JP2000349142A - 半導体ウェハ処理システムのための裏面ガス送出装置 - Google Patents
半導体ウェハ処理システムのための裏面ガス送出装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハ処理システムに関し、特に半導
体ウェハ処理システムのための裏面ガス排出装置に関す
るものである。 【解決手段】 ウェハ処理システムのための装置であっ
て、前記装置は、ガス送出システム１４１に取り付けら
れたウェハ支持チャック１００を備えている。ガス送出
システム１４１は、チャックによって支持されたウェハ
の裏面にガスを送出する。このガス送出システム１４１
は、ウェハのチャックに直結されたガス遮断弁１４０を
有する。遮断弁１４０は、無視しうる漏れ率の確実な遮
断を可能にする。弁１４０をウェハのチャックの直ぐ近
くに配置することにより、この弁１４０とウェハとの間
にトラップされる裏面ガスの体積が最小にされる。ウェ
ハ搬送中にこのトラップされたガスがプロセス室中に放
出することは、処理システムの特性に何の悪影響も及ぼ
さない。
体ウェハ処理システムのための裏面ガス排出装置に関す
るものである。 【解決手段】 ウェハ処理システムのための装置であっ
て、前記装置は、ガス送出システム１４１に取り付けら
れたウェハ支持チャック１００を備えている。ガス送出
システム１４１は、チャックによって支持されたウェハ
の裏面にガスを送出する。このガス送出システム１４１
は、ウェハのチャックに直結されたガス遮断弁１４０を
有する。遮断弁１４０は、無視しうる漏れ率の確実な遮
断を可能にする。弁１４０をウェハのチャックの直ぐ近
くに配置することにより、この弁１４０とウェハとの間
にトラップされる裏面ガスの体積が最小にされる。ウェ
ハ搬送中にこのトラップされたガスがプロセス室中に放
出することは、処理システムの特性に何の悪影響も及ぼ
さない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ処理
システムに関し、特に半導体ウェハ処理システムのため
の裏面ガス排出装置に関するものである。
システムに関し、特に半導体ウェハ処理システムのため
の裏面ガス排出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】多くの単一ウェハ処理システムにおいて
は、処理中ウェハを保持しておくために静電チャック
（ＥＳＣ）が用いられている。ウェハとチャックとの間
の熱伝導を改善するため、熱伝達媒体として、ウェハと
チャックの支持面との間に供給される裏面ガスがしばし
ば用いられる。裏面ガス送出システムの構成は、特に、
厳格な圧力制御が要求される場合に、ウェハ処理システ
ムの特性に重大な影響を与えることがある。多くの既存
の構成においては、処理完了の際にウェハをチャックか
ら取り出すとき、裏面ガスがしばしばプロセス室に流入
して、一時的ではあるが望ましくない圧力上昇が結果と
して生じる。ある適用例については、ウェハ間のポンプ
ダウン時間の増大によりプロセスの処理量に悪影響を与
えることがある。例えばイオン注入装置は、典型的には
約１０-6トルの範囲内にある低い作動圧力を厳格に必要
とするので、上述のような不注意による圧力変動を特に
受け易い。裏面ガスによるプロセス室圧力のどんな増加
も、付加的な真空引き(vacuumpumping)を必要とし、そ
して処理量の減少につながる。プロセス処理量を高く維
持することは、直列式イオン注入装置にとって特に重大
事である。更に、過渡的な圧力上昇によって、例えば、
イオンビームが中和されたり、或いは飛翔管（flight t
ube)の側壁に偏向されたりするようなその他の悪影響が
生ずる結果になるかも知れない。イオンビームの偏向
は、汚染物質を設備内の諸表面から拡散させることにな
る。
は、処理中ウェハを保持しておくために静電チャック
（ＥＳＣ）が用いられている。ウェハとチャックとの間
の熱伝導を改善するため、熱伝達媒体として、ウェハと
チャックの支持面との間に供給される裏面ガスがしばし
ば用いられる。裏面ガス送出システムの構成は、特に、
厳格な圧力制御が要求される場合に、ウェハ処理システ
ムの特性に重大な影響を与えることがある。多くの既存
の構成においては、処理完了の際にウェハをチャックか
ら取り出すとき、裏面ガスがしばしばプロセス室に流入
して、一時的ではあるが望ましくない圧力上昇が結果と
して生じる。ある適用例については、ウェハ間のポンプ
ダウン時間の増大によりプロセスの処理量に悪影響を与
えることがある。例えばイオン注入装置は、典型的には
約１０-6トルの範囲内にある低い作動圧力を厳格に必要
とするので、上述のような不注意による圧力変動を特に
受け易い。裏面ガスによるプロセス室圧力のどんな増加
も、付加的な真空引き(vacuumpumping)を必要とし、そ
して処理量の減少につながる。プロセス処理量を高く維
持することは、直列式イオン注入装置にとって特に重大
事である。更に、過渡的な圧力上昇によって、例えば、
イオンビームが中和されたり、或いは飛翔管（flight t
ube)の側壁に偏向されたりするようなその他の悪影響が
生ずる結果になるかも知れない。イオンビームの偏向
は、汚染物質を設備内の諸表面から拡散させることにな
る。
【０００３】１つの解決策となるガス送出システムで
は、プロセス室内へのガス漏洩を制限してウェハ裏面か
らガスを迅速に除去するように設計されている。前記シ
ステムは、１９９７年５月１２日に出願され参照により
この明細書に組み込まれる「半導体ウェハ処理システム
のための裏面ガス迅速放出装置(Backside Gas Quick Du
mp Apparatus for a Semiconductor Wafer Processing
System) 」と題する共同譲受の米国特許出願第 号に
記載されている。
は、プロセス室内へのガス漏洩を制限してウェハ裏面か
らガスを迅速に除去するように設計されている。前記シ
ステムは、１９９７年５月１２日に出願され参照により
この明細書に組み込まれる「半導体ウェハ処理システム
のための裏面ガス迅速放出装置(Backside Gas Quick Du
mp Apparatus for a Semiconductor Wafer Processing
System) 」と題する共同譲受の米国特許出願第 号に
記載されている。
【０００４】しかし、ウェハ搬送中に信頼性のあるガス
遮断を行うと共に圧力上昇を最小にする代替の裏面ガス
送出システムに対する必要性は、漸進的に変化しつつ、
常に存在している。また、簡略化された真空結合部を有
するガス送出システムも望ましい。
遮断を行うと共に圧力上昇を最小にする代替の裏面ガス
送出システムに対する必要性は、漸進的に変化しつつ、
常に存在している。また、簡略化された真空結合部を有
するガス送出システムも望ましい。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウェハ支持チ
ャック（例えば、静電チャック）に直接取り付けられる
遮断弁を有するガス送出システムを備えた、半導体ウェ
ハ処理システムのための装置である。
ャック（例えば、静電チャック）に直接取り付けられる
遮断弁を有するガス送出システムを備えた、半導体ウェ
ハ処理システムのための装置である。
【０００６】このガス送出システムは、ウェハの裏面と
ウェハ支持チャックの支持面との間にガスを送り出すの
に使用される。裏面ガスは、イオン注入のような処理の
間、ウェハに対する熱伝達媒体として作用する。ウェハ
支持チャックの直ぐ近くに遮断弁を設けることにより、
弁とウェハの裏面との間の裏面ガス体積を最小にするこ
とができる。トラップされたガスがウェハ搬送中にこの
体積からプロセス室に放出される量は、プロセス室の体
積と比較して無視できるので、ウェハ処理システム内部
の望ましくない圧力上昇が回避される。従って、ウェハ
処理システムの処理量を高く維持することができる。
ウェハ支持チャックの支持面との間にガスを送り出すの
に使用される。裏面ガスは、イオン注入のような処理の
間、ウェハに対する熱伝達媒体として作用する。ウェハ
支持チャックの直ぐ近くに遮断弁を設けることにより、
弁とウェハの裏面との間の裏面ガス体積を最小にするこ
とができる。トラップされたガスがウェハ搬送中にこの
体積からプロセス室に放出される量は、プロセス室の体
積と比較して無視できるので、ウェハ処理システム内部
の望ましくない圧力上昇が回避される。従って、ウェハ
処理システムの処理量を高く維持することができる。
【０００７】遮断弁は２つの部分、即ち弁体及び弁座を
備え、前記部分のそれぞれが、裏面ガスの通路として役
立つ細長い流路を有する。弁座の流路に接続される頂部
凹所を有する同弁座の頂部は、チャックの裏面から同チ
ャックの開口内部に嵌っている。全長に沿って細長い流
路を有する押え部材（締付装置）は、チャックの中心開
口と弁座の頂部凹所の内部に嵌っている。このように構
成したので、押え部材は、弁座の頂部をチャックの中心
開口の内部に固定する締付装置として機能する。この構
成において、通路は、押え部材の流路並びに弁座の頂部
凹所及び流路によって画成される。弁座の流路は、弁体
の頂部に螺着される底部開口に接続されている。
備え、前記部分のそれぞれが、裏面ガスの通路として役
立つ細長い流路を有する。弁座の流路に接続される頂部
凹所を有する同弁座の頂部は、チャックの裏面から同チ
ャックの開口内部に嵌っている。全長に沿って細長い流
路を有する押え部材（締付装置）は、チャックの中心開
口と弁座の頂部凹所の内部に嵌っている。このように構
成したので、押え部材は、弁座の頂部をチャックの中心
開口の内部に固定する締付装置として機能する。この構
成において、通路は、押え部材の流路並びに弁座の頂部
凹所及び流路によって画成される。弁座の流路は、弁体
の頂部に螺着される底部開口に接続されている。
【０００８】頂部及び円筒形軸部を有するポペットは、
弁体の頂部に向けて配置される。軸部は、ポペットの頂
部が開口の上方に配置されると共に軸部が弁体の実質的
に内部にあるように、頂部から弁体の開口を通って嵌合
する。
弁体の頂部に向けて配置される。軸部は、ポペットの頂
部が開口の上方に配置されると共に軸部が弁体の実質的
に内部にあるように、頂部から弁体の開口を通って嵌合
する。
【０００９】この実施形態で用いられる弁は、常閉電磁
弁である。弁が閉じているとき、ポペットの頂部は、弁
座の底部のところで流路開口に当接して封止され、そし
て、約１０-6 sccs よりも低い漏れ率で確実な遮断を行
う。弁がその開位置へ作動されると、ポペットは後退し
て弁座から離れ、そして通路が押え部材及び弁座の内部
により画成される。従って、裏面ガスをガス供給源から
圧力制御装置及び電磁弁を介してウェハ支持チャックの
支持面に送り出すことができる。
弁である。弁が閉じているとき、ポペットの頂部は、弁
座の底部のところで流路開口に当接して封止され、そし
て、約１０-6 sccs よりも低い漏れ率で確実な遮断を行
う。弁がその開位置へ作動されると、ポペットは後退し
て弁座から離れ、そして通路が押え部材及び弁座の内部
により画成される。従って、裏面ガスをガス供給源から
圧力制御装置及び電磁弁を介してウェハ支持チャックの
支持面に送り出すことができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の教示事項は、添付図面に
関する以下の詳細な説明を考慮することにより容易に理
解することができる。本発明は、直列式イオン注入装置
のような半導体ウェハ処理設備と共に使用する装置であ
る。図１は、本発明の部分横断面を概略的に表わしてい
る。裏面ガス送出システム１４１は、例えば静電チャッ
ク（ＥＳＣ）のような、弁座１５０を備えたウェハ支持
チャック１００の裏面１０６に接続される。この実施形
態におけるＥＳＣの使用は例証のためだけである。総括
的には、本発明は、クランプリングを備えたウェハ押え
部材を例えば含む、多くのイオン注入装置において使用
される種々のウェハ支持チャックで実施できる。ガス送
出システム１４１は、ガス管路１４４によりガス制御装
置１４２に接続されるガス流遮断弁１４０を備え、ガス
制御装置１４２は、ガス供給源１４８に接続されてい
る。弁体１６０及び弁座１５０を備えるガス流遮断弁１
４０は、ＥＳＣ１００の直ぐ近く（例えば２ｃｍ以内）
に配置されるように設計されている。長いガス管路の使
用を回避できるので、弁１４０とウェハ（図示せず）の
裏面との間に捕捉もしくはトラップされる裏面ガスの量
を最小にすることができる。従って、処理後のウェハ搬
送中、無視しうる量の裏面ガスがプロセス室（図示せ
ず）に流入するだけであり、イオン注入装置の作動に対
するどんな悪影響も回避することができる。
関する以下の詳細な説明を考慮することにより容易に理
解することができる。本発明は、直列式イオン注入装置
のような半導体ウェハ処理設備と共に使用する装置であ
る。図１は、本発明の部分横断面を概略的に表わしてい
る。裏面ガス送出システム１４１は、例えば静電チャッ
ク（ＥＳＣ）のような、弁座１５０を備えたウェハ支持
チャック１００の裏面１０６に接続される。この実施形
態におけるＥＳＣの使用は例証のためだけである。総括
的には、本発明は、クランプリングを備えたウェハ押え
部材を例えば含む、多くのイオン注入装置において使用
される種々のウェハ支持チャックで実施できる。ガス送
出システム１４１は、ガス管路１４４によりガス制御装
置１４２に接続されるガス流遮断弁１４０を備え、ガス
制御装置１４２は、ガス供給源１４８に接続されてい
る。弁体１６０及び弁座１５０を備えるガス流遮断弁１
４０は、ＥＳＣ１００の直ぐ近く（例えば２ｃｍ以内）
に配置されるように設計されている。長いガス管路の使
用を回避できるので、弁１４０とウェハ（図示せず）の
裏面との間に捕捉もしくはトラップされる裏面ガスの量
を最小にすることができる。従って、処理後のウェハ搬
送中、無視しうる量の裏面ガスがプロセス室（図示せ
ず）に流入するだけであり、イオン注入装置の作動に対
するどんな悪影響も回避することができる。
【００１１】ＥＳＣ１００は、スピンドル１２０の平ら
な円形部分１２２上に載置する冷却板１１０により支持
される。また、このスピンドル１２０は円筒形の中空軸
部１２４を有し、これが弁体１６０及び弁座１５０を収
容している。ＥＳＣ１００，冷却板１１０及びスピンド
ル１２０は、互いに同心状に配列されている。ＥＳＣ１
００は、互いに等間隔で配置された４つの連結ピン１０
８を備えている。ＥＳＣ１００の頂部（又は支持面）１
０４よりも部分的に上方に突出するこれらの連結ピン１
０８は、処理中にウェハ（図示せず）の裏面との電気的
接触を確保すると共に、チャッキング特性の向上に役立
てるために用いられる。ＥＳＣ１００の中心部１００Ｃ
は面取りされていて、段付き開口１０２を形成する。こ
の開口１０２は底部１０２Ｂよりも頂部１０２Ｔの方が
大きな直径を有する。
な円形部分１２２上に載置する冷却板１１０により支持
される。また、このスピンドル１２０は円筒形の中空軸
部１２４を有し、これが弁体１６０及び弁座１５０を収
容している。ＥＳＣ１００，冷却板１１０及びスピンド
ル１２０は、互いに同心状に配列されている。ＥＳＣ１
００は、互いに等間隔で配置された４つの連結ピン１０
８を備えている。ＥＳＣ１００の頂部（又は支持面）１
０４よりも部分的に上方に突出するこれらの連結ピン１
０８は、処理中にウェハ（図示せず）の裏面との電気的
接触を確保すると共に、チャッキング特性の向上に役立
てるために用いられる。ＥＳＣ１００の中心部１００Ｃ
は面取りされていて、段付き開口１０２を形成する。こ
の開口１０２は底部１０２Ｂよりも頂部１０２Ｔの方が
大きな直径を有する。
【００１２】循環冷媒を収容する内部冷却通路１１４を
有する冷却板１１０は、ウェハ処理中にＥＳＣ１００を
冷却するために用いられる。また、冷却板１１０は、Ｅ
ＳＣ１００の段付き開口１０２の底部１０２Ｂよりも直
径の大きい中心開口１１２を有する。
有する冷却板１１０は、ウェハ処理中にＥＳＣ１００を
冷却するために用いられる。また、冷却板１１０は、Ｅ
ＳＣ１００の段付き開口１０２の底部１０２Ｂよりも直
径の大きい中心開口１１２を有する。
【００１３】他のウェハ処理システムのウェハ支持ペデ
スタルとは対照的に、直列式イオン注入装置で用いられ
るスピンドル１２０は、幾つかの方向に移動可能である
ように設計されている。即ち、スピンドル１２０は、入
射するイオンビームの掃引方向に直交する方向に並進で
き、また回転及び傾斜することができる。これらの運動
の組合せは、イオンビームに対するウェハの一様な暴露
を可能にする。ステンレス鋼製のスピンドル１２０は、
軸部１２４の内面１２５に２つの凹部１２６を備えてい
る。これらの凹部１２６は、弁１４０を軸部１２４から
絶縁するプラスチック製絶縁体１７０から延びるプラス
チック製凸部１７４，１７６（又は耳部）に適合するよ
うに設計されている。図２ａに横断面図で示されている
プラスチック製絶縁体１７０は、弁座１５０の底部１５
０Ｂ及び弁体１６０に適合する大きさに作られている中
心開口１７２を有する。プラスチック製凸部１７４，１
７６は、絶縁体１７０及び弁１４０がスピンドル１２０
の内部で回転するのを防止する。凸部の１つ１７６は、
中空の軸部１２４内に電気接続部を収容するため切欠き
部１７８を有する。
スタルとは対照的に、直列式イオン注入装置で用いられ
るスピンドル１２０は、幾つかの方向に移動可能である
ように設計されている。即ち、スピンドル１２０は、入
射するイオンビームの掃引方向に直交する方向に並進で
き、また回転及び傾斜することができる。これらの運動
の組合せは、イオンビームに対するウェハの一様な暴露
を可能にする。ステンレス鋼製のスピンドル１２０は、
軸部１２４の内面１２５に２つの凹部１２６を備えてい
る。これらの凹部１２６は、弁１４０を軸部１２４から
絶縁するプラスチック製絶縁体１７０から延びるプラス
チック製凸部１７４，１７６（又は耳部）に適合するよ
うに設計されている。図２ａに横断面図で示されている
プラスチック製絶縁体１７０は、弁座１５０の底部１５
０Ｂ及び弁体１６０に適合する大きさに作られている中
心開口１７２を有する。プラスチック製凸部１７４，１
７６は、絶縁体１７０及び弁１４０がスピンドル１２０
の内部で回転するのを防止する。凸部の１つ１７６は、
中空の軸部１２４内に電気接続部を収容するため切欠き
部１７８を有する。
【００１４】図２ｂは、ガス遮断弁１４０（弁体１６０
及び弁座１５０を備える）及び押え部材１３０周りの領
域の拡大図を表わしている。弁１４０は、押え部材１３
０の流路１３６内への裏面ガス、例えば水素或いはヘリ
ウムの流入を制御する。この実施形態で使用される弁１
４０は、パーカー・ハネフィン・コーポレイションの総
合弁事業部（Parker Hannefin Corporation, General V
alve Division)により製造される市販用シリーズ９９の
電磁弁の特定ユーザー向けバージョン（型式９９−２１
３）である。標準弁に見られる通常のホース接続部の代
わりに、型式９９−２１３の弁は、注文で成形し製造さ
れた「弁座」要素を有し、前記要素がウェハ支持チャッ
クに対する適合だけでなく真空シール特性を提供する。
この特定型式の弁はそのコンパクトな大きさのため選択
されているが、他の同等代替品も受け入れられる。
及び弁座１５０を備える）及び押え部材１３０周りの領
域の拡大図を表わしている。弁１４０は、押え部材１３
０の流路１３６内への裏面ガス、例えば水素或いはヘリ
ウムの流入を制御する。この実施形態で使用される弁１
４０は、パーカー・ハネフィン・コーポレイションの総
合弁事業部（Parker Hannefin Corporation, General V
alve Division)により製造される市販用シリーズ９９の
電磁弁の特定ユーザー向けバージョン（型式９９−２１
３）である。標準弁に見られる通常のホース接続部の代
わりに、型式９９−２１３の弁は、注文で成形し製造さ
れた「弁座」要素を有し、前記要素がウェハ支持チャッ
クに対する適合だけでなく真空シール特性を提供する。
この特定型式の弁はそのコンパクトな大きさのため選択
されているが、他の同等代替品も受け入れられる。
【００１５】実質的に円筒形の弁座１５０は、階段状の
構造を有する。弁座１５０の頂部１５０Ｔは、ＥＳＣ１
００における段付き開口１０２の底部直径と等しい外径
を有する。弁座１５０の中間部１５０Ｍは、冷却板１１
０の中心開口１１２の内部に嵌合する大きさに作られて
いる。Ｏ−リング１８０は、弁座１５０の段部２１０
（頂部１５０Ｔ及び中間部１５０Ｍの間）のところに配
置されていて、弁座１５０とウェハ支持チャック１００
との間に真空シールを提供する。弁座１５０の底部１５
０Ｂはプラスチック製絶縁体１７０の頂部１７０Ｔに接
着される。このように、弁座１５０はスピンドル軸部１
２４，冷却板開口１１２及びＥＳＣ開口１０２の内側に
支持される。テ―パの付いた底部１５２Ｂを有する頂部
凹所１５２は、弁座１５０の頂部１５０Ｔから延びて、
弁座１５０の中間部１５０Ｍ近くで細い流路１５１と接
続している。この細い流路１５１は弁座１５０の底部１
５０Ｂへと延びている。本発明の弁座１５０は、ステン
レス鋼から形成されているが、他の材料を使用してもよ
い。
構造を有する。弁座１５０の頂部１５０Ｔは、ＥＳＣ１
００における段付き開口１０２の底部直径と等しい外径
を有する。弁座１５０の中間部１５０Ｍは、冷却板１１
０の中心開口１１２の内部に嵌合する大きさに作られて
いる。Ｏ−リング１８０は、弁座１５０の段部２１０
（頂部１５０Ｔ及び中間部１５０Ｍの間）のところに配
置されていて、弁座１５０とウェハ支持チャック１００
との間に真空シールを提供する。弁座１５０の底部１５
０Ｂはプラスチック製絶縁体１７０の頂部１７０Ｔに接
着される。このように、弁座１５０はスピンドル軸部１
２４，冷却板開口１１２及びＥＳＣ開口１０２の内側に
支持される。テ―パの付いた底部１５２Ｂを有する頂部
凹所１５２は、弁座１５０の頂部１５０Ｔから延びて、
弁座１５０の中間部１５０Ｍ近くで細い流路１５１と接
続している。この細い流路１５１は弁座１５０の底部１
５０Ｂへと延びている。本発明の弁座１５０は、ステン
レス鋼から形成されているが、他の材料を使用してもよ
い。
【００１６】弁座１５０の底部１５０Ｂは、中心に位置
した大きな開口１５６を備え、その内側表面１５７にネ
ジが切られていて、弁体１６０のネジ切りされた頂部１
６０Ｔと組み合っている。例えば銅製ガスケットである
ガスケット２６０は、弁体１６０と弁座１５０の間にシ
ールを提供するために使用される。弁体１６０は、その
底部１６０Ｂへと延びるように中心に配置された流路１
６１を有する。弁体１６０の底部１６０Ｂは、ガス管路
１４４により圧力制御装置１４２に接続される開口１６
６を有し、前記圧力制御装置１４２は、別のガス管路１
４６によりガスタンクのようなガス供給源１４８に接続
される。
した大きな開口１５６を備え、その内側表面１５７にネ
ジが切られていて、弁体１６０のネジ切りされた頂部１
６０Ｔと組み合っている。例えば銅製ガスケットである
ガスケット２６０は、弁体１６０と弁座１５０の間にシ
ールを提供するために使用される。弁体１６０は、その
底部１６０Ｂへと延びるように中心に配置された流路１
６１を有する。弁体１６０の底部１６０Ｂは、ガス管路
１４４により圧力制御装置１４２に接続される開口１６
６を有し、前記圧力制御装置１４２は、別のガス管路１
４６によりガスタンクのようなガス供給源１４８に接続
される。
【００１７】図２ｂは、弁体１６０の頂部開口１６５の
上方で、弁座の底部１５０Ｂと弁体１６０の頂部１６０
Ｔとの間に配置されたポペット１６２を示している。こ
のポペット１６２は、台形断面の頂部１６３を有する。
ポペット１６２は、弁１４０を開閉するのに使用される
作動装置（図示せず）に接続されている。弁１４０がそ
の通常（閉）位置にあるとき、ポペット１６２は、弁体
１６０の頂部１６０Ｔからもっと離れて配置され、そし
て頂部１６３は、弁座１５０の底部開口１５６内に配置
された底部凹所（即ちポペット座）１５８に当接して封
止する。ポペット１６２の頂部１６３と弁座１５０の底
部凹所１５８とは、封止の信頼性を確保するために相互
に補完する形状（台形）に作られている。この実施形態
においては約１０-6sccs 以下のガス漏れが達成され
る。このような低い漏れはイオン注入装置にとって非常
に重要であるが、エッチング装置或いは成長室のような
その他の処理設備においては漏れ率の公差をもっと高く
することができる。
上方で、弁座の底部１５０Ｂと弁体１６０の頂部１６０
Ｔとの間に配置されたポペット１６２を示している。こ
のポペット１６２は、台形断面の頂部１６３を有する。
ポペット１６２は、弁１４０を開閉するのに使用される
作動装置（図示せず）に接続されている。弁１４０がそ
の通常（閉）位置にあるとき、ポペット１６２は、弁体
１６０の頂部１６０Ｔからもっと離れて配置され、そし
て頂部１６３は、弁座１５０の底部開口１５６内に配置
された底部凹所（即ちポペット座）１５８に当接して封
止する。ポペット１６２の頂部１６３と弁座１５０の底
部凹所１５８とは、封止の信頼性を確保するために相互
に補完する形状（台形）に作られている。この実施形態
においては約１０-6sccs 以下のガス漏れが達成され
る。このような低い漏れはイオン注入装置にとって非常
に重要であるが、エッチング装置或いは成長室のような
その他の処理設備においては漏れ率の公差をもっと高く
することができる。
【００１８】平らな頂部１３２及び細長い円筒形部分１
３４を有する押え部材（締付装置）１３０は、弁座１５
０の頂部凹所１５２及びＥＳＣ１００の段付き開口１０
２の内部に配置されている。弁座１５０の頂部凹所１５
２と組み合うためにネジが切られた押え部材１３０の円
筒形部分１３４は、平らな頂部１３２がＥＳＣ１００の
頂面１０４と同一平面上にあるように、頂部凹所１５２
を部分的に下方に延びている。このように構成されてい
るので、押え部材１３０は、弁座１５０の頂部１５０Ｔ
をＥＳＣ１００の中心開口１０２の内部に固定する締付
装置として機能する。押え部材１３０の頂部１３２は、
弁１４０及びＥＳＣ１００の組立て中にスパナ―もしく
はレンチを受け入れるための２つの穴３５を有する。押
え部材１３０にはその全長に沿って細長い流路１３６が
設けられている。この実施形態においては、押え部材１
３０の流路１３６，頂部凹所１５２のテ―パ付き底部１
５２Ｂ及び弁座１５０の流路１５１は、ガスが弁座１５
０の底部１５０ＢからＥＳＣ１００の支持面１０４へと
流れるための通路を形成する。この実施形態の押え部材
１３０はステンレス鋼から形成されているが、他の材料
を使用してもよい。
３４を有する押え部材（締付装置）１３０は、弁座１５
０の頂部凹所１５２及びＥＳＣ１００の段付き開口１０
２の内部に配置されている。弁座１５０の頂部凹所１５
２と組み合うためにネジが切られた押え部材１３０の円
筒形部分１３４は、平らな頂部１３２がＥＳＣ１００の
頂面１０４と同一平面上にあるように、頂部凹所１５２
を部分的に下方に延びている。このように構成されてい
るので、押え部材１３０は、弁座１５０の頂部１５０Ｔ
をＥＳＣ１００の中心開口１０２の内部に固定する締付
装置として機能する。押え部材１３０の頂部１３２は、
弁１４０及びＥＳＣ１００の組立て中にスパナ―もしく
はレンチを受け入れるための２つの穴３５を有する。押
え部材１３０にはその全長に沿って細長い流路１３６が
設けられている。この実施形態においては、押え部材１
３０の流路１３６，頂部凹所１５２のテ―パ付き底部１
５２Ｂ及び弁座１５０の流路１５１は、ガスが弁座１５
０の底部１５０ＢからＥＳＣ１００の支持面１０４へと
流れるための通路を形成する。この実施形態の押え部材
１３０はステンレス鋼から形成されているが、他の材料
を使用してもよい。
【００１９】電磁弁１４０は、通常閉じるように構成さ
れていて、裏面ガスの積極的な遮断を行う。この弁１４
０のソレノイド（図示せず）に電流を印加することによ
り弁１４０が「開」位置に作動されるときに、ポペット
１６２は、図２ｃに示すように、弁座１５０の底部凹所
１５８から離れるように後退する。この開位置において
は、ポペット１６２の頂部１６３は、弁体１６０の頂部
開口１６５と弁座１５０の底部凹所１５８との間に配置
される。このように構成されているので、通路２９０
（図２ｃに矢印で例示する）が形成されて、この通路２
９０により、弁体１６０からの裏面ガスは、弁体１６
０，弁座１５０及び押え部材１３０の各流路１６１，１
５１及び１３６を経て、ＥＳＣ１００の頂面又は支持面
１０４へ流れるのを許容される。ウェハ処理中にウェハ
２９９がチャックされているとき、ウェハ２９９の裏面
とＥＳＣ１００の縁部１００Ｅ（図１参照）との間にシ
ールもしくは封止が形成される。ウェハ２９９の裏面２
９８とＥＳＣ１００の支持面１０４との間のスペース２
９５に充満している裏面ガスは、ウェハ２９９とＥＳＣ
１００との間の良好な熱伝導を確実にする。
れていて、裏面ガスの積極的な遮断を行う。この弁１４
０のソレノイド（図示せず）に電流を印加することによ
り弁１４０が「開」位置に作動されるときに、ポペット
１６２は、図２ｃに示すように、弁座１５０の底部凹所
１５８から離れるように後退する。この開位置において
は、ポペット１６２の頂部１６３は、弁体１６０の頂部
開口１６５と弁座１５０の底部凹所１５８との間に配置
される。このように構成されているので、通路２９０
（図２ｃに矢印で例示する）が形成されて、この通路２
９０により、弁体１６０からの裏面ガスは、弁体１６
０，弁座１５０及び押え部材１３０の各流路１６１，１
５１及び１３６を経て、ＥＳＣ１００の頂面又は支持面
１０４へ流れるのを許容される。ウェハ処理中にウェハ
２９９がチャックされているとき、ウェハ２９９の裏面
とＥＳＣ１００の縁部１００Ｅ（図１参照）との間にシ
ールもしくは封止が形成される。ウェハ２９９の裏面２
９８とＥＳＣ１００の支持面１０４との間のスペース２
９５に充満している裏面ガスは、ウェハ２９９とＥＳＣ
１００との間の良好な熱伝導を確実にする。
【００２０】ウェハ処理の後、ポペット１６２を弁座１
５０の底部凹所１５８に当接封止することによって、弁
１４０が閉弁される。ウェハ２９９のチャックが外され
ると、ウェハ２９９の背後，押え部材１３０の流路１３
６，及び弁座１５０の内部（即ち、流路１５１及び頂部
凹所１５２のテ―パ付き底部１５２Ｂの内部）にトラッ
プされていた少量の裏面ガスは放出されてプロセス室の
中に入る。これに対応する体積は、例えば約５ｃｍ3以
下，好ましくは約１又は２ｃｍ3と非常に小さく設計さ
れており、一般的なプロセス室の容積と比較して無視し
うる。このように構成されているので、トラップされて
いた裏面ガスのプロセス室内への放出にも拘わらず、プ
ロセス室の圧力には目立つほどの上昇はなく、また、イ
オンビーム特性に対する悪影響を回避することができ
る。このような設計は、弁１４０をコンパクトな寸法に
して、ＥＳＣ１００の極めて近くに配置しうるようにす
ることによって可能となる。このようにして、さもなけ
れば必要な長い接続用ガス管路を排除することができ
る。この実施形態においては、押え部材１３０及び弁座
１５０の内部スペースが、ウェハ２９９のチャックを外
した際にプロセス室内に放出される裏面ガスの体積を実
質的に規定する。
５０の底部凹所１５８に当接封止することによって、弁
１４０が閉弁される。ウェハ２９９のチャックが外され
ると、ウェハ２９９の背後，押え部材１３０の流路１３
６，及び弁座１５０の内部（即ち、流路１５１及び頂部
凹所１５２のテ―パ付き底部１５２Ｂの内部）にトラッ
プされていた少量の裏面ガスは放出されてプロセス室の
中に入る。これに対応する体積は、例えば約５ｃｍ3以
下，好ましくは約１又は２ｃｍ3と非常に小さく設計さ
れており、一般的なプロセス室の容積と比較して無視し
うる。このように構成されているので、トラップされて
いた裏面ガスのプロセス室内への放出にも拘わらず、プ
ロセス室の圧力には目立つほどの上昇はなく、また、イ
オンビーム特性に対する悪影響を回避することができ
る。このような設計は、弁１４０をコンパクトな寸法に
して、ＥＳＣ１００の極めて近くに配置しうるようにす
ることによって可能となる。このようにして、さもなけ
れば必要な長い接続用ガス管路を排除することができ
る。この実施形態においては、押え部材１３０及び弁座
１５０の内部スペースが、ウェハ２９９のチャックを外
した際にプロセス室内に放出される裏面ガスの体積を実
質的に規定する。
【００２１】本発明の別の局面は、裏面ガスの圧力を制
御するための圧力制御装置１４２に関係している。ガス
横断方向の熱伝達率はガス圧力に依存しているので、圧
力制御装置１４２の位置設定を改善することは、ウェハ
の温度制御をもっと信頼性のあるものにする。この実施
形態において、圧力制御装置１４２は、長さ約９.８フ
ィート（３ｍ）のガス管路１４４によって弁体１６０の
底部１６０Ｂに接続されている（図１参照）。圧力制御
装置１４２をＥＳＣ１００のより近くに位置付けること
により、そして弁１４０とウェハ２９９の裏面２９８と
の間の裏面ガス体積を減少させることにより、圧力制御
と同様にウェハ温度制御に対して迅速な応答時間が達成
できる。これは、弁１４０の開閉の関数としての模擬ガ
ス圧力応答を示す図３ａ及び図３ｂに例示されている。
この例において、裏面ガス圧力は約１３トルの所定圧力
に設定され、弁１４０は時間（ｔ）が１秒で開き、ｔ＝
２秒で閉じる。図３ａは、圧力制御装置１４２での圧力
応答Ｐｃを示し、一方、図３ｂは、ウェハ２９９の裏面
２９８での（即ち、ポペット座１５８とウェハ裏面２９
８との間の裏面ガス体積内の）圧力応答Ｐｗを示してい
る。弁１４０を開くと、裏面ガス圧力Ｐｗは点ＡからＢ
へと殆ど瞬時に上昇する。このような迅速な応答（例え
ば、１００ msec よりもずっと短い）が可能なのは、圧
力制御装置１４２とウェハ２９９との間の総体積Ｖｃと
比較して裏面ガス体積Ｖｗが相当に小さい、即ちＶｃ／
Ｖｗ≫１であるからである。弁１４０がｔ＝２秒で閉じ
ると、裏面ガス圧力Ｐｗは、１００ msec より短い間に
約０トルまで（或いは、実際には、ウェハ処理システム
内のベース圧力）減少する。ガス管路１４４は、イオン
注入装置におけるスピンドル１２０の運動に備えるた
め、可撓性のホース材料から形成されている。しかし、
このような運動に起因するガス管路の変形は、圧力制御
の際における応答時間の減少になりうる。ガス管路１４
４の長さを短くすることはこの問題をある程度軽減する
のに役立つ。裏面ガスは、別のガス管路１４６により圧
力制御装置１４２に接続されたガス供給源１４８によっ
て、圧力制御装置１４２に供給される。
御するための圧力制御装置１４２に関係している。ガス
横断方向の熱伝達率はガス圧力に依存しているので、圧
力制御装置１４２の位置設定を改善することは、ウェハ
の温度制御をもっと信頼性のあるものにする。この実施
形態において、圧力制御装置１４２は、長さ約９.８フ
ィート（３ｍ）のガス管路１４４によって弁体１６０の
底部１６０Ｂに接続されている（図１参照）。圧力制御
装置１４２をＥＳＣ１００のより近くに位置付けること
により、そして弁１４０とウェハ２９９の裏面２９８と
の間の裏面ガス体積を減少させることにより、圧力制御
と同様にウェハ温度制御に対して迅速な応答時間が達成
できる。これは、弁１４０の開閉の関数としての模擬ガ
ス圧力応答を示す図３ａ及び図３ｂに例示されている。
この例において、裏面ガス圧力は約１３トルの所定圧力
に設定され、弁１４０は時間（ｔ）が１秒で開き、ｔ＝
２秒で閉じる。図３ａは、圧力制御装置１４２での圧力
応答Ｐｃを示し、一方、図３ｂは、ウェハ２９９の裏面
２９８での（即ち、ポペット座１５８とウェハ裏面２９
８との間の裏面ガス体積内の）圧力応答Ｐｗを示してい
る。弁１４０を開くと、裏面ガス圧力Ｐｗは点ＡからＢ
へと殆ど瞬時に上昇する。このような迅速な応答（例え
ば、１００ msec よりもずっと短い）が可能なのは、圧
力制御装置１４２とウェハ２９９との間の総体積Ｖｃと
比較して裏面ガス体積Ｖｗが相当に小さい、即ちＶｃ／
Ｖｗ≫１であるからである。弁１４０がｔ＝２秒で閉じ
ると、裏面ガス圧力Ｐｗは、１００ msec より短い間に
約０トルまで（或いは、実際には、ウェハ処理システム
内のベース圧力）減少する。ガス管路１４４は、イオン
注入装置におけるスピンドル１２０の運動に備えるた
め、可撓性のホース材料から形成されている。しかし、
このような運動に起因するガス管路の変形は、圧力制御
の際における応答時間の減少になりうる。ガス管路１４
４の長さを短くすることはこの問題をある程度軽減する
のに役立つ。裏面ガスは、別のガス管路１４６により圧
力制御装置１４２に接続されたガス供給源１４８によっ
て、圧力制御装置１４２に供給される。
【００２２】本発明の別の実施形態においては、ガス送
出システムに質量流量計を組み入れることができる。し
かし、質量流量の制御は定常状態制御のために興味があ
るからに過ぎないので、本発明における圧力制御ほど重
要ではない。
出システムに質量流量計を組み入れることができる。し
かし、質量流量の制御は定常状態制御のために興味があ
るからに過ぎないので、本発明における圧力制御ほど重
要ではない。
【００２３】最小の裏面ガス体積を有する裏面ガス送出
システムを組み入れた本発明は、イオン注入装置におい
て使用するのに適するが、他のウェハ処理システムでの
使用にも適応できる。本発明の教示事項を組み入れた一
実施形態について示し詳細に説明してきたが、当業者
は、これらの教示事項を依然として組み入れているその
他多くの変形実施形態を容易に創出しうる。
システムを組み入れた本発明は、イオン注入装置におい
て使用するのに適するが、他のウェハ処理システムでの
使用にも適応できる。本発明の教示事項を組み入れた一
実施形態について示し詳細に説明してきたが、当業者
は、これらの教示事項を依然として組み入れているその
他多くの変形実施形態を容易に創出しうる。
【図１】本発明による裏面ガス送出システムの概略図を
表している。
表している。
【図２】図２ａは、プラスチック製絶縁体の頂部横断面
図、図２ｂは、図１の弁及び押え部材を表す拡大概略横
断面図、図２ｃは、図２ｂのポペット，弁座及び押え部
材を表す別の拡大概略横断面図である。
図、図２ｂは、図１の弁及び押え部材を表す拡大概略横
断面図、図２ｃは、図２ｂのポペット，弁座及び押え部
材を表す別の拡大概略横断面図である。
【図３】図３ａは、図１の圧力制御装置での模擬圧力応
答曲線、図３ｂは、図２ｃのウェハの裏面での模擬圧力
応答曲線を表している。
答曲線、図３ｂは、図２ｃのウェハの裏面での模擬圧力
応答曲線を表している。
フロントページの続き (72)発明者 ジョン ラッフェル アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サニーヴェイル， ホワイト パイン テ ラス 1153 (72)発明者 カール エフ． リーザー アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サニーヴェイル， ホレンベック アヴェ ニュー 1674 ナンバー51
Claims (20)
- 【請求項１】 ウェハ処理システムのための装置であっ
て、 ガス送出システムに取り付けられたウェハ支持チャック
を備え、前記ガス送出システムは、前記ウェハ支持チャ
ックと直接に接する弁を有する装置。 - 【請求項２】 前記弁は更に、 第１流路を有する弁座と、前記弁座に接続される弁体と
を備え、前記弁体は、第２流路と、前記第２流路及び第
１流路間に通路を提供する第１位置、及び前記第１流路
の一端での封止接触を可能にする第２位置に配置される
ことができるポペットとを備える請求項１に記載の装
置。 - 【請求項３】 前記弁座に接続された押え部材を更に備
え、前記弁の前記第１，第２流路と、前記押え部材の流
路とが共同して、前記ウェハ支持チャックの支持面に至
る通路を画成している請求項２に記載の装置。 - 【請求項４】 前記ポペット，前記弁座及び前記押え部
材が共同して前記装置の内部にある体積を画成し、前記
体積は約５ｃｍ3より小さい請求項３に記載の装置。 - 【請求項５】 前記弁は電磁弁である請求項２に記載の
装置。 - 【請求項６】 前記ガス送出システムは、前記弁に接続
された圧力制御装置を更に備える請求項１に記載の装
置。 - 【請求項７】 前記半導体ウェハ処理システムは、イオ
ン注入装置である請求項４に記載の装置。 - 【請求項８】 ウェハ処理システムのための装置であっ
て、 中心開口及び支持面を有するウェハ支持チャックと、 前記ウェハ支持チャックの前記中心開口の内部に取り付
けられる頂部、及び前記頂部から下方へ延びる頂部凹所
を有する弁座であって、前記頂部凹所は、前記弁座の底
部開口へ延びる底部流路に接続している、前記弁座と、 頂部，円筒形軸部及び流路を有する押え部材であって、
前記押え部材の前記流路は、前記押え部材の前記頂部か
ら前記円筒形軸部の底部へ延びており、前記円筒形軸部
は、前記弁座の前記頂部凹所の内部に配置され、前記押
え部材の前記頂部は、前記ウェハ支持チャックの前記中
心開口の内部に配置されている、前記押え部材と、 ネジが切られた頂部の頂部開口を底部開口に接続する流
路と、前記頂部開口の上方に配置されたポペットとを有
する弁体であって、前記ネジが切られた頂部は、前記弁
体の前記底部開口と前記押え部材の前記流路との間に通
路が形成されるように、前記弁座の前記底部開口に係合
しており、前記ポペットは、前記弁座の前記底部開口で
封止接触が可能である、前記弁体と、 前記弁体の前記底部開口に接続される圧力制御装置とを
備える装置。 - 【請求項９】 前記半導体ウェハ処理システムは、イオ
ン注入装置である請求項８に記載の装置。 - 【請求項１０】 ウェハ処理システムのための装置であ
って、 ガス送出システムに取り付けられたウェハ支持チャック
を備え、前記ガス送出システムは、前記ウェハ支持チャ
ックと直接接する弁を有し、前記ガス送出システムは更
に、前記弁と前記ウェハ支持チャックの支持面との間の
ガス圧力を制御するための手段を備えている装置。 - 【請求項１１】 ガス圧力を制御するための前記手段
は、圧力制御装置である請求項１０に記載の装置。 - 【請求項１２】 前記ガス送出システムは、ガスを、約
１００ミリ秒より短い応答時間内に、所定の圧力で前記
ウェハ支持チャックの支持面に送出する手段を備える請
求項１０に記載の装置。 - 【請求項１３】 前記弁と前記ウェハ支持チャックの前
記支持面とが第１体積を画成し、前記圧力制御装置と前
記ウェハ支持チャックの前記支持面とが前記第１体積よ
りも著しく大きい第２体積を画成する請求項１１に記載
の装置。 - 【請求項１４】 前記第１体積は、約５ｃｍ3より小さ
い請求項１３に記載の装置。 - 【請求項１５】 前記ウェハ処理システムは、イオン注
入装置である請求項１０に記載の装置。 - 【請求項１６】 半導体ウェハ支持チャックのためのガ
ス送出システムであって、 ガス流量弁と、前記ガス流量弁に接続された圧力制御装
置とを備え、前記弁は、前記半導体ウェハ支持チャック
へ直接取り付けるのに適合しているガス送出システム。 - 【請求項１７】 ガスを、約１００ミリ秒より短い応答
時間内に、所定の圧力で前記半導体ウェハ支持チャック
の支持面に送出する手段を備える請求項１６に記載のガ
ス送出システム。 - 【請求項１８】 前記ガス流量弁と前記半導体ウェハ支
持チャックの支持面とは、約５ｃｍ3より小さい第１体
積を画成する請求項１７に記載のガス送出システム。 - 【請求項１９】 前記圧力制御装置と前記ウェハ支持チ
ャックの前記支持面とが、前記第１体積よりも著しく大
きい第２体積を画成する請求項１８に記載のガス送出シ
ステム。 - 【請求項２０】 前記ウェハ処理システムは、イオン注
入装置である請求項１６に記載のガス送出システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/294258 | 1999-04-19 | ||
| US09/294,258 US6179921B1 (en) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | Backside gas delivery system for a semiconductor wafer processing system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000349142A true JP2000349142A (ja) | 2000-12-15 |
| JP4753453B2 JP4753453B2 (ja) | 2011-08-24 |
Family
ID=23132593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000118343A Expired - Lifetime JP4753453B2 (ja) | 1999-04-19 | 2000-04-19 | 半導体ウェハ処理システムのための裏面ガス送出装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6179921B1 (ja) |
| EP (1) | EP1047116A3 (ja) |
| JP (1) | JP4753453B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7373022B2 (ja) | 2016-10-28 | 2023-11-01 | ラム リサーチ コーポレーション | 開放空間均圧化通路および側方閉じ込めを備えた平坦な基板縁部接触部 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6689221B2 (en) * | 2000-12-04 | 2004-02-10 | Applied Materials, Inc. | Cooling gas delivery system for a rotatable semiconductor substrate support assembly |
| US6853953B2 (en) * | 2001-08-07 | 2005-02-08 | Tokyo Electron Limited | Method for characterizing the performance of an electrostatic chuck |
| US6777352B2 (en) | 2002-02-11 | 2004-08-17 | Applied Materials, Inc. | Variable flow deposition apparatus and method in semiconductor substrate processing |
| US20030168174A1 (en) | 2002-03-08 | 2003-09-11 | Foree Michael Todd | Gas cushion susceptor system |
| US20040053514A1 (en) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Ali Shajii | Apparatus for cooling a substrate through thermal conduction in the viscous regime |
| US20040187787A1 (en) * | 2003-03-31 | 2004-09-30 | Dawson Keith E. | Substrate support having temperature controlled substrate support surface |
| US7993460B2 (en) | 2003-06-30 | 2011-08-09 | Lam Research Corporation | Substrate support having dynamic temperature control |
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