CN104264220A - 一种用产品料直接拉制硅芯的方法 - Google Patents

一种用产品料直接拉制硅芯的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104264220A
CN104264220A CN201410311486.0A CN201410311486A CN104264220A CN 104264220 A CN104264220 A CN 104264220A CN 201410311486 A CN201410311486 A CN 201410311486A CN 104264220 A CN104264220 A CN 104264220A
Authority
CN
China
Prior art keywords
charge bar
seed crystal
product charge
silicon core
radio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410311486.0A
Other languages
English (en)
Inventor
刘朝轩
王晨光
史优才
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Luoyang Jinnuo Mechanical Engineering Co Ltd
Original Assignee
Luoyang Jinnuo Mechanical Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Luoyang Jinnuo Mechanical Engineering Co Ltd filed Critical Luoyang Jinnuo Mechanical Engineering Co Ltd
Priority to CN201410311486.0A priority Critical patent/CN104264220A/zh
Publication of CN104264220A publication Critical patent/CN104264220A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

一种用产品料直接拉制硅芯的方法，涉及人工晶体领域，本发明通过选用直径为￠110～￠160mm的产品料作为硅芯拉制的原料棒，其中直径为￠110～￠160mm的产品料在还原炉内生长时，由于其充分利用了晶棒的快速生长期，有效的降低了原料棒的成本，同时本发明中产品料棒在还原炉内生长时无需降低进料和沉积速度，有效的降低了晶棒的生长周期，本发明具有生产成本低，生产效率高等特点。

Description

一种用产品料直接拉制硅芯的方法
【技术领域】
本发明涉及人工晶体领域，尤其涉及一种硅芯的拉制方法，具体涉及一种用产品料直接拉制硅芯的方法。
【背景技术】
已知的，硅芯作为多晶硅生产的主要载体，其使用量非常大，而现有硅芯的拉制方法为在高频线圈的下方设有原料棒，在高频线圈的上方设有籽晶夹头，所述籽晶夹头包括挂接机构、连接盘和夹持件，其中在连接盘的下部面通过螺钉固定设有夹持件，连接盘的上部面设有挂接机构，所述挂接机构连接机械手，然后在夹持件内设有籽晶；进一步，通过高频线圈对原料棒的上端头进行加热并使其融化，然后籽晶夹头带动籽晶下降直至穿过高频线圈的拉制孔插入原料棒上端的融液内，待籽晶的端头与原料棒上端头的融液融合后，通过籽晶夹头带动籽晶上升，此时籽晶同时带动融液上升并重新结晶，最终形成所需长度的硅芯；其中所使用的原料棒是在还原炉内特殊生产的直径在￠75～￠85mm的硅芯料，硅芯料的具体生长过程为首先将竖硅芯两两一组插到还原炉的电极内，进一步用横硅芯将每两个竖硅芯连接在一起使两个竖硅芯和一个横硅芯形成一个闭合回路，进一步对电极通电并往炉体内通入还原气体，此时炉体内的还原气体会不断的吸附到硅芯的表面形成所需直径的晶棒，硅芯料在还原炉内生长时需要降低进料和沉积速度，进而提高硅芯料的致密度，同时硅芯料在还原内生长到￠75～￠85mm时，由于其表面积大，此阶段是生长的快速期，但是为了获取硅芯料进行硅芯的拉制，就需要停炉，取出拉制好的晶棒作为硅芯料使用，通过该方法获取的硅芯料生产周期长，成本高，效率低等。
【发明内容】
为了实现所述发明目的，本发明提供了一种用产品料直接拉制硅芯的方法，本发明通过选用直径为￠110～￠160mm的产品料作为硅芯拉制的原料棒，大大降低了硅芯的生产成本，提高了生产效率等。
为实现上述发明目的，本发明采用如下技术方案： 
一种用产品料直接拉制硅芯的方法，所述方法具体包括如下步骤：
一、制备产品料棒：
首先将竖硅芯两两一组插到还原炉的电极内，进一步用横硅芯将每两个竖硅芯连接在一起使两个竖硅芯和一个横硅芯形成一个闭合回路，进一步对电极通电并往炉体内通入还原气体，此时炉体内的还原气体会不断的吸附到硅芯的表面形成所需直径和致密度的￠110～￠160mm产品料棒；
二、产品料棒修整：
接上步，对第一步获取的产品料棒进行切割得到设定长度的产品料棒，进一步对产品料棒进行酸洗和清洗，然后对产品料棒的上端头进行修整，获取产品料棒上端的平面；
三、产品料棒的拉制准备：
接上步，将大直径的高频线圈安装在硅芯炉内的高频线圈固定机构上，然后将第二步获取的产品料棒固定在下轴上，启动下轴升降机构使所述产品料棒上端接近但不接触高频线圈的下部；然后对高频线圈进行通水通电，利用高频线圈对产品料棒上端面进行感应加热；
四、硅芯拉制：
接上步，待产品料棒的上端头靠近高频线圈下面的部位融化并且对应高频线圈拉制孔形成融区后，籽晶夹头带着籽晶缓慢下降，使籽晶穿过高频线圈上的拉制孔并插入到产品料棒端头的小融区内，所述籽晶的端头与产品料棒端头的融液融为一体后，通过籽晶夹头将籽晶向上缓慢拉起，此时产品料棒上部的融液会跟随籽晶上升，其产品料棒下部的下轴也相应跟随同步缓慢上升，此时跟随籽晶提起的融液在通过高频线圈的拉制孔后，由于磁力线的减弱而冷凝获取硅芯。
所述用产品料直接拉制硅芯的方法，步骤二中的所述产品料棒的上端平面与产品料棒的上部外缘直接设有上小下大的锥形结构。 
所述用产品料直接拉制硅芯的方法，步骤二中的所述产品料棒的下端头修整为平面，所述平面便于下轴的稳固夹持。 
所述用产品料直接拉制硅芯的方法，步骤三中使用的高频线圈的线圈圆盘外缘的直径为￠130～￠200mm之间。 
所述用产品料直接拉制硅芯的方法，步骤四中使用的籽晶夹头包括挂接机构、连接盘和夹持件，在所述连接盘的下面设有复数个夹持件，所述夹持件内分别设有籽晶，在连接盘上面的中部设有挂接机构，所述挂接机构连接机械手。 
所述用产品料直接拉制硅芯的方法，所述步骤四中的硅芯拉制的替换方式为待产品料棒的上端头靠近高频线圈下面的部位融化并且对应高频线圈拉制孔形成融区后，籽晶旋转装置带着籽晶缓慢下降，使籽晶穿过高频线圈上的拉制孔并插入到产品料棒端头的小融区内，所述籽晶的端头与产品料棒端头的融液融为一体后，通过籽晶旋转装置带动每个籽晶自转，然后在籽晶自转的同时利用提拉装置将旋转的籽晶缓慢拉起，此时产品料棒上部的融液会跟随籽晶上升，其产品料棒下部的下轴也相应跟随同步缓慢上升，此时跟随籽晶提起的融液在通过高频线圈的拉制孔后，由于磁力线的减弱而冷凝形成硅芯。 
所述用产品料直接拉制硅芯的方法，所述步骤四中的另一替换方式为待产品料棒的上端头靠近高频线圈下面的部位融化并且对应高频线圈拉制孔形成融区后，将由籽晶旋转装置带动自转的籽晶缓慢下降，使籽晶穿过高频线圈上的拉制孔并插入到产品料棒端头的小融区内，所述籽晶的端头与产品料棒端头的融液融为一体后，在籽晶旋转的同时利用提拉装置将籽晶缓慢拉起，此时产品料棒上部的融液会跟随籽晶上升，其产品料棒下部的下轴也相应跟随同步缓慢上升，此时跟随籽晶提起的融液在通过高频线圈的拉制孔后，由于磁力线的减弱而冷凝形成硅芯。 
由于采用如上所述的技术方案，本发明具有如下有益效果： 
本发明所述的一种用产品料直接拉制硅芯的方法，本发明通过选用直径为￠110～￠160mm的产品料作为硅芯拉制的原料棒，其中直径为￠110～￠160mm的产品料在还原炉内生长时，由于其充分利用了晶棒的快速生长期，有效的降低了原料棒的成本，同时本发明中产品料棒在还原炉内生长时无需降低进料和沉积速度，有效的降低了晶棒的生长周期，本发明具有生产成本低，生产效率高等特点。
【具体实施方式】
通过下面的实施例可以更详细的解释本发明，公开本发明的目的旨在保护本发明范围内的一切变化和改进，本发明并不局限于下面的实施例；
本发明所述的一种用产品料直接拉制硅芯的方法，所述方法具体包括如下步骤：
一、制备产品料棒：
首先将竖硅芯两两一组插到还原炉的电极内，进一步用横硅芯将每两个竖硅芯连接在一起使两个竖硅芯和一个横硅芯形成一个闭合回路，进一步对电极通电并往炉体内通入还原气体，此时炉体内的还原气体会不断的吸附到硅芯的表面形成所需直径和致密度的￠110～￠160mm的产品料棒；其中产品料棒的致密度远远低于硅芯料棒的致密度，低致密度的料棒在生产过程中，还原效率高等；本发明中涉及到的两个竖硅芯和一个横硅芯搭接的结构和方法，本申请人已申报过专利，具体如下：
1、申请日为：2009-1-6，专利号为：200910064011.5；
2、申请日为：2011-6-2，专利号为：201110153461.9；
3、申请日为：2011-12-9，专利号为：201110408278.9；
二、产品料棒修整：
接上步，对第一步获取的产品料棒进行切割得到设定长度的产品料棒，进一步对产品料棒进行酸洗和清洗，然后对产品料棒的上端头进行修整，获取产品料棒上端的平面；或在所述产品料棒的上端平面与产品料棒的上部外缘直接设有上小下大的锥形结构；进一步，为了提高产品料棒在下轴上稳定夹持，在所述产品料棒的下端头修整为平面；
三、产品料棒的拉制准备：
接上步，将直径为￠130～￠200mm之间的高频线圈安装在硅芯炉内的高频线圈固定机构上，然后将第二步获取的产品料棒固定在下轴上，启动下轴升降机构使所述产品料棒上端接近但不接触高频线圈的下部；然后对拉制腔体进行抽真空和充保护性气体，待充气压力达到预定数值后，对高频线圈进行通水通电，利用高频线圈对产品料棒上端面进行感应加热；
四、硅芯拉制：
接上步，待产品料棒的上端头靠近高频线圈下面的部位融化并且对应高频线圈拉制孔形成融区后，籽晶夹头带着籽晶缓慢下降，所述籽晶夹头包括挂接机构、连接盘和夹持件，在所述连接盘的下面设有复数个夹持件，所述夹持件内分别设有籽晶，在连接盘上面的中部设有挂接机构，所述挂接机构连接机械手；使籽晶穿过高频线圈上的拉制孔并插入到产品料棒端头的小融区内，所述籽晶的端头与产品料棒端头的融液融为一体后，通过籽晶夹头将籽晶向上缓慢拉起，此时产品料棒上部的融液会跟随籽晶上升，其产品料棒下部的下轴也相应跟随同步缓慢上升，此时跟随籽晶提起的融液在通过高频线圈的拉制孔后，由于磁力线的减弱而冷凝获取硅芯。
所述步骤四的替换方式为待产品料棒的上端头靠近高频线圈下面的部位融化并且对应高频线圈拉制孔形成融区后，由上轴升降系统带动籽晶旋转装置缓慢下降，籽晶旋转装置带着籽晶缓慢下降，使籽晶穿过高频线圈上的拉制孔并插入到产品料棒端头的小融区内，所述籽晶的端头与产品料棒端头的融液融为一体后，通过籽晶旋转装置带动每个籽晶自转，通过籽晶的自转来克服拉制出硅芯椭圆的技术缺陷，然后在籽晶自转的同时利用提拉装置将旋转的籽晶缓慢拉起，此时产品料棒上部的融液会跟随籽晶上升，其产品料棒下部的下轴也相应跟随同步缓慢上升，此时跟随籽晶提起的融液在通过高频线圈的拉制孔后，由于磁力线的减弱而冷凝形成硅芯。 
所述步骤四的另一替换方式为待产品料棒的上端头靠近高频线圈下面的部位融化并且对应高频线圈拉制孔形成融区后，将由籽晶旋转装置带动自转的籽晶缓慢下降，使籽晶穿过高频线圈上的拉制孔并插入到产品料棒端头的小融区内，所述籽晶的端头与产品料棒端头的融液融为一体后，在籽晶旋转的同时利用提拉装置将籽晶缓慢拉起，此时产品料棒上部的融液会跟随籽晶上升，其产品料棒下部的下轴也相应跟随同步缓慢上升，此时跟随籽晶提起的融液在通过高频线圈的拉制孔后，由于磁力线的减弱而冷凝形成硅芯。 
本发明中所述的籽晶旋转装置包括连接盘、夹持件和旋转机构，在连接盘上设有旋转机构，所述旋转机构的输入端连接动力源，在连接盘的下部设有至少两个夹持件，所述每个夹持件连接旋转机构使夹持件自转，所述连接盘的上部连接提拉装置，具体结构本申请人已另行申报专利，具体如下： 
1、申请日为：2014-4-18，专利号为：201410169007.6；
2、申请日为：2014-4-18，专利号为：201410169006.1；
3、申请日为：2014-4-18，专利号为：201420201754.9。
另，本发明在具体实施过程中，为了提高拉制硅芯的结晶速度，进而提高硅芯的拉制速度，本发明在拉制过程中可以在高频线圈拉制孔的上方设置冷却机构，所述冷却机构加快拉制出的硅芯冷却，进而提高拉制效率，具体结构申请人已另行申报专利，具体为：申请日为：2014-4-21，专利号为：201410175547.5。 
本发明中涉及的高频线圈结构，申请人“申请人包括洛阳金诺机械工程有限公司和刘朝轩”在先已申请多项专利，具体如下： 
1、申请日为：2006-4-14，专利号为：200620031583.5；
2、申请日为：2006-4-14，专利号为：200620031584.X；
3、申请日为：2006-4-14，专利号为：200620031582.0；
4、申请日为：2007-1-19，专利号为：200720089222.0；
5、申请日为：2007-1-19，专利号为：200720089218.4；
6、申请日为：2007-1-19，专利号为：200720089216.5；
7、申请日为：2007-1-19，专利号为：200720089215.0；
8、申请日为：2007-1-19，专利号为：200720089224.X；
9、申请日为：2007-1-19，专利号为：200720089223.5；
10、申请日为：2007-1-19，专利号为：200720089220.1；
11、申请日为：2007-1-19，专利号为：200720089221.6；
12、申请日为：2007-1-19，专利号为：200720089219.9；
13、申请日为：2007-1-19，专利号为：200720089217.X；
14、申请日为：2007-2-13，专利号为：200720089464.X；
15、申请日为：2007-2-132，专利号为：00720089462.0；
16、申请日为：2007-2-13，专利号为：200720089458.4；
17、申请日为：2007-2-13，专利号为：200720089461.6；
18、申请日为：2007-2-13，专利号为：200720089460.1；
19、申请日为：2007-2-13，专利号为：200720089457.X；
20、申请日为：2007-2-13，专利号为：200720089459.9；
21、申请日为：2007-2-13，专利号为：200720089463.5；
22、申请日为：2008-11-25，专利号为：200810182056.8；
23、申请日为：2008-11-25，专利号为：200810181998.4；
24、申请日为：2009-1-6，专利号为：200910064016.8；
25、申请日为：2009-1-6，专利号为：200910064012.X；
26、申请日为：2008-11-2，专利号为：5200810182057.2；
27、申请日为：2008-11-2，专利号为：5200810181999.9；
28、申请日为：2008-11-2，专利号为：5200810182053.4；
29、申请日为：2008-11-2，专利号为：5200810182000.2；
30、申请日为：2009-1-6，专利号为：200910064013.4；
31、申请日为：2008-11-2，专利号为：5200810182054.9；
32、申请日为：2008-11-2，专利号为：5200810182058.7；
33、申请日为：2008-11-2，专利号为：5200810182052.X；
34、申请日为：2008-11-2，专利号为：5200810182055.3；
35、申请日为：2009-1-6，专利号为：200910064015.3；
36、申请日为：2009-1-6，专利号为：200910064014.9；
37、申请日为：2009-11-6，专利号为：PCT/CN2009/074838；
38、申请日为：2011-3-18，专利号为：201110075327.1；
39、申请日为：2011-3-18，专利号为：201110075346.4；
40、申请日为：2011-3-18，专利号为：201110075356.8；
41、申请日为：2011-3-18，专利号为：201110075333.7；
42、申请日为：2011-3-18，专利号为：201110074832.4；
43、申请日为：2011-3-18，专利号为：201110074826.9；
44、申请日为：2011-3-18，专利号为：201110075357.2；
45、申请日为：2011-3-22，专利号为：201110068519.X；
46、申请日为：2011-3-22，专利号为：201110068518.5；
47、申请日为：2011-3-22，专利号为：201110068520.2；
48、申请日为：2011-3-22，专利号为：201110068517.0；
49、申请日为：2011-9-20，专利号为：201120366356.9；
50、申请日为：2011-9-20，专利号为：201120365527.6；
51、申请日为：2011-9-20，专利号为：201120365577.4；
52、申请日为：2011-9-20，专利号为：201120352910.8；
53、申请日为：2011-9-20，专利号为：201120352917.X；
54、申请日为：2011-9-20，专利号为：201120365569.X；
55、申请日为：2011-9-20，专利号为：201120352971.4；
56、申请日为：2011-9-20，专利号为：201120352923.5；
57、申请日为：2011-9-20，专利号为：201120365572.1；
58、申请日为：2011-9-20，专利号为：201120352958.9；
59、申请日为：2011-9-20，专利号为：201120352975.2；
60、申请日为：2011-9-20，专利号为：201120365581.0；
61、申请日为：2011-11-2，专利号为：PCT/CN2011/001846；
62、申请日为：2012-9-9，专利号为：201210345703.9；
63、申请日为：2012-9-9，专利号为：201220477691.0；
64、申请日为：2012-9-9，专利号为：201210345713.2；
65、申请日为：2012-9-9，专利号为：201220477693.X；
66、申请日为：2012-9-9，专利号为：201210345715.1；
67、申请日为：2012-9-9，专利号为：201220477664.3；
68、申请日为：2012-9-9，专利号为：201210345695.8；
69、申请日为：2012-9-9，专利号为：201220477694.4；
70、申请日为：2012-9-9，专利号为：201210345683.5；
71、申请日为：2012-9-9，专利号为：201220477665.8；
72、申请日为：2012-9-9，专利号为：201210345727.4；
73、申请日为：2012-9-9，专利号为：201220477692.5；
74、申请日为：2012-9-9，专利号为：201210345685.4；
75、申请日为：2012-9-9，专利号为：201220477663.9；
76、申请日为：2012-12-25，专利号为：201210568147.1；
77、申请日为：2012-12-25，专利号为：201220751329.8；
78、申请日为：2012-12-25，专利号为：201210568154.1；
79、申请日为：2012-12-25，专利号为：201220751328.3；
80、申请日为：2012-12-25，专利号为：201210568214.X；
81、申请日为：2012-12-25，专利号为：201220751327.9；
82、申请日为：2012-12-25，专利号为：201210568215.4；
83、申请日为：2012-12-25，专利号为：201220751325.X；
84、申请日为：2012-12-25，专利号为：201210568262.9；
85、申请日为：2012-12-25，专利号为：201220751323.0；
86、申请日为：2012-12-25，专利号为：201210594976.7；
87、申请日为：2012-12-25，专利号为：201220751321.1；
88、申请日为：2012-12-25，专利号为：201210594977.1；
89、申请日为：2012-12-25，专利号为：201220751319.4；
90、申请日为：2012-12-25，专利号为：201210594979.0；
91、申请日为：2012-12-25，专利号为：201220751316.0；
92、申请日为：2012-12-25，专利号为：201210594980.3；
93、申请日为：2012-12-25，专利号为：201220751314.1；
94、申请日为：2012-12-25，专利号为：201210594988.X；
95、申请日为：2012-12-25，专利号为：201220751311.8；
96、申请日为：2012-12-25，专利号为：201210595001.6；
97、申请日为：2012-12-25，专利号为：201220751307.1；
98、申请日为：2012-12-25，专利号为：201210595003.5；
99、申请日为：2012-12-25，专利号为：201220751306.7；
100、申请日为：2012-12-25，专利号为：201210595005.4；
101、申请日为：2012-12-25，专利号为：201220751255.8；
102、申请日为：2012-12-25，专利号为：201210595008.8；
103、申请日为：2012-12-25，专利号为：201220751106.1；
104、申请日为：2012-12-27，专利号为：201210576421.X；
105、申请日为：2012-12-27，专利号为：201220752236.7；
106、申请日为：2012-12-27，专利号为：201210576401.2；
107、申请日为：2012-12-27，专利号为：201220752239.0；
108、申请日为：2012-12-27，专利号为：201210576433.2；
109、申请日为：2012-12-27，专利号为：201220752224.4；
110、申请日为：2014-4-25，专利号为：201410186452.3；
111、申请日为：2014-4-25，专利号为：201420217341.X。
本发明通过采用直径为￠110～￠160mm的产品料作为原料棒，大大降低了硅芯的拉制成本；因为产品料棒无需专业生长，同时还充分利用了晶棒的快速生长期，有效的降低了原料棒的成本等。 
以上内容中未细述部份为现有技术，故未做细述。 
为了公开本发明的目的而在本文中选用的实施例，当前认为是适宜的，但是，应了解的是，本发明旨在包括一切属于本构思和发明范围内的实施例的所有变化和改进。 

Claims (7)

1.一种用产品料直接拉制硅芯的方法，其特征是：所述方法具体包括如下步骤：
一、制备产品料棒：
首先将竖硅芯两两一组插到还原炉的电极内，进一步用横硅芯将每两个竖硅芯连接在一起使两个竖硅芯和一个横硅芯形成一个闭合回路，进一步对电极通电并往炉体内通入还原气体，此时炉体内的还原气体会不断的吸附到硅芯的表面形成所需直径和致密度的￠110～￠160mm产品料棒；
二、产品料棒修整：
接上步，对第一步获取的产品料棒进行切割得到设定长度的产品料棒，进一步对产品料棒进行酸洗和清洗，然后对产品料棒的上端头进行修整，获取产品料棒上端的平面；
三、产品料棒的拉制准备：
接上步，将大直径的高频线圈安装在硅芯炉内的高频线圈固定机构上，然后将第二步获取的产品料棒固定在下轴上，启动下轴升降机构使所述产品料棒上端接近但不接触高频线圈的下部；然后对高频线圈进行通水通电，利用高频线圈对产品料棒上端面进行感应加热；
四、硅芯拉制：
接上步，待产品料棒的上端头靠近高频线圈下面的部位融化并且对应高频线圈拉制孔形成融区后，籽晶夹头带着籽晶缓慢下降，使籽晶穿过高频线圈上的拉制孔并插入到产品料棒端头的小融区内，所述籽晶的端头与产品料棒端头的融液融为一体后，通过籽晶夹头将籽晶向上缓慢拉起，此时产品料棒上部的融液会跟随籽晶上升，其产品料棒下部的下轴也相应跟随同步缓慢上升，此时跟随籽晶提起的融液在通过高频线圈的拉制孔后，由于磁力线的减弱而冷凝获取硅芯。
2.根据权利要求1所述用产品料直接拉制硅芯的方法，其特征是：步骤二中的所述产品料棒的上端平面与产品料棒的上部外缘直接设有上小下大的锥形结构。
3.根据权利要求1所述用产品料直接拉制硅芯的方法，其特征是：步骤二中的所述产品料棒的下端头修整为平面，所述平面便于下轴的稳固夹持。
4.根据权利要求1所述用产品料直接拉制硅芯的方法，其特征是：步骤三中使用的高频线圈的线圈圆盘外缘的直径为￠130～￠200mm之间。
5.根据权利要求1所述用产品料直接拉制硅芯的方法，其特征是：步骤四中使用的籽晶夹头包括挂接机构、连接盘和夹持件，在所述连接盘的下面设有复数个夹持件，所述夹持件内分别设有籽晶，在连接盘上面的中部设有挂接机构，所述挂接机构连接机械手。
6.根据权利要求1所述用产品料直接拉制硅芯的方法，其特征是：所述步骤四中的硅芯拉制的替换方式为待产品料棒的上端头靠近高频线圈下面的部位融化并且对应高频线圈拉制孔形成融区后，籽晶旋转装置带着籽晶缓慢下降，使籽晶穿过高频线圈上的拉制孔并插入到产品料棒端头的小融区内，所述籽晶的端头与产品料棒端头的融液融为一体后，通过籽晶旋转装置带动每个籽晶自转，然后在籽晶自转的同时利用提拉装置将旋转的籽晶缓慢拉起，此时产品料棒上部的融液会跟随籽晶上升，其产品料棒下部的下轴也相应跟随同步缓慢上升，此时跟随籽晶提起的融液在通过高频线圈的拉制孔后，由于磁力线的减弱而冷凝形成硅芯。
7.根据权利要求1所述用产品料直接拉制硅芯的方法，其特征是：所述步骤四中的另一替换方式为待产品料棒的上端头靠近高频线圈下面的部位融化并且对应高频线圈拉制孔形成融区后，将由籽晶旋转装置带动自转的籽晶缓慢下降，使籽晶穿过高频线圈上的拉制孔并插入到产品料棒端头的小融区内，所述籽晶的端头与产品料棒端头的融液融为一体后，在籽晶旋转的同时利用提拉装置将籽晶缓慢拉起，此时产品料棒上部的融液会跟随籽晶上升，其产品料棒下部的下轴也相应跟随同步缓慢上升，此时跟随籽晶提起的融液在通过高频线圈的拉制孔后，由于磁力线的减弱而冷凝形成硅芯。
CN201410311486.0A 2014-07-02 2014-07-02 一种用产品料直接拉制硅芯的方法 Pending CN104264220A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410311486.0A CN104264220A (zh) 2014-07-02 2014-07-02 一种用产品料直接拉制硅芯的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410311486.0A CN104264220A (zh) 2014-07-02 2014-07-02 一种用产品料直接拉制硅芯的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104264220A true CN104264220A (zh) 2015-01-07

Family

ID=52155788

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410311486.0A Pending CN104264220A (zh) 2014-07-02 2014-07-02 一种用产品料直接拉制硅芯的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104264220A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105970288A (zh) * 2016-06-22 2016-09-28 江苏拜尔特光电设备有限公司 新型多晶硅芯棒拉制方法
CN111005070A (zh) * 2019-12-31 2020-04-14 亚洲硅业(青海)股份有限公司 П形硅芯拉制装置、п形硅芯拉制方法以及п形硅芯

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1365724A (en) * 1970-09-26 1974-09-04 Philips Electronic Associated Methods of manufacturing single crystals of semiconductor mater ial
EP0292920A1 (en) * 1987-05-25 1988-11-30 Shin-Etsu Handotai Company Limited RF Induction heating apparatus
JPH08104590A (ja) * 1994-05-18 1996-04-23 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン単結晶成長方法
US5550354A (en) * 1994-05-31 1996-08-27 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. High-frequency induction heating coil
JP2000327476A (ja) * 1999-05-24 2000-11-28 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 半導体単結晶製造装置および製造方法
CN200996058Y (zh) * 2007-01-19 2007-12-26 刘朝轩 一种一次可生产五根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
CN101457388A (zh) * 2008-11-25 2009-06-17 刘朝轩 可同时生产两根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构
CN201317831Y (zh) * 2008-12-26 2009-09-30 西安理工晶体科技有限公司 一种多晶硅双硅芯拉制装置
CN101570890A (zh) * 2009-01-06 2009-11-04 刘朝轩 可有效提高接触面积和减小电阻的孔式硅芯搭接方法
CN102344141A (zh) * 2011-06-02 2012-02-08 洛阳金诺机械工程有限公司 可提高接触面积和减小电阻的插接式硅芯搭接结构及方法
CN102691095A (zh) * 2011-03-22 2012-09-26 洛阳金诺机械工程有限公司 同时拉制多根硅芯的花瓣状高频感应加热线圈结构

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1365724A (en) * 1970-09-26 1974-09-04 Philips Electronic Associated Methods of manufacturing single crystals of semiconductor mater ial
EP0292920A1 (en) * 1987-05-25 1988-11-30 Shin-Etsu Handotai Company Limited RF Induction heating apparatus
JPH08104590A (ja) * 1994-05-18 1996-04-23 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン単結晶成長方法
US5550354A (en) * 1994-05-31 1996-08-27 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. High-frequency induction heating coil
JP2000327476A (ja) * 1999-05-24 2000-11-28 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 半導体単結晶製造装置および製造方法
CN200996058Y (zh) * 2007-01-19 2007-12-26 刘朝轩 一种一次可生产五根硅芯或其它晶体材料的高频线圈
CN101457388A (zh) * 2008-11-25 2009-06-17 刘朝轩 可同时生产两根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构
CN201317831Y (zh) * 2008-12-26 2009-09-30 西安理工晶体科技有限公司 一种多晶硅双硅芯拉制装置
CN101570890A (zh) * 2009-01-06 2009-11-04 刘朝轩 可有效提高接触面积和减小电阻的孔式硅芯搭接方法
CN102691095A (zh) * 2011-03-22 2012-09-26 洛阳金诺机械工程有限公司 同时拉制多根硅芯的花瓣状高频感应加热线圈结构
CN102344141A (zh) * 2011-06-02 2012-02-08 洛阳金诺机械工程有限公司 可提高接触面积和减小电阻的插接式硅芯搭接结构及方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105970288A (zh) * 2016-06-22 2016-09-28 江苏拜尔特光电设备有限公司 新型多晶硅芯棒拉制方法
CN111005070A (zh) * 2019-12-31 2020-04-14 亚洲硅业(青海)股份有限公司 П形硅芯拉制装置、п形硅芯拉制方法以及п形硅芯
CN111005070B (zh) * 2019-12-31 2020-12-15 亚洲硅业(青海)股份有限公司 П形硅芯拉制装置、п形硅芯拉制方法以及п形硅芯

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105803520B (zh) Cz‑80单晶炉自动收尾方法
CN103159215B (zh) 一种空心硅芯的拉制方法
CN202246997U (zh) 一种双层坩埚
CN102260900B (zh) 提高单晶硅纵向电阻率一致性的装置及其处理工艺
JP2012515698A5 (zh)
CN104264220A (zh) 一种用产品料直接拉制硅芯的方法
CN110512279A (zh) 能够提高收尾成功率的单晶炉收尾方法
CN103233264A (zh) 避免直拉法石英坩埚渗硅的硅料融化加热工艺
CN102345164A (zh) 一种高效率制备硅芯的方法和硅芯制备炉
CN105696079A (zh) 一种精密控制6英寸碳化硅单晶生长温场的方法
CN103590109A (zh) 直拉单晶炉磁场装置及使用该磁场装置的拉晶方法
CN107366017A (zh) 一种单晶硅收尾设备及其使用方法
CN206467323U (zh) 一种硅芯拉制装置
CN103422156A (zh) 一种多晶料在区熔单晶硅中的一次成晶工艺制备方法
CN103993352A (zh) 一种使籽晶转动的硅芯拉制方法
CN106757310A (zh) 一种硅芯拉制装置
CN113373518B (zh) 一种用于超大尺寸长等径铌酸锂生长的装置和方法
CN106637385A (zh) 便于调节温度梯度的直拉单晶用加热器及直拉单晶方法
CN104817086A (zh) 硅棒粘棒机
CN205115667U (zh) 一种直拉单晶用加热器
CN103436954A (zh) 制单晶硅棒时引晶用的籽晶和单晶硅棒的制作方法
CN204959080U (zh) 一种温控蓝宝石生长炉
CN202968741U (zh) 区熔单晶炉下轴运动机构
CN103981567B (zh) 一种用于区熔炉的载料装置及其自动载料方法
JP5240905B2 (ja) 磁界印加シリコン結晶育成方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150107

RJ01 Rejection of invention patent application after publication