JP2000306806A - 補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスク及びその製造方法 - Google Patents
補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスク及びその製造方法Info
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】接合歪及びメンブレンに形成された微細パター
ンの歪を極端に低減した荷電粒子線露光用転写マスク及
びその製造方法を提供する。 【解決手段】感光基板に転写すべきパターンが形成され
たメンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠と、
これを補強する補強枠とを可動性イオンを含む極めて薄
いガラス板を介して接合してなる補強枠付き荷電粒子線
露光用転写マスク。
ンの歪を極端に低減した荷電粒子線露光用転写マスク及
びその製造方法を提供する。 【解決手段】感光基板に転写すべきパターンが形成され
たメンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠と、
これを補強する補強枠とを可動性イオンを含む極めて薄
いガラス板を介して接合してなる補強枠付き荷電粒子線
露光用転写マスク。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は荷電粒子線縮小転写
装置に用いられる荷電粒子線露光用転写マスク及びその
製造方法に関する。
装置に用いられる荷電粒子線露光用転写マスク及びその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】近年、半導体集積回路素子の微細化に伴
い、光の回折限界によって制限される光学系の解像度を
向上させるために、Ｘ線、電子線やイオンビーム等の荷
電粒子線（以下、単に荷電粒子線という）を使用した露
光方式（リソグラフィー技術）が開発されている。その
中でも、電子線を利用してパターンを形成する電子線露
光は、電子線自体を数Å（オングストローム）にまで絞
ることが出来るため、１μｍ又はそれ以下の微細パター
ンを形成できる点に大きな特徴がある。
い、光の回折限界によって制限される光学系の解像度を
向上させるために、Ｘ線、電子線やイオンビーム等の荷
電粒子線（以下、単に荷電粒子線という）を使用した露
光方式（リソグラフィー技術）が開発されている。その
中でも、電子線を利用してパターンを形成する電子線露
光は、電子線自体を数Å（オングストローム）にまで絞
ることが出来るため、１μｍ又はそれ以下の微細パター
ンを形成できる点に大きな特徴がある。
【０００３】しかし、従来の電子線露光方式は、一筆書
きの方式であったため、微細パターンになればなるほ
ど、絞った電子線で描画せねばならず、描画時間が長
く、デバイス生産コストの観点から量産用ウエハの露光
には用いられなかった。そこで、所定のパターンを有す
る転写マスクに電子線を照射し、その照射範囲にあるパ
ターンを投影レンズによりウエハに縮小転写する荷電粒
子線縮小転写装置が提案されている。
きの方式であったため、微細パターンになればなるほ
ど、絞った電子線で描画せねばならず、描画時間が長
く、デバイス生産コストの観点から量産用ウエハの露光
には用いられなかった。そこで、所定のパターンを有す
る転写マスクに電子線を照射し、その照射範囲にあるパ
ターンを投影レンズによりウエハに縮小転写する荷電粒
子線縮小転写装置が提案されている。
【０００４】回路パターンを投影するためにはその回路
パターンが描かれた転写マスクが必要である。転写マス
クとして、図５（ａ）に示すように、貫通孔が存在せ
ず、メンブレン２２上に散乱体パターン１４が形成され
た散乱透過転写マスク２１と、図５（ｂ）に示すよう
に、電子線を散乱する程度の厚さを有するメンブレン３
２に貫通孔パターン３４が形成された散乱ステンシル転
写マスク３１が知られている。
パターンが描かれた転写マスクが必要である。転写マス
クとして、図５（ａ）に示すように、貫通孔が存在せ
ず、メンブレン２２上に散乱体パターン１４が形成され
た散乱透過転写マスク２１と、図５（ｂ）に示すよう
に、電子線を散乱する程度の厚さを有するメンブレン３
２に貫通孔パターン３４が形成された散乱ステンシル転
写マスク３１が知られている。
【０００５】これらは、感応基板に転写すべきパターン
をメンブレン２２、３２上にそれぞれ備えた多数の小領
域２２ａ、３２ａがパターンが存在しない境界領域によ
り区分され、境界領域に対応する部分に支柱２３、３３
が設けられている。散乱ステンシル転写マスクでは、メ
ンブレンは厚さ約２μｍ程度のシリコンメンブレンから
なり、メンブレンには電子線が透過する開口部（感応基
板に転写すべきパターンに相当）が設けられている。
をメンブレン２２、３２上にそれぞれ備えた多数の小領
域２２ａ、３２ａがパターンが存在しない境界領域によ
り区分され、境界領域に対応する部分に支柱２３、３３
が設けられている。散乱ステンシル転写マスクでは、メ
ンブレンは厚さ約２μｍ程度のシリコンメンブレンから
なり、メンブレンには電子線が透過する開口部（感応基
板に転写すべきパターンに相当）が設けられている。
【０００６】即ち、一回の電子線によって露光される領
域は１ｍｍ角程度であるため、この１ｍｍ角の小領域
に、感応基板の１チップ（１チップの半導体）分の領域
に転写すべきパターンを分割した部分パターンをそれぞ
れ形成し、この小領域を多数敷き詰める構成をとってい
る。従って、荷電粒子線を用いたパターン転写方法は、
図５（ｃ）に示すように、各小領域２２ａ、３２ａが荷
電粒子線にてステップ的に走査され、各小領域の開口部
又は散乱体の配置に応じたパターンが不図示の光学系で
感応基板２７に縮小転写される方法であるので、転写マ
スクの小領域２２ａ毎のパターンを感応基板２７上でつ
なぎ合わせる方法である。
域は１ｍｍ角程度であるため、この１ｍｍ角の小領域
に、感応基板の１チップ（１チップの半導体）分の領域
に転写すべきパターンを分割した部分パターンをそれぞ
れ形成し、この小領域を多数敷き詰める構成をとってい
る。従って、荷電粒子線を用いたパターン転写方法は、
図５（ｃ）に示すように、各小領域２２ａ、３２ａが荷
電粒子線にてステップ的に走査され、各小領域の開口部
又は散乱体の配置に応じたパターンが不図示の光学系で
感応基板２７に縮小転写される方法であるので、転写マ
スクの小領域２２ａ毎のパターンを感応基板２７上でつ
なぎ合わせる方法である。
【０００７】また、転写マスクの強度を補強する、転写
マスクをマスクステージなどの搬送系における取扱いを
容易にする等の観点から図６に示すように外周枠の下面
に、より強度の高い補強枠を接合した補強枠付き荷電粒
子線露光用転写マスクが提案されている。この補強枠付
き荷電粒子線露光用転写マスクは、シリコンからなる外
周枠１１ｂと、ホウケイ酸ガラスで代表される可動イオ
ンを含むガラスからなる補強枠４とを、陽極接合法によ
り接合されている。
マスクをマスクステージなどの搬送系における取扱いを
容易にする等の観点から図６に示すように外周枠の下面
に、より強度の高い補強枠を接合した補強枠付き荷電粒
子線露光用転写マスクが提案されている。この補強枠付
き荷電粒子線露光用転写マスクは、シリコンからなる外
周枠１１ｂと、ホウケイ酸ガラスで代表される可動イオ
ンを含むガラスからなる補強枠４とを、陽極接合法によ
り接合されている。
【０００８】
【発明が解決しょうとする課題】しかしながら、ガラス
からなる補強枠の熱膨張率は、室温〜５００℃の範囲で
は、約３ppm／℃であり、シリコンからなる外周枠の熱
膨張率は、室温〜５００℃の範囲では、約２ppm／℃で
あるので、３００℃〜４５０℃の加熱下で５００〜１０
００Ｖの電圧を印加して陽極接合した場合、その熱膨張
率の違いから常温になったとき接合歪が生じ、さらに
は、メンブレンに形成された微細パターンが歪んでしま
うという問題が生じる。
からなる補強枠の熱膨張率は、室温〜５００℃の範囲で
は、約３ppm／℃であり、シリコンからなる外周枠の熱
膨張率は、室温〜５００℃の範囲では、約２ppm／℃で
あるので、３００℃〜４５０℃の加熱下で５００〜１０
００Ｖの電圧を印加して陽極接合した場合、その熱膨張
率の違いから常温になったとき接合歪が生じ、さらに
は、メンブレンに形成された微細パターンが歪んでしま
うという問題が生じる。
【０００９】この接合歪は１μｍ程度もあり、荷電粒子
線縮小転写装置で使用できる許容範囲（２０ｎｍ以下）
を越えている。そこで、本発明はこのような従来の問題
点に鑑みてなされたものであり、接合歪及びメンブレン
に形成された微細パターンの歪を極端に低減した荷電粒
子線露光用転写マスク及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
線縮小転写装置で使用できる許容範囲（２０ｎｍ以下）
を越えている。そこで、本発明はこのような従来の問題
点に鑑みてなされたものであり、接合歪及びメンブレン
に形成された微細パターンの歪を極端に低減した荷電粒
子線露光用転写マスク及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するために手段】本発明は第一に「感光基
板に転写すべきパターンが形成されたメンブレンの外周
を固定してこれを支える外周枠と、これを補強する補強
枠とを可動性イオンを含む極めて薄いガラス板を介して
接合してなる補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスク
（請求項１）」を提供する。
板に転写すべきパターンが形成されたメンブレンの外周
を固定してこれを支える外周枠と、これを補強する補強
枠とを可動性イオンを含む極めて薄いガラス板を介して
接合してなる補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスク
（請求項１）」を提供する。
【００１１】また、本発明は第二に「前記ガラス薄板が
部分的に配置されてなることを特徴とする請求項１記載
の補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスク（請求項
２）」を提供する。また、本発明は第三に「感光基板に
転写すべきパターンが形成されたメンブレンとそのメン
ブレンの外周を固定してこれを支える外周枠とを有する
転写マスクを用意する工程と、前記外周枠と接合する接
合予定部分に可動性イオンを含んだ極めて薄いガラス板
が設けられた補強枠を用意する工程と、前記転写マスク
用の外周枠と、前記補強枠のガラス薄板を陽極接合法に
より接合する工程と、を備えた補強枠付き荷電粒子線露
光用転写マスクの製造方法（請求項３）」を提供する。
部分的に配置されてなることを特徴とする請求項１記載
の補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスク（請求項
２）」を提供する。また、本発明は第三に「感光基板に
転写すべきパターンが形成されたメンブレンとそのメン
ブレンの外周を固定してこれを支える外周枠とを有する
転写マスクを用意する工程と、前記外周枠と接合する接
合予定部分に可動性イオンを含んだ極めて薄いガラス板
が設けられた補強枠を用意する工程と、前記転写マスク
用の外周枠と、前記補強枠のガラス薄板を陽極接合法に
より接合する工程と、を備えた補強枠付き荷電粒子線露
光用転写マスクの製造方法（請求項３）」を提供する。
【００１２】また、本発明は第四に「さらに、前記ガラ
ス薄板が設けられた補強枠を用意する工程後、前記ガラ
ス薄板をガラス薄片にする工程を備えた請求項３記載の
補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスクの製造方法（請
求項４）」を提供する。また、本発明は第五に「感光基
板に転写すべきパターンが形成されるメンブレンの外周
を固定してこれを支える外周枠と、これを補強する補強
枠とを可動性イオンを含む極めて薄いガラス板を介して
接合してなる補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスクブ
ランクス（請求項５）」を提供する。
ス薄板が設けられた補強枠を用意する工程後、前記ガラ
ス薄板をガラス薄片にする工程を備えた請求項３記載の
補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスクの製造方法（請
求項４）」を提供する。また、本発明は第五に「感光基
板に転写すべきパターンが形成されるメンブレンの外周
を固定してこれを支える外周枠と、これを補強する補強
枠とを可動性イオンを含む極めて薄いガラス板を介して
接合してなる補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスクブ
ランクス（請求項５）」を提供する。
【００１３】また、本発明は第六に「前記ガラス薄板が
部分的に配置されてなることを特徴とする請求項５記載
の補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスクブランクス
（請求項６）」を提供する。また、本発明は第七に「感
光基板に転写すべきパターンが形成されるメンブレンと
そのメンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠と
を有する転写マスク用ブランクスを用意する工程と、前
記外周枠と接合する接合予定部分に極めて薄い可動性イ
オンを含んだガラス板が設けられた補強枠を用意する工
程と、前記転写マスク用ブランクスの外周枠と、前記補
強枠のガラス薄板を陽極接合法により接合する工程と、
を備えた補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスクブラン
クスの製造方法（請求項７）」を提供する。
部分的に配置されてなることを特徴とする請求項５記載
の補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスクブランクス
（請求項６）」を提供する。また、本発明は第七に「感
光基板に転写すべきパターンが形成されるメンブレンと
そのメンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠と
を有する転写マスク用ブランクスを用意する工程と、前
記外周枠と接合する接合予定部分に極めて薄い可動性イ
オンを含んだガラス板が設けられた補強枠を用意する工
程と、前記転写マスク用ブランクスの外周枠と、前記補
強枠のガラス薄板を陽極接合法により接合する工程と、
を備えた補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスクブラン
クスの製造方法（請求項７）」を提供する。
【００１４】また、本発明は第八に「さらに、前記ガラ
ス薄板が設けられた補強枠を用意する工程後、前記ガラ
ス薄板をガラス薄片にする工程を備えた請求項７記載の
補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスクブランクスの製
造方法（請求項８）」を提供する。
ス薄板が設けられた補強枠を用意する工程後、前記ガラ
ス薄板をガラス薄片にする工程を備えた請求項７記載の
補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスクブランクスの製
造方法（請求項８）」を提供する。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる実施形態の
補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスク及びその製造方
法を図面を参照しながら説明する。図１は、本発明にか
かる実施形態の補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスク
の概略図である。
補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスク及びその製造方
法を図面を参照しながら説明する。図１は、本発明にか
かる実施形態の補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスク
の概略図である。
【００１６】実施形態の補強枠付き荷電粒子線露光用転
写マスクは、荷電粒子線露光用転写マスクのシリコンか
らなる外周枠１１ｂと、シリコンからなる補強枠３とを
可動性イオンを含むガラス薄板２を介して陽極接合によ
り接合された構成である。荷電粒子線露光用マスクは、
前述の従来技術で示した散乱ステンシル転写マスク、散
乱透過転写マスクのいずれのタイプであってもよいが、
本実施形態では、散乱ステンシル転写マスクを用いて説
明する。
写マスクは、荷電粒子線露光用転写マスクのシリコンか
らなる外周枠１１ｂと、シリコンからなる補強枠３とを
可動性イオンを含むガラス薄板２を介して陽極接合によ
り接合された構成である。荷電粒子線露光用マスクは、
前述の従来技術で示した散乱ステンシル転写マスク、散
乱透過転写マスクのいずれのタイプであってもよいが、
本実施形態では、散乱ステンシル転写マスクを用いて説
明する。
【００１７】この散乱ステンシル転写マスクは、次のよ
うな方法により製作することができるが、この製造方法
に限られない。図２は、散乱ステンシル転写マスクブラ
ンクスの製作工程の一例を示す図である。まず、一般的
な製造方法により製作した支持シリコン基板、酸化シリ
コン層、シリコン層からなるＳＯＩ（Silicon on Insul
ater）基板を用意し、シリコン層にボロンを拡散（熱拡
散法又はイオン注入法）して、シリコン活性層を形成し
た、支持シリコン基板１１、酸化シリコン層１２、シリ
コン活性層（ボロン拡散）１３からなるＳＯＩ基板を作
製する（図２ａ）。
うな方法により製作することができるが、この製造方法
に限られない。図２は、散乱ステンシル転写マスクブラ
ンクスの製作工程の一例を示す図である。まず、一般的
な製造方法により製作した支持シリコン基板、酸化シリ
コン層、シリコン層からなるＳＯＩ（Silicon on Insul
ater）基板を用意し、シリコン層にボロンを拡散（熱拡
散法又はイオン注入法）して、シリコン活性層を形成し
た、支持シリコン基板１１、酸化シリコン層１２、シリ
コン活性層（ボロン拡散）１３からなるＳＯＩ基板を作
製する（図２ａ）。
【００１８】基板裏面に酸化シリコン層１４を成膜し
（図２ｂ）、その酸化シリコン層の一部（支柱形成位置
に対応する位置）を窓（開口）パターン形状１５にエッ
チングすることによりドライエッチング用マスク１６を
形成する（図２ｃ）。次に、支持シリコン基板１１をド
ライエッチング用マスク１６に形成された開口パターン
１５に合わせてエッチングする（図２ｄ）。
（図２ｂ）、その酸化シリコン層の一部（支柱形成位置
に対応する位置）を窓（開口）パターン形状１５にエッ
チングすることによりドライエッチング用マスク１６を
形成する（図２ｃ）。次に、支持シリコン基板１１をド
ライエッチング用マスク１６に形成された開口パターン
１５に合わせてエッチングする（図２ｄ）。
【００１９】シリコンと酸化シリコンとのエッチング選
択比の違いにより、支持シリコン基板１１のエッチング
は酸化シリコン層１２まで行われ、酸化シリコン層１２
及びシリコン活性層１３がシリコン製の外周枠１１ｂと
シリコン製の支柱１１ａにより支持され、外周枠１１ｂ
と支柱１１ａ間及び支柱１１ａ間に開口を有する構造体
が形成される。
択比の違いにより、支持シリコン基板１１のエッチング
は酸化シリコン層１２まで行われ、酸化シリコン層１２
及びシリコン活性層１３がシリコン製の外周枠１１ｂと
シリコン製の支柱１１ａにより支持され、外周枠１１ｂ
と支柱１１ａ間及び支柱１１ａ間に開口を有する構造体
が形成される。
【００２０】次に、開口において露出した酸化シリコン
層１２をフッ化水素酸により除去するとシリコン活性層
１３がシリコンメンブレン１３ａとなり、転写マスク用
ブランクスが完成する（図２ｅ）。転写マスク用ブラン
クスのメンブレン１３ａ上にレジストを塗布し、所定の
微細パターンを電子線描画装置などを用いて焼き付け、
転写し（図３ａ）、所定のパターンが転写されたレジス
トをマスク１７としてメンブレン１３ａをエッチングし
（図３ｂ）、ステンシル転写マスクを完成させる（図３
ｃ）。
層１２をフッ化水素酸により除去するとシリコン活性層
１３がシリコンメンブレン１３ａとなり、転写マスク用
ブランクスが完成する（図２ｅ）。転写マスク用ブラン
クスのメンブレン１３ａ上にレジストを塗布し、所定の
微細パターンを電子線描画装置などを用いて焼き付け、
転写し（図３ａ）、所定のパターンが転写されたレジス
トをマスク１７としてメンブレン１３ａをエッチングし
（図３ｂ）、ステンシル転写マスクを完成させる（図３
ｃ）。
【００２１】なお、メンブレンを形成した後、メンブレ
ンに感光基板に転写すべき開口パターンを形成する、い
わゆる「バックエッチ先行プロセス」により説明した
が、ＳＯＩ基板のシリコン活性層にパターンを形成した
後、支持シリコン基板、酸化シリコン層を所定のパター
ンにエッチングして感光基板に転写すべき開口パターン
が形成されたメンブレンにする、いわゆる「バックエッ
チ後行プロセス」によっても同様の転写マスクが得られ
る。
ンに感光基板に転写すべき開口パターンを形成する、い
わゆる「バックエッチ先行プロセス」により説明した
が、ＳＯＩ基板のシリコン活性層にパターンを形成した
後、支持シリコン基板、酸化シリコン層を所定のパター
ンにエッチングして感光基板に転写すべき開口パターン
が形成されたメンブレンにする、いわゆる「バックエッ
チ後行プロセス」によっても同様の転写マスクが得られ
る。
【００２２】一方、ガラス薄板又はガラス薄片が形成さ
れたシリコンからなる補強枠３は、次のような製作方法
によって製作される。図４は、ガラス薄板又はガラス薄
片が形成された補強枠の製作工程を示す図である。ま
ず、シリコンからなる補強枠３を用意する。
れたシリコンからなる補強枠３は、次のような製作方法
によって製作される。図４は、ガラス薄板又はガラス薄
片が形成された補強枠の製作工程を示す図である。ま
ず、シリコンからなる補強枠３を用意する。
【００２３】補強枠３の大きさは、内径、外径ともに転
写マスクの外周枠の内径、外径よりそれぞれ大きく、厚
さは、補強枠３の径の大きさにもよるが、約５〜１０ｍ
ｍである。また、内径形状は、円形に限られず、多角形
であってもよい。次に、円筒状の可動性イオンを含むガ
ラス部材２ａを用意し、補強枠３の外周枠１１ｂとの接
合予定部にガラス部材２ａを陽極接合法により接合する
（図４ａ）。
写マスクの外周枠の内径、外径よりそれぞれ大きく、厚
さは、補強枠３の径の大きさにもよるが、約５〜１０ｍ
ｍである。また、内径形状は、円形に限られず、多角形
であってもよい。次に、円筒状の可動性イオンを含むガ
ラス部材２ａを用意し、補強枠３の外周枠１１ｂとの接
合予定部にガラス部材２ａを陽極接合法により接合する
（図４ａ）。
【００２４】接合後、ガラス部分２ａを研磨して厚さ約
１〜５０μｍ程度まで薄くする（図４ｂ）。このように
して準備された補強枠３と、荷電粒子線露光用マスクの
外周枠１１ｂとをガラス薄板２を介して接合する。この
接合は、補強枠３に形成されたガラス薄板２を転写マス
クの外周枠１１ｂの接合予定部に当接し、ガラス薄板２
を陰極にして３５０℃、７００Ｖの印加電圧の条件の下
で陽極接合を行う。
１〜５０μｍ程度まで薄くする（図４ｂ）。このように
して準備された補強枠３と、荷電粒子線露光用マスクの
外周枠１１ｂとをガラス薄板２を介して接合する。この
接合は、補強枠３に形成されたガラス薄板２を転写マス
クの外周枠１１ｂの接合予定部に当接し、ガラス薄板２
を陰極にして３５０℃、７００Ｖの印加電圧の条件の下
で陽極接合を行う。
【００２５】さらに好ましくは、薄くしたリング状のガ
ラス薄板２を部分的にホーニング加工、湿式エッチン
グ、切削加工等により除去して、数平方ミリの面積を有
するガラス薄片２ｂを形成する（図４ｃ）。ここで残す
べきガラス薄片の面積、ガラス薄片の数は、接合後に要
求される接合強度及び歪み許容値によって決定される。
ラス薄板２を部分的にホーニング加工、湿式エッチン
グ、切削加工等により除去して、数平方ミリの面積を有
するガラス薄片２ｂを形成する（図４ｃ）。ここで残す
べきガラス薄片の面積、ガラス薄片の数は、接合後に要
求される接合強度及び歪み許容値によって決定される。
【００２６】このようにして準備された補強枠３と、荷
電粒子線露光用転写マスクの外周枠１１ｂをガラス薄片
２ｂを介して接合する。この接合は、補強枠３に形成さ
れたガラス薄片２ｂを転写マスクの外周枠１１ｂの接合
予定部に当接し、ガラス薄片２ｂを陰極にして３５０
℃、７００Ｖの印加電圧の条件の下で陽極接合を行う。
電粒子線露光用転写マスクの外周枠１１ｂをガラス薄片
２ｂを介して接合する。この接合は、補強枠３に形成さ
れたガラス薄片２ｂを転写マスクの外周枠１１ｂの接合
予定部に当接し、ガラス薄片２ｂを陰極にして３５０
℃、７００Ｖの印加電圧の条件の下で陽極接合を行う。
【００２７】なお、図４に示す工程により製作された補
強枠３と、図２に示す工程により製作された荷電粒子線
露光用転写マスクブランクスの外周枠１１ｂとを接合し
た後に、そのメンブレンに開口パターンを形成してもよ
い。
強枠３と、図２に示す工程により製作された荷電粒子線
露光用転写マスクブランクスの外周枠１１ｂとを接合し
た後に、そのメンブレンに開口パターンを形成してもよ
い。
【００２８】
【実施例】［実施例１］まず、８インチのＳＯＩ基板を
用意して、前述したように図２に示す工程に従って転写
マスクブランクスを製作し、図３に示す工程に従って転
写マスクを製作した。
用意して、前述したように図２に示す工程に従って転写
マスクブランクスを製作し、図３に示す工程に従って転
写マスクを製作した。
【００２９】次に、外径２３０ｍｍ、内径１９０ｍｍ、
厚さ１０ｍｍの円筒状のシリコン補強枠と、外径２００
ｍｍ、内径１９０ｍｍ、厚さ１ｍｍの円筒状のガラス
（コーニング社製７７４０パイレックス）を３５０℃、
７００Ｖで陽極接合した。ガラスを研磨加工により、２
０μｍの薄板にした。
厚さ１０ｍｍの円筒状のシリコン補強枠と、外径２００
ｍｍ、内径１９０ｍｍ、厚さ１ｍｍの円筒状のガラス
（コーニング社製７７４０パイレックス）を３５０℃、
７００Ｖで陽極接合した。ガラスを研磨加工により、２
０μｍの薄板にした。
【００３０】次に、このガラス薄板を部分的にホーニン
グ加工、湿式エッチング、切削加工等により除去して、
数平方ｍｍの面積を有するガラス薄片を３ヶ所残した。
このようにして準備された補強枠と、荷電粒子線露光用
転写マスクの外周枠とをガラス薄片を介して接合した。
このようにして製作した補強枠付き荷電粒子線露光用転
写マスクの接合歪を測定したところ、２０ｎｍであり、
許容範囲内であった。
グ加工、湿式エッチング、切削加工等により除去して、
数平方ｍｍの面積を有するガラス薄片を３ヶ所残した。
このようにして準備された補強枠と、荷電粒子線露光用
転写マスクの外周枠とをガラス薄片を介して接合した。
このようにして製作した補強枠付き荷電粒子線露光用転
写マスクの接合歪を測定したところ、２０ｎｍであり、
許容範囲内であった。
【００３１】［実施例２］まず、８インチのＳＯＩ基板
を用意して、前述したように図２に示す工程に従って転
写マスクブランクスを製作した。次に、図４に示す工程
に従って外径２３０ｍｍ、内径１９０ｍｍ、厚さ６ｍｍ
の円筒状にシリコン補強枠と、外径２００ｍｍ、内径１
９０ｍｍ、厚さ１ｍｍの円筒状のガラス（コーニング社
製７７４０パイレックス）を３５０℃、７００Ｖで陽極
接合した。
を用意して、前述したように図２に示す工程に従って転
写マスクブランクスを製作した。次に、図４に示す工程
に従って外径２３０ｍｍ、内径１９０ｍｍ、厚さ６ｍｍ
の円筒状にシリコン補強枠と、外径２００ｍｍ、内径１
９０ｍｍ、厚さ１ｍｍの円筒状のガラス（コーニング社
製７７４０パイレックス）を３５０℃、７００Ｖで陽極
接合した。
【００３２】ガラスを研磨加工により、２０μｍの薄板
にした。次に、このガラス薄板を部分的にホーニング加
工、湿式エッチング、切削加工等により除去して、数平
方ｍｍの面積を有するガラス薄片を３ヶ所残した。この
ようにして準備された補強枠と、荷電粒子線露光用転写
マスクブランクスの外周枠とをガラス薄片を介して接合
した。
にした。次に、このガラス薄板を部分的にホーニング加
工、湿式エッチング、切削加工等により除去して、数平
方ｍｍの面積を有するガラス薄片を３ヶ所残した。この
ようにして準備された補強枠と、荷電粒子線露光用転写
マスクブランクスの外周枠とをガラス薄片を介して接合
した。
【００３３】最後に、接合後、図３に示す工程に従って
転写マスクブランクスのメンブレンに開口パターンを形
成して、荷電粒子線露光用転写マスクを製作した。この
ようにして製作した補強枠付き荷電粒子線露光用転写マ
スクの接合歪を測定したところ、１０ｎｍであり、許容
範囲内であった。
転写マスクブランクスのメンブレンに開口パターンを形
成して、荷電粒子線露光用転写マスクを製作した。この
ようにして製作した補強枠付き荷電粒子線露光用転写マ
スクの接合歪を測定したところ、１０ｎｍであり、許容
範囲内であった。
【００３４】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明にかかる補強
枠付き荷電粒子線露光用転写マスク及びその製造方法に
よれば、外周枠と補強枠とを極めて薄いガラス板を介し
て接合したので、メンブレンに発生する応力を極めて低
減させ、メンブレンに形成された微細パターンの歪を極
端に低減させることができる。
枠付き荷電粒子線露光用転写マスク及びその製造方法に
よれば、外周枠と補強枠とを極めて薄いガラス板を介し
て接合したので、メンブレンに発生する応力を極めて低
減させ、メンブレンに形成された微細パターンの歪を極
端に低減させることができる。
【００３５】また、極めて薄いガラス板を部分的に配置
することにより、歪発生領域が小さくなるので、その効
果はさらに向上する。
することにより、歪発生領域が小さくなるので、その効
果はさらに向上する。
【図１】本発明にかかる補強枠付き荷電粒子線露光用転
写マスクの概略図である。
写マスクの概略図である。
【図２】一般的な荷電粒子線露光用転写マスクブランク
スの製作工程を示す図である。
スの製作工程を示す図である。
【図３】一般的な荷電粒子線露光用転写マスクブランク
スのメンブレンにパターンを形成して荷電粒子線露光用
転写マスクを製作する工程を示す図である。
スのメンブレンにパターンを形成して荷電粒子線露光用
転写マスクを製作する工程を示す図である。
【図４】本発明にかかる補強枠の製作工程を示す図であ
る。
る。
【図５】従来の補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスク
の概略図である。
の概略図である。
【図６】電子線縮小転写装置で用いられる転写マスクの
うち（ａ）は散乱透過マスク、（ｂ）は散乱ステンシル
マスクの概略図であり、（ｃ）は電子線を用いたパター
ン転写方法を示す概略斜視図である。
うち（ａ）は散乱透過マスク、（ｂ）は散乱ステンシル
マスクの概略図であり、（ｃ）は電子線を用いたパター
ン転写方法を示す概略斜視図である。
１・・・荷電粒子線露光用転写マスク ２・・・ガラス薄板 ２ａ・・・ガラス部材 ２ｂ・・・ガラス薄片 ３・・・補強枠 ４・・・ガラスからなる補強枠 １１・・・支持シリコン基板 １２、１４・・・酸化シリコン層 １２ａ・・・酸化シリコン部 １３・・・シリコン活性層（ボロン拡散） １３ａ・・・シリコンメンブレン １３ｂ・・・開口パターンが形成されたシリコンメンブ
レン １５・・・窓（開口）パターン １６・・・ドライエッチング用マスク １７・・・レジストマスク ２１・・・散乱透過マスク ２２、３２・・・メンブレン ２３、３３・・・支柱 ２４・・・散乱体パターン ２７・・・感光基板 ３１・・・散乱ステンシルマスク ３４・・・貫通孔パターン
レン １５・・・窓（開口）パターン １６・・・ドライエッチング用マスク １７・・・レジストマスク ２１・・・散乱透過マスク ２２、３２・・・メンブレン ２３、３３・・・支柱 ２４・・・散乱体パターン ２７・・・感光基板 ３１・・・散乱ステンシルマスク ３４・・・貫通孔パターン
Claims (8)
- 【請求項１】感光基板に転写すべきパターンが形成され
たメンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠と、
これを補強する補強枠とを可動性イオンを含む極めて薄
いガラス板を介して接合してなる補強枠付き荷電粒子線
露光用転写マスク。 - 【請求項２】前記ガラス薄板が部分的に配置されてなる
ことを特徴とする請求項１記載の補強枠付き荷電粒子線
露光用転写マスク。 - 【請求項３】感光基板に転写すべきパターンが形成され
たメンブレンとそのメンブレンの外周を固定してこれを
支える外周枠とを有する転写マスクを用意する工程と、 前記外周枠と接合する接合予定部分に可動性イオンを含
んだ極めて薄いガラス板が設けられた補強枠を用意する
工程と、 前記転写マスク用の外周枠と、前記補強枠のガラス薄板
を陽極接合法により接合する工程と、を備えた補強枠付
き荷電粒子線露光用転写マスクの製造方法。 - 【請求項４】さらに、前記ガラス薄板が設けられた補強
枠を用意する工程後、 前記ガラス薄板をガラス薄片にする工程を備えた請求項
３記載の補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスクの製造
方法。 - 【請求項５】感光基板に転写すべきパターンが形成され
るメンブレンの外周を固定してこれを支える外周枠と、
これを補強する補強枠とを可動性イオンを含む極めて薄
いガラス板を介して接合してなる補強枠付き荷電粒子線
露光用転写マスクブランクス。 - 【請求項６】前記ガラス薄板が部分的に配置されてなる
ことを特徴とする請求項５記載の補強枠付き荷電粒子線
露光用転写マスクブランクス。 - 【請求項７】感光基板に転写すべきパターンが形成され
るメンブレンとそのメンブレンの外周を固定してこれを
支える外周枠とを有する転写マスク用ブランクスを用意
する工程と、 前記外周枠と接合する接合予定部分に極めて薄い可動性
イオンを含んだガラス板が設けられた補強枠を用意する
工程と、 前記転写マスク用ブランクスの外周枠と、前記補強枠の
ガラス薄板を陽極接合法により接合する工程と、を備え
た補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスクブランクスの
製造方法。 - 【請求項８】さらに、前記ガラス薄板が設けられた補強
枠を用意する工程後、 前記ガラス薄板をガラス薄片にする工程を備えた請求項
７記載の補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスクブラン
クスの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11224799A JP2000306806A (ja) | 1999-04-20 | 1999-04-20 | 補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスク及びその製造方法 |
| US09/556,876 US6534222B1 (en) | 1999-04-20 | 2000-04-19 | Reticles including support frame for charged-particle-beam microlithography, and methods for making same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11224799A JP2000306806A (ja) | 1999-04-20 | 1999-04-20 | 補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000306806A true JP2000306806A (ja) | 2000-11-02 |
Family
ID=14581935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11224799A Pending JP2000306806A (ja) | 1999-04-20 | 1999-04-20 | 補強枠付き荷電粒子線露光用転写マスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000306806A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004003664A1 (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-08 | Sony Corporation | マスクおよびその検査方法並びに半導体装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-04-20 JP JP11224799A patent/JP2000306806A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004003664A1 (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-08 | Sony Corporation | マスクおよびその検査方法並びに半導体装置の製造方法 |
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