JP2000349182A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JP2000349182A
JP2000349182A JP11159047A JP15904799A JP2000349182A JP 2000349182 A JP2000349182 A JP 2000349182A JP 11159047 A JP11159047 A JP 11159047A JP 15904799 A JP15904799 A JP 15904799A JP 2000349182 A JP2000349182 A JP 2000349182A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frame
semiconductor device
base frame
wind
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11159047A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoki Sawada
直樹 沢田
Koji Tsuchiya
光司 土屋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP11159047A priority Critical patent/JP2000349182A/ja
Publication of JP2000349182A publication Critical patent/JP2000349182A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 長尺状の半導体素子を収納する半導体装置を
正確に位置決めできるようにすること。 【解決手段】 本発明の半導体装置1は、長尺状の半導
体素子10が略中央に載置されるベースフレーム2と、
ベースフレーム2上の半導体素子10の周辺を囲む位置
に重ね合わされるウィンドフレーム3とを備える半導体
装置1であり、このベースフレーム2にウィンドフレー
ム3を重ね合わせた状態で、ベースフレーム2の側面2
aにおける少なくとも一部がウィンドフレーム3の側面
3aより外方に位置するものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、CCDリニアセン
サー等から成る長尺状の半導体素子を中空パッケージに
収納する半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】CCDセンサー等から成る半導体素子を
収納する中空パッケージとしては、セラミックスを用い
たサーディップ(Cerdip)タイプが一般的で、中空部に
半導体素子を収納し、ガラス製の蓋(シールガラス)を
用いて封止を行っている。
【0003】図5は、従来の半導体装置を説明する平面
図である。すなわち、この半導体装置1’は、セラミッ
クスを用いた中空パッケージにCCDリニアセンサーか
ら成る半導体素子10を収納するもので、CCDリニア
センサーが略中央に載置されるベースフレーム2’と、
ベースフレーム2’に搭載された半導体素子10の周辺
を囲む状態でベースフレーム2’に重ね合わされるウィ
ンドフレーム3’とを備えている。
【0004】また、図6は、従来の半導体装置を説明す
る側面図である。半導体装置1’のベースフレーム2’
にはリードフレームLが取り付けられ、図5に示す半導
体素子10とボンディングワイヤーBによって接続され
ている。このリードフレームLはベースフレーム2’と
ウィンドフレーム3’とを低融点ガラス等を用いて重ね
合わせる際に挟持される。
【0005】図7はベースフレームを説明する平面図、
図8はウィンドフレームを説明する平面図である。CC
Dリニアセンサーなど、光学的な機能を備えた半導体装
置では、ウィンドフレーム3’の側面を基準にした基板
等への位置決めにって光軸合わせが行われている。この
ため、ベースフレーム2’の外形に対して重ね合わせる
ウィンドフレーム3’の外形を僅かに大きく成形してお
り、位置決めの際にウィンドフレーム3’の側面を基準
にしやすいようになっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな半導体装置には次のような問題がある。すなわち、
半導体装置の位置決めの基準となるウィンドフレームに
は中央に半導体素子が入る穴が開けられており、長尺状
になればなる程、穴による強度不足で反りの問題が顕著
に現れる。特に、セラミックスを用いた長尺状のウィン
ドフレームでは、焼成によって製造される際の収縮でウ
ィンドフレームの反りが発生しやすい。
【0007】図9は、ウィンドフレームに反りが発生し
た状態を示す平面図である。例えば、長さ90mmのウ
ィンドフレーム3’をセラミックスで焼成製造した場
合、ウィンドフレーム3’の側面の反り量tが0.3m
m以上になる率は20%〜30%である。このように反
りが発生したウィンドフレーム3’をベースフレームに
重ね合わせても、基準になる側面に反りがあることか
ら、半導体装置の正確な位置合わせを行うのは困難であ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するために成された半導体装置である。すなわ
ち、本発明の半導体装置は、長尺状の半導体素子が略中
央に載置されるベースフレームと、ベースフレーム上の
半導体素子の周辺を囲む位置に重ね合わされるウィンド
フレームとを備える半導体装置であり、このベースフレ
ームにウィンドフレームを重ね合わせた状態で、ベース
フレームの側面における少なくとも一部がウィンドフレ
ームの側面より外方に位置するものである。
【0009】このような本発明では、ベースフレームに
ウィンドフレームを重ね合わせた状態で、ベースフレー
ムの側面における少なくとも一部がウィンドフレームの
側面より外方に位置することから、この外方に位置する
ベースフレームの側面を基準にして半導体装置の位置決
めを行うことができる。すなわち、ベースフレームには
ウィンドフレームのような穴が開けられていない一枚板
であることからウィンドフレームに比べて製造時の反り
が発生しにくい。このため、ベースフレームの側面の一
部を位置決めの基準にすれば、ウィンドフレームに反り
が発生していても反りの少ないベースフレームの側面の
一部を基準にして半導体装置を正確に位置合わせできる
ようになる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置におけ
る実施の形態を図に基づいて説明する。図1は、本実施
形態における半導体装置を説明する平面図、図2は、本
実施形態における半導体装置を説明する側面図である。
すなわち、本実施形態の半導体装置1は、主としてセラ
ミックスを用いた中空パッケージにCCDリニアセンサ
ーから成る半導体素子10を収納するもので、長尺状の
半導体素子10が略中央に載置されるベースフレーム2
と、ベースフレーム2に搭載された半導体素子10の周
辺を囲む状態でベースフレーム2に重ね合わされるウィ
ンドフレーム3とを備えている。
【0011】また、半導体装置1のベースフレーム2に
はリードフレームが取り付けられており、ベースフレー
ム2上で半導体素子10とボンディングワイヤーBを介
して電気的に接続されている。このリードフレームL
は、ベースフレーム2とウィンドフレーム3とを低融点
ガラス等を用いて重ね合わせる際に挟持される。
【0012】本実施形態の半導体装置1では、このベー
スフレーム2にウィンドフレーム3を重ね合わせた状態
で、ベースフレーム2の側面2aにおける少なくとも一
部を、ウィンドフレーム3の側面3aよりも外方に位置
するように構成している。
【0013】図3は本実施形態の半導体装置に適用する
ベースフレームを説明する平面図、図4は本実施形態の
半導体装置に適用するウィンドフレームを説明する平面
図である。このベースフレーム2においては、その側面
2aにおける一部(図3のS2で示す部分)が他の部分
に比べてd(例えば、0.35mm)だけ幅広く形成さ
れている。一方、ウィンドフレーム3においては、その
側面3aのベースフレーム2の幅広く形成されている部
分に対応する一部(図4のS3で示す部分)が他の部分
に比べて幅狭く形成されている。
【0014】本実施形態では、図1、図2に示すよう
に、ベースフレーム2の両端側にリードフレームLが配
置されていることから、リードフレームLがない中央部
分を位置決め用の基準として用いる。このことから、ベ
ースフレーム2の中央部分を幅広く形成し、反対にウィ
ンドフレーム3の中央部分を幅狭く形成することで、こ
のベースフレーム2とウィンドフレーム3とを重ね合わ
せた際、ベースフレーム2の側面2aにおける中央部分
がウィンドフレーム3の中央部分より外方に位置するよ
うになる。
【0015】また、ベースフレーム2の側面2aの中央
部分を幅広く形成し、ウィンドフレーム3の側面3aの
中央部分を幅狭く形成することで、従来の半導体装置の
外形幅を変えることなく、ベースフレーム2の側面2a
の中央部分をウィンドフレーム3の側面3aより外方に
することができる。なお、半導体装置の外形幅に規制さ
れない場合には、ウィンドフレーム3の側面3aは直線
的に形成し、ベースフレーム2の側面2aの中央部分の
みをウィンドフレーム3の側面3aより外方になるよう
幅広く形成してもよい。
【0016】このような本実施形態の半導体装置1で
は、図1に示すように上側から半導体装置1を見ると、
ウィンドフレーム3の下にあるベースフレーム2の中央
部分における側面2aの外形ラインが見える状態とな
る。つまり、本実施形態の半導体装置1を基板(図示せ
ず)等に搭載するにあたり、目視や外形認識装置を用い
て位置決めを行う場合、上から見えるベースフレームの
側面2aの外形ラインを基準にして位置決めを行う。
【0017】図3に示すように、ベースフレーム2は平
板状態であり、図4に示すウィンドフレーム3のような
穴が開いていない。このため、ベースフレーム2は成形
時の反りが少なく、側面2aも良好に成形される。本実
施形態では、反りの少ないベースフレーム2の側面2a
を半導体装置1の位置決めの基準にできることから、半
導体装置1を正確な位置に搭載できるようになる。
【0018】特に、CCDリニアセンサーなど、長尺状
の半導体素子10を搭載する半導体装置1では、ベース
フレーム2およびウィンドフレーム3も細長いものとな
る。しかも、このような細長いベースフレーム2および
ウィンドフレーム3をセラミックスによって焼成成形す
る場合には、中央に穴が開いているウィンドフレーム3
では収縮等による反りの発生が顕著となる。したがっ
て、一枚板で反りの少ないベースフレーム2を位置決め
の基準にすれば、半導体装置1を精度良く搭載できるよ
うになる。
【0019】なお、上記説明した本実施形態では、ベー
スフレーム2の長辺側における中央部分の両側を位置決
めの基準にするよう幅広く形成したが、本発明はこれに
限定されず、長辺側中央部分の一方側だけ、またはリー
ドフレームLの配置によってベースフレームの長辺側端
部における一部、またはベースフレーム2の短辺側を位
置決めの基準にするようにしてもよい。
【0020】また、本実施形態はCCDリニアセンサー
から成る半導体素子10を用いる場合を例としてが、本
発明はCCDリニアセンサーに限定されず、他の機能を
備えた半導体素子10を用いる場合であっても適用可能
である。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置によれば次のような効果がある。すなわち、本発明の
半導体装置では、ベースフレームにウィンドフレームを
重ね合わせた状態で、ベースフレームの側面における少
なくとも一部がウィンドフレームの側面より外方に位置
することから、この外方に位置するベースフレームの側
面を基準にして半導体装置の位置決めを行うことができ
る。これにより、成形時の反りが少ないベースフレーム
を基準にして位置決めすることができ、例えば光学的な
位置合わせ(光軸合わせ)を行う場合でも、正確な位置
に半導体装置を配置できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態における半導体装置を説明する平面
図である。
【図2】本実施形態における半導体装置を説明する側面
図である。
【図3】本実施形態の半導体装置に適用されるベースフ
レームを説明する平面図である。
【図4】本実施形態の半導体装置に適用されるウィンド
フレームを説明する平面図である。
【図5】従来の半導体装置を説明する平面図である。
【図6】従来の半導体装置を説明する側面図である。
【図7】従来の半導体装置に適用されるベースフレーム
を説明する平面図である。
【図8】従来の半導体装置に適用されるウィンドフレー
ムを説明する平面図である。
【図9】ウィンドフレームの反りを説明する平面図であ
る。
【符号の説明】
1…半導体装置、2…ベースフレーム、2a…側面、3
…ウィンドフレーム、3a…側面、10…半導体素子、
B…ボンディングワイヤー、L…リードフレーム

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 長尺状の半導体素子が略中央に載置され
    るベースフレームと、 前記ベースフレーム上の前記半導体素子の周辺を囲む位
    置に重ね合わされるウィンドフレームとを備える半導体
    装置において、 前記ベースフレームに前記ウィンドフレームを重ね合わ
    せた状態で、前記ベースフレームの側面における少なく
    とも一部が前記ウィンドフレームの側面より外方に位置
    することを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記ベースフレームの長辺側の側面の中
    央部分が前記ウィンドフレームの側面より外方に位置す
    ることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記ベースフレームおよび前記ウィンド
    フレームはセラミックスによって形成されていることを
    特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  4. 【請求項4】 前記ベースフレームに載置される半導体
    素子はCCDリニアセンサーから成ることを特徴とする
    請求項1記載の半導体装置。
JP11159047A 1999-06-07 1999-06-07 半導体装置 Pending JP2000349182A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11159047A JP2000349182A (ja) 1999-06-07 1999-06-07 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11159047A JP2000349182A (ja) 1999-06-07 1999-06-07 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000349182A true JP2000349182A (ja) 2000-12-15

Family

ID=15685079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11159047A Pending JP2000349182A (ja) 1999-06-07 1999-06-07 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000349182A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002334975A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Nec Corp 半導体装置の支持構造、ccd半導体装置、その製造方法、及び、ccd半導体装置用パッケージ
JP2003031783A (ja) * 2001-07-13 2003-01-31 Ricoh Co Ltd サーディップ型固体撮像素子、サーディップ型固体撮像素子の側面構造及びサーディップ型固体撮像素子の把持方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002334975A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Nec Corp 半導体装置の支持構造、ccd半導体装置、その製造方法、及び、ccd半導体装置用パッケージ
JP2003031783A (ja) * 2001-07-13 2003-01-31 Ricoh Co Ltd サーディップ型固体撮像素子、サーディップ型固体撮像素子の側面構造及びサーディップ型固体撮像素子の把持方法
JP4571762B2 (ja) * 2001-07-13 2010-10-27 株式会社リコー サーディップ型固体撮像素子

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7367120B2 (en) Method for producing a solid-state imaging device
US3660669A (en) Optical coupler made by juxtaposition of lead frame mounted sensor and light emitter
US5307362A (en) Mold-type semiconductor laser device
JP4117868B2 (ja) 光結合素子
JP2000349182A (ja) 半導体装置
JPH05291482A (ja) 混成集積回路装置及びその製造方法
JPH0661522A (ja) 反射型光結合装置
JPH11354764A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JPH03209746A (ja) 半導体パッケージ
JP2935925B2 (ja) モールド型半導体レーザ装置
JPS59226568A (ja) 固体撮像装置
JPH04360576A (ja) 固体撮像装置
JP2004193294A (ja) 半導体用中空樹脂パッケージ
JP2533001B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
JPS5972763A (ja) 固体イメ−ジセンサ
JPH0555431A (ja) リードフレーム及び半導体装置
JP2510198B2 (ja) 半導体装置
JPH04223359A (ja) 半導体装置
JP4845250B2 (ja) 固体撮像素子収納パッケージ及び固体撮像装置
JP3374732B2 (ja) 半導体素子モジュールおよび半導体装置
JP3429437B2 (ja) 固体撮像装置用パッケージ及びそれを用いた固体撮像装置
JPH05144998A (ja) 半導体パツケージ
JPH0724296B2 (ja) 半導体装置
JPH02246256A (ja) 半導体素子パッケージ
JPS60250667A (ja) 固体撮像装置