JP2000351842A - 芳香族ポリカーボネート樹脂 - Google Patents
芳香族ポリカーボネート樹脂Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高転写性、低そり性及び低垂直方向屈折率差
に優れた芳香族ポリカーボネート樹脂を提供する。 【解決手段】 主鎖がジヒドロキシジアリール化合物か
ら誘導されるカーボネート構造単位ａ及び１−フェニル
−１，２−エタンジオールから誘導されるカーボネート
構造単位ｂからなり、カーボネート構造単位ｂの割合が
カーボネート構造単位ａ及びカーボネート構造単位ｂの
合計の２〜６０モル％であるポリカーボネート共重合体
からなる芳香族ポリカーボネート樹脂。
に優れた芳香族ポリカーボネート樹脂を提供する。 【解決手段】 主鎖がジヒドロキシジアリール化合物か
ら誘導されるカーボネート構造単位ａ及び１−フェニル
−１，２−エタンジオールから誘導されるカーボネート
構造単位ｂからなり、カーボネート構造単位ｂの割合が
カーボネート構造単位ａ及びカーボネート構造単位ｂの
合計の２〜６０モル％であるポリカーボネート共重合体
からなる芳香族ポリカーボネート樹脂。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、芳香族ポリカーボ
ネート樹脂に関し、詳しくは、光ディスク基板用芳香族
ポリカーボネート樹脂および該芳香族ポリカーボネート
樹脂からなる光ディスク基板に関する。
ネート樹脂に関し、詳しくは、光ディスク基板用芳香族
ポリカーボネート樹脂および該芳香族ポリカーボネート
樹脂からなる光ディスク基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、芳香族ポリカーボネート樹脂
は、透明性、耐衝撃性、耐熱性などに優れ、得られる成
形品は寸法安定性にも優れるなどのことから、光ディス
ク基板用樹脂として広く使用されてきている。
は、透明性、耐衝撃性、耐熱性などに優れ、得られる成
形品は寸法安定性にも優れるなどのことから、光ディス
ク基板用樹脂として広く使用されてきている。
【０００３】しかし、近年光ディスクの信号密度が上が
るにつれて、その基板には様々な性能が要求されている
が、その対応が困難になっている。たとえば、信号の密
度を上げるために、案内溝（グルーブ）やピットの間隔
が小さくなり、同時にその深さも深くなるのでスタンパ
ーに刻印されている信号の基板への忠実な転写が困難と
なる。また基板のそり（チルト）が大きければ、信号の
正確な再生が困難となるため特に高密度になればなるほ
ど、低そり性が要求される。さらには、高密度光磁気デ
ィスクの場合、従来の光ディスクと異なり、基板の垂直
方向屈折率差が特に小さくなければ、信号特性のＣ／Ｎ
比が低下するという問題が発生する。
るにつれて、その基板には様々な性能が要求されている
が、その対応が困難になっている。たとえば、信号の密
度を上げるために、案内溝（グルーブ）やピットの間隔
が小さくなり、同時にその深さも深くなるのでスタンパ
ーに刻印されている信号の基板への忠実な転写が困難と
なる。また基板のそり（チルト）が大きければ、信号の
正確な再生が困難となるため特に高密度になればなるほ
ど、低そり性が要求される。さらには、高密度光磁気デ
ィスクの場合、従来の光ディスクと異なり、基板の垂直
方向屈折率差が特に小さくなければ、信号特性のＣ／Ｎ
比が低下するという問題が発生する。
【０００４】従来の光ディスク基板用のポリカーボネー
ト樹脂は流動性を向上させるために、粘度平均分子量を
１５，０００〜１８，０００程度に下げることがおこな
われているが、分子量を下げるだけでは転写性は必ずし
も向上しない。転写性を向上させるためには、基板成形
時の金型温度を上げる方法があるが、金型温度を上げる
と、高密度のＤＶＤ基板の様に基板の厚みが０．６ｍｍ
と薄いため、基板がそりやすくなる。基板のそりを小さ
くするためにはガラス繊維や無機充填剤を添加して、剛
性を上げることが考えられるが、ガラス繊維や無機充填
剤などの添加剤は基板表面に浮き出ることが多く、信号
の転写不良などの原因となる。さらにガラス繊維のよう
な繊維状の添加物は異方性が高く、射出成形時に流動方
向に配向するので特に光ディスク基板のような薄物成形
品の場合には、そりが発生しやすいという欠点もある。
ト樹脂は流動性を向上させるために、粘度平均分子量を
１５，０００〜１８，０００程度に下げることがおこな
われているが、分子量を下げるだけでは転写性は必ずし
も向上しない。転写性を向上させるためには、基板成形
時の金型温度を上げる方法があるが、金型温度を上げる
と、高密度のＤＶＤ基板の様に基板の厚みが０．６ｍｍ
と薄いため、基板がそりやすくなる。基板のそりを小さ
くするためにはガラス繊維や無機充填剤を添加して、剛
性を上げることが考えられるが、ガラス繊維や無機充填
剤などの添加剤は基板表面に浮き出ることが多く、信号
の転写不良などの原因となる。さらにガラス繊維のよう
な繊維状の添加物は異方性が高く、射出成形時に流動方
向に配向するので特に光ディスク基板のような薄物成形
品の場合には、そりが発生しやすいという欠点もある。
【０００５】繊維状の添加物を含有する成形品の外観を
改良する目的で、例えば、フタル酸系化合物などの可塑
剤を添加する方法、芳香族ポリカーボネート樹脂の低分
子量体（オリゴマー）を添加する方法、ポリカプロラク
トンを配合する方法などが提案されているが、いずれも
耐熱性が低下する問題がある。
改良する目的で、例えば、フタル酸系化合物などの可塑
剤を添加する方法、芳香族ポリカーボネート樹脂の低分
子量体（オリゴマー）を添加する方法、ポリカプロラク
トンを配合する方法などが提案されているが、いずれも
耐熱性が低下する問題がある。
【０００６】また、高密度光磁気ディスクの場合、レー
ザーのレンズの開口数が大きくなり、レーザーの斜め入
射成分が多くなり、垂直方向屈折率差（基板面内の１軸
と基板厚み軸の屈折率差）が低い方が望ましい。垂直方
向屈折率差を下げるためには、従来より分子構造を改良
して光弾性係数を下げたり、固有複屈折の正負のものを
ブレンドあるいは共重合すること等、様々な方法が試み
られているが、特別な分子構造が必要なためモノマーの
コストが高く、成形性が悪く、生産性にも問題がある。
従って、これまで、高転写性、低そり性および低垂直方
向屈折率差をすべて満足する光ディスク基板用樹脂を得
ることは困難であった。
ザーのレンズの開口数が大きくなり、レーザーの斜め入
射成分が多くなり、垂直方向屈折率差（基板面内の１軸
と基板厚み軸の屈折率差）が低い方が望ましい。垂直方
向屈折率差を下げるためには、従来より分子構造を改良
して光弾性係数を下げたり、固有複屈折の正負のものを
ブレンドあるいは共重合すること等、様々な方法が試み
られているが、特別な分子構造が必要なためモノマーの
コストが高く、成形性が悪く、生産性にも問題がある。
従って、これまで、高転写性、低そり性および低垂直方
向屈折率差をすべて満足する光ディスク基板用樹脂を得
ることは困難であった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、スタ
ンパーの信号を忠実に基板へ転写させる高転写性、基板
のそりが小さくなる低そり性、成形される光ディスク基
板の低垂直方向屈折率差に優れた芳香族ポリカーボネー
ト樹脂および該芳香族ポリカーボネート樹脂を用いて成
形された光ディスク基板を提供することにある。
ンパーの信号を忠実に基板へ転写させる高転写性、基板
のそりが小さくなる低そり性、成形される光ディスク基
板の低垂直方向屈折率差に優れた芳香族ポリカーボネー
ト樹脂および該芳香族ポリカーボネート樹脂を用いて成
形された光ディスク基板を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題を
解決するためになされたものであり、その要旨は、主鎖
がジヒドロキシジアリール化合物から誘導されるカーボ
ネート構造単位ａ及び１−フェニル−１，２−エタンジ
オールから誘導されるカーボネート構造単位ｂからな
り、カーボネート構造単位ｂの割合がカーボネート構造
単位ａ及びカーボネート構造単位ｂの合計の２〜６０モ
ル％であるポリカーボネート共重合体からなる芳香族ポ
リカーボネート樹脂に存する。
解決するためになされたものであり、その要旨は、主鎖
がジヒドロキシジアリール化合物から誘導されるカーボ
ネート構造単位ａ及び１−フェニル−１，２−エタンジ
オールから誘導されるカーボネート構造単位ｂからな
り、カーボネート構造単位ｂの割合がカーボネート構造
単位ａ及びカーボネート構造単位ｂの合計の２〜６０モ
ル％であるポリカーボネート共重合体からなる芳香族ポ
リカーボネート樹脂に存する。
【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
おけるポリカーボネート共重合体としては、主鎖がジヒ
ドロキシジアリール化合物から誘導されるカーボネート
構造単位ａ及び下記式（２）で示される１−フェニル−
１，２−エタンジオールから誘導されるカーボネート構
造単位ｂからなる。
おけるポリカーボネート共重合体としては、主鎖がジヒ
ドロキシジアリール化合物から誘導されるカーボネート
構造単位ａ及び下記式（２）で示される１−フェニル−
１，２−エタンジオールから誘導されるカーボネート構
造単位ｂからなる。
【００１０】
【化２】
【００１１】ポリカーボネート共重合体を製造するに
は、ジヒドロキシジアリール化合物及び下記式（３）で
示される１−フェニル−１，２−エタンジオールとホス
ゲンとを反応させるホスゲン法（界面重縮合法）、また
はジヒドロキシジアリール化合物及び下記式（３）で示
される１−フェニル−１，２−エタンジオールとジフェ
ニルカーボネートなどの炭酸エステルとを反応させるエ
ステル交換法（溶融法）などが挙げられる。
は、ジヒドロキシジアリール化合物及び下記式（３）で
示される１−フェニル−１，２−エタンジオールとホス
ゲンとを反応させるホスゲン法（界面重縮合法）、また
はジヒドロキシジアリール化合物及び下記式（３）で示
される１−フェニル−１，２−エタンジオールとジフェ
ニルカーボネートなどの炭酸エステルとを反応させるエ
ステル交換法（溶融法）などが挙げられる。
【００１２】
【化３】
【００１３】ジヒドロキシジアリール化合物の具体例と
しては、ビスフェノールＡ、ビス（４−ヒドロキシジフ
ェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシジフェニ
ル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
オクタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメ
タン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェ
ニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−
第３ブチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒ
ドロキシ−３−ブロモフェニル）プロパン、２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロ
ロフェニル）プロパンのようなビス（ヒドロキシアリー
ル）アルカン類、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサンのようなビス（ヒドロキシアリー
ル）シクロアルカン類、４，４’−ジヒドロキシジフェ
ニルエーテル、４，４’−ジヒドロキシ−３、３’−ジ
メチルジフェニルエーテルのようなジヒドロキシジアリ
ールエーテル類、４，４’−ジヒドロキシフェニルスル
フィド、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチル
ジフェニルスルフィドのようなジヒドロキシジアリール
スルフィド類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスル
ホキシド、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチ
ルジフェニルスルフォキシドのようなジヒドロキシジア
リールスルフォキシド類、４，４’−ジヒドロキシジフ
ェニルスルフォン、４、４’−ジヒドロキシ−３，３’
−ジメチルジフェニルスルホンのようなジヒドロキシジ
アリールスルフォン類等が挙げられる。これらは単独で
または２種類以上混合して使用されるが、これらの他に
ビペラジン、ジピペリジル、ハイドロキノン、レゾルシ
ン、４、４’−ジヒドロキシジフェニル等を混合して使
用してもよい。
しては、ビスフェノールＡ、ビス（４−ヒドロキシジフ
ェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシジフェニ
ル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
オクタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメ
タン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェ
ニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−
第３ブチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒ
ドロキシ−３−ブロモフェニル）プロパン、２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロ
ロフェニル）プロパンのようなビス（ヒドロキシアリー
ル）アルカン類、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサンのようなビス（ヒドロキシアリー
ル）シクロアルカン類、４，４’−ジヒドロキシジフェ
ニルエーテル、４，４’−ジヒドロキシ−３、３’−ジ
メチルジフェニルエーテルのようなジヒドロキシジアリ
ールエーテル類、４，４’−ジヒドロキシフェニルスル
フィド、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチル
ジフェニルスルフィドのようなジヒドロキシジアリール
スルフィド類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスル
ホキシド、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチ
ルジフェニルスルフォキシドのようなジヒドロキシジア
リールスルフォキシド類、４，４’−ジヒドロキシジフ
ェニルスルフォン、４、４’−ジヒドロキシ−３，３’
−ジメチルジフェニルスルホンのようなジヒドロキシジ
アリールスルフォン類等が挙げられる。これらは単独で
または２種類以上混合して使用されるが、これらの他に
ビペラジン、ジピペリジル、ハイドロキノン、レゾルシ
ン、４、４’−ジヒドロキシジフェニル等を混合して使
用してもよい。
【００１４】ジヒドロキシジアリール化合物としては、
好ましくは、式（４）で表されるジヒドロキシジアリー
ル化合物が挙げられる。
好ましくは、式（４）で表されるジヒドロキシジアリー
ル化合物が挙げられる。
【００１５】
【化４】
【００１６】（式中、Ｒ5及びＲ6は、それぞれ、水素原
子、炭素数１から６のアルキル基及びフェニル基を示
し、Ｒ7及びＲ8は、それぞれ、水素原子、炭素数１から
６のアルキル基及びハロゲン原子を示す。）
子、炭素数１から６のアルキル基及びフェニル基を示
し、Ｒ7及びＲ8は、それぞれ、水素原子、炭素数１から
６のアルキル基及びハロゲン原子を示す。）
【００１７】本発明におけるポリカーボネート共重合体
においては、１−フェニル−１，２−エタンジオールか
ら誘導されるカーボネート構造単位ｂの割合が、ジヒド
ロキシジアリール化合物から誘導されるカーボネート構
造単位ａ及び１−フェニル−１，２−エタンジオールか
ら誘導されるカーボネート構造単位ｂの合計の２〜６０
モル％であり、好ましくは５〜５５モル％である。カー
ボネート構造単位ｂが２モル％未満であると、ガラス転
移温度の低下、剛性の向上、垂直方向屈折率差の低減が
十分でなく、６０重量部を越えると耐熱性や基板強度が
低下しやすい。
においては、１−フェニル−１，２−エタンジオールか
ら誘導されるカーボネート構造単位ｂの割合が、ジヒド
ロキシジアリール化合物から誘導されるカーボネート構
造単位ａ及び１−フェニル−１，２−エタンジオールか
ら誘導されるカーボネート構造単位ｂの合計の２〜６０
モル％であり、好ましくは５〜５５モル％である。カー
ボネート構造単位ｂが２モル％未満であると、ガラス転
移温度の低下、剛性の向上、垂直方向屈折率差の低減が
十分でなく、６０重量部を越えると耐熱性や基板強度が
低下しやすい。
【００１８】ポリカーボネート共重合体の粘度平均分子
量は、好ましくは１０，０００〜２３，０００である。
粘度平均分子量が１０，０００未満であると、剛性が低
く実用性のある成形品が得られにくく、２３，０００を
超えると、流動性に劣るため成形歪が多くなり、基板の
複屈折が増大する。粘度平均分子量は、好ましくは１
２，０００〜２０，０００であり、より好ましくは１
４，０００〜１８，０００である。なお、本発明で粘度
平均分子量（Ｍ）とは、塩化メチレンを溶媒とし、オス
トワルド粘度計を使用して極限粘度（η）を求め、次の
Ｓｃｈｎｅｌｌの粘度式、すなわち、（η）＝１．２３
×１０-5Ｍ0.85から算出される値を意味する。
量は、好ましくは１０，０００〜２３，０００である。
粘度平均分子量が１０，０００未満であると、剛性が低
く実用性のある成形品が得られにくく、２３，０００を
超えると、流動性に劣るため成形歪が多くなり、基板の
複屈折が増大する。粘度平均分子量は、好ましくは１
２，０００〜２０，０００であり、より好ましくは１
４，０００〜１８，０００である。なお、本発明で粘度
平均分子量（Ｍ）とは、塩化メチレンを溶媒とし、オス
トワルド粘度計を使用して極限粘度（η）を求め、次の
Ｓｃｈｎｅｌｌの粘度式、すなわち、（η）＝１．２３
×１０-5Ｍ0.85から算出される値を意味する。
【００１９】ポリカーボネート共重合体において１−フ
ェニル−１，２−エタンジオールから誘導されるカーボ
ネート構造単位を主鎖に導入することによって、ガラス
転移温度が低下し同時に剛性が増加する。ガラス転移温
度の低下は成形時の金型温度を上げた場合と同じ効果が
あり、金型温度を上げなくても転写性が向上する効果が
ある。剛性の増加は基板のそりを小さくする効果があ
る。従って高転写、低そり性が達成されることになる。
ェニル−１，２−エタンジオールから誘導されるカーボ
ネート構造単位を主鎖に導入することによって、ガラス
転移温度が低下し同時に剛性が増加する。ガラス転移温
度の低下は成形時の金型温度を上げた場合と同じ効果が
あり、金型温度を上げなくても転写性が向上する効果が
ある。剛性の増加は基板のそりを小さくする効果があ
る。従って高転写、低そり性が達成されることになる。
【００２０】また、１−フェニル−１，２−エタンジオ
ールから誘導されるカーボネート構造単位はスチレンか
ら誘導される構造単位と類似の構造を有するので、ジヒ
ドロキシジアリール化合物から誘導されるカーボネート
構造単位のみの場合に比較し垂直方向屈折率差が低減
し、しかも極性基を持たないため全体の吸水率が低減す
る効果がある。ガラス転移温度が低減する理由としては
スチレンと類似の構造が主鎖に配置しているため分子鎖
同士のすべり性が向上し、可塑化効果が増加するためと
推定される。
ールから誘導されるカーボネート構造単位はスチレンか
ら誘導される構造単位と類似の構造を有するので、ジヒ
ドロキシジアリール化合物から誘導されるカーボネート
構造単位のみの場合に比較し垂直方向屈折率差が低減
し、しかも極性基を持たないため全体の吸水率が低減す
る効果がある。ガラス転移温度が低減する理由としては
スチレンと類似の構造が主鎖に配置しているため分子鎖
同士のすべり性が向上し、可塑化効果が増加するためと
推定される。
【００２１】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、
ポリカーボネート共重合体からなるが、本発明の目的を
損なわない範囲で、必要に応じて、難燃剤、難燃助剤、
着色剤、可塑剤、滑剤、熱安定剤、帯電防止剤、離型
剤、紫外線、吸収剤などを配合することができる。離型
剤の配合割合は、ポリカーボネート共重合体に対して、
好ましくは１０〜２００００ｐｐｍであり、より好まし
くは５０〜１００００ｐｐｍである。熱安定剤の配合割
合は、ポリカーボネート共重合体に対して、好ましくは
１〜１０００ｐｐｍであり、より好ましくは２〜６００
ｐｐｍである。また、ポリスチレングリコールをポリカ
ーボネート共重合体１００重量部に対して、好ましくは
０．０１〜４０重量部程度配合することもできる。ポリ
スチレングリコールの分子量は、３００〜１０，０００
である。ポリスチレングリコールの分子量は、ＧＰＣ
（ゲルパーミエーションクロマトグラフィ）によって測
定できる。本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、光
ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂として特に
有用である。
ポリカーボネート共重合体からなるが、本発明の目的を
損なわない範囲で、必要に応じて、難燃剤、難燃助剤、
着色剤、可塑剤、滑剤、熱安定剤、帯電防止剤、離型
剤、紫外線、吸収剤などを配合することができる。離型
剤の配合割合は、ポリカーボネート共重合体に対して、
好ましくは１０〜２００００ｐｐｍであり、より好まし
くは５０〜１００００ｐｐｍである。熱安定剤の配合割
合は、ポリカーボネート共重合体に対して、好ましくは
１〜１０００ｐｐｍであり、より好ましくは２〜６００
ｐｐｍである。また、ポリスチレングリコールをポリカ
ーボネート共重合体１００重量部に対して、好ましくは
０．０１〜４０重量部程度配合することもできる。ポリ
スチレングリコールの分子量は、３００〜１０，０００
である。ポリスチレングリコールの分子量は、ＧＰＣ
（ゲルパーミエーションクロマトグラフィ）によって測
定できる。本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂は、光
ディスク基板用芳香族ポリカーボネート樹脂として特に
有用である。
【００２２】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂の製
造方法としては、例えば、ポリカーボネート共重合体に
各種添加剤を、所定量配合してＶ型ブレンダーなどの混
合機によって混合し、得られた混合物を押出機によって
溶融・混練してペレット化する方法が挙げられる。
造方法としては、例えば、ポリカーボネート共重合体に
各種添加剤を、所定量配合してＶ型ブレンダーなどの混
合機によって混合し、得られた混合物を押出機によって
溶融・混練してペレット化する方法が挙げられる。
【００２３】本発明の光ディスク基板は、前記芳香族ポ
リカーボネート樹脂を射出成形により、具体的きは以下
のような射出圧縮法で製造される。射出圧縮法は、射出
成形金型の一方に、光磁気ディスク基板に転写すべき情
報を表面に刻印したスタンパーと呼ばれるニッケル製の
薄い円盤を装着して型を閉じる型締工程、所定の物性を
備えたポリカーボネート樹脂を射出する射出工程、射出
後一定時間射出シリンダーを作動させて圧力を保持する
保圧工程、射出シリンダーの作動を止め型締圧を低下さ
せることなく冷却を行う冷却工程および型締シリンダー
の作動も止め金型を開き、射出成形品としてスタンパー
の情報が転写された光ディスク基板を取り出す型開工程
からなる。
リカーボネート樹脂を射出成形により、具体的きは以下
のような射出圧縮法で製造される。射出圧縮法は、射出
成形金型の一方に、光磁気ディスク基板に転写すべき情
報を表面に刻印したスタンパーと呼ばれるニッケル製の
薄い円盤を装着して型を閉じる型締工程、所定の物性を
備えたポリカーボネート樹脂を射出する射出工程、射出
後一定時間射出シリンダーを作動させて圧力を保持する
保圧工程、射出シリンダーの作動を止め型締圧を低下さ
せることなく冷却を行う冷却工程および型締シリンダー
の作動も止め金型を開き、射出成形品としてスタンパー
の情報が転写された光ディスク基板を取り出す型開工程
からなる。
【００２４】金型から取り出した光ディスク基板は、そ
の表面に磁化記録層や反射層などを形成させ、さらにそ
の上に保護層を形成させ、必要に応じ複数枚の基板を貼
り合わせて光ディスクにする。光ディスク基板は、磁化
記録層や反射層などを形成する前に、アニールすること
もできる。
の表面に磁化記録層や反射層などを形成させ、さらにそ
の上に保護層を形成させ、必要に応じ複数枚の基板を貼
り合わせて光ディスクにする。光ディスク基板は、磁化
記録層や反射層などを形成する前に、アニールすること
もできる。
【００２５】以下、本発明を実施例により更に詳細に説
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。
【実施例】実施例および比較例においては下記の成分を
使用した。 （１）ポリカーボネート共重合体（Ａ）の調製 １）１０重量％の水酸化ナトリウムの水溶液にビスフェ
ノールＡを溶解させアルカリ水溶液を調製した。２）こ
のアルカリ水溶液に塩化メチレンを混合させて混合液
（容積比１：３）を調製した。この混合液にホスゲンを
導入して、水相を分離除去して、塩化メチレンを加えポ
リカーボネートオリゴマー（３００ｇ／リットル）を合
成した。反応温度は２０℃であり、反応時間は２時間で
あった。得られたポリカーボネートオリゴマーの重合度
は３であった。３）このポリカーボネートオリゴマーの
塩化メチレン溶液１リットルに塩化メチレン１リットル
を添加し、末端停止剤である、ｐ−ターシャリーブチル
フェノール０．０８モルを添加し、ポリカーボネートオ
リゴマー溶液（ａ）を得た。
使用した。 （１）ポリカーボネート共重合体（Ａ）の調製 １）１０重量％の水酸化ナトリウムの水溶液にビスフェ
ノールＡを溶解させアルカリ水溶液を調製した。２）こ
のアルカリ水溶液に塩化メチレンを混合させて混合液
（容積比１：３）を調製した。この混合液にホスゲンを
導入して、水相を分離除去して、塩化メチレンを加えポ
リカーボネートオリゴマー（３００ｇ／リットル）を合
成した。反応温度は２０℃であり、反応時間は２時間で
あった。得られたポリカーボネートオリゴマーの重合度
は３であった。３）このポリカーボネートオリゴマーの
塩化メチレン溶液１リットルに塩化メチレン１リットル
を添加し、末端停止剤である、ｐ−ターシャリーブチル
フェノール０．０８モルを添加し、ポリカーボネートオ
リゴマー溶液（ａ）を得た。
【００２６】４）１−フェニル−１、２−エタンジオー
ル１．２９モルを水酸化ナトリウム溶液１．２リッター
に溶解させ、１−フェニル−１、２−エタンジオール溶
液（ｂ）を得た。５）ポリカーボネートオリゴマー溶液
（ａ）にトリエチルアミンを１ミリリットル添加し、攪
拌しながら１−フェニル−１、２−エタンジオール溶液
（ｂ）を添加し、１時間反応させた。６）この反応させ
た液に塩化メチレン１リットルを添加し、遠心分離後、
塩化メチレン相をアルカリ水溶液、塩酸、純水の順番で
洗浄し、塩化メチレン相の溶媒を蒸発乾固させ、ポリマ
ー粉末を得た。７）得られたポリカーボネート共重合体
（Ａ）におけるビスフェノールＡから誘導されるカーボ
ネート構造単位：１フェニル−１、２エタンジオールか
ら誘導されるカーボネート構造単位＝５０：５０であ
り、粘度平均分子量は１６，０００であった。
ル１．２９モルを水酸化ナトリウム溶液１．２リッター
に溶解させ、１−フェニル−１、２−エタンジオール溶
液（ｂ）を得た。５）ポリカーボネートオリゴマー溶液
（ａ）にトリエチルアミンを１ミリリットル添加し、攪
拌しながら１−フェニル−１、２−エタンジオール溶液
（ｂ）を添加し、１時間反応させた。６）この反応させ
た液に塩化メチレン１リットルを添加し、遠心分離後、
塩化メチレン相をアルカリ水溶液、塩酸、純水の順番で
洗浄し、塩化メチレン相の溶媒を蒸発乾固させ、ポリマ
ー粉末を得た。７）得られたポリカーボネート共重合体
（Ａ）におけるビスフェノールＡから誘導されるカーボ
ネート構造単位：１フェニル−１、２エタンジオールか
ら誘導されるカーボネート構造単位＝５０：５０であ
り、粘度平均分子量は１６，０００であった。
【００２７】（２）ポリカーボネート共重合体（Ｂ）の
調製 ポリカーボネート共重合体（Ａ）の調製と同様にして、
ポリカーボネート共重合体（Ｂ）を調製した。ビスフェ
ノールＡから誘導されるカーボネート構造単位：１フェ
ニル−１、２エタンジオールから誘導されるカーボネー
ト構造単位＝９０：１０であり、粘度平均分子量は１
６，０００であった。 （３）ポリカーボネート共重合体（Ｃ）の調製 ポリカーボネート共重合体（Ａ）の調製と同様にして、
ポリカーボネート共重合体（Ｃ）を調製した。ビスフェ
ノールＡから誘導されるカーボネート構造単位：１フェ
ニル−１、２エタンジオールから誘導されるカーボネー
ト構造単位＝７０：３０であり、粘度平均分子量は１
６，０００であった。
調製 ポリカーボネート共重合体（Ａ）の調製と同様にして、
ポリカーボネート共重合体（Ｂ）を調製した。ビスフェ
ノールＡから誘導されるカーボネート構造単位：１フェ
ニル−１、２エタンジオールから誘導されるカーボネー
ト構造単位＝９０：１０であり、粘度平均分子量は１
６，０００であった。 （３）ポリカーボネート共重合体（Ｃ）の調製 ポリカーボネート共重合体（Ａ）の調製と同様にして、
ポリカーボネート共重合体（Ｃ）を調製した。ビスフェ
ノールＡから誘導されるカーボネート構造単位：１フェ
ニル−１、２エタンジオールから誘導されるカーボネー
ト構造単位＝７０：３０であり、粘度平均分子量は１
６，０００であった。
【００２８】（４）ポリカーボネート樹脂（Ｄ）：三菱
エンジニアリングプラスチックス（株）製光ディスク用
ポリカーボネートＮＯＶＡＲＥＸ７０２０ＡＤ２（２，
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンを用いて
得られて芳香族ポリカーボネート、粘度平均分子量１
６，０００）
エンジニアリングプラスチックス（株）製光ディスク用
ポリカーボネートＮＯＶＡＲＥＸ７０２０ＡＤ２（２，
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンを用いて
得られて芳香族ポリカーボネート、粘度平均分子量１
６，０００）
【００２９】（５）モノマー組成分析：高分解能核磁気
共鳴装置（ＮＭＲ）を用いて分析した。 （６）ガラス転移温度：ＤＳＣ（セイコー社製、型式：
ＳＳＣ−５０００）の昇温での変曲点により求めた。窒
素気流下で１０℃/分の条件。
共鳴装置（ＮＭＲ）を用いて分析した。 （６）ガラス転移温度：ＤＳＣ（セイコー社製、型式：
ＳＳＣ−５０００）の昇温での変曲点により求めた。窒
素気流下で１０℃/分の条件。
【００３０】（７）転写性：成形基板のＲ＝５８ｍｍの
点の溝深さを原子間力顕微鏡（オリンパス製、型式ＮＶ
２１００）を用い、カンチレバー：コニカル、荷重値３
０ｎＮ、走査ライン数：１２８、走査速度：５ｓｅｃ／
ｌｉｎｅとした。 （８）そり：ディスクそり角測定装置（アドモンサイエ
ンス製）を使用し、光ディスク基板を６０ｒｐｍで回転
させながら、基板の半径方向２５ｍｍ，３７ｍｍ，４９
ｍｍ，５７ｍｍの位置であって波長７８０ｎｍの半導体
レーザーを照射し、最高のそり角度を求めた。
点の溝深さを原子間力顕微鏡（オリンパス製、型式ＮＶ
２１００）を用い、カンチレバー：コニカル、荷重値３
０ｎＮ、走査ライン数：１２８、走査速度：５ｓｅｃ／
ｌｉｎｅとした。 （８）そり：ディスクそり角測定装置（アドモンサイエ
ンス製）を使用し、光ディスク基板を６０ｒｐｍで回転
させながら、基板の半径方向２５ｍｍ，３７ｍｍ，４９
ｍｍ，５７ｍｍの位置であって波長７８０ｎｍの半導体
レーザーを照射し、最高のそり角度を求めた。
【００３１】（９）光ディスク基板の垂直複屈折測定
法： 半径方向１方向を決め、半径方向Ｒ２５，３６，
４７，５８ｍｍの各点で下記の式に基づく垂直複屈折を
求めた。 垂直複屈折ＶＢ＝３．９４６８×１０-6×（半径方向正
の方向３０゜傾斜位相差＋接線方向正の方向３０゜傾斜
位相差） 各点から垂直複屈折の最高値を求め、円周方向４方向の
平均を垂直複屈折の最高値とした。装置はオーク自動複
屈折測定装置 ＡＤＲ−１３０Ｎ（光源Ｈｅ−ＮＥ６３
２．８ｎｍ）を使用した。
法： 半径方向１方向を決め、半径方向Ｒ２５，３６，
４７，５８ｍｍの各点で下記の式に基づく垂直複屈折を
求めた。 垂直複屈折ＶＢ＝３．９４６８×１０-6×（半径方向正
の方向３０゜傾斜位相差＋接線方向正の方向３０゜傾斜
位相差） 各点から垂直複屈折の最高値を求め、円周方向４方向の
平均を垂直複屈折の最高値とした。装置はオーク自動複
屈折測定装置 ＡＤＲ−１３０Ｎ（光源Ｈｅ−ＮＥ６３
２．８ｎｍ）を使用した。
【００３２】〔実施例１〕ポリカーボネート共重合体
（Ａ）に対し、離型剤であるペンタエリスリトールステ
アレートを１０００ｐｐｍ、熱安定剤である亜りん酸を
２０ｐｐｍ、を表記載の配合量タンブラーによって混合
し、４０φ単軸押出機にて２７０℃の温度でペレット化
した。上記ペレットを下記の条件にて光ディスク基板
（５インチ）を成形し各種評価を行った。成形条件は、
シリンダー温度３６０℃、金型温度１１０℃、サイクル
１２秒であり、その他の条件は次のとおりである。 成形機：住友重機ＤＩＳＫ５ 金型：５．２５インチＭＯ用金型 成形基板厚み：１．２ｍｍ スタンパーのグルーブ深さ：１６０ｎｍ スタンパーのグルーブのピッチ：０．７０μｍ 射出時間：０．３秒 冷却時間：８．０秒 スクリュー回転数：３６０ｒｐｍ スクリュー径：２５ｍｍφ 型締め力：射出、保圧中２０Ｔ、冷却中２５Ｔ
（Ａ）に対し、離型剤であるペンタエリスリトールステ
アレートを１０００ｐｐｍ、熱安定剤である亜りん酸を
２０ｐｐｍ、を表記載の配合量タンブラーによって混合
し、４０φ単軸押出機にて２７０℃の温度でペレット化
した。上記ペレットを下記の条件にて光ディスク基板
（５インチ）を成形し各種評価を行った。成形条件は、
シリンダー温度３６０℃、金型温度１１０℃、サイクル
１２秒であり、その他の条件は次のとおりである。 成形機：住友重機ＤＩＳＫ５ 金型：５．２５インチＭＯ用金型 成形基板厚み：１．２ｍｍ スタンパーのグルーブ深さ：１６０ｎｍ スタンパーのグルーブのピッチ：０．７０μｍ 射出時間：０．３秒 冷却時間：８．０秒 スクリュー回転数：３６０ｒｐｍ スクリュー径：２５ｍｍφ 型締め力：射出、保圧中２０Ｔ、冷却中２５Ｔ
【００３３】〔実施例２〕実施例１において、ポリカー
ボネート共重合体（Ａ）の代わりにポリカーボネート共
重合体（Ｂ）を用いること以外は実施例１と同様にペレ
ット化し、同様の条件で光ディスク基板を成形し各種評
価を行った。 〔実施例３〕実施例１において、ポリカーボネート共重
合体（Ａ）の代わりにポリカーボネート共重合体（Ｃ）
を用いること以外は実施例１と同様にペレット化し、同
様の条件で光ディスク基板を成形し各種評価を行った。
ボネート共重合体（Ａ）の代わりにポリカーボネート共
重合体（Ｂ）を用いること以外は実施例１と同様にペレ
ット化し、同様の条件で光ディスク基板を成形し各種評
価を行った。 〔実施例３〕実施例１において、ポリカーボネート共重
合体（Ａ）の代わりにポリカーボネート共重合体（Ｃ）
を用いること以外は実施例１と同様にペレット化し、同
様の条件で光ディスク基板を成形し各種評価を行った。
【００３４】〔比較例１〕ポリカーボネート樹脂（Ｄ）
を用いて、実施例１と同様の条件で光ディスク基板を成
形し各種評価を行った。
を用いて、実施例１と同様の条件で光ディスク基板を成
形し各種評価を行った。
【００３５】
【表１】
【００３６】表−１より、次のことが明らかとなる。本
発明の芳香族ポリカーボネート樹脂（実施例１〜３）よ
り得られる光ディスク基板は、ビスフェノールＡタイプ
の芳香族ポリカーボネート樹脂（比較例１）より得られ
る光ディスク基板に比較して転写性に優れ、そりが小さ
く、且つ垂直方向屈折率差は４００×１０-6以下であ
り、光ディスク基板として有用である。
発明の芳香族ポリカーボネート樹脂（実施例１〜３）よ
り得られる光ディスク基板は、ビスフェノールＡタイプ
の芳香族ポリカーボネート樹脂（比較例１）より得られ
る光ディスク基板に比較して転写性に優れ、そりが小さ
く、且つ垂直方向屈折率差は４００×１０-6以下であ
り、光ディスク基板として有用である。
【００３７】
【発明の効果】本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂
は、ガラス転移温度が低く、成形に際しスタンパーの信
号の転写性に優れ、基板のそりが小さく、且つ成形基板
の垂直方向屈折率差が小さいので、光ディスク基板製造
用原料樹脂、特に高密度光ディスク基板製造用原料樹脂
として広く利用できる。また、本発明の芳香族ポリカー
ボネート樹脂を使用して成形された光ディスク基板は、
高転写性、低そりおよび低垂直方向屈折率差に優れてお
り高密度光ディスク基板として好適に使用することがで
き、その産業上の利用価値は極めて大である。
は、ガラス転移温度が低く、成形に際しスタンパーの信
号の転写性に優れ、基板のそりが小さく、且つ成形基板
の垂直方向屈折率差が小さいので、光ディスク基板製造
用原料樹脂、特に高密度光ディスク基板製造用原料樹脂
として広く利用できる。また、本発明の芳香族ポリカー
ボネート樹脂を使用して成形された光ディスク基板は、
高転写性、低そりおよび低垂直方向屈折率差に優れてお
り高密度光ディスク基板として好適に使用することがで
き、その産業上の利用価値は極めて大である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丸山 博義 神奈川県平塚市東八幡５丁目６番２号 三 菱エンジニアリングプラスチックス株式会 社技術センター内 Ｆターム(参考） 4J029 AA09 AB01 AC02 AD01 AE05 BB01 BB12A BB12B BB13A BC07A BF14A BF14B BG08X BH02 DB07 DB11 DB13 HA01 HC01 HC03 HC05A KE11 5D029 KA07 KC07
Claims (4)
- 【請求項１】 主鎖がジヒドロキシジアリール化合物か
ら誘導されるカーボネート構造単位ａ及び１−フェニル
−１，２−エタンジオールから誘導されるカーボネート
構造単位ｂからなりカーボネート構造単位ｂの割合がカ
ーボネート構造単位ａ及びカーボネート構造単位ｂの合
計の２〜６０モル％であるポリカーボネート共重合体か
らなる芳香族ポリカーボネート樹脂。 - 【請求項２】 ジヒドロキシジアリール化合物から誘導
されるカーボネート構造単位ａが、式（１）で表される
カーボネート構造単位であることを特徴とする請求項１
に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂。 【化１】 （式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ、水素原子、炭素数１
から６のアルキル基及びフェニル基を示し、Ｒ3及びＲ4
は、それぞれ、水素原子、炭素数１から６のアルキル基
及びハロゲン原子を示す。） - 【請求項３】 ポリカーボネート共重合体の粘度平均分
子量が１０，０００〜２３，０００であることを特徴と
する請求項１又は２に記載の芳香族ポリカーボネート樹
脂。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の芳
香族ポリカーボネート樹脂を用いて成形された光ディス
ク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11165199A JP2000351842A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 芳香族ポリカーボネート樹脂 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11165199A JP2000351842A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 芳香族ポリカーボネート樹脂 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000351842A true JP2000351842A (ja) | 2000-12-19 |
Family
ID=15807729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11165199A Pending JP2000351842A (ja) | 1999-06-11 | 1999-06-11 | 芳香族ポリカーボネート樹脂 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000351842A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003040996A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Teijin Chem Ltd | ポリカーボネート樹脂の製造方法 |
-
1999
- 1999-06-11 JP JP11165199A patent/JP2000351842A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003040996A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Teijin Chem Ltd | ポリカーボネート樹脂の製造方法 |
| JP4647148B2 (ja) * | 2001-07-31 | 2011-03-09 | 帝人化成株式会社 | ポリカーボネート樹脂の製造方法 |
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