JP2000349007A

JP2000349007A - 補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスクおよびその製造方法

Info

Publication number: JP2000349007A
Application number: JP15744099A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiko Suzuki; 美彦鈴木
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1999-06-04
Filing date: 1999-06-04
Publication date: 2000-12-15

Abstract

(57)【要約】【目的】接合歪及び接合歪に起因するメンブレンに形成
された微細パターンの歪を極端に低減した補強枠付き荷
電粒子線露光用転写マスク及びその製造方法を提供す
る。【解決手段】感光基板に転写すべきパターンが形成され
たメンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠と、
これを補強する補強枠とを金属薄膜を介してその界面に
おける金属ーシリコンの共晶により接合してなる補強枠
付き荷電粒子線露光用転写マスクにおいて、前記金属ー
シリコンの共晶による接合界面には、金属の島状構造に
おける複数の微小な接合点を備えていることを特徴とす
る補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスク。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は荷電粒子線縮小転写
装置に用いられる荷電粒子線露光用転写マスク及びその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路素子の微細化に伴
い、光の回折限界によって制限される光学系の解像度を
向上させるために、Ｘ線、電子線やイオンビーム等の荷
電粒子線（以下、単に荷電粒子線という）を使用した露
光方式（リソグラフィー技術）が開発されている。その
中でも、電子線を利用してパターンを形成する電子線露
光は、電子線自体を数Å（オングストローム）にまで絞
ることが出来るため、１μｍ又はそれ以下の微細パター
ンを形成できる点に大きな特徴がある。

【０００３】しかし、従来の電子線露光方式は、一筆書
きの方式であったため、微細パターンになればなるほ
ど、絞った電子線で描画せねばならず、描画時間が長
く、デバイス生産コストの観点から量産用ウエハの露光
には用いられなかった。そこで、所定のパターンを有す
る転写マスクに電子線を照射し、その照射範囲にあるパ
ターンを投影レンズによりウエハに縮小転写する荷電粒
子線縮小転写装置が提案されている。

【０００４】回路パターンを投影するためにはその回路
パターンが描かれた転写マスクが必要である。転写マス
クとして、図６（ａ）に示すように、貫通孔が存在せ
ず、メンブレン２２上に散乱体パターン１４が形成され
た散乱透過転写マスク２１と、図６（ｂ）に示すよう
に、電子線を散乱する程度の厚さを有するメンブレン３
２に貫通孔パターン３４が形成された散乱ステンシル転
写マスク３１が知られている。

【０００５】これらは、感応基板に転写すべきパターン
をメンブレン２２、３２上にそれぞれ備えた多数の小領
域２２ａ、３２ａがパターンが存在しない境界領域によ
り区分され、境界領域に対応する部分に支柱２３、３３
が設けられている。散乱ステンシル転写マスクでは、メ
ンブレンは厚さ約２μｍ程度のシリコンメンブレンから
なり、メンブレンには電子線が透過する開口部（感応基
板に転写すべきパターンに相当）が設けられている。

【０００６】即ち、一回の電子線によって露光される領
域は１ｍｍ角程度であるため、この１ｍｍ角の小領域
に、感応基板の１チップ（１チップの半導体）分の領域
に転写すべきパターンを分割した部分パターンをそれぞ
れ形成し、この小領域を多数敷き詰める構成をとってい
る。従って、荷電粒子線を用いたパターン転写方法は、
図６（ｃ）に示すように、各小領域２２ａ、３２ａが荷
電粒子線にてステップ的に走査され、各小領域の開口部
又は散乱体の配置に応じたパターンが不図示の光学系で
感応基板２７に縮小転写される方法であるので、転写マ
スクの小領域２２ａ毎のパターンを感応基板２７上でつ
なぎ合わせる方法である。

【０００７】また、転写マスクの強度を補強する、転写
マスクをマスクステージなどの搬送系における取扱いを
容易にする等の観点から外周枠の下面に、より強度の高
い補強枠を接合した補強枠付き荷電粒子線露光用転写マ
スクが提案されている。この補強枠付き荷電粒子線露光
用転写マスクは、シリコンからなる外周枠と、補強枠５
との接合は、電気的にコンダクティブである方がチャー
ジアップ防止の観点から好ましいので、共晶接合法が用
いられる例がある。

【０００８】図７は従来の共晶接合法を用いて接合して
なる補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスクの（ａ）斜
視図と、（ｂ）断面図である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
共晶接合法を用いて補強枠４２と荷電粒子線露光用転写
マスク４１の外周枠４８とを接合した場合、接合界面の
ほぼ全面に金属層又は合金層４３が形成されていたの
で、接合部分において転写マスク４１の外周方向４４と
直径方向４５とに熱膨張が生じ、シリコンと金属との熱
膨張率との相違から接合歪みが生じ、パターン形成領域
であるメンブレン４６に位置歪みが引き起こされ、メン
ブレンに形成された開口パターンに位置歪が引き起こさ
れる。

【００１０】この位置歪は、約２００ｎｍ程度であっ
た。荷電粒子線を用いた新しい露光方式で用いられる転
写マスクは、集積回路の超微細化に伴い、１０数ｎｍ程
度のパターン精度、位置歪み精度が要求されるので、か
かる程度の位置歪が生じることは重大な問題である。そ
こで、本発明は従来のこのような問題点に鑑みてなされ
たものであり、接合歪及び接合歪に起因するメンブレン
に形成された微細パターンの歪を極端に低減した補強枠
付き荷電粒子線露光用転写マスク及びその製造方法を提
供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決する手段】本発明は、第一に「感光基板に
転写すべきパターンが形成されたメンブレンの外周を固
定してこれを支える外周枠と、これを補強する補強枠と
を金属薄膜を介してその界面における金属ーシリコンの
共晶により接合してなる補強枠付き荷電粒子線露光用転
写マスクにおいて、前記金属ーシリコンの共晶による接
合界面には、金属の島状構造における複数の微小な接合
点を備えていることを特徴とする補強枠付き荷電粒子線
露光用転写マスク（請求項１）」を提供する。

【００１２】また、本発明は、第二に「さらに、前記金
属薄膜と、前記外周枠又は前記補強枠との間に、ニクロ
ム薄膜又はクロム薄膜が設けられていることを特徴とす
る請求項１記載の補強枠付き荷電粒子線露光用転写マス
ク（請求項２）」を提供する。また、本発明は、第三に
「感光基板に転写すべきパターンが形成されたメンブレ
ンとそのメンブレンの外周を固定してこれを支える外周
枠とを有する転写マスクを用意する工程と、前記外周枠
と接合する接合予定部分に金属薄膜が形成された補強枠
を用意する工程、或いは、補強枠を用意するとともに前
記転写マスクの外周枠に前記補強枠と接合する接合予定
部分に金属薄膜を形成する工程と、前記転写マスク用の
外周枠と、前記補強枠とをその界面において金属の島状
構造における複数の微小な点による接合が行われるよう
に所定の温度制御をおこなう共晶接合法により接合する
工程と、を備えた補強枠付き荷電粒子線露光用転写マス
クの製造方法（請求項３）」を提供する。

【００１３】また、本発明は、第四に「感光基板に転写
すべきパターンが形成されたメンブレンとそのメンブレ
ンの外周を固定してこれを支える外周枠とを有する転写
マスクを用意する工程と、前記外周枠と接合する接合予
定部分上に枠側からニクロム薄膜又はクロム薄膜、金属
薄膜が順次形成された補強枠を用意する工程、或いは、
補強枠を用意するとともに前記転写マスクの外周枠に前
記補強枠と接合する接合予定部分上に枠側からニクロム
薄膜又はクロム薄膜、金属薄膜を順次形成する工程と、
前記転写マスク用の外周枠と、前記補強枠とをその界面
において金属の島状構造における複数の微小な点による
接合が行われるように所定の温度制御をおこなう共晶接
合法により接合する工程と、を備えた補強枠付き荷電粒
子線露光用転写マスクの製造方法（請求項４）」を提供
する。

【００１４】また、本発明は、第五に「感光基板に転写
すべきパターンが形成されるメンブレンの外周を固定し
てこれを支える外周枠と、これを補強する補強枠とを金
属薄膜を介してその界面における金属ーシリコンの共晶
により接合してなる補強枠付き荷電粒子線露光用転写マ
スクブランクスにおいて、前記金属ーシリコンの共晶に
よる接合界面には、金属の島状構造における複数の微小
な接合点を備えていることを特徴とする補強枠付き荷電
粒子線露光用転写マスクブランクス（請求項５）」を提
供する。

【００１５】また、本発明は、第六に「さらに、前記金
属薄膜と、前記外周枠又は前記補強枠との間に、ニクロ
ム薄膜又はクロム薄膜が設けられていることを特徴とす
る請求項５記載の補強枠付き荷電粒子線露光用転写マス
クブランクス（請求項６）」を提供する。また、本発明
は、第七に「感光基板に転写すべきパターンが形成され
るメンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠と、
これを補強する補強枠とを金属薄膜を介してその界面に
おける金属ーシリコンの共晶により接合してなる補強枠
付き荷電粒子線露光用転写マスクブランクスにおいて、
前記転写マスク用の外周枠と、前記補強枠とをその界面
において金属の島状構造における複数の微小な点による
接合が行われるように所定の温度制御をおこなう共晶接
合法により接合する工程と、を備えた補強枠付き荷電粒
子線露光用転写マスクブランクスの製造方法（請求項
７）」を提供する。

【００１６】また、本発明は、第八に「感光基板に転写
すべきパターンが形成されるメンブレンとそのメンブレ
ンの外周を固定してこれを支える外周枠とを有する転写
マスクを用意する工程と、前記外周枠と接合する接合予
定部分上に枠側からニクロム薄膜又はクロム薄膜、金属
薄膜が順次形成された補強枠を用意する工程、或いは、
補強枠を用意するとともに前記転写マスクの外周枠に前
記補強枠と接合する接合予定部分上に枠側からニクロム
薄膜又はクロム薄膜、金属薄膜を順次形成する工程と、
前記転写マスク用の外周枠と、前記補強枠とをその界面
において金属の島状構造における複数の微小な点による
接合が行われるように所定の温度制御をおこなう共晶接
合法により接合する工程と、を備えた補強枠付き荷電粒
子線露光用転写マスクブランクスの製造方法（請求項
８）」を提供する。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる実施形態の
補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスク及びその製造方
法を図面を参照しながら説明する。図１（ａ）は、本発
明にかかる第一の実施形態の補強枠付き荷電粒子線露光
用転写マスクの概略図である。但し、各小領域に形成さ
れたパターンは省略されている。

【００１８】実施形態の補強枠付き荷電粒子線露光用転
写マスクは、荷電粒子線露光用転写マスク１の不図示の
シリコンからなる外周枠と、シリコンからなる補強枠２
とを島状構造の金薄膜３を介して、その界面における金
ーシリコンの共晶により接合された構成である。また、
金薄膜３の膜厚は、２００ｎｍあれば、実施形態にかか
る共晶接合するのに十分であり、また、２０００ｎｍ以
上になると、実施形態にかかる共晶接合が実現できず、
接合歪の原因となり、許容範囲内に接合歪を抑えること
ができず、好ましくない。

【００１９】金薄膜以外に、アルミニウム薄膜、ゲルマ
ニウム薄膜、スズ薄膜等の金属薄膜であってもよい。図
２は、実施形態の補強枠付き荷電粒子線露光用転写マス
クにおける、補強枠と荷電粒子線露光用転写マスクとの
接合界面の様子を現した写真である。これは、本実施形
態の補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスクの補強枠
と、かかる転写マスクとを過大な力を加えて分離したも
のである。

【００２０】この写真から、金薄膜が島状に凝集してお
り、その凝集体５は、不連続に存在し、補強枠のシリコ
ン４が露出していることがわかる。図３は、散乱ステン
シル転写マスクブランクスの製作工程の一例を示す図で
ある。まず、一般的な製造方法により製作した支持シリ
コン基板、酸化シリコン層、シリコン活性層からなるＳ
ＯＩ（Silicon on Insulater）基板を用意し、シリコン
層にボロンを拡散（熱拡散法又はイオン注入法）して、
シリコン活性層を形成した、支持シリコン基板１１、酸
化シリコン層１２、シリコン活性層（ボロン拡散）１３
からなるＳＯＩ基板を作製する（図３ａ）。

【００２１】基板裏面に酸化シリコン層１４を成膜し
（図３ｂ）、その酸化シリコン層の一部（支柱形成位置
に対応する位置）を窓（開口）パターン形状１５にエッ
チングすることによりドライエッチング用マスク１６を
形成する（図３ｃ）。次に、支持シリコン基板１１をド
ライエッチング用マスク１６に形成された開口パターン
１５に合わせてエッチングする（図３ｄ）。

【００２２】シリコンと酸化シリコンとのエッチング選
択比の違いにより、支持シリコン基板１１のエッチング
は酸化シリコン層１２まで行われ、酸化シリコン層１２
及びシリコン活性層１３がシリコン製の外周枠１１ｂと
シリコン製の支柱１１ａにより支持され、外周枠１１ｂ
と支柱１１ａ間及び支柱１１ａ間に開口を有する構造体
が形成される。

【００２３】次に、開口において露出した酸化シリコン
層１２をフッ化水素酸により除去するとシリコン活性層
１３がシリコンメンブレン１３ａとなり、転写マスク用
ブランクスが完成する（図３ｅ）。転写マスク用ブラン
クスのメンブレン１３ａ上にレジストを塗布し、所定の
微細パターンを電子線描画装置などを用いて焼き付け、
転写し（図４ａ）、所定のパターンが転写されたレジス
トをマスク１７としてメンブレン１３ａをエッチングし
（図４ｂ）、ステンシル転写マスクを完成させる（図４
ｃ）。

【００２４】なお、メンブレンを形成した後、メンブレ
ンに感光基板に転写すべき開口パターンを形成する、い
わゆる「バックエッチ先行プロセス」により説明した
が、ＳＯＩ基板のシリコン活性層にパターンを形成した
後、支持シリコン基板、酸化シリコン層を所定のパター
ンにエッチングして感光基板に転写すべき開口パターン
が形成されたメンブレンにする、いわゆる「バックエッ
チ後行プロセス」によっても同様の転写マスクが得られ
る。

【００２５】一方、金薄膜が形成されたシリコンからな
る補強枠２は、次のような製作方法によって製作され
る。まず、シリコンからなる補強枠２を用意する。補強
枠２の大きさは、内径、外径ともに転写マスクの外周枠
の内径、外径よりそれぞれ大きく、厚さは、補強枠２の
径の大きさにもよるが、約５〜１０ｍｍである。

【００２６】また、内径形状は、円形に限られず、多角
形であってもよい。補強枠２の外周枠１１ｂとの接合予
定部に膜厚２００〜５００ｎｍの金薄膜を公知の真空蒸
着法等により成膜する。密着性等の観点から金薄膜が形
成される補強枠の表面は、鏡面研磨されていることが好
ましい。

【００２７】このようにして準備された補強枠２と、荷
電粒子線露光用マスクの外周枠１１ｂとを金薄膜を介し
て接合する。この接合は、補強枠２に形成された金薄膜
を転写マスクの外周枠１１ｂの接合予定部に当接し、例
えば、図５に示すように電気炉中で１時間で室温から４
００℃まで上昇させ、４００℃で２時間加熱した後、５
時間かけて４００℃から室温まで温度を低下させるとい
う温度制御により、金ーシリコンの共晶接合を行う。

【００２８】図４に示すような温度制御を行うことによ
り、金薄膜が初期状態で凝集し、島状構造が形成され、
この島状構造には複数の微小接合点を有することとな
る。かかる一連の温度制御の工程は、金薄膜の膜厚及び
面積によって適切に決定する必要がある。また、金属の
種類も考慮する必要がある。なお、前述したような工程
により製作された補強枠２と、図２に示す工程により製
作された荷電粒子線露光用転写マスクブランクスの外周
枠１１ｂとを接合した後に、図３に示す工程に従ってそ
のメンブレンに開口パターンを形成してもよい。

【００２９】また、金薄膜と補強枠との間にクロム薄膜
又はニクロム薄膜を形成してもよい。クロム薄膜又はニ
クロム薄膜の膜厚は、１〜５ｎｍであり、金薄膜の膜厚
は、２００〜５００ｎｍであることが好ましい。シリコ
ンからなる補強枠２上に直接、金薄膜を公知の真空蒸着
法等に形成した場合、その密着性は弱いため、そのハン
ドリングは必ずしも容易ではないが、クロム薄膜又はニ
クロム薄膜を介して、シリコンからなる補強枠２上に金
薄膜を成膜した場合には、安定した金薄膜を形成するこ
とができる。

【００３０】このことから、クロム薄膜又はニクロム薄
膜は、接着層としての役割を果たす。また、転写マスク
の外周枠１１ｂ裏面の補強枠２との接合予定部に、前述
したように金薄膜を成膜して、転写マスクの外周枠１１
ｂと補強枠２とを金薄膜を介してその界面における金ー
シリコンの共晶により接合を行ってもよい。

【００３１】補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスクに
ついての接合前後のメンブレン内に形成された微細パタ
ーンの歪をニコン製光波干渉式座標測定機を用いて測定
し、歪量が１０ｎｍ程度以下に抑制されていることが判
明した。

【００３２】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明にかかる補強
枠付き荷電粒子線露光用転写マスク及びその製造方法に
よれば、外周枠と補強枠とをその界面において金属の島
状構造における複数の微小な接合点を備えるような金属
ーシリコンの共晶により接合したので、メンブレンに発
生する応力を極めて低減させ、メンブレンに形成された
微細パターンの歪を極端に低減させることができる。

【００３３】クロム薄膜又はニクロム薄膜を介して、シ
リコンからなる補強枠上、又は転写マスクの外周枠の裏
面上に金属薄膜を成膜した場合には、安定した金属薄膜
を形成することができるので、共晶接合を行うに際して
ハンドリングが容易になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる補強枠付き荷電粒子線露光用転
写マスクの概略図である。

【図２】実施形態の補強枠付き荷電粒子線露光用転写マ
スクにおける、補強枠と荷電粒子線露光用転写マスクと
の接合界面の様子を現した写真である。

【図３】一般的な荷電粒子線露光用転写マスクブランク
スの製作工程を示す図である。

【図４】一般的な荷電粒子線露光用転写マスクブランク
スのメンブレンにパターンを形成して荷電粒子線露光用
転写マスクを製作する工程を示す図である。

【図５】金ーシリコンの共晶接合の一連の温度制御工程
を示す図である。

【図６】電子線縮小転写装置で用いられる転写マスクの
うち（ａ）は散乱透過マスク、（ｂ）は散乱ステンシル
マスクの概略図であり、（ｃ）は電子線を用いたパター
ン転写方法を示す概略斜視図である。

【図７】従来の補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスク
の概略図であり、（ａ）斜視図、（ｂ）断面図である。

【符号の説明】

１、４１・・・荷電粒子線露光用転写マスク２、４２・・・補強枠３・・・島状金属４・・・補強枠のシリコン面５・・・島状の凝集体６・・・接合点１１・・・支持シリコン基板１２、１４・・・酸化シリコン層１２ａ・・・酸化シリコン部１３・・・シリコン活性層（ボロン拡散）１３ａ・・・シリコンメンブレン１３ｂ・・・開口パターンが形成されたシリコンメンブ
レン１５・・・窓（開口）パターン１６・・・ドライエッチング用マスク１７・・・レジストマスク２１・・・散乱透過マスク２２、３２、４６・・・メンブレン２３、３３、４７・・・支柱２４・・・散乱体パターン２７・・・感光基板３１・・・散乱ステンシルマスク３４・・・貫通孔パターン４３・・・金属層又は合金層４４・・・荷電粒子線転写マスクの外周方向４５・・・荷電粒子線転写マスクの直径方向４８・・・外周枠

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】感光基板に転写すべきパターンが形成され
たメンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠と、
これを補強する補強枠とを金属薄膜を介してその界面に
おける金属ーシリコンの共晶により接合してなる補強枠
付き荷電粒子線露光用転写マスクにおいて、前記金属ー
シリコンの共晶による接合界面には、金属の島状構造に
おける複数の微小な接合点を備えていることを特徴とす
る補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスク。
【請求項２】さらに、前記金属薄膜と、前記外周枠又は
前記補強枠との間に、ニクロム薄膜又はクロム薄膜が設
けられていることを特徴とする請求項１記載の補強枠付
き荷電粒子線露光用転写マスク。
【請求項３】感光基板に転写すべきパターンが形成され
たメンブレンとそのメンブレンの外周を固定してこれを
支える外周枠とを有する転写マスクを用意する工程と、前記外周枠と接合する接合予定部分に金属薄膜が形成さ
れた補強枠を用意する工程、或いは、補強枠を用意する
とともに前記転写マスクの外周枠に前記補強枠と接合す
る接合予定部分に金属薄膜を形成する工程と、前記転写マスク用の外周枠と、前記補強枠とをその界面
において金属の島状構造における複数の微小な点による
接合が行われるように所定の温度制御をおこなう共晶接
合法により接合する工程と、を備えた補強枠付き荷電粒
子線露光用転写マスクの製造方法。
【請求項４】感光基板に転写すべきパターンが形成され
たメンブレンとそのメンブレンの外周を固定してこれを
支える外周枠とを有する転写マスクを用意する工程と、前記外周枠と接合する接合予定部分上に枠側からニクロ
ム薄膜又はクロム薄膜、金属薄膜が順次形成された補強
枠を用意する工程、或いは、補強枠を用意するとともに
前記転写マスクの外周枠に前記補強枠と接合する接合予
定部分上に枠側からニクロム薄膜又はクロム薄膜、金属
薄膜を順次形成する工程と、前記転写マスク用の外周枠と、前記補強枠とをその界面
において金属の島状構造における複数の微小な点による
接合が行われるように所定の温度制御をおこなう共晶接
合法により接合する工程と、を備えた補強枠付き荷電粒
子線露光用転写マスクの製造方法。
【請求項５】感光基板に転写すべきパターンが形成され
るメンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠と、
これを補強する補強枠とを金属薄膜を介してその界面に
おける金属ーシリコンの共晶により接合してなる補強枠
付き荷電粒子線露光用転写マスクブランクスにおいて、
前記金属ーシリコンの共晶による接合界面には、金属の
島状構造における複数の微小な接合点を備えていること
を特徴とする補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスクブ
ランクス。
【請求項６】さらに、前記金属薄膜と、前記外周枠又は
前記補強枠との間に、ニクロム薄膜又はクロム薄膜が設
けられていることを特徴とする請求項５記載の補強枠付
き荷電粒子線露光用転写マスクブランクス。
【請求項７】感光基板に転写すべきパターンが形成され
るメンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠と、
これを補強する補強枠とを金属薄膜を介してその界面に
おける金属ーシリコンの共晶により接合してなる補強枠
付き荷電粒子線露光用転写マスクブランクスにおいて、前記転写マスク用の外周枠と、前記補強枠とをその界面
において金属の島状構造における複数の微小な点による
接合が行われるように所定の温度制御をおこなう共晶接
合法により接合する工程と、を備えた補強枠付き荷電粒
子線露光用転写マスクブランクスの製造方法。
【請求項８】感光基板に転写すべきパターンが形成され
るメンブレンとそのメンブレンの外周を固定してこれを
支える外周枠とを有する転写マスクを用意する工程と、前記外周枠と接合する接合予定部分上に枠側からニクロ
ム薄膜又はクロム薄膜、金属薄膜が順次形成された補強
枠を用意する工程、或いは、補強枠を用意するとともに
前記転写マスクの外周枠に前記補強枠と接合する接合予
定部分上に枠側からニクロム薄膜又はクロム薄膜、金属
薄膜を順次形成する工程と、前記転写マスク用の外周枠と、前記補強枠とをその界面
において金属の島状構造における複数の微小な点による
接合が行われるように所定の温度制御をおこなう共晶接
合法により接合する工程と、を備えた補強枠付き荷電粒
子線露光用転写マスクブランクスの製造方法。