JP2000327476A5 - - Google Patents
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14388999A JP4521621B2 (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 半導体単結晶製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14388999A JP4521621B2 (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 半導体単結晶製造方法 |
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|---|---|
| JP2000327476A JP2000327476A (ja) | 2000-11-28 |
| JP2000327476A5 true JP2000327476A5 (enExample) | 2006-06-01 |
| JP4521621B2 JP4521621B2 (ja) | 2010-08-11 |
Family
ID=15349403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14388999A Expired - Lifetime JP4521621B2 (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 半導体単結晶製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4521621B2 (enExample) |
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| DE2438852C3 (de) * | 1974-08-13 | 1980-02-07 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen von homogen-dotierten Halbleitereinkristallstäben |
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1999
- 1999-05-24 JP JP14388999A patent/JP4521621B2/ja not_active Expired - Lifetime
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