TWI690669B - 閥裝置、使用此閥裝置的流體控制裝置及半導體製造裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題是在於提供一種被裝入流孔且可低成本製造的閥裝置。 其解決手段，閥體(20)是劃定：在閥體(20)的表面開口且內藏有閥要素的收容凹部(22)、及被連接至收容凹部(22)的一次側流路(21)及二次側流路(24)， 閥要素(2)是具有： 遮斷通過一次側流路(21)與二次側流路(24)的收容凹部(22)的直接性的連通之密封部(50b2，50b3)；及 通過閥要素(2)來使一次側流路(21)與二次側流路(24)連通的貫通流路(50、16p)， 在貫通流路(50，16p)形成有流孔(16p)。

Description

閥裝置、使用此閥裝置的流體控制裝置及半導體製造裝置
本發明是有關閥裝置。
在半導體製造製程等的各種製造製程中，為了將正確地計量後的製程氣體供給至製程腔室，可使用將開閉閥、調節器(regulator)、質量流控制器等的各種的流體機器集成化的流體控制裝置。 在上述般的流體控制裝置中，取代管接頭，沿著底板的長度方向來配置形成流路的設置塊(以下稱為底塊)，在此底塊上設置包含複數的流體機器或連接管接頭的接頭塊等的各種流體機器，藉此實現集成化(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-3013號公報
(發明所欲解決的課題)
對於被適用在上述般的流體控制裝置的閥裝置要求各式各樣的機能。例如，在閥裝置的流路中設置流孔(Orifice)。 然而，若在閥裝置的流路中插入孔板(Orifice plate)等，則會有難密封，製造成本變高的問題。
本發明之一目的是在於提供一種被裝入流孔且可低成本製造的閥裝置。 (用以解決課題的手段)
本發明的第1觀點的閥裝置，係具有塊狀的閥體的閥裝置，其特徵為： 前述閥體，係劃定：在該閥體的表面開口且內藏有閥要素的收容凹部、及被連接至前述收容凹部的底面的一次側流路、以及在該收容凹部的內周面被連接的二次側流路， 前述閥要素，係具有： 遮斷通過前述一次側流路與前述二次側流路的前述收容凹部的直接性的連通之密封部；及 通過該閥要素來使前述一次側流路與前述二次側流路連通的貫通流路， 在前述貫通流路形成有流孔。
前述閥要素係採用下列構成為合適， 具有： 閥座，其係具有：被形成於一端面的環狀的座面、及被形成於另一端面的環狀的密封面、以及被形成於前述座面及前述密封面的內側，貫通前述一端面及前述另一端面的流通流路； 閥座支架，其係具有：抵接前述閥座的密封面，支撐來自該密封面的推壓力的支撐面；及 隔膜，其係被設成可在被支撐於前述閥座支架的前述座面抵接及隔離， 前述隔膜，係通過該隔膜與前述座面的間隙來使前述流通流路與前述二次側流路連通， 前述閥座支架，係具有：與前述收容凹部的內壁面的一部分聯合作用來遮斷前述一次側流路與前述二次側流路的連通之密封面、及連接前述一次側流路與前述流通流路的前述迂迴流路， 在前述閥座的流通流路或前述閥座支架的迂迴流路形成有前述流孔。
本發明的第2觀點的閥裝置，係具有塊狀的閥體的閥裝置，其特徵為： 前述閥體，係劃定：分別內藏有第1及第2閥要素的第1及第2收容凹部、及使前述第1及第2收容凹部分別朝前述閥體外部連通的一次側流路、及使前述第1及第2收容凹部分別朝前述閥體外部連通的二次側流路、及連接前述第1及第2收容凹部來使前述二次側流路的各者互相連通的連通流路， 前述第1及第2閥要素的各者，係具有：遮斷通過前述一次側流路與前述二次側流路的前述收容凹部的直接性的連通之密封部、及通過該閥要素來使前述一次側流路與前述二次側流路連通的貫通流路， 在前述第1及第2閥要素的一方的貫通流路形成有流孔。
本發明的流量控制方法，係在製程氣體的流量控制使用包含上述構成的閥裝置之流體控制裝置。
本發明的製品製造方法，係在被密閉的處理腔室內需要根據製程氣體的處理工程之半導體裝置、平板顯示器、太陽能板等的製品的製造製程中，在前述製程氣體的控制使用包含上述構成的閥裝置之流體控制裝置。
本發明的半導體製造裝置，係具有用以將製程氣體供給至處理腔室的流體控制裝置， 前述流體控制裝置，係包含上述構成的閥裝置。 [發明的效果]
若根據本發明，則可取得被裝入流孔且可低成本製造的閥裝置。
第1實施形態 以下，參照圖面說明有關本發明的實施形態。另外，在本說明書及圖面中，機能實質同樣的構成要素是使用相同的符號，藉此省略重複的說明。 圖1A～圖1D是表示本發明之一實施形態的閥裝置的構造，圖2及圖3是表示圖1A的閥裝置的動作，圖4是內緣固定盤，圖5是閥座及圖6是表示閥座支架的剖面構造。 在圖1A～圖3中，圖中的箭號A1，A2是表示上下方向，A1為上方向，A2為下方向。箭號B1，B2是表示閥裝置1的閥體20的長度方向，B1為一端側，B2為另一端側。C1，C2是表示與閥體20的長度方向B1，B2正交的寬度方向，C1為前面側，C2為背面側。
閥體20是上面視為具有長方形狀的塊狀的構件，劃定上面20f1及底面20f2、在上面20f1及底面20f2之間延伸的側面4個的側面20f3～20f6。加上劃定在上面20f1開口的收容凹部22。由圖2等可知般，收容凹部22是以直徑不同的內周面22a，22b，22c及底面22d所構成。內周面22a，22b，22c是依此順序，直徑變小。在收容凹部22內藏有閥要素2。 閥體20是劃定被連接至收容凹部22的一次側流路21及二次側流路24。一次側流路21是氣體等的流體從外部供給的側的流路，二次側流路24是使氣體等的流體朝外部流出的流路。一次側流路21是在對於閥體20的底面20f2傾斜而形成的底面20f2開口。在一次側流路21的開口的周圍是形成有密封保持部21a。在密封保持部21a是配置有未圖示的墊片作為密封構件。閥體20是藉由在螺孔20h1中扭進鎖緊螺栓來與未圖示的其他的流路塊連結。此時，由於被保持於密封保持部21a的墊片是在與未圖示的其他的流路塊之間以鎖緊螺栓的鎖緊力所擠壓，因此一次側流路21的開口的周圍被密封。
墊片是可舉金屬製或樹脂製等的墊片。墊片是可舉軟質墊片、半金屬墊片、金屬墊片等。具體而言，可適用以下者。 (1)軟質墊片 ･橡膠O型環 ･膠片(全面座用) ･接合墊片 ･膨脹石墨片 ･PTFE片 ･PTFE外套形 (2)半金屬墊片 ･渦捲形墊片(Spiral-wound gaskets) ･金屬外套墊片 (3)金屬墊片 ･金屬平形墊片 ･金屬中空O型環 ･環形接頭 另外，被設在後述的分歧流路25，26的開口的周圍的密封保持部25a1，26b1也同樣，詳細說明省略。
二次側流路24是包含在閥體20的長度方向B1，B2相對於收容凹部22彼此被形成於相反側的2個的二次側流路24A，24B。二次側流路24A，24B是被形成於延伸於閥體20的長度方向B1，B2的共通的軸線J1上。二次側流路24A是一端在收容凹部22的內周面22b開口，另一端24a1是在閥體20的內部閉塞。二次側流路24B是一端在收容凹部22的內周面22b開口，另一端24b1是在側面20f6側開口。在二次側流路24B的側面20f6的開口是藉由焊接等的手段來設置閉塞構件30，二次側流路24B的開口是被閉塞。二次側流路24A，24B是可利用鑽孔機等的工具來容易地加工。 二次側流路24A是在另一端24a1分歧成2條的分歧流路25，在上面20f1開口。二次側流路24B是在中途分歧成2條的分歧流路26，在上面20f1開口。 亦即，在本實施形態的閥裝置1中，可藉由二次側流路24的分歧流路25，26來將流入至一次側流路21的氣體等的流體分流成4個。
閥要素2是具有：隔膜(diaphragm)14、內緣固定盤(Inner disk)15、閥座16及閥座支架50。閥要素2是遮斷通過一次側流路21與二次側流路24的收容凹部22的直接性的連通，且通過該閥要素2來使一次側流路21與二次側流路24連通。以下，具體說明有關閥要素2。 在收容凹部22內是插入具有與內周面22c嵌合的外徑的閥座支架50。閥座支架50是如圖6所示般，圓柱狀的金屬製構件，在中心部形成有由貫通孔所成的迂迴流路50a，在上端面形成有以迂迴流路50a作為中心的環狀的支撐面50f1。閥座支架50的支撐面50f1是由平坦面所成，在其外周部是形成有階差。閥座支架50的外周面50b1是具有嵌於收容凹部22的內周面22c的直徑，在與下端側的被小徑化的外周面50b2之間是存在有階差。藉由此階差，形成圓環狀的端面50b3。在外周面50b2是如圖2等所示般，嵌入PTFE等的樹脂製的密封構件51。密封構件51是剖面形狀形成矩形狀，具有被擠壓於收容凹部22的底面22d與閥座支架50的端面50b3之間的尺寸。一旦密封構件51被擠壓於收容凹部22的底面22d與閥座支架50的端面50b3之間，則樹脂會進入閥座支架50的外周面50b1與收容凹部22的內周面22c及底面22d之間，確實地密封閥座支架50與收容凹部22之間。亦即，作為密封部的外周面50b2及端面50b3是與收容凹部22的內周面22c及底面22d聯合作用而遮斷一次側流路21與二次側流路24的連通。
閥座支架50的迂迴流路50a是與在收容凹部22的底面22d開口的一次側流路21連接。 在閥座支架50的支撐面50f1上是設有閥座16。 閥座16是以PFA、PTFE等的樹脂來可彈性變形地形成，如圖5所示般，形成圓環狀，在一端面形成有圓環狀的座面16s，在另一端面形成有圓環狀的密封面16f。在座面16s及密封面16f的內側是形成有由貫通孔所成的流通流路16p。流通流路16p是與閥座支架50的迂迴流路50a連接的本發明的流通流路16p，亦為具有比迂迴流路50a的內徑更充分地小的內徑的流孔(以下亦稱為流孔16p)。流通流路16p及閥座支架50的迂迴流路50a為構成本發明的貫通流路。 閥座16是在其外周側具有小徑部16b1及大徑部16b2，在小徑部16b1與大徑部16b2之間是形成有階差部。
閥座16是藉由作為定位推壓構件的內緣固定盤15來對於閥座支架50的支撐面50f1定位，且朝向閥座支架50的支撐面50f1推壓。具體而言，形成有被形成於內緣固定盤15的中心部的大徑部15a1及小徑部15a2，在大徑部15a1與小徑部15a2之間是形成有階差面15a3。在內緣固定盤15的一端面側是形成有圓環狀的平坦面15f1。在內緣固定盤15的另一端面側是在外側形成有圓環狀的平坦面15f2，在內側形成有圓環狀的平坦面15f3。平坦面15f2與平坦面15f3是高度不同，平坦面15f3位於靠平坦面15f1。在內緣固定盤15的外周側是形成有嵌合於收容凹部22的內周面22a的外周面15b。而且，貫通一端面及另一端面的流路15h會在圓周方向等間隔形成複數。藉由閥座16的大徑部16b2及小徑部16b1嵌於內緣固定盤15的大徑部15a1及小徑部15a2，閥座16對於閥座支架50的支撐面50f1定位。 內緣固定盤15的平坦面15f2是被設置於在收納凹部22的內周面22a與內周面22b之間所形成的平坦的階差面上。在內緣固定盤15的平坦面15f1上是設置有隔膜14，在隔膜14上是設置有推壓環13。
致動器(actuator)10是藉由空壓等的驅動源來驅動，使可移動保持於上下方向A1，A2的隔膜推壓構件12移動。致動器10的外殼(Casing)11的前端部是如圖1A般，被扭進閥體20而固定。然後，此前端部會將推壓環13朝向下方A2而推壓，隔膜14是被固定於收容凹部22內。隔膜14是將收容凹部22密閉於開口側。並且，內緣固定盤15也朝向下方A2而被推壓。在內緣固定盤15的平坦面15f2被推壓於收容凹部22的階差面的狀態中，以階差面15a3能將閥座16朝向閥座支架50的支撐面50f1推壓的方式，設定階差面15a3的高度。並且，內緣固定盤15的平坦面15f3是形成不抵接於閥座支架50的上端面。 隔膜14是具有比閥座16更大的直徑，以不鏽鋼、NiCo系合金等的金屬或氟系樹脂來可彈性變形地形成球殼狀。隔膜14是對於閥座16的座面16s可抵接隔離地被支撐於閥體20。
在圖2中，隔膜14是藉由隔膜推壓構件12來推壓而彈性變形，處於被推壓於閥座16的座面16s的狀態。隔膜14是一旦開放隔膜推壓構件12的推壓，則如圖3所示般，復原成球殼狀。在隔膜14被推壓於閥座16的座面16s的狀態下，一次側流路21與二次側流路24之間的流路是處於被閉鎖的狀態。若隔膜推壓構件12被移動至上方向A1，則如圖3所示般，隔膜14會從閥座16的座面16s分離。然後，從一次側流路21供給的流體是通過閥座16的流孔16p，經由隔膜14與閥座16的座面16s之間隙來流入至二次側流路24A，24B。最後，從一次側流路21供給的流體是通過分歧路25，26來流出至閥體20的外部。
如以上般，若根據本實施形態，則不在閥體20直接加工流孔，在閥要素2的構成零件的閥座16加工流孔16p，藉此可容易在閥裝置1附加流孔機能。又，由於不須為了流孔16p擴大閥體20，因此閥體20的小型化也可維持。
在上述實施形態中，舉二次側流路24在閥體20內分歧成複數，分歧流路25，26在閥體20的上面20f1開口的情況為例，但本發明是不限於此，亦可採用在底面20f2或側面20f3～20f6的任一面開口的構成。
在上述實施形態中，將內緣固定盤15及閥座16設為別的構件，但亦可使內緣固定盤15及閥座16一體化。
第2實施形態 在圖7顯示本發明的第2實施形態的閥裝置。另外，在圖7中，有關與上述實施形態同樣的構成部分是使用相同的符號。 圖7所示的閥裝置的閥座支架50B是在上端部的中心部具有圓柱狀的突出部50t，在此突出部50t的中心部形成有比迂迴流路50a的內徑更充分地小的內徑的流孔50p。閥座16B是在中心部形成有貫通孔16a，閥座支架50B的突出部50t會被嵌合插入於此。 若根據本實施形態，則不在閥體20直接加工流孔，在閥要素2的構成零件的閥座支架50B形成流孔50p，藉此可容易在閥裝置附加流孔機能。
第3實施形態 在圖8顯示本發明的第3實施形態的閥裝置。在圖8中與上述實施形態同樣的構成部分是使用相同的符號。 本實施形態的閥裝置是在共通的閥體20具備2個的閥要素2A，2B。
閥體20是劃定在上面20f1開口的2個的收容凹部22A，22B。收容凹部22A，22B是具有與上述收容凹部22同樣的構造，在長度方向B1，B2隔離配置。在收容凹部22A，22B分別內藏有閥要素2A，2B。劃定：分別被連接至第1及第2收容凹部22A，22B的一次側流路21A，21B，及分別被連接至收容凹部22A，22B的二次側流路24A，24B，以及連接收容凹部22A與收容凹部22B的連通流路24C。連通流路24C是作為二次側流路24的一部分機能。
一次側流路21A是對於閥體20的底面20f2傾斜形成，一端在收容凹部22A的底面22d被連接，另一端在底面20f2開口。 一次側流路21B是對於閥體20的底面20f2，與一次側流路21A逆向地傾斜形成，一端在收容凹部22B的底面22d被連接，另一端在底面20f2開口。 在一次側流路21A，21B的開口的周圍是分別形成有與上述的密封保持部21a同樣的密封保持部21a，21b。
二次側流路24是包含：在閥體20的長度方向B1，B2對於收容凹部22A，22B互相被形成於相反側的2個的二次側流路24A，24B，及連接收容凹部22A，22B間的連通流路24C。 二次側流路24A，24B及連通流路24C是被形成於在閥體20的長度方向B1，B2所延伸的共通的軸線J1上。 二次側流路24A是一端在收容凹部22A的內周面22b開口，另一端24a1在閥體20的內部閉塞。 二次側流路24B是一端在收容凹部22B的內周面22b開口，另一端24b1在側面20f6側開口。 在二次側流路24B的側面20f6的開口是藉由焊接等的手段來設有閉塞構件30，二次側流路24B的開口是被閉塞。 連通流路24C是一端在收容凹部22A的內周面22b開口，另一端在收容凹部22B的內周面22b開口。二次側流路24A與二次側流路24B是經由連通流路24C來連通。 構成二次側流路24的二次側流路24A，24B及連通流路24C是可使用鑽孔機等的工具來容易地加工。另外，二次側流路24是亦可從閥體20的另一端使用鑽孔機等來切削加工，或亦可從一端及另一端的雙方使用鑽孔機等來進行切削加工，在閥體20內使連通。 二次側流路24A是在另一端24a1分歧成2條的分歧流路25，在上面20f1開口。 二次側流路24B是在中途分歧成2條的分歧流路26，在上面20f1開口。
閥要素2A是具有與第1實施形態的閥要素2同樣的構造。具備閥要素2A的流孔16p。閥要素2B是未具備流孔。
如此，在共通的閥體20設置2個的閥要素2A，2B，可只在一方的閥要素2A賦予流孔。從一次側流路21A或21B供給的流體是共通地流出至二次側流路24A，24B，24C。閥要素2A與閥要素2B是選擇性地一方被開放，另一方被閉鎖。 另外，在本實施形態中，舉在閥要素2A的閥座16形成流孔16p的情況為例，但並不限於此，亦可與第2實施形態同樣在閥座支架形成流孔。
其次，參照圖9來說明有關上述的閥裝置1的適用例。 圖9所示的半導體製造裝置1000是用以實行根據原子層堆積法(ALD：Atomic Layer Deposition法)的半導體製造製程的系統，600是製程氣體供給源，700是氣箱，710是槽，720是閥、800是處理腔室，900是表示排氣泵。 在使膜堆積於基板的處理製程中，為了安定地供給處理氣體，而將從氣箱700供給的處理氣體暫時性地積存於作為緩衝的槽710，使被設在處理腔室800的最近的閥720以高頻率開閉，將來自槽的處理氣體供給至真空環境的處理腔室800。 ALD法是化學氣相成長法之一，在溫度或時間等的成膜條件之下，將2種類以上的處理氣體予以每1種類交替地流至基板表面上，使與基板表面上原子反應而使每單層堆積膜的方法，由於每單原子層可控制，因此可使均一的膜厚形成，即使是膜質也可非常緻密地使膜成長。 在根據ALD法的半導體製造製程中，須精密地調整處理氣體的流量，且因基板的大口徑化等，須某程度確保處理氣體的流量。 氣箱700是為了將正確計量後的製程氣體供給至處理腔室800，而將使各種的流體機器集成化的流體控制裝置收容箱者。在此流體控制裝置中含有上述的各實施形態的閥裝置。 槽710是作為暫時性地積存從氣箱700供給的處理氣體的緩衝機能。 處理腔室800是提供用以藉由ALD法來對基板形成膜的密閉處理空間。 排氣泵900是將處理腔室800內抽真空。
參照圖10來說明可適用本發明的閥裝置的流體控制裝置的一例。 在圖10所示的流體控制裝置中設有沿著寬度方向W1，W2來配列，延伸於長度方向G1，G2的金屬製的底板BS。另外，W1是表示正面側，W2是表示背面側，G1是表示上游側，G2是表示下游側的方向。在底板BS是經由複數的流路塊992來設置各種流體機器991A～991E，藉由複數的流路塊992來分別形成有從上游側G1往下游側G2流通流體的未圖示的流路。
在此，所謂「流體機器」是被使用在控制流體的流動的流體控制裝置的機器，具備劃定流體流路的物體，具有在此物體的表面開口的至少2個的流路口的機器。具體而言，含有開閉閥(2方閥)991A、調節器991B、壓力計991C、開閉閥(3方閥)991D、質量流控制器991E等，但不限於此。另外，導入管993是被連接至上述的未圖示的流路的上游側的流路口。
本發明是可適用於上述的開閉閥991A、991D、調節器991B等的各種的閥裝置。
1‧‧‧閥裝置 2、2A、2B‧‧‧閥要素 10‧‧‧致動器 11‧‧‧外殼 12‧‧‧隔膜推壓構件 13‧‧‧推壓環 14‧‧‧隔膜 15‧‧‧內緣固定盤 15h‧‧‧流路 16、16B‧‧‧閥座 16a‧‧‧貫通孔 16f‧‧‧密封面 16p‧‧‧流孔(流通流路) 16s‧‧‧座面 20‧‧‧閥體 20f1‧‧‧上面 20f2‧‧‧底面 20f3～20f6‧‧‧側面 20h1‧‧‧螺孔 21‧‧‧一次側流路 21a‧‧‧密封保持部 22‧‧‧收容凹部 22b‧‧‧內周面 24A、24B、24‧‧‧二次側流路 25、26‧‧‧分歧流路 30‧‧‧閉塞構件 50、50B‧‧‧閥座支架 50a‧‧‧迂迴流路 50p‧‧‧流孔 50t‧‧‧突出部 50f1‧‧‧支撐面 50b2‧‧‧外周面(密封面、密封部) 50b3‧‧‧端面(密封面、密封部) 51‧‧‧密封構件 600‧‧‧製程氣體供給源 700‧‧‧氣箱 710‧‧‧槽 720‧‧‧閥 800‧‧‧處理腔室 900‧‧‧排氣泵 1000‧‧‧半導體製造裝置 A1‧‧‧上方向 A2‧‧‧下方向 991A‧‧‧開閉閥 991B‧‧‧調節器 991C‧‧‧壓力計 991D‧‧‧開閉閥 991E‧‧‧質量流控制器 992‧‧‧流路塊 993‧‧‧導入管 BS‧‧‧底板 G1‧‧‧長度方向(上游側) G2‧‧‧長度方向(下游側) W1‧‧‧寬度方向 W2‧‧‧寬度方向
圖1A是在本發明之一實施形態的閥裝置的一部分包含縱剖面的正面圖。 圖1B是圖1A的閥裝置的上面圖。 圖1C是圖1A的閥裝置的底面圖。 圖1D是圖1A的閥裝置的側面圖。 圖2是圖1A的閥裝置的要部擴大剖面圖，表示閥閉鎖狀態的圖。 圖3是圖1A的閥裝置的要部擴大剖面圖，表示閥開放狀態的圖。 圖4是內緣固定盤的剖面圖。 圖5是閥座的剖面圖。 圖6是閥座支架的剖面圖。 圖7是本發明的第2實施形態的閥裝置的要部擴大剖面圖。 圖8是本發明的第3實施形態的閥裝置的要部擴大剖面圖。 圖9是本發明之一實施形態的半導體製造裝置的概略構成圖。 圖10是表示可適用本發明的閥裝置的流體控制裝置之一例的立體圖。
2‧‧‧閥要素
11‧‧‧外殼
12‧‧‧隔膜推壓構件
13‧‧‧推壓環
14‧‧‧隔膜
15‧‧‧內緣固定盤
15h‧‧‧流路
16‧‧‧閥座
16p‧‧‧流孔(流通流路)
16s‧‧‧座面
21‧‧‧一次側流路
22‧‧‧收容凹部
22a、22b、22c‧‧‧內周面
22d‧‧‧底面
24A、24B、24‧‧‧二次側流路
50‧‧‧閥座支架
50a‧‧‧迂迴流路
50f1‧‧‧支撐面
50b1‧‧‧外周面
50b2‧‧‧外周面(密封面、密封部)
50b3‧‧‧端面(密封面、密封部)
51‧‧‧密封構件

Claims (8)

  1. 一種閥裝置，係具有塊狀的閥體、閥要素及密封構件的閥裝置，其特徵為：前述閥體，係劃定：在該閥體的表面開口且內藏有前述閥要素的收容凹部、及被連接至前述收容凹部的底面的一次側流路、以及在該收容凹部的內周面被連接的二次側流路，前述閥要素，係具有通過該閥要素來使前述一次側流路與前述二次側流路連通的貫通流路，在前述貫通流路形成有流孔，前述密封構件，係由樹脂所成，具有剖面形狀為矩形的圓環狀，以外周面與下面會分別面接觸於前述收容凹部的內周面與底面，且內周面與上面會分別面接觸於前述閥要素的階差面與縮徑部的外周面之方式，被嵌入至前述收容凹部與前述閥要素的間隙而被擠壓，遮斷通過前述一次側流路與前述二次側流路的前述收容凹部的直接性的連通。
  2. 如申請專利範圍第1項之閥裝置，其中，前述閥要素，係具有：閥座，其係具有：被形成於一端面的環狀的座面、及被形成於另一端面的環狀的密封面、以及被形成於前述座面及前述密封面的內側，貫通前述一端面及前述另一端面 的流通流路；閥座支架，其係具有：抵接前述閥座的密封面，支撐來自該密封面的推壓力的支撐面；及隔膜，其係被設成可在被支撐於前述閥座支架的前述座面抵接及隔離，前述隔膜，係通過該隔膜與前述座面的間隙來使前述流通流路與前述二次側流路連通，前述閥座支架，係具有前述密封構件面接觸於下端面的階差面與縮徑部，且具有連接前述一次側流路與前述流通流路的前述迂迴流路，在前述閥座的流通流路形成有前述流孔。
  3. 一種閥裝置，係具有塊狀的閥體、閥要素及密封構件的閥裝置，其特徵為：前述閥體，係劃定：分別內藏有第1及第2閥要素的第1及第2收容凹部、及使前述第1及第2收容凹部分別朝前述閥體外部連通的一次側流路、及使前述第1及第2收容凹部分別朝前述閥體外部連通的二次側流路、及連接前述第1及第2收容凹部來使前述二次側流路的各者互相連通的連通流路，前述第1及第2閥要素的各者，係具有通過該閥要素來使前述一次側流路與前述二次側流路連通的貫通流路，在前述第1及第2閥要素的一方的貫通流路形成有流孔， 前述密封構件，係由樹脂所成，具有剖面形狀為矩形的圓環狀，以外周面與下面會分別面接觸於前述收容凹部的內周面與底面，且內周面與上面會分別面接觸於前述閥要素的階差面與縮徑部的外周面之方式，被嵌入至前述收容凹部與前述閥要素的間隙而被擠壓，遮斷通過前述一次側流路與前述二次側流路的前述收容凹部的直接性的連通。
  4. 如申請專利範圍第3項之閥裝置，其中，前述第1及第2閥要素的各者，係具有：閥座，其係具有：被形成於一端面的環狀的座面、及被形成於另一端面的環狀的密封面、以及被形成於前述座面及前述密封面的內側，貫通前述一端面及前述另一端面的流通流路；閥座支架，其係具有：抵接前述閥座的密封面，支撐來自該密封面的推壓力的支撐面；及隔膜，其係被設成可在被支撐於前述閥座支架的前述座面抵接及隔離，前述隔膜，係通過該隔膜與前述座面的間隙來使前述流通流路與前述二次側流路連通，前述閥座支架，係具有前述密封構件面接觸於下端面的階差面與縮徑部，且具有連接前述一次側流路與前述流通流路的前述迂迴流路，在前述閥座的流通流路形成有前述流孔。
  5. 一種流體控制裝置，係配列有複數的流體機器的流體控制裝置，其特徵為：前述複數的流體機器，係包含如申請專利範圍第1~4項中的任一項所記載的閥裝置。
  6. 一種流量控制方法，其特徵為：在製程氣體的流量控制使用包含如申請專利範圍第1~4項中的任一項所記載的閥裝置之流體控制裝置。
  7. 一種製品製造方法，其特徵為：在被密閉的處理腔室內需要根據製程氣體的處理工程之半導體裝置、平板顯示器、太陽能板等的製品的製造製程中，在前述製程氣體的控制使用包含如申請專利範圍第1~4項中的任一項所記載的閥裝置之流體控制裝置。
  8. 一種半導體製造裝置，其特徵為：具有用以將製程氣體供給至處理腔室的流體控制裝置，前述流體控制裝置，係包含如申請專利範圍第1~4項中的任一項所記載的閥裝置。
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