部に、前記導電性接続ピンを固定するた
めのパッドが形成され、前記パッドは、バイアホールを
介して内層の導体層に接続されるとともに、前記パッド
に導電性接続ピンが導電性接着剤を介して固定されてい
ることを技術手段としている。

【００１５】請求項７の発明では、導電性接続ピンを可
撓性の優れた銅または銅合金、スズ、亜鉛、アルミニウ
ム、貴金属から選ばれる少なくとも１種類以上の金属で
形成し、その導電性接続ピンを固定するパッドがバイア
ホールを介して内層の導体層と接合しているので、導電
性接続ピンの撓み易さで応力を吸収する効果に加え、パ
ッドと基板との接触面積が増えて両者を強固に接合する
ことができる。また、先述したように、請求項３の発明
では、導電性接続ピンが固定されるパッドとそのパッド
が接着されている層間樹脂絶縁層は、異素材間の接着と
なっているのに対し、本請求項で示した発目では、パッ
ドは内層の導体層と接続している。そのため、両者は金
属同士の接続となって、より確実に密着するとともに、
パッドの剥離強度が高められる。

【００１６】また、パッドを一つ以上のバイアホールを
介して内層の導体層と接続してもよい。パッドの接着面
積をさらに増して、より剥離しにくい構造とすることが
できるからである。なお、パッドをバイアホールを介し
て内層の導体層に接続する場合、バイアホールはそのパ
ッドの周辺部分に配置するのが接続性を高める上で効果
的である。そのため、バイアホールをリング状とし、そ
のリングを覆うようにパッドを設けてもよい。

【００１７】さらに、ビルドアップ基板において、導電
性接続ピンが固定されるパッドは、２層以上のバイアホ
ールを介して内層の導体層と接続するように構成しても
よく、パッケージ基板の形状や種類によっては、この二
層以上のバイアホールがそれぞれ一つ以上のバイアホー
ルよりなってもよい。いずれも、パッドの表面積が増し
ので、接着強度を高めるために有効だからである。パッ
ドが設けられるバイアホールを、パッドを部分的に露出
させる開口部を有する有機樹脂絶縁層によって被覆すれ
ば、パッドの剥離を確実に防止することができる。

【００１８】請求項８の発明では、導体層が形成された
コア基板に導体層と層間樹脂絶縁層が交互に積層された
構造を少なくとも一つ以上有するビルドアップ基板に、
他の基板との電気的接続を得るための導電性接続ピンが
固定されたパッケージ基板において、前記導電性接続ピ
ンは、柱状の接続部と板状の固定部よりなり、銅または
銅合金、スズ、亜鉛、アルミニウム、貴金属から選ばれ
る少なくとも１種類以上の金属であって、前記ビルドア
ップ基板の最外層の導体層の一部または全部に、前記導
電性接続ピンを固定するためのパッドが形成され、前記
パッドはバイアホールを介して前記コア基板の導体層に
接続されるとともに、当該パッドには導電性接続ピンが
導電性接着剤を介して固定されていることを技術手段と
する。

【００１９】コア基板上の導体層は、コア基板となる樹
脂基板の表面に粗化面（マット面）を介して強固に密着
しており、このような導体層にパッドを接続させること
により、パッドが層間樹脂絶縁層から一層剥離しにくく
なる。なお、パッドを一つ以上のバイアホールおよび二
層以上のバイアホールを介して内層の導体層に接合する
場合も、その内層の導体層はコア基板に設けたものであ
ってよい。

【００２０】請求項９の発明は、導体層を備えたスルー
ホールが形成されてなるコア基板の両面に、導体層と層
間樹脂絶縁層とが交互に積層された構造を少なくとも一
つ以上有するビルドアップ基板に、他の基板との電気的
接続を得るための導電性接続ピンが固定されたパッケー
ジ基板において、前記導電性接続ピンは、柱状の接続部
と板状の固定部よりなり、銅または銅合金、スズ、亜
鉛、アルミニウム、貴金属から選ばれる少なくとも１種
類以上の金属であって、前記ビルドアップ基板の、最外
層の導体層の一部または全部に、前記導電性接続ピンを
固定するためのパッドが形成され、前記パッドは、前記
スルーホールの導体層とバイアホールを介して接続され
ているとともに、当該パッドには導電性接続ピンが導電
性接着剤を介して固定されていることを技術手段とす
る。

【００２１】このパッケージ基板によれば、導電性接続
ピンと当該導電性接続ピンが設けられる側の反対側面に
ある他の基板との配線長を短くすることができる。具体
的には、コア基板において、スルーホール周辺のランド
およびスルーホール内に充填された樹脂充填材にバイア
ホールを介してパッドを接続する。また、スルーホール
を導体層で被う、いわゆる蓋めっきを行い、この導体層
に、バイアホールを介してパッドを接続することもでき
る。さらに、スルーホールのランドのみにバイアホール
を介してパッドを接続してもよい。

【００２２】請求項１６の発明では、導電性接着剤の融
点が１８０〜２８０℃であることによって、導電性接続
ピンとの接着強度２．０Ｋg／pin以上が確保される。こ
の強度は、ヒートサイクルなどの信頼性試験後、あるい
は、ＩＣチップの実装の際に要する熱を加えた後でも、
その強度の低下が少ない。１８０℃未満の場合は、接着
強度も２．０Ｋｇ／pin前後であり、場合によっては、
１．５Ｋg／pin程度しか出ない。また、ＩＣチップ実装
の加熱によって、導電性接着剤が溶解してしまい、導電
性接続ピンの脱落、傾きを起こってしてしまう。２８０
℃を越える場合は、導電性接着剤の溶解温度に対して、
樹脂層である樹脂絶縁層、ソルダーレジスト層が溶けて
しまう。特に、望ましい温度は、２００〜２６０℃であ
る。その温度の導電性接着剤であることが、導電性接続
ピンの接着強度のバラツキも少なくなり、実際に加わる
熱がパッケージ基板を構成する樹脂層への損傷もないか
らである。

【００２３】請求項１７の発明では、導電性接着剤は、
スズ、鉛、アンチモン、銀、金、銅が少なくとも１種類
以上で形成されていることによって、前述の融点を有す
る導電性接着剤を形成することができる。特に、スズ−
鉛あるいはスズ−アンチモンが少なくとも含有されてい
る導電性接着剤が、前述の融点の範囲を形成させること
ができ、熱によって融解しても、再度、固着し易く導電
性接続ピンの脱落、傾きを引き起こさない。

【００２４】前記導電性接着剤は、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／
Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｓｂ／Ｐｂの合金であること
によって、特に、接着強度も２．０Ｋg／pinであり、そ
のバラツキも小さく、ヒートサイクル条件下やＩＣチッ
プの実装の熱によっても、導電性接続ピンの接着強度の
低下もなく、ピンの脱落、傾きを引き起こさず、電気的
接続も確保されている。

【００２５】

【発明の実施の形態】次に、図１ないし図８に従い、第
１実施例のパッケージ基板を、ビルドアップ基板の製造
方法とともに説明する。以下の方法は、セミアディティ
ブ法によるものであるが、フルアディティブ法を採用し
てもよい。

【００２６】［第１実施例］ （１） まず、基板の表面に導体層を形成したコア基板
を作成する。コア基板としては、ガラスエポキシ基板、
ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板
などの樹脂絶縁基板の両面に銅箔８を貼った銅張積層板
を使用することができる（図１（ａ）参照）。銅箔８
は、片面が粗化面（マット面）となっており、樹脂基板
に強固に密着している。この基板に、ドリルで貫通孔を
設けた後、無電解めっきを施しスルーホール９を形成す
る。無電解めっきとしては銅めっきが好ましい。引き続
き、めっきレジストを形成し、エッチング処理して導体
層４を形成する。なお、銅箔の厚付けのためにさらに電
気めっきを行ってもよい。この電気めっきにも銅めっき
が好ましい。また、電気めっきの後、導体層４の表面お
よびスルーホール９の内壁面を粗面４ａ，９ａとしても
よい（図１（ｂ）参照）。

【００２７】この粗化処理方法としては、例えば、例え
ば黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第２銅錯体の混合
水溶液によるスプレー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐの針状合金
めっきによる処理などが挙げられる。

【００２８】次に、得られた基板を水洗してから乾燥す
る。その後、基板表面の導体層４間およびスルーホール
９内に樹脂充填材１０を充填し、乾燥させる（図１
（ｃ））。引き続き、基板両面の不要な樹脂充填材１０
をベルトサンダー研磨などで研削し、導体層４を露出さ
せ、樹脂充填材１０を本硬化させる。導体層４間および
スルーホール９による凹部を埋めて基板を平滑化する
（図１（ｄ）参照）。

【００２９】次に、露出した導体層４の表面に粗化層１
１を再度設ける（図２（ａ）参照）。なお、図２（ａ）
中の円で示す部分は、粗化層１１が設けられた導体層４
を拡大して示している。この粗化層１１は、先に述べた
ようなＣｕ−Ｎｉ−Ｐの針状あるいは多孔質状合金層に
より形成されていることが望ましいが、この他にも黒化
（酸化）−還元処理やエッチング処理で粗化層を形成す
ることもできる。Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状または多孔質状合
金層による場合、荏原ユージライト製商品名「インター
プレート」により、また、エッチング処理は、メック社
製商品名「ＭＥＣ ｅｔｃｈ Ｂｏｎｄ」により行うこ
とが望ましい。

【００３０】（２） 上記（１）で作成した導体層４を
有する配線基板の両面に樹脂層２ａ、２ｂからなる樹脂
絶縁層２を形成する（図２（ｂ）参照）。この樹脂絶縁
層２は後述するようにパッケージ基板の層間樹脂絶縁層
２００として機能する。上記樹脂絶縁体層（以下、層間
樹脂絶縁層２００）を構成する材料としては、例えば、
熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂またはこれらの複合樹脂な
どが挙げられる。層間樹脂絶縁層２として、無電解めっ
き用接着剤を用いることが望ましい。この無電解めっき
用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性
の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の未硬
化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適である。
後述するように酸、酸化剤の溶液で処理することによ
り、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状
のアンカーからなる粗化面を形成できるからである。

【００３１】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が１０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒子径が相
対的に大きな粒子と平均粒子径が相対的に小さな粒子を
混合した粒子が望ましい。これらはより複雑なアンカー
を形成できるからである。

【００３２】使用できる耐熱性樹脂としては、例えば、
エポキシ樹脂（ビスＡ型エポキシ樹脂、クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂など）、ポリイミド樹脂、エポキ
シ樹脂と熱可塑性樹脂との複合体等が挙げられる。複合
させる熱可塑性樹脂として、ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）、ポリサルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレ
ンサルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド
（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）、ポリ
エーテルイミド（ＰＩ）などを使用できる。また、酸や
酸化剤の溶液に溶解する耐熱性樹脂粒子としては、たと
えば、エポキシ樹脂（特にアミン系硬化剤で硬化させた
エポキシ樹脂がよい）、アミノ樹脂や、ポリエチレン系
ゴム、ポリブタン系ゴム、ポリブタジェンゴム、ポリブ
チンゴムなどのゴムが挙げられる。層間絶縁層は、塗
布、樹脂フィルムを加熱圧着などを施して形成される。

【００３３】（３） 次に、層間樹脂絶縁層２に、導体
層４との電気接続を確保するためのバイアホール形成用
開口６を設ける（図２（ｃ）参照）。上述した無電解め
っき用接着剤を用いる場合には、バイアホール形成のた
めの円パターンが描画されたフォトマスクを載置し、露
光、現像処理してから熱硬化することで開口６を設け
る。一方、熱硬化性樹脂を用いた場合には、熱硬化した
のちレーザー加工することにより、上記層間樹脂絶縁層
にバイアホール用の開口６を設ける。また、樹脂フィル
ムを貼り付けて層間絶縁層を形成させた場合には、炭
酸、ＹＡＧ、エキシマ、ＵＶレーザ等のレーザで加工す
ることにより、バイアホール用の開口を設ける。必要に
応じて過マンガン酸などによるディップあるいは、プラ
ズマなどのドライエッチングによってデスミヤ処理をす
る。

【００３４】（４） 次に、バイアホール形成用開口６
を設けた層間樹脂絶縁層２の表面を粗化する（図２
（ｄ）参照）。層間樹脂絶縁層２に無電解めっき用接着
剤を用いた場合、この無電解めっき用接着剤層の表面に
存在する耐熱性樹脂粒子を酸または酸化剤で溶解除去す
ることにより、無電解めっき用接着剤層２の表面を粗化
して、蛸壺状のアンカーを設ける。

【００３５】ここで、上記酸としては、例えば、リン
酸、塩酸、硫酸などの強酸、または蟻酸や酢酸などの有
機酸を用いることができる。特に、有機酸を用いるのが
望ましい。これは、粗化処理した場合に、バイアホール
用開口６から露出する金属導体層４を腐食させにくいか
らである。一方、上記酸化剤としては、クロム酸、過マ
ンガン酸塩（過マンガン酸カリウムなど）の水溶液を用
いることが望ましい。

【００３６】前記粗化は、表面の最大粗度Ｒｍａｘ０．
１〜２０μｍがよい。厚すぎると粗化面自体が損傷、剥
離しやすく、薄すぎると密着性が低下するからである。

【００３７】（５） 次に、層間樹脂絶縁層２の表面を
粗化した配線基板に、触媒核を付与する。触媒核の付与
には、貴金属イオンや貴金属コロイドなどを用いること
が望ましく、一般的には塩化パラジウムやパラジウムコ
ロイドを使用する。なお、この触媒核を固定するため
に、加熱処理を行うことが望ましい。このような触媒核
にはパラジウムが好適である。

【００３８】（６） 続いて、粗化し触媒核を付与した
層間樹脂絶縁層２の全面に無電解めっきを施し、無電解
めっき膜１２を形成する（図３（ａ）参照）。この無電
解めっき膜１２の厚みは、０．１〜５μｍが好ましい。

【００３９】次に、無電解めっき膜１２の表面にめっき
レジスト３を形成する（図３（ｂ）参照）。形成した無
電解めっき膜１２上に感光性樹脂フィルム（ドライフィ
ルム）をラミネートし、この感光性樹脂フィルム上に、
めっきレジストパターンが描画されたフォトマスク（ガ
ラス基板がよい）を密着させて載置し、露光し現像処理
することによりめっきレジスト３を形成できる。

【００４０】（７） 次に、電気めっきを施し、無電解
めっき膜１２上のめっきレジスト非形成部に電気めっき
膜を形成し、導体層５とバイアホール７を形成する。そ
の厚みは５〜２０μｍがよい。この電気めっきには、銅
めっきが好ましい。また、電気めっき後に、電解ニッケ
ルめっき、無電解ニッケルめっき、またはスパッタから
選ばれる少なくとも１の方法により、ニッケル膜１４を
形成する（図３（ｃ）参照）。このニッケル膜１４上に
はＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる合金めっきが析出しやすいか
らである。また、ニッケル膜はメタルレジストとして作
用するため、その後の工程でも過剰エッチングを防止す
るという効果を奏する。

【００４１】（８） 続いて、めっきレジスト３を除去
した後、そのめっきレジスト下に存在していた無電解め
っき膜１２を、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナト
リウム、過硫酸アンモニウムなどの水溶液からなるエッ
チング液にて除去し、無電解めっき膜１２、電解めっき
膜１３及びニッケル膜１４の３層からなる独立した導体
層５とバイアホール７を得る（図３（ｄ）参照）。な
お、非導体部分に露出した粗化面上のパラジウム触媒核
は、クロム酸、硫酸−過酸化水素水溶液などにより溶解
除去する。

【００４２】（９） 次に、導体層５とバイアホール７
の表面に粗化層１１を設け、さらに層間樹脂絶縁層２と
して先に述べた無電解めっき用接着剤の層を形成する。
（図４（ａ）参照）。

【００４３】（１０） この層間樹脂絶縁層２に、バイ
アホール用開口６を設けるとともに、層間樹脂絶縁層２
の表面を粗化する。（図４（ｂ）参照）。

【００４４】（１１） つづいて、この粗化した層間樹
脂絶縁層２の表面に触媒核を付与した後、無電解めっき
膜１２を形成する（図４（ｃ）参照）。

【００４５】（１２） 無電解めっき膜１２の表面にめ
っきレジスト３を形成し、先に述べたように、めっきレ
ジスト３の非形成部に電気メッキ膜１３、ニッケルめっ
き膜１４を形成する（図４（ｄ）参照）。

【００４６】（１３） めっきレジスト３を除去し、め
っきレジスト下の無電解めっき膜１２を除去し、導体層
（導電性接続ピンを固定するパッド１６となる導体層を
含む）５、およびバイアホール７を設け、片面３層の６
層のビルドアップ基板を得る（図５参照）。

【００４７】（１４） このようにして得られたビルド
アップ基板の導体層５及びバイアホール７に粗化層１１
を形成し、パッド１６を露出させる開口部１８を有する
有機樹脂絶縁層１５で被覆する（図６参照）。有機樹脂
絶縁層の厚さは５〜４０μｍがよい。薄すぎると絶縁性
能が低下し、厚すぎると開口し難くなるうえ半田と接触
し、クラックなどの原因となるからである。

【００４８】この有機樹脂絶縁層を構成する樹脂として
は、種々のものが使用でき、例えば、ビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のア
クリレート、ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型
エポキシ樹脂のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダ
ゾール硬化剤で硬化させた樹脂を使用できる。

【００４９】このような構成の有機樹脂絶縁層は、鉛の
マイグレーション（鉛イオンが、有機樹脂絶縁層内を拡
散する現象）が少ないといった利点を有する。しかも、
この有機樹脂絶縁層は、耐熱性、耐アルカリ性に優れ、
ハンダなどの導電性接着剤が溶融する温度（２００℃前
後）でも劣化しないし、ニッケルめっきや金めっきのよ
うな強塩基性のめっき液で分解することもない。

【００５０】ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂の
アクリレートとしてはフェノールノボラックやクレゾー
ルノボラックのグリシジルエーテルをアクリル酸やメタ
クリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用いるこ
とができる。上記イミダゾール硬化剤は、２５℃で液状
であることが望ましい。液状であれば均一混合できるか
らである。

【００５１】このような液状イミダゾール硬化剤として
は、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（品名：１
Ｂ２ＭＺ）、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチ
ルイミダゾール（品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）、４−メチ
ル−２−エチルイミダゾール（品名：２Ｅ４ＭＺ）を用
いることができる。

【００５２】このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記
有機樹脂絶縁層の総固形分に対して１から１０重量％と
することが望ましい。この理由は、添加量がこの範囲内
にあれば均一混合がしやすいからである。上記有機樹脂
絶縁層の硬化前組成物は、溶媒としてグリコールエーテ
ル系の溶剤を使用することが望ましい。かかる組成物を
用いた有機樹脂絶縁層は遊離酸素が発生せず、パッド表
面を酸化させず、また人体に対する有害性も少ないから
である。

【００５３】上記グリコールエーテル系溶剤としては、
望ましくはジエチレングリコールジメチルエーテル（Ｄ
ＭＤＧ）およびトリエチレングリコールジメチルエーテ
ル（ＤＭＴＧ）から選ばれるいずれか少なくとも１種を
用いる。これらの溶剤は、３０〜５０℃程度の加温によ
り、反応開始剤であるベンゾフェノンやミヒラーケトン
を完全に溶解させることができるからである。このグリ
コールエーテル系の溶媒は、有機樹脂絶縁層の組成物の
全重量に対して１０〜４０重量％がよい。

【００５４】以上説明したような有機樹脂絶縁層の組成
物には、そのほかに各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性
や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、
解像度改善のために感光性モノマーなどを添加すること
ができる。例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エ
ステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤とし
てはチバガイギー社製のイルガキュアＩ９０７、光増感
剤としては日本化薬社製のＤＥＴＸ−Ｓがよい。さら
に、有機樹脂絶縁層の組成物には色素や顔料を添加して
もよい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色
素としてはフタロシアニングリーンを用いることが望ま
しい。

【００５５】添加成分としての上記熱硬化性樹脂として
は、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができ
る。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ
樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘
度化が要求される場合（塗布性を重視する場合）には後
者がよい。

【００５６】また、これらの有機樹脂絶縁層組成物は、
２５℃で０．５から１０Ｐａ・ｓ、より望ましくは１〜
１０Ｐａ・ｓがよい。ロールコータで塗布しやすい粘度
だからである。

【００５７】（１５） 前記開口部１８内に金めっき
膜、ニッケルめっき膜−金めっき膜などの耐食金属であ
る金属膜１９の形成を行った後、パッケージ基板の下面
側（ドータボード、マザーボードとの接続面）となる開
口部１６内に、導電性接着剤１７としてハンダペースト
を印刷する。半田ペースの粘度としては、５０〜４００
ＰａＳの範囲で行うことがよい。さらに、銅又は銅合金
からなる導電性接続ピン１００を適当なピン保持装置に
取り付けて支持し、導電性接続ピン１００の固定部１０
１を開口部１６内の導電性接着剤１７に当接させて、２
２０〜２７０℃でリフロを行い，導電性接続ピン１００
を導電性接着剤１７に固定する（図７参照）。または、
導電性接着剤をボール状等とに形成したものを開口部内
に入れて、あるいは、導電性接続ピンの板状の固定部側
に接合させて導電性接続ピンを取り付けた後、リフロー
させてもよい。また、図７において円で囲んで示した導
電性接続ピン１００を設けたパッド部分を、図８に拡大
して示した。なお、パッケージ基板３１０において、上
面側の開口１８には、ＩＣチップなどの部品に接続可能
なハンダバンプ２３０を設けた。

【００５８】本発明に用いられる導電性接続ピン１００
は、板状の固定部１０１とこの板状の固定部１０1の略
中央に突設された柱状の接続部１０２とからなる、いわ
ゆるＴ型ピンが好適に用いられる。板状の固定部１０１
は、パッド１６となるパッケージ基板の最外層の導体層
５に導電性接着剤１７を介して固定される部分であっ
て、パッドの大きさに合わせた円形状や多角形状など適
当に形成される。また、接続部１０２の形状は、他の基
板の端子など接続部に挿入可能な柱状であれば問題な
く、円柱・角柱・円錐・角錐など何でもよい。

【００５９】導電性接続ピン１００の材質は、銅又は銅
合金、スズ、亜鉛、アルミニウム、貴金属から選ばれる
少なくとも１種類以上の金属からなる事が好ましい。高
い可撓性を有するためである。特に、銅合金であるリン
青銅が挙げられる。電気的特性および導電性接続ピンと
しての加工性に優れているからである。また、この導電
性接続ピンは、腐食防止あるいは強度向上のために表面
を他の金属層で被覆してもよい。

【００６０】導電性接続ピン１００において、柱状の接
続部１０２は直径が０．１〜０．８ｍｍで長さが１．０
〜１０ｍｍ、板状の固定部１０１の直径は０．５〜２．
０ｍｍの範囲とすることが望ましく、パッドの大きさや
装着されるマザーボードのソケット等の種類などによっ
て適宜に選択される。

【００６１】本発明のパッケージ基板に用いられる導電
性接着剤１７としては、ハンダ（スズ−鉛、スズ−アン
チモン、銀−スズ−銅など）、導電性樹脂、導電性ペー
ストなどを使用することができる。導電性接着剤の融点
が１８０〜２８０℃の範囲のものを用いることがよい。
それにより、導電性接続ピンの接着強度２．０Ｋg／pin
以上が確保され、ヒートサイクル条件下や実装の際にか
かる熱による導電性接続ピンの脱落、傾きがなくなり、
電気的接続も確保されるのである。ハンダで形成するの
が最も好ましい。導電性接続ピンとの接続強度に優れて
いるとともに、熱にも強く、接着作業がやりやすいから
である。

【００６２】導電性接着剤１７をハンダで形成する場
合、Ｓｎ／Ｐｂ＝９５／５、６０／４０などの組成より
なるハンダを使用するのが好適である。用いられるハン
ダの融点も１８０〜２８０℃の範囲にあるものが好適で
ある。特に望ましいのは２００〜２６０℃の範囲である
ものがよい。それにより、導電性接続ピンの接着強度の
バラツキも少なくなり、実装の際に加わる熱がパッケー
ジ基板を構成する樹脂層を損傷しないからである。

【００６３】図８から理解されるように、この導電性接
続ピン１００は、銅または銅合金などの可撓性に優れた
材質よりなるので、パッケージ基板を他の基板へ取り付
ける際などに導電性接続ピン１００に加わった応力を、
図中の点線で示すように接続部１０２が撓んで吸収する
ことができる。

【００６４】ａ.第１改変例 第１改変例のパッケージ基板３１１のパッド１６は、図
９に示すように、当該パッド１６を部分的に露出させる
開口部１８が形成された有機樹脂絶縁層（スルーホール
層）１５により被覆されており、開口部１８から露出し
たパッド１６に導電性接着剤１７を介して導電性接続ピ
ン１００の固定部１０１が固定されている。図から理解
されるように、この有機樹脂絶縁層１５は、パッド１６
の周囲を押さえるように被覆しているので、ヒートサイ
クル時や、パッケージ基板をマザーボードへ装着する際
などに、導電性接続ピン１００に応力が加わっても、パ
ッド１６の破壊および層間樹脂絶縁層１５との剥離を防
止できる。また、金属と樹脂という異なった素材同士の
接着においても剥離し難くなっている。なお、ここで
は、層間樹脂絶縁層が形成された多層プリント配線板か
ら成るパッケージ基板を例示したが、１枚の基板のみか
らなるパッケージ基板にも第１実施例の構成は適用可能
である。

【００６５】［第２実施例］このパッケージ基板３１２
は、基本的には図７および図８を参照して上述した第１
実施例と同じであるが、導電性接続ピン１００を固定す
るパッド１６を、バイアホール７を介して、層間樹脂絶
縁層２００の内層の導体層１６０に接続した。そして、
有機樹脂絶縁層１５によってパッド１６の一部を被覆し
た（図９参照）。製造工程は、（１）から（１４）まで
は第１実施例と全く同じである。 （１５） バイアホール７内に、導電性接着剤となるハ
ンダペースト（Ｓn／Ｓｂ＝９５：５）１７を充填す
る。有機樹脂絶縁層１５の表面にマスク材（図示せず）
を配置し密着させてハンダペーストを印刷し、最高２７
０℃でリフロした。 （１６） 導電性接続ピンのパッドへの固定は、第１実
施例と同じである。第２実施例では、導電性接続ピン１
００による応力の吸収性の高さに加え、バイアホール７
によってパッド１６と基板との接着面積が大きくなって
いるので、パッド１６の剥離強度を高めることができ
る。また、内層の導体層１６０は、金属層であるので、
同じ金属製のパッド１６の接着性も良好で、剥がれ難い
構造となっている。しかもその表面を有機樹脂絶縁層１
５で覆っているので、パッド１６と基板との剥離強度に
優れている。

【００６６】なお、パッドが接続する内層の導体層は、
コア基板１に設けられていてもよい。先に述べたよう
に、コア基板上の導体層は粗化面を介してコア基板と強
固に密着しているので、パッドをより剥離し難くするこ
とができる。

【００６７】ａ．第１改変例 基本的に第２実施例と同じであるが、一の導電性接続ピ
ン１００を固定するパッド１６を、複数のバイアホール
７を介して、層間樹脂絶縁層２００の内層の導体層１６
０に接続したパッケージ基板３１３である（図１１
（Ａ）参照）。本例では、図１１（Ｂ）に示すように、
バイアホール７を円形に６つ配置し、各バイアホール７
を覆うようにパッド１６を形成した。図１１（Ｂ）は、
図１１（Ａ）をバイアホール７側から見たＢ矢視図であ
る。なお、図１１（Ｂ）に示すバイアホール７の位置で
は、断面で示した場合、図１１（Ａ）のような３つのバ
イアホール７は現れないが、図示の便宜上、向こう側の
バイアホールを点線で示してある。

【００６８】ｂ．第２改変例 基本的に第１改変例と同じであるが、バイアホール７の
形状を、図１２（Ｂ）で示すようなリング状としたパッ
ケージ基板３１４である（図１２参照）。図１２（Ｂ）
は図１２（Ａ）のＢ矢視図である。

【００６９】第１改変例では複数のバイアホール７によ
って、また、第２改変例ではリング状のバイアホール７
によって、基板との接着面積が更に大きくなっている。

【００７０】ｃ．第３改変例 基本的に図１１に示して説明した第１改変例と同じであ
るが、内層の層間樹脂絶縁層２００にも円形に配置した
複数のバイアホール７を設け、パッド１６が設けられる
外層側バイアホール７と内層のバイアホール７とを接合
したパッケージ基板３１５である（図１３参照）。この
パッケージ基板３１５では、複数のバイアホール７同士
を結合しているので、パッド１６が極めて剥がれ難くな
っている。

【００７１】なお、先に述べたように、これら各改変例
においても、パッドが設けられる内層の導体層はコア基
板１に形成されたものであることが望ましい。コア基板
上の導体層は、コア基板となる絶縁基板と粗化面（マッ
ト面）を介して強固に密着しており、このようなコア基
板上の導体層に接続させることにより、パッド１６が層
間樹脂絶縁層２００から剥離し難くなる。

【００７２】［第３実施例］基本的に第２実施例の第２
改変例と同じであるが、パッド１６を接続する内層の導
体層をコア基板１のスルーホール９に設けた導体層（ラ
ンド９１）とし、有機樹脂絶縁層１５によりパッド１６
の周縁を覆ったパッケージ基板３１６である（図１４参
照）。図示されるように、スルーホール９のランド９１
およびスルーホール９内の樹脂充填材１０に、バイアホ
ール７を介してパッド１６を接続している。

【００７３】つまり、パッド１６は、バイアホール７を
介してコア基板１の導体層に接続していることに特徴が
ある。コア基板１上の導体層は、コア基板となる絶縁基
板と粗化面（マット面）を介して強固に密着しており、
このようなコア基板上の導体層に接続させることによ
り、パッド１６が層間樹脂絶縁層２００から剥離し難く
なる。また、スルーホール９とパッド１６とがバイアホ
ール７を介して接続されている。このため、外部端子で
ある導電性接続ピン１００と、該導電性接続ピン１００
該導電性接続ピン１００が設けられる側の反対に位置す
るＩＣチップ（半導体チップ）との間の配線長を短くで
きる。

【００７４】ａ．第１改変例 基本的に第３実施例と同じであるが、スルーホール９に
当該スルーホール９を覆う蓋めっきと呼ばれる導体層９
０を形成し、この導体層９０にバイアホール７を介して
パッド１６を接続したパッケージ基板３１７である（図
１５参照）。

【００７５】ｂ．第２改変例 基本的に第３実施例と同じであるが、バイアホールを介
して、スルーホール９のランド９１のみにパッド１６を
接続したパッケージ基板３１８である（図１６参照）。
これらの例では、パッド１６が、コア基板１表面の導体
層４と接着して剥がれにくい構造となっているだけでな
く、特にスルーホールのランド９１と結合させること
で、基板裏面側との配線長を短くすることができる。

【００７６】［第４実施例］基本的に第２実施例と同じ
であるが、ハンダをボール状にしたものを導電性接続ピ
ンに取り付けて、その後、導電性接続ピンを配設した。

【００７７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
導電性接続ピンを、銅または銅合金製などの可撓性の高
い材質で構成しているので、ヒートサイクル時やパッケ
ージ基板の装着時にピンに加わる応力を充分に吸収しピ
ンが基板から剥離するのを防止することができる。ま
た、このような導電性接続ピンを用いたパッケージ基板
は、導電性接続ピンに応力が集中しにくいため、導電性
接続ピンとパッド、およびパッドと基板との接着強度が
高く、接続信頼性に優れている。

【００７８】図１８に各実施例のパッケージ基板を評価
した結果を示す。評価項目として、接合後の導電性接続
ピンの最小の接着強度、加熱試験（仮想のＩＣ実測状態
の再現、ピンを配設した基板を２５０℃にした窒素リフ
ロー炉に通すことによる評価）、およびヒートサイクル
条件下（１３０℃／３分＋−６５℃／３分を１サイクル
として、１００００サイクル実施）後の各々のピンの状
態、最小接着強度、導通試験を行った。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ），図１（ｂ），図１（ｃ），図１
（ｄ）は、本発明の第１実施例に係るパッケージ基板の
製造工程図である。

【図２】図２（ａ），図２（ｂ），図２（ｃ），図２
（ｄ）は、本発明の第１実施例に係るパッケージ基板の
製造工程図である。

【図３】図３（ａ），図３（ｂ），図３（ｃ），図３
（ｄ）は、本発明の第１実施例に係るパッケージ基板の
製造工程図である。

【図４】図４（ａ），図４（ｂ），図４（ｃ），図４
（ｄ）は、本発明の第１実施例に係るパッケージ基板の
製造工程図である。

【図５】本発明の第１実施例に係るパッケージ基板の断
面図である。

【図６】本発明の第１実施例に係るパッケージ基板の断
面図である。

【図７】本発明の第１実施例に係るパッケージ基板の断
面図である。

【図８】図７において、導電性接続ピンをパッドに接続
した部分を拡大した断面図である。

【図９】本発明の第１実施例の第１改変例に係るパッケ
ージ基板の断面図である。

【図１０】第２実施例に係るパッケージ基板を示す断面
図である。

【図１１】第２実施例の第１改変例を示す図であって、
図１１（Ａ）はパッド部分の断面図、図１１（Ｂ）は図
１１（Ａ）のＢ矢視図である。

【図１２】第２実施例の第２改変例を示す図あって、図
１２（Ａ）パッド部分の断面図、図１２（Ｂ）は図１２
（Ａ）のＢ矢視図である。

【図１３】第２実施例の第３改変例を示す断面図であ
る。

【図１４】第３実施例に係るパッケージ基板の断面図で
ある。

【図１５】第３実施例の第１改変例を示す断面図であ
る。

【図１６】第３実施例の第２改変例を示す断面図であ
る。

【図１７】従来技術のパッケージ基板を示す断面図であ
る。

【図１８】各実施例のパッケージ基板の評価結果を示す
図表である。

【符号の説明】

１ コア基板 ２，２００ 層間樹脂絶縁層 ３ めっきレジスト ４ 導体層（下層） ４ａ 粗化面 ５ 導体層（上層） ６ バイアホール用開口 ７ バイアホール ８ 銅箔 ９ スルーホール ９ａ 粗化面 ９１ スルーホールのランド １０ 樹脂充填剤 １１ 粗化層 １２ 無電解めっき膜 １３ 電解めっき膜 １４ ニッケルめっき層 １５ 有機樹脂絶縁層 １６ パッド １７ 導電性接着剤 １００ 導電性接続ピン １０１ 固定部 １０２ 接続部 ３１０，３１１，３１２，３１３ パッケージ基板 ３１４，３１５，３１６，３１７，３１８ パッケージ
基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｐ Ｋ (72)発明者 広瀬 直宏 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１ イビデ ン株式会社大垣北工場内 (72)発明者 川出 雅徳 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１ イビデ ン株式会社大垣北工場内 Ｆターム(参考） 5E344 AA01 BB06 CC23 CD14 CD27 EE17 5E346 AA02 AA41 AA43 BB16 BB20 CC09 CC10 CC32 DD32 EE31 GG15 HH11 5F067 AA05 AB07 BB14 BB15 BB20 EA04 EA05 EA06

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 パッケージ基板に固定されて他の基板と
   の電気的接続を得るための導電性接続ピンにおいて、 前記導電性接続ピンが柱状の接続部と板状の固定部より
   なり、銅または銅合金、スズ、亜鉛、アルミニウム、貴
   金属から選ばれる少なくとも１種類以上の金属からなる
   事を特徴とする導電性接続ピン。
2. 【請求項２】 前記導電性接続ピンは、リン青銅製であ
   ることを特徴とする請求項１に記載の導電性接続ピン。
3. 【請求項３】導体層を設けた基板上に、他の基板との電
   気的接続を得るための導電性接続ピンが固定されてなる
   パッケージ基板において、 前記導電性接続ピンは、柱状の接続部と板状の固定部よ
   りなり、銅または銅合金、スズ、亜鉛、アルミニウム、
   貴金属から選ばれる少なくとも１種類以上の金属からな
   り、 前記導体層の一部または全部に前記導電性接続ピンを固
   定するためのパッドが形成され、 前記パッドに前記導電性接続ピンの固定部が導電性接着
   剤を介して固定されていることを特長とするパッケージ
   基板。
4. 【請求項４】 前記導体層は、前記パッドを部分的に露
   出させる開口部が形成された有機樹脂絶縁層で被覆さ
   れ、前記開口部から露出したパッドに前記導電性ピンが
   導電性接着剤を介して固定されていることを特徴とする
   請求項３に記載のパッケージ基板。
5. 【請求項５】 前記パッドの直径は、開口部の直径の
   １．０２〜１００倍であることを特徴とする請求項４に
   記載のパッケージ基板
6. 【請求項６】 前記基板が導体層と層間樹脂絶縁層とが
   交互に積層された構造を少なくとも一つ以上有するビル
   トアップ基板であることを特徴とする請求項３ないし５
   のいずれか１に記載のパッケージ基板。
7. 【請求項７】 導体層と層間樹脂絶縁層とが交互に積層
   された構造を少なくとも一つ以上有するビルドアップ基
   板に、他の基板との電気的接続を得るための導電性接続
   ピンが固定されてなるパッケージ基板において、 前記導電性接続ピンは、柱状の接続部と板状の固定部よ
   りなり、銅または銅合金、スズ、亜鉛、アルミニウム、
   貴金属から選ばれる少なくとも１種類以上の金属であっ
   て、 前記ビルドアップ基板の最外層の導体層の一部または全
   部に、前記導電性接続ピンを固定するためのパッドが形
   成され、 前記パッドは、バイアホールを介して内層の導体層に接
   続されるとともに、前記パッドに導電性接続ピンが導電
   性接着剤を介して固定されていることを特徴とするパッ
   ケージ基板。
8. 【請求項８】 導体層が形成されたコア基板の両面に導
   体層と層間樹脂絶縁層とが交互に積層された構造を少な
   くとも一つ以上有するビルドアップ基板に、他の基板と
   の電気的接続を得るための導電性接続ピンが固定された
   パッケージ基板において、 前記導電性接続ピンは、柱状の接続部と板状の固定部よ
   りなり、銅または銅合金、スズ、亜鉛、アルミニウム、
   貴金属から選ばれる少なくとも１種類以上の金属であっ
   て、 前記ビルドアップ基板の、最外層の導体層の一部または
   全部に、前記導電性接続ピンを固定するためのパッドが
   形成され、 前記パッドはバイアホールを介して前記コア基板の導体
   層に接続されるとともに、当該パッドには導電性接続ピ
   ンが導電性接着剤を介して固定されていることを特徴と
   するパッケージ基板。
9. 【請求項９】 導体層を備えたスルーホールが形成され
   てなるコア基板の両面に、導体層と層間樹脂絶縁層とが
   交互に積層された構造を少なくとも一つ以上有するビル
   ドアップ基板に、他の基板との電気的接続を得るための
   導電性接続ピンが固定されたパッケージ基板において、 前記導電性接続ピンは、柱状の接続部と板状の固定部よ
   りなり、銅または銅合金、スズ、亜鉛、アルミニウム、
   貴金属から選ばれる少なくとも１種類以上の金属であっ
   て、 前記ビルドアップ基板の、最外層の導体層の一部または
   全部に、前記導電性接続ピンを固定するためのパッドが
   形成され、 前記パッドは、前記スルーホールの導体層とバイアホー
   ルを介して接続されているとともに、当該パッドには導
   電性接続ピンが導電性接着剤を介して固定されているこ
   とを特徴とするパッケージ基板。
10. 【請求項１０】 前記パッドは、少なくとも一つ以上の
    バイアホールを介して内層の導体層に接続していること
    を特徴とする請求項７ないし９のいずれか１に記載のパ
    ッケージ基板。
11. 【請求項１１】 前記パッドは、リング状のバイアホー
    ルを介して内層の導体層に接続されていることを特徴と
    する請求項７ないし１０のいずれか１に記載のパッケー
    ジ基板。
12. 【請求項１２】 前記パッドは、少なくとも二層以上に
    設けられたバイアホールを介して内層の導体層と接続し
    ていることを特徴とする請求項７ないし１１のいずれか
    １に記載のパッケージ基板。
13. 【請求項１３】 前記最外層の導体層は、パッドを部分
    的に露出させる開口部が形成された有機樹脂絶縁層で被
    覆され、前記開口部から露出したパッドに前記導電性接
    続ピンが導電性接着剤を介して固定されていることを特
    徴とする請求項７ないし１２のいずれか１に記載のパッ
    ケージ基板。
14. 【請求項１４】 前記パッドの直径は、前記開口部の直
    径の１．０２〜１００倍であることを特徴とする請求項
    １２に記載のパッケージ基板。
15. 【請求項１５】 前記導電性接続ピンは、リン青銅製で
    あることを特徴とする請求項７ないし１４のいずれか１
    に記載のパッケージ基板。
16. 【請求項１６】 前記導電性接着剤は、融点が１８０〜
    ２８０℃であることを特徴とする請求項３ないし１５の
    いずれか１に記載のパッケージ基板。
17. 【請求項１７】 前記導電性接着剤は、スズ、鉛、アン
    チモン、銀、金、銅が少なくとも１種類以上で形成され
    ていることを特徴とする請求項３ないし１６のいずれか
    １に記載のパッケージ基板。
18. 【請求項１８】 前記導電性接着剤は、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓ
    ｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｓｂ／Ｐｂの合金である
    ことを特徴とする請求項３ないし１７のいずれか１に記
    載のパッケージ基板。