JP2000347408A5 - - Google Patents
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Claims (5)
- （Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｂ）下記一般式（ＢＩ）で表される繰り返し単位を有し、かつ酸の作用により分解し、アルカリに対する溶解性が増大する樹脂、及び（Ｃ）酸の作用により分解し、スルホン酸を発生する化合物
を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
Ｒb1は、水素原子、ハロゲン原子又は１〜４個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。Ｒb2〜Ｒb4は、各々独立に、水素原子又は水酸基を表す。ただし、Ｒb2〜Ｒb4のうち少なくとも１つは、水酸基を表す。 - フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴と
する請求項１に記載の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。 - 含窒素塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項１に記載の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
- 含窒素塩基性化合物が、１,５−ジアザビシクロ[４.３.０]−５−ノネン、１,８−ジアザビシクロ[５.４.０]−７−ウンデセン、１,４−ジアザビシクロ[２.２.２]オクタン、４−ジメチルアミノピリジン、ヘキサメチレンテトラミン、４,４−ジメチルイミダゾリン、ピロール類、ピラゾール類、イミダゾール類、ピリダジン類、ピリミジン類、３級モルホリン類、及びヒンダードピペリジン骨格を有するヒンダードアミン類の中から選択される少なくとも１種の化合物であることを特徴とする請求項３に記載の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
- 請求項１〜４のいずれかに記載の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物によりポジ型フォトレジスト膜を形成し、当該ポジ型フォトレジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
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