JP2000343825A

JP2000343825A - 光学記録媒体

Info

Publication number: JP2000343825A
Application number: JP11160784A
Authority: JP
Inventors: Yuko Okijima; 祐子大木島; Takumi Nagao; 卓美長尾
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1999-06-08
Filing date: 1999-06-08
Publication date: 2000-12-12
Anticipated expiration: 2019-06-08
Also published as: JP3772047B2

Abstract

(57)【要約】【課題】青色レーザーによる高密度の記録、再生が可
能な光学記録媒体を提供する。【解決手段】基板上にレーザーによる情報の書き込み
／または読み取りが可能な記録層が設けられた光学記録
媒体において、該記録層が下記一般式（１）で示される
化合物を含有することを特徴とする光学記録媒体。【化１】（式中、Ｘは電子求引性を示す置換基を表し、Ｒ¹ 、Ｒ
² はそれぞれ独立に水素原子、置換または非置換のアル
キル基、置換または非置換のシクロアルキル基、置換ま
たは非置換のアルケニル基、置換または非置換のアリー
ル基を表し、またＲ¹ 、Ｒ² は隣接する窒素原子と共に
他の基を加えて環を形成してもよい。環Ａは置換されて
もよいピリジン環を表す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機色素を記録層
に用いた新規な追記型光学記録媒体に関するものであ
る。更に、本発明は青色レーザー対応の追記型光学記録
媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、発振波長の短い半導体レーザーの
開発が進められ、従来の７８０ｎｍや８３０ｎｍよりも
短波長のレーザー光を用いた高密度の記録再生可能な光
学記録媒体が求められている。従来提案されている光学
記録媒体としては、光磁気記録媒体、相変化記録媒体、
カルコゲン酸化物光記録媒体、有機色素系光学記録媒
体、等がある。これらの中で、安価で製造プロセス上有
利であるという点で、有機色素系光学記録媒体は優位性
を有するものと考えられている。

【０００３】現在、有機色素系光学記録媒体には、反射
率の高い金属層を有機色素層の上に積層したタイプのＣ
Ｄ−Ｒが量産化され広く知られている。これよりもさら
に短波長の赤色半導体レーザーで記録する高密度の有機
色素系光学記録媒体（ＤＶＤ−Ｒ）が開発され、実用化
されているが、今後、より一層高密度化を狙ったＤＶＤ
−Ｒよりもさらに短波長の青色半導体レーザーで記録再
生可能な光学記録媒体が必要になると考えられている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】一般に、ＣＤ−Ｒ、Ｄ
ＶＤ−Ｒでそれぞれ使用されている記録媒体は、短波長
の青色半導体レーザーで記録再生すると、反射率が低く
記録再生ができないという問題を有している。本発明
は、青色半導体レーザーに対応することのできる新規な
光学記録媒体を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記一般式
（１）で示される化合物を記録層に含有させることによ
り、青色半導体レーザーに有利に対応する光学記録媒体
を提供することができることを見出し、本発明に到達し
た。すなわち本発明は、基板上にレーザーによる情報の
書き込み／または読み取りが可能な記録層が設けられた
光学記録媒体において、該記録層が下記一般式（１）で
示される化合物を含有することを特徴とする光学記録媒
体を要旨とするものである。

【０００６】

【化２】

【０００７】（式中、Ｘは電子求引性を示す置換基を表
し、Ｒ¹ 、Ｒ² はそれぞれ独立に水素原子、置換または
非置換のアルキル基、置換または非置換のシクロアルキ
ル基、置換または非置換のアルケニル基、置換または非
置換のアリール基を表し、またＲ¹ 、Ｒ² は隣接する窒
素原子と共に他の基を加えて環を形成してもよい。環Ａ
は置換基を有していてもよいピリジン環を表す。）

【０００８】

【発明の実施の形態】以下本発明につき詳細に説明す
る。前記一般式（１）において、Ｘは電子求引性を示す
置換基であればよく、（ここで、電子求引性置換基と
は、Ｈａｍｍｅｔｔ則でσ値が正を示すものをいう。）
好ましくは、Ｈａｍｍｅｔｔ則でσｍ値（メタ位のσ
値）が０．３以上を示すものを表し、より好ましくは、
ＮＯ₂ 基、ＣＦ₃ 基またはＣＮ基を示す。Ｒ₁ 、Ｒ₂ は
それぞれ独立して、水素原子、置換または非置換のアル
キル基、置換または非置換のシクロアルキル基、置換ま
たは非置換のアルケニル基、置換または非置換のアリー
ル基、またＲ¹ とＲ² は隣接する窒素原子と共に他の基
を加えて形成される環を表し、Ｒ¹ およびＲ² がアルキ
ル基の場合、具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブ
チル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−エチ
ルヘキシル基等の炭素数１〜８の直鎖または分岐のアル
キル基が挙げられ、置換アルキル基としては２−ヒドロ
キシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロ
キシブチル基、２−ヒドロキシプロピル基等のヒドロキ
シ置換アルキル基；カルボキシメチル基、２−カルボキ
シエチル基、３−カルボキシプロピル基等のカルボキシ
置換アルキル基；シアノメチル基、２−シアノエチル基
等のシアノ置換アルキル基；２−アミノエチル基等のア
ミノ置換アルキル基；２−クロロエチル基、３−クロロ
プロピル基、２−クロロプロピル基、２，２，２−トリ
フルオロエチル基等のハロゲン置換アルキル基；ベンジ
ル基、ｐ−クロロベンジル基、２−フェニルエチル基等
のフェニル置換アルキル基（アラルキル基）：２−メト
キシエチル基、２−エトキシエチル基、２−ｎ−プロポ
キシエチル基、２−ｎ−ブトキシエチル基、２−ｉｓｏ
−ブトキシエチル基、２−（２−エチルヘキシルオキ
シ）エチル基、３−メトキシプロピル基、４−メトキシ
ブチル基、２−メトキシプロピル基等のアルコキシ置換
アルキル基；２−（２−メトキシエトキシ）エチル基、
２−（エトキシエトキシ）エチル基、２−（２−ｎ−プ
ロポキシエトキシ）エチル基、２−（２−ｉｓｏ−プロ
ポキシエトキシ）エチル基、２−（２−ｎ−ブトキシエ
トキシ）エチル基、２−（２−ｉｓｏ−ブトキシエトキ
シ）エチル基、２−｛２−（２−エチルヘキシルオキ
シ）エトキシ｝エチル基等のアルコキシアルコキシ置換
アルキル基；

【０００９】２−アリルオキシエチル基等のアルケニル
オキシ置換アルキル基；２−フェノキシエチル基等のア
リールオキシ置換アルキル基；２−ベンジルオキシエチ
ル基等のアラルキルオキシ置換アルキル基；２−アセチ
ルオキシエチル基、２−プロピオニルオキシエチル基、
２−ｎ−ブチリルオキシエチル基、２−ｉｓｏ−ブチリ
ルオキシエチル基、２−トリフルオロアセチルオキシエ
チル基等のアシルオキシ置換アルキル基；メトキシカル
ボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プ
ロポキシカルボニルメチル基、ｉｓｏ−プロポキシカル
ボニルメチル基、ｎ−ブトキシカルボニルメチル基、ｉ
ｓｏ−ブトキシカルボニルメチル基、２−エチルヘキシ
ルオキシカルボニルメチル基、ベンジルオキシカルボニ
ルメチル基、フルフリルオキシカルボニルメチル基、テ
トラヒドロフルフリルオキシカルボニルメチル基、２−
メトキシカルボニルエチル基、２−エトキシカルボニル
エチル基、２−ｎ−プロポキシカルボニルエチル基、２
−ｉｓｏ−プロポキシカルボニルエチル基、２−ｎ−ブ
トキシカルボニルエチル基、２−ｉｓｏ−ブトキシカル
ボニルエチル基、２−（２−エチルヘキシルオキシカル
ボニル）エチル基、２−ベンジルオキシカルボニルエチ
ル基、２−フルフリルオキシカルボニルエチル基等の置
換もしくは非置換のアルコキシカルボニル置換アルキル
基；２−メトキシカルボニルオキシエチル基、２−エト
キシカルボニルオキシエチル基、２−ｎ−プロポキシカ
ルボニルオキシエチル基、２−ｉｓｏ−プロポキシカル
ボニルオキシエチル基、２−ｎ−ブトキシカルボニルオ
キシエチル基、２−ｉｓｏ−ブトキシカルボニルオキシ
エチル基、２−（２−エチルヘキシルオキシカルボニル
オキシ）エチル基、２−ベンジルオキシカルボニルオキ
シエチル基、２−フルフリルオキシカルボニルオキシエ
チル基等の置換もしくは非置換のアルコキシカルボニル
オキシ置換アルキル基；フルフリル基、テトラヒドロフ
ルフリル基等のヘテロ環置換アルキル基等が挙げられ
る。

【００１０】またＲ¹ 、Ｒ² がアリール基の場合には、
例えば置換されていてもよいフェニル基または置換され
ていてもよいナフチル基が挙げられ、これらの置換基と
しては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ
−ブチル基、ｎ−ペンチル基等の炭素数１〜８の直鎖ま
たは分岐のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−
プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ
ｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基等の炭素数１
〜４の直鎖または分岐のアルコキシ基；フッ素原子、塩
素原子、臭素原子等のハロゲン原子；ニトロ基、シアノ
基；トリフルオロメチル基等が挙げられる。

【００１１】Ｒ¹ 、Ｒ² がシクロアルキル基を表す場合
は、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等炭
素数５〜７のシクロアルキル基が挙げられる。Ｒ¹ 、Ｒ
² がアルケニル基を示す場合は、たとえば、ビニル基、
アリル基、ブテニル基等が挙げられる。又、Ｒ¹ とＲ²
が隣接する窒素原子と共に他の基と一緒になって環を形
成する場合、具体的には下記に示す５員環又は６員環が
挙げられる。

【００１２】

【化３】

【００１３】（Ｒ⁶ はアルキル基を表す。）これらの環は置換基を有していてもよく、その置換基に
特に制限はないが、例えば環Ａの置換基として挙げたも
のが挙げられる。中でも好ましくは、炭素数１〜４のア
ルキル基、炭素数１〜３のヒドロキシアルキル基であ
る。以上述べてきた中で、Ｒ¹ およびＲ² として特に好
ましいのは炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル
基、または、Ｒ¹ とＲ² が隣接する窒素原子と共に他の
基と結合して形成する、置換されていてもよい下記環構
造である。

【００１４】

【化４】

【００１５】環Ａは、置換されてもよいピリジン環を表
し、かかる置換基としては特に制限されないが、例え
ば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブ
チル基等の炭素数１〜４の直鎖または分岐のアルキル
基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓ
ｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキ
シ基、ｓｅｃ−ブトキシ基等の炭素数１〜４の直鎖また
は分岐のアルコキシ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原
子等のハロゲン原子；トリフルオロメチル基、ペンタフ
ルオロエチル基、パーフルオロ−ｎ−プロピル基、パー
フルオロ−ｉｓｏ−プロピル基、パーフルオロ−ｎ−ブ
チル基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、パーフル
オロ−ｓｅｃ−ブチル基等の炭素数１〜４の直鎖または
分岐のフルオロアルキル基；トリフルオロメトキシ基、
ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロ−ｎ−プロポ
キシ基、パーフルオロ−ｉｓｏ−プロポキシ基、パーフ
ルオロ−ｎ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブ
トキシ基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブトキシ基等の炭素
数１〜４の直鎖または分岐のフルオロアルコキシ基；ト
リフルオロメチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ
基、パーフルオロ−ｎ−プロピルチオ基、パーフルオロ
−ｉｓｏ−プロピルチオ基、パーフルオロ−ｎ−ブチル
チオ基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、パー
フルオロ−ｓｅｃ−ブチルチオ基等の炭素数１〜４の直
鎖または分岐のフルオロアルキルチオ基等が挙げられ、
それらの置換位置は特に限定されず、置換基の数も１〜
３個の範囲で可能であるが、好ましい置換基としては、
炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１または２のアルコ
キシ基、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、
フルオロアルキルチオ基または塩素原子であり、置換基
の数は１または２である。

【００１６】さらに好ましくは、メチル基、エチル基、
メトキシ基、塩素原子から選ばれる１個の置換基であ
る。一般式（１）で表される化合物の好ましい例として
は下記のものが挙げられる。

【００１７】

【化５】

【００１８】

【化６】

【００１９】本発明に使用される一般式（１）で示され
る骨格を有する化合物の製法は、特に限定されないが、
例えば、下記反応式で示される反応により製造すること
ができる。

【００２０】

【化７】

【００２１】＜参考文献＞ Sythesis,1992(8),798〜80
2.J Chem Soc,Perkin Trans 1, 1995(19) 2497-2502. またＸがニトロ基の場合は下記に示すようにニトロ化反
応により製造することもできる。

【００２２】

【化８】

【００２３】＜参考文献＞ J Chem Soc,Perkin Trans
2, 1972,1940. 本発明の光学記録媒体は、基本的には基板と前記化合物
を含む記録層とから構成されるものであるが、さらに必
要に応じて基板上に下引き層、金属反射層、保護層等を
設けても良い。好ましい層構成の一例としては、記録層
上に金、銀、アルミニウムのような金属反射層および保
護層を設けた高反射率の媒体が挙げられる。以下、この
構造の媒体を例に、本発明の光学記録媒体について説明
する。

【００２４】本発明の光学記録媒体における基板の材質
としては、基本的には記録光及び再生光の波長で透明で
あればよい。例えば、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、
ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピ
レン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキ
シ樹脂等が挙げられるが、高生産性、コスト、耐吸湿性
の点から射出成形ポリカーボネート樹脂基板が特に好ま
しい。

【００２５】これらの基板材料は射出成形法等により円
盤状に基板に成形される。必要に応じて、基板表面に案
内溝やピットを形成することもある。このような案内溝
やピットは、基板の成形時に付与することが好ましい
が、基板の上に紫外線硬化樹脂層を用いて付与すること
もできる。案内溝がスパイラル状の場合、この溝ピッチ
が０．５〜１．２μｍ程度であることが好ましい。基板
上、または必要に応じて下引き層等を設けた上に、本発
明で特定する化合物を含む記録層を形成する。記録層の
成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ド
クターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬
法等一般に行われている薄膜形成法は挙げられるが、量
産性、コスト面からスピンコート法が特に好ましい。

【００２６】スピンコート法による成膜の場合、回転数
は５００〜５０００ｒｐｍが好ましく、スピンコートの
後、場合によっては加熱あるいは溶媒蒸気にあてる等の
処理を行っても良い。ドクターブレード法、キャスト
法、スピンコート法、浸漬法等の塗布方法により記録層
を形成する場合の塗布溶媒としては、基板を侵さない溶
媒であればよく、特に限定されない。例えば、ジアセト
ンアルコール、２−ヒドロキシ−３−メチル２−ブタノ
ン等のケトンアルコール系溶媒；メチルセロソルブ、エ
チルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒；ｎ−ヘキサン、
ｎ−オクタン等の鎖状炭化水素系溶媒；シクロヘキサ
ン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジ
メチルシクロヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔ
ｅｒｔ−ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の環
状炭化水素系溶媒；テトラフルオロプロパノール、オク
タフルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等
のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒；乳酸メチ
ル、乳酸エチル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシカルボ
ン酸エステル系溶媒等が挙げられる。

【００２７】また、記録層の安定や耐光性向上のため
に、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化
合物（例えば、アセチルアセトナートキレート、ビスフ
ェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビス
ジチオ−α−ジケトン等）等や、記録感度向上のために
金属系化合物等の記録感度向上剤を含有していても良
い。ここで金属系化合物とは、遷移金属等の金属が原
子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれるもの
を言い、例えばエチレンジアミン系錯体、アゾメチン系
錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナントロ
リン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジオキ
シム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピリジ
ルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯体、メ
タロセン系錯体、ポルフィリン系錯体のような有機金属
化合物が挙げられる。金属原子としては特に限定されな
いが、遷移金属であることが好ましい。

【００２８】さらに、必要に応じて他系統の色素を併用
することもできる。他系統の色素としては、主として記
録用のレーザー波長域に吸収を有し、照射されたレーザ
ー光エネルギーの吸収によって、その箇所の記録層、反
射層または基板に、分解、蒸発、溶解等の熱的変形を伴
いピットが形成されるならば特に制限されない。また、
ＣＤ−Ｒのような７７０〜８３０ｎｍから選ばれた波長
の近赤外レーザーやＤＶＤ−Ｒのような６２０〜６９０
ｎｍから選ばれた赤色レーザーでの記録に適する色素を
併用して、複数の波長域でレーザーでの記録に対応する
光記録媒体とすることもできる。他系統の色素としては
含金属アゾ系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシ
アニン系色素、シアニン系色素、アゾ系色素、スクアリ
リウム系色素、含金属インドアニリン系色素、トリアリ
ールメタン系色素、メロシアニン系色素、アズレニウム
系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、
インドフェノール系色素、キサンテン系色素、オキサジ
ン系色素、ピリリウム系色素等が挙げられる。

【００２９】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤等を併用することもできる。好ましい
バインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケ
トン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ウ
レタン系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネー
ト、ポリオレフィン等が挙げられる。

【００３０】色素の膜厚は、記録方法により異なってく
る場合があり、特に限定するものではないが、好ましく
は５０〜３００ｎｍである。次に記録層の上に、好まし
くは、厚さ５０〜３００ｎｍの反射層を形成する。反射
層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いも
の、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎ
ｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃｒ及びＰｄの金属を単独あるいは合
金にして用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａ
ｌ、Ａｇは反射率が高く反射層の材料として適してい
る。これ以外でも下記のものを含んでいても良い。例え
ば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒ
ｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇ
ａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ
などの金属及び半金属を挙げることができる。なかでも
Ａｇを主成分としているものはコストが安い点、高反射
率が出やすい点、更に後で述べる印刷受容層を設ける場
合には地色が白く美しいものが得られる点、等から特に
好ましい。ここで主成分とは含有率が５０％以上のもの
をいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜
を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用い
ることも可能である。

【００３１】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法等が挙げられる。また、基板の上や反射層の下
に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上等のた
めに公知の無機系または有機系の中間層、接着層を設け
ることもできる。反射層の上に形成する保護層の材料と
しては、反射層を外力から保護するものであれば特に限
定しない、有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性
樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げるこ
とができる。また、無機物質としては、ＳｉＯ₂ 、Ｓｉ
Ｎ₄ 、ＭｇＦ₂ 、ＳｎＯ₂ 等が挙げられる。熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶剤に溶解して塗布液を
塗布し、乾燥することによって形成することができる。
ＵＶ硬化性樹脂は、そのままもしくは適当な溶剤に溶解
して塗布液を調整した後にこの塗布液を塗布し、ＵＶ光
を照射して硬化させることによって形成することができ
る。ＵＶ硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリ
レート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレ
ートなどのアクリレート系樹脂を用いることができる。
これらの材料は単独であるいは混合して用いても良い
し、１層だけではなく多層膜にして用いても良い。

【００３２】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法等の塗布法やスパッタ
法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、この中でもス
ピンコート法が好ましい。保護層の膜厚は、一般に０．
１〜１００μｍの範囲であるが、本発明においては、３
〜３０μｍが好ましい。また、反射層面に基板を貼り合
わせる、あるいは反射層面相互を内面とし対向させ光記
録媒体２枚を貼り合わせる等の手段を用いても良い。基
板鏡面側に、表面保護やゴミ等の付着防止のために紫外
線硬化樹脂、無機系薄膜等を成膜してもよい。反射層上
に設けた保護層の上、または反射層面に貼り合わせた基
板の上等に更に印刷受容層を形成することもできる。

【００３３】本発明の光記録媒体について使用されるレ
ーザー光は、高密度記録のため波長は短いほど好ましい
が、特に３５０〜５３０ｎｍのレーザー光が好ましい。
かかるレーザー光の代表例としては、中心波長４１０ｎ
ｍ、５１５ｎｍのレーザー光が挙げられる。波長３５０
〜５３０の範囲のレーザー光の一例は、４１０ｎｍの
青色または５１５ｎｍの青緑色の高出力半導体レーザー
を使用することにより得ることができるが、その他、例
えば、(a) 基本発振波長が７４０〜９６０ｎｍの連続発
振可能な半導体レーザー、または(b) 半導体レーザーに
よって励起されかつ基本発振波長が７４０〜９６０ｎｍ
の連続発振可能な固体レーザーのいずれかを第二高調波
発生素子(SHG) より波長変換することによっても得るこ
とができる。

【００３４】上記のＳＨＧとしては、反転対称性を欠く
ピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、ＫＤＰ、
ＡＤＰ、ＢＮＮ、ＫＮ、ＬＢＯ、化合物半導体などが好
ましい。第二高調波の具体例としては、基本発振波長が
８６０ｎｍの半導体レーザーの場合、その倍波の４３０
ｎｍ、また半導体レーザー励起の固体レーザーの場合
は、ＣｒドープしたLiSrAlF₆結晶（基本発振波長８６０
ｎｍ）からの倍波の４３０ｎｍなどが挙げられる。上記
のようにして得られた光記録媒体への記録は、基板の両
面または片面に設けた記録層に０．４〜０．６μｍ程度
に集束したレーザー光を照射することにより行う。レー
ザー光の照射された部分には、レーザー光エネルギーの
吸収による、分解、発熱、溶解等の記録層の熱的変形が
起こる。記録された情報の再生は、レーザー光により、
熱的変化が起きている部分と起きていない部分の反射率
の差を読み取ることにより行う。

【００３５】

【実施例】以下実施例によりこの発明を具体的に説明す
るが、かかる実施例はその要旨を越えない限り、本発明
を限定するものではない。

【００３６】実施例１下記構造式（ａ）で示される化合物（東京化成工業
（株）製。クロロホルム中でのλmax ＝３６８ｎｍ、モ
ル吸光係数は２．０２×１０⁴ ）をオクタフルオロペン
タノールに溶解し、濃度を１．０重量％に調整した。こ
れをろ過してできた溶解液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．
２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下
し、スピナー法により塗布し、塗布後、１００℃で３０
分間乾燥した。この塗布膜の最大吸収波長（λmax ）
は、３７９ｎｍであった。

【００３７】

【化９】

【００３８】この塗布膜上に、スパッタリング法等にて
銀膜を成膜して反射層を形成し、更に紫外線硬化型樹脂
をスピンコート等にて塗布、ＵＶ照射により硬化させて
保護層を形成することにより、光学記録媒体を得ること
ができる。この光学記録媒体は、塗布膜のλmax の値よ
り、例えば中心波長４１０ｎｍの半導体レーザーによる
記録再生が可能であることがわかる。

【００３９】

【発明の効果】本発明によれば、青色レーザーを用いる
高密度の記録、再生が可能な光学記録媒体を提供するこ
とができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA22 EA25 EA32 EA43 FA01 FB42 4C055 AA01 BA02 BA03 BA42 BA52 BB01 BB02 BB03 BB04 BB08 BB10 BB11 CA02 CA03 CA06 CA13 CA39 CA42 CA51 CA59 CB01 CB02 DA01 DA05 DA06 DA39 5D029 JA04 JB28

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にレーザーによる情報の書き込み
／または読み取りが可能な記録層が設けられた光学記録
媒体において、該記録層が下記一般式（１）で示される
化合物を含有することを特徴とする光学記録媒体。【化１】（式中、Ｘは電子求引性を示す置換基を表し、Ｒ¹ 、Ｒ
² はそれぞれ独立に水素原子、置換または非置換のアル
キル基、置換または非置換のシクロアルキル基、置換ま
たは非置換のアルケニル基、置換または非置換のアリー
ル基を表し、またＲ¹ 、Ｒ² は隣接する窒素原子と共に
他の基を加えて環を形成してもよい。環Ａは置換されて
もよいピリジン環を表す。）
【請求項２】ＸがＮＯ₂ 基、ＣＦ₃ 基、ＣＮ基である
請求項１に記載の光学記録媒体。
【請求項３】書き込み及び読み取りのレーザー波長が
３５０〜５３０ｎｍである請求項１または２に記載の光
学記録媒体。