JP2000319251A - 芳香族チオエーテル化合物の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 芳香族ハロゲン化物を出発原料として、芳香
族チオエーテル化合物を簡易かつ工業的に有利に製造す
ることのできる製造法を提供する。 【解決手段】一般式（２）で表される化合物を、塩基の
存在下にＲＳＨと反応させる、式（１）で表される芳香
族チオエーテル化合物の製造法。 【化１】 （式中、Ｘ¹ ，Ｘ² はハロゲン原子を表し、Ｗは、水素
原子、Ｃ_1-6 アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニト
ロ基、カルボキシル基等を表し、Ｙは、ベンゼン環の置
換基を表し、ｎは、０又１−３の整数をを表す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、農薬、医薬の製造
中間体として有用な芳香族チオエーテル化合物の製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】４−アルキルチオ安息香酸誘導体等のベ
ンゼン環にアルキルチオ基が置換した芳香族チオエーテ
ル化合物は、農薬、医薬の製造中間体として重要であ
り、該化合物を簡便かつ工業的に有利に製造できる方法
の開発が望まれている。

【０００３】従来、ベンゼン環等の芳香環にアルキルチ
オ基を導入する方法としては、例えば、（１）メルカプ
ト基をアルキルチオ基に変換する方法、（２）ハロゲン
原子をアルキルチオ基に変換する方法等が知られてい
る。

【０００４】上記した方法のうち、（１）のメルカプト
基からアルキルチオ基への変換する方法は、芳香族チオ
ールを塩基の存在下にアルキルハライドを作用させるこ
とにより行うものである。

【０００５】しかし、この方法は簡便且つ高収率である
が、原料となる芳香族チオールの入手が困難である場合
が多い。例えば、芳香族チオールの合成法としては、
芳香族スルホニルクロリドを還元する方法、芳香族ジ
スルフィドを還元する方法、芳香族スルホンアミドを
還元する方法、キサントゲン酸エステルをアルカリ加
水分解する方法、アニリン類をジアゾ化したのち、キ
サントゲン酸塩を作用させ、加水分解する方法、フェ
ノール類に五硫化二リンを作用させる方法等が知られて
いるが、一般的に製造コストは高いものであり、しか
も、他の置換基の種類やメルカプト基の置換位置によっ
ては、合成が困難な場合がある。

【０００６】一方、（２）の方法は、芳香族ハロゲン化
物を出発原料とし、ハロゲン原子をアルキルチオ基に変
換するものである。芳香族ハロゲン化物はこれまでに数
多くのものが合成され、工業的に入手容易なものも多
い。従って、芳香族ハロゲン化物を出発原料として、簡
便且つ高収率な芳香族チオエーテル化合物を製造する方
法を見い出すことができれば、工業的に有利な製造方法
となり得る。

【０００７】また、本発明に関連するものとして、ＵＳ
Ｐ．３，８６７，４３３号公報には、下記の反応式に示
すような４−ハロゲノ安息香酸誘導体の４位のハロゲン
原子を、塩基の存在下にアルカンチオールを作用させる
ことによって、４−アルキルチオ安息香酸誘導体に導く
方法が記載されている。

【０００８】

【化６】

【０００９】さらに、芳香族ハロゲン化物の脱ハロゲン
化としては、例えば、新実験化学講座 １４巻 有機化
合物の合成と反応［Ｉ］２２−３０頁（日本化学会編
丸善）に記載されているように、パラジウム−カーボン
あるいはラネーニッケルを触媒として用いる接触水素化
分解による方法、リチウム、ナトリウムなどの金属およ
び金属塩を用いる方法、スズ水素化物による水素化還元
法、水素化アルミニウムリチウムなどの金属水素錯化合
物による還元法や電解還元法等が知られている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、農薬・医薬
など、特に除草活性を有する化合物の中間体として有用
な４−アルキルチオ安息香酸誘導体等の芳香族チオエー
テル化合物を、より簡便かつ高収率で得ることができる
工業的に有利な製造方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、４，５−
ジクロロ安息香酸誘導体に、塩基の存在下、メタンチオ
ール等のアルカンチオールを作用させると、４位の塩素
原子がアルキルチオ基に置換され、更に５位の塩素原子
が脱クロル化されて、４−アルキルチオ安息香酸誘導体
が高収率で得られることを見い出した。

【００１２】さらに、本発明者らはこの方法の一般化を
試みた。即ち、芳香環（ベンゼン環）に結合したある種
の置換基Ｗと、該置換基Ｗと所定の位置関係を有し、該
芳香環に隣接して結合する少なくとも２個のハロゲン原
子（Ｘ¹ ，Ｘ² ）とを有する芳香族ハロゲン化物に、ア
ルカンチオール（ＲＳＨ）を塩基の存在下に、或いはア
ルカンチオールの塩と反応させることによって、前記２
個のハロゲン原子のうち、置換基Ｗと特定の位置関係を
有するハロゲン原子がアルキルチオ基（ＳＲ基）と置換
され、他の一つのハロゲン原子が水素原子と置換される
（脱ハロゲン化）ことにより、芳香族チオエーテル化合
物が高収率で得られることを見い出し、本発明を完成す
るに至った。即ち、本発明は、一般式（２）

【００１３】

【化７】

【００１４】〔式中、Ｘ¹ ，Ｘ² は、それぞれ独立して
ハロゲン原子を表し、Ｗは、水素原子、シアノ基、ニト
ロ基、カルボキシル基、ハロゲン原子、Ｃ_{1- 6} アルキル
基、Ｃ_1-6 ハロアルキル基、Ｃ_1-6 アルコキシ基、Ｃ
_1-6 アルコキシカルボニル基、Ｃ_1-6 アルキルカルボニ
ル基、ＣＯＮＲ¹ Ｒ² （Ｒ¹ 及びＲ² は、それぞれ独立
して水素原子又はＣ_1-6 アルキル基を表す。また、Ｒ¹
及びＲ²はＮと一緒になって環を形成してもよい。）、
Ｃ_1-6 アルキルスルホニル基、又はＳＯ₂ ＮＲ³ Ｒ
⁴ （Ｒ³ 及びＲ⁴ は、それぞれ独立して水素原子又はＣ
_1-6 アルキル基を表す。また、Ｒ³ 及びＲ⁴ はＮと一緒
になって環を形成してもよい。）を表す。Ｙは、ベンゼ
ン環の置換基を表す。ｎは、０又は１−３の整数を表
す。〕で表される芳香族ハロゲン化物と、式ＲＳＨ（Ｒ
は、Ｃ_1-6 アルキル基を表す。）で表されるアルカンチ
オール及び塩基、又は式ＲＳＨ（Ｒは前記と同じ意味を
表す。）で表されるアルカンチオールの塩とを反応させ
ることを特徴とする、一般式（１）

【００１５】

【化８】

【００１６】（式中、Ｗ，Ｙ，Ｒ及びｎは、前記と同じ
意味を表す。）で表される芳香族チオエーテル化合物の
製造方法である。

【００１７】前記本発明の製造方法においては、前記一
般式（２）で表される芳香族ハロゲン化物と、式ＲＳＨ
（ＲはＣ_1-6 アルキル基を表す。）で表されるアルカン
チオール及び塩基、又は式ＲＳＨ（Ｒは前記と同じ意味
を表す。）で表されるアルカンチオールの塩とを、所定
波長の光照射下に反応させるのが好ましい。

【００１８】前記本発明の製造方法は、前記一般式
（１）で表される化合物のうち、Ｗがカルボキシル基又
はＣ_1-6 アルコキシカルボニル基である安息香酸誘導体
の製造方法であるのが好ましい。

【００１９】また、前記一般式（２）で表される化合物
は、好ましくは、一般式（３）

【００２０】

【化９】

【００２１】〔式中、Ｘ¹ ，Ｘ² は、それぞれ独立して
ハロゲン原子を表し、Ｒ⁵ は、水素原子又はＣ_1-6 アル
キル基を表し、Ｒ⁶ は、水素原子、ニトロ基、シアノ
基、水酸基、ホルミル基、ハロゲン原子、Ｃ_1-6 アルキ
ル基、Ｃ_1-6 ハロアルキル基、Ｃ_1-6 アルコキシ基、Ｃ
_1-6 ハロアルコシ基、Ｃ_1-6 アルコキシカルボニル基、
Ｃ_1-6 アルキルチオ基、Ｃ_1-6 アルキルスルホニル基、
Ｃ_1-6 アルコキシＣ_1-6 アルキル基、Ｃ_1-6 アルキルチ
オＣ_1-6 アルキル基、Ｃ_1-6 アルキルスルホニルＣ_1-6
アルキル基、Ｃ_1-6 アルコキシＣ_1-6 アルコキシ基、Ｃ
_1-6 アルキルチオＣ_1-6 アルコキシ基、Ｃ_1-6 アルキル
スルフィニルＣ_1-6 アルコキシ基、Ｃ_1-6 アルキルスル
ホニルＣ_1-6 アルコキシ基、Ｃ_1-6 アルキルカルボニル
基、ＣＯＮＲ⁷ Ｒ⁸ （Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は、それぞれ独立して
水素原子又はＣ_1-6 アルキル基を表す。）で表される
基、ＮＲ⁹ Ｒ¹⁰（Ｒ⁹ ，Ｒ¹⁰は、それぞれ独立して水素
原子、ホルミル基、Ｃ_1-6 アルキル基、Ｃ_1-6 アルキル
カルボニル基、Ｃ_1-6 アルキルスルホニル基、Ｃ_1-6 ア
ルコキシカルボニル基を表す。）を表す。

【００２２】Ｑは、水素原子、ニトロ基、シアノ基、カ
ルボキシル基、ハロゲン原子、Ｃ_{1- 6} アルキル基、Ｃ
_1-6 アルコキシ基、Ｃ_1-6 ハロアルキル基、Ｃ_1-6 ハロ
アルコキシ基、Ｃ_1-6 アルコキシカルボニル基、ＣＯＮ
Ｒ¹¹Ｒ¹²（Ｒ¹¹，Ｒ¹²は、それぞれ独立して水素原子又
はＣ_1-6 アルキル基を表す。）、ＣＨ（ＯＲ¹³）ＯＲ¹⁴
（Ｒ¹³，Ｒ¹⁴はそれぞれ独立してＣ_1-6 アルキル基を表
す。また、Ｒ¹³とＲ¹⁴は結合して、Ｃ_2-3 アルキレン基
を形成してもよい。）、Ｃ_1-6 アルキルチオ基、Ｃ_1-6
アルキルスルホニル基、Ｃ_1-6 アルコキシＣ_1-6 アルキ
ル基、Ｃ_1-6 アルキルチオＣ_1-6 アルキル基、Ｃ_1-6 ア
ルキルスルホニルＣ_1-6 アルキル基、Ｃ_{1- 6} アルコキシ
Ｃ_1-6 アルコキシ基、Ｃ_1-6 アルキルチオＣ_1-6 アルコ
キシ基、Ｃ _1-6 アルキルスルフィニルＣ_1-6 アルコキシ
基、Ｃ_1-6 アルキルスルホニルＣ_{1- 6} アルコキシ基、Ｃ
_1-6 アルキルカルボニル基、ＣＯＮＲ¹⁵Ｒ¹⁶（Ｒ¹⁵，Ｒ
¹⁶は、それぞれ独立して水素原子又はＣ_1-6 アルキル基
を表す。）で表される基、ＮＲ¹⁷Ｒ¹⁸（Ｒ¹⁷，Ｒ¹⁸は、
それぞれ独立して水素原子、ホルミル基、Ｃ_1-6 アルキ
ル基、Ｃ_1-6 アルキルカルボニル基、Ｃ_1-6 アルキルス
ルホニル基、Ｃ_1-6 アルコキシカルボニル基を表
す。）、又は、

【００２３】炭素原子でベンゼン環部と結合する、Ｎ，
Ｏ若しくはＳ原子を１〜４個含む置換基を有していても
よい飽和或いは不飽和の５若しくは６員ヘテロ環基を表
す。また、前記Ｒ⁶ とＱは一緒になって、それぞれが置
換しているベンゼン環を含めて５又は６員環を形成して
もよい。〕で表される４，５−ジハロゲノ安息香酸誘導
体と、式ＲＳＨ（Ｒは前記と同じ意味を表す。）で表さ
れるアルカンチオール及び塩基、又は式ＲＳＨ（Ｒは前
記と同じ意味を表す。）で表されるアルカンチオールの
塩とを反応させることを特徴とする、一般式（４）

【００２４】

【化１０】

【００２５】（式中、Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ ，Ｑ及びＲは、前記と
同じ意味を表す。）で表される安息香酸誘導体の製造方
法であるのが好ましい。

【００２６】また、前記一般式（３）で表される４，５
−ジハロゲノ安息香酸誘導体と、式ＲＳＨ（ＲはＣ_1-6
アルキル基を表す。）で表されるアルカンチオール及び
塩基、又は式ＲＳＨ（Ｒは前記と同じ意味を表す。）で
表されるアルカンチオールの塩とを、所定波長の光照射
下に反応させるのが好ましい。

【００２７】前記一般式（３）及び（４）で表される化
合物において、前記Ｑは、次のＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ
４，Ｑ５，Ｑ６，Ｑ７，Ｑ８及びＱ９

【００２８】

【化１１】

【００２９】（式中、Ｒ¹¹は、Ｃ_1-6 アルキル基又はＣ
_1-6 ハロアルキル基を表し、ｍは、０１又は２を表す。
また、Ｒ¹²は、水素原子又はＣ_1-6 アルキル基を表
す。）からなる群から選ばれる基のいずれか１種である
のが好ましい。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の製造方法について
詳細に説明する。本発明に係る前記一般式（１）及び
（２）で表される化合物において、Ｘ¹ 及びＸ² は、そ
れぞれ独立して、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロ
ゲン原子を表す。

【００３１】Ｗは、水素原子、シアノ基、ニトロ基、カ
ルボキシル基、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、ｔ−ブチル基等のＣ_1-6アルキル基、メト
キシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキ
シ、ｔ−ブトキシ基等のＣ_1-6 アルコキシ基、トリクロ
ロメチル、トリフルオロメチル、トリブロモメチル、ト
リフルオロエチル、トリクロロエチル、ペンタフルオロ
エチル基等のＣ_1-6 ハロアルキル基、メトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、イソ
プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ｓｅｃ−
ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル基等のＣ
_1-6 アルコキシカルボニル基、アセチル基、プロピオニ
ル基等のＣ_1-6 アルキルカルボニル基、ホルミル基、ベ
ンゾイル基、

【００３２】カルバモイル基、メチルカルバモイル基、
エチルカルバモイル基、プロピルカルバモイル基、ブチ
ルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、ジエチルカル
バモイル、メチルエチルカルバモイル、フェニルカルバ
モイル、フェニルメチルカルバモイル基等のＣＯＮＲ¹
Ｒ² で表される基、メチルスルホニル、エチルスルホニ
ル、プロピルスルホニル、イソプロピルスルホニル、ブ
チルスルホニル、ｔ−ブチルスルホニル基等のＣ_1-6 ア
ルキルスルホニル基、スルホンアミド、Ｎ−メチルスル
ホンアミド、Ｎ−エチルスルホンアミド、Ｎ−プロピル
スルホンアミド、Ｎ−ブチルスルホンアミド、Ｎ−フェ
ニルスルホンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルホンアミ
ド、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルスルホンアミド、Ｎ−メチ
ル−Ｎ−フェニルスルホンアミド基等のＳＯ₂ ＮＲ³ Ｒ
⁴ で表される基等を表す。

【００３３】Ｙは、ベンゼン環に置換する任意の基、好
ましくは、後述するＲ⁶ やＱと同じ意味を表す。又、ｎ
が２以上を表すとき、Ｙは同一でも相異なっていてもよ
い。

【００３４】Ｒは、メチル，エチル，プロピル，イソプ
ロピル，ｎ−ブチル，イソブチル，ｓ−ブチル，ｔ−ブ
チル，ペンチル，ヘキシルなどのＣ_1-6 アルキル基を表
す。

【００３５】前記一般式（３）において、Ｘ¹ ，Ｘ
² は、それぞれ独立して、フッ素、塩素、臭素等のハロ
ゲン原子を表し、Ｒ⁵ は、水素原子、又は、メチル、エ
チル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル基
等のＣ_1-6 アルキル基を表し、Ｒ⁶ は、水素原子、ニト
ロ基、シアノ基、水酸基、ホルミル基、フッ素、塩素、
臭素等のハロゲン原子、メチル，エチル，プロピル，イ
ソプロピル，ｎ−ブチル，ｔ−ブチル基等のＣ _1-6 アル
キル基、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル基
等のＣ_1-6 ハロアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、イソプロポキシ基等のＣ_1-6 アルコキシ基、ト
リフルオロメトキシ基等のＣ_1-6 ハロアルコキシ基、メ
トキシカルボニル、エトキシカルボニル基等のＣ_1-6 ア
ルコキシカルボニル基、メチルチオ、エチルチオ、プロ
ピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、ｔ−ブチル
チオ基等のＣ_1-6 アルキルチオ基、メチルスルホニル、
エチルスルホニル、プロピルスルホニル、イソプロピル
スルホニル基等のＣ_1-6 アルキルスルホニル基、

【００３６】メトキシメチル、エトキシメチル、プロポ
キシメチル、イソプロポキシメチル、メトキシエチル、
エトキシエチル、プロポキシエチル、メトキシプロピ
ル、エトキシプロピル基等のＣ_1-6 アルコキシＣ_1-6 ア
ルキル基、メチルチオメチル、エチルチオメチル、プロ
ピルチオメチル、メチルチオエチル、エチルチオエチ
ル、プロピルチオエチル基等のＣ_1-6 アルキルチオＣ
_1-6 アルキル基、メチルスルフィニルメチル、エチルス
ルフィニルメチル、プロピルスルフィニルメチル、メチ
ルスルフィニルエチル基等のＣ_1-6 アルキルスルホニル
Ｃ_1-6 アルキル基、

【００３７】メトキシメトキシ、メトキシエトキシ、メ
トキシプロポキシ、メトキシブトキシ、エトキシメトキ
シ、エトキシエトキシ、イソプロポキシメトキシ基等の
Ｃ_{1- 6} アルコキシＣ_1-6 アルコキシ基、メチルチオメト
キシ、メチルチオエトキシ、エチルチオメトキシ、エチ
ルチオエトキシ、プロピルチオメトキシ、プロピルチオ
エトキシ基等のＣ_1-6 アルキルチオＣ_1-6 アルコキシ
基、メチルスルフィニルメトキシ、エチルスルフィニル
エトキシ、プロピルスルフィニルメトキシ基等のＣ_1-6
アルキルスルフィニルＣ_1-6 アルコキシ基、メチルスル
ホニルメトキシ、メチルスルホニルエトキシ、メチルス
ルホニルプロポキシ、エチルスルホニルエトキシ基等の
Ｃ_1-6 アルキルスルホニルＣ_1-6 アルコキシ基、

【００３８】アセチル、プロピオニル基等のＣ_1-6 アル
キルカルボニル基、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモ
イル、Ｎ−エチルカルバモイル、Ｎ−ベンジルカルバモ
イル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルカルバモイル、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルカルバモイ
ル等のＣＯＮＲ⁷ Ｒ⁸ で表される基、アミノ、メチルア
ミノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、ブチルアミノ、
ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ベンジルアミノ、ジ
ベンジルアミノ、アセチルアミノ、ホルミルアミノ、メ
トキシカルボニルアミノ、メチルスルホニルアミノ、ベ
ンゾイルアミノ、メチルアセチルアミノ基等のＮＲ⁹ Ｒ
¹⁰で表される基を表す。

【００３９】Ｑは、水素原子、ニトロ基、シアノ基、カ
ルボキシル基、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル基等
のＣ_1-6 アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、イソプロポキシ、ブトキシ基等のＣ_1-6 アルコキシ
基、トリフルオロメチル、トリフルオロエチル、ペンタ
フルオロエチル基等のＣ_{1- 6} ハロアルキル基、トリフル
オロメトキシ基等のＣ_1-6 ハロアルコキシ基、メトキシ
カルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニ
ル基等のＣ_{1- 6} アルコキシカルボニル基、カルバモイ
ル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ−エチルカルバモイ
ル、Ｎ−ベンジルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカル
バモイル、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイル、Ｎ−メチル
−Ｎ−プロピルカルバモイル等のＣＯＮＲ¹¹Ｒ¹²で表さ
れる基、

【００４０】ジメトキシメチル、ジエトキシメチル、
１，３−ジオキソラン−２−イル、４，４−ジメチル−
１，３−ジオキソラン−２−イル、１、３−ジオキサン
−２−イル、５，５−ジメチル−１，３−ジオキソラン
−２−イル基等のＣＨ（ＯＲ¹³）ＯＲ¹⁴で表される基、
メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、ブチルチオ基
等のＣ_1-6 アルキルチオ基、メチルスルホニル、エチル
スルホニル、プロピルスルホニル基等のＣ_1-6 アルキル
スルホニル基、メトキシメチル、エトキシメチル、プロ
ポキシメチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、エ
トキシエチル基等のＣ_1-6 アルコキシＣ_1-6 アルキル
基、メチルチオメチル、メチルチオエチル、メチルチオ
プロピル、エチルチオメチル、エチルチオエチル、プロ
ピルチオエチル基等のＣ_1-6 アルキルチオＣ_1-6 アルキ
ル基、メチルスルホニルメチル、メチルスルホニルエチ
ル、メチルスルホニルプロピル、エチルスルホニルメチ
ル、エチルスルホニルエチル基等のＣ_1-6 アルキルスル
ホニルＣ_1-6 アルキル基、メトキシメトキシ、メトキシ
エトキシ、メトキシプロポキシ、エトキシメトキシ、エ
トキシエトキシ、プロポキシエトキシ基等のＣ_1-6 アル
コキシＣ_1-6 アルコキシ基、

【００４１】メチルチオメトキシ、エチルチオメトキ
シ、プロピルチオメトキシ、メチルチオエトキシ、エチ
ルチオエトキシ、プロピルチオエトキシ基等のＣ_1-6 ア
ルキルチオＣ_1-6 アルコキシ基、メチルスルフィニルメ
トキシ、エチルスルフィニルエトキシ、エチルスルフィ
ニルメトキシ、エチルスルフィニルエトキシ基等のＣ
_1-6 アルキルスルフィニルＣ_1-6 アルコキシ基、メチル
スルホニルメトキシ、エチルスルホニルメトキシ、プロ
ピルスルホニルメトキシ、メチルスルホニルエトキシ、
エチルスルホニルエトキシ、プロピルスルホニルエトキ
シ基等のＣ_1-6 アルキルスルホニルＣ_1-6 アルコキシ
基、アセチル、プロピオニル基等のＣ_1-6 アルキルカル
ボニル基、アミノ、メチルアミノ、エチルアミノ、プロ
ピルアミノ、ブチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチル
アミノ、ベンジルアミノ、ジベンジルアミノ、アセチル
アミノ、ホルミルアミノ、メトキシカルボニルアミノ、
メチルスルホニルアミノ、ベンゾイルアミノ、メチルア
セチルアミノ基等のＮＲ¹⁷Ｒ¹⁸で表される基、又は、炭
素原子でベンゼン環部と結合する、Ｎ，Ｏ若しくはＳ原
子を１〜４個含む置換基を有していてもよい飽和或いは
不飽和の５若しくは６員ヘテロ環基を表す。

【００４２】Ｑの好ましいヘテロ環基としては、前記Ｑ
１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６，Ｑ７，Ｑ８又はＱ
９で表される基を挙げることができる。前記Ｑ１〜Ｑ９
中、Ｒ¹¹は、Ｃ_1-6 アルキル基又はＣ_1-6 ハロアルキル
基を表し、ｍは、０、１又は２を表す。Ｒ¹²は、水素原
子又はＣ_1-6 アルキル基を表す。

【００４３】前記Ｑ１〜Ｑ９のＲ¹¹のＣ_1-4 アルキル基
としては、メチル，エチル，プロピル，イソプロピル，
ｎ−ブチル，イソブチル，ｓ−ブチル，ｔ−ブチルなど
が、Ｃ_1-4 ハロアルキル基としては、クロロメチル，ジ
クロロメチル，トリクロロメチル，フルオロメチル，ジ
フルオロメチル，トリフルオロメチル，１−フルオロエ
チル，１，１−ジフルオロエチル，２，２，２−トリフ
ルオロエチル，ペンタフルオロエチル等をそれぞれ例示
することができる。

【００４４】Ｑのより好ましいヘテロ環基としては、例
えば、２−フリル、３−フリル、２−チエニル、３−チ
エニル、２，３−ジヒドロフラン−２−イル、２，３−
ジヒドロフラン−３−イル、２，３−ジヒドロフラン−
４−イル、２，３−ジヒドロフラン−５−イル、２，５
−ジヒドロフラン−２−イル、２，５−ジヒドロフラン
−３−イル、２，３−ジヒドロチオフェン−２−イル、
２，３−ジヒドロチオフェン−３−イル、２，３−ジヒ
ドロチオフェン−４−イル、２，３−ジヒドロチオフェ
ン−５−イル、２，５−ジヒドロチオフェン−２−イ
ル、２，５−ジヒドロチオフェン−３−イル、

【００４５】ピロール−２−イル、ピロール−３−イ
ル、イミダゾール−２−イル、イミダゾール−４−イ
ル、イミダゾール−５−イル、２−イミダゾリン−２−
イル、２−イミダゾリン−４−イル、２−イミダゾリン
−５−イル、ピラゾール−３−イル、ピラゾール−４−
イル、ピラゾール−５−イル、オキサゾール−２−イ
ル、オキサゾール−４−イル、オキサゾール−５−イ
ル、イソオキサゾール−３−イル、イソオキサゾール−
４−イル、イソオキサゾール−５−イル、１，２，４−
オキサジアゾール−３−イル、１，２，４−オキサジア
ゾール−５−イル、１，３，４−オキサジアゾール−２
−イル、１，２，３−オキサジアゾール−４−イル、
１，２，３−オキサジアゾール−５−イル、１，２，５
−オキサジアゾール−３−イル、

【００４６】２−チアゾリル、４−チアゾリル、５−チ
アゾリル、イソチアゾール−３−イル、イソチアゾール
−４−イル、イソチアゾール−５−イル，１，２，４−
チアジアゾール−３−イル、１，２，４−チアジアゾー
ル−５−イル、１，３，４−チアジアゾール−２−イ
ル、１，２，３−チアジアゾール−４−イル、１，２，
３−チアジアゾール−５−イル、１，２，５−チアジア
ゾール−３−イル、１，２，４−トリアゾール−３−イ
ル、１，２，４−トリアゾール−５−イル、１，３，４
−トリアゾール−２−イル、１，２，３−トリアゾール
−４−イル、１，２，３−トリアゾール−５−イル、テ
トラゾール−５−イル、

【００４７】２−ピロリン−１−イル、２−ピロリン−
２−イル、２−ピロリン−３−イル、２−ピロリン−４
−イル、２−ピロリン−５−イル、２−オキサゾリン−
２−イル、２−オキサゾリン−４−イル、２−オキサゾ
リン−５−イル、３−オキサゾリン−２−イル、３−オ
キサゾリン−４−イル、３−オキサゾリン−５−イル、
４−オキサゾリン−２−イル、４−オキサゾリン−４−
イル、４−オキサゾリン−５−イル、２−イソオキサゾ
リン−３−イル、２−イソオキサゾリン−４−イル、２
−イソオキサゾリン−５−イル、３−イソオキサゾリン
−３−イル、３−イソオキサゾリン−４−イル、３−イ
ソオキサゾリン−５−イル、４−イソオキサゾリン−３
−イル、４−イソオキサゾリン−４−イル、４−イソオ
キサゾリン−５−イル、

【００４８】２−チアゾリン−２−イル、４−チアゾリ
ン−４−イル、４−チアゾリン−５−イル、２−イソチ
アゾリン−２−イル、２−イソチアゾリン−４−イル、
２−イソチアゾリン−５−イル、３−イソチアゾリン−
３−イル、３−イソチアゾリン−４−イル、３−イソチ
アゾリン−５−イル、４−イソチアゾリン−３−イル、
４−イソチアゾリン−４−イル、４−イソチアゾリン−
５−イル、１−ピラゾリン−３−イル、１−ピラゾリン
−４−イル、１−ピラゾリン−５−イル、２−ピラゾリ
ン−３−イル、２−ピラゾリン−４−イル、２−ピラゾ
リン−５−イル、３−ピラゾリン−３−イル、３−ピラ
ゾリン−４−イル、３−ピラゾリン−５−イル等のＮ，
Ｏ若しくはＳ原子を１〜４個含む５員環ヘテロ環基、

【００４９】２−ピロリジニル、３−ピロリジニル、２
−テトラヒドロフラニル、３−テトラヒドロフラニル、
２−テトラヒドロチエニル、３−テトラヒドロチエニ
ル、２−オキサゾリジニル、４−オキサゾリジニル、５
−オキサゾリジニル、３−オキサゾリジニル、４−オキ
サゾリジニル、５−オキサゾリジニル、３−イソオキサ
ゾリジニル、４−イソオキサゾリジニル、５−イソオキ
サゾリジニル、２−チアゾリジニル、４−チアゾリジニ
ル、５−イソチアゾリジニル，３−イソチアゾリジニ
ル、４−イソチアゾリジニル、５−イソチアゾリジニ
ル、２−イミダゾリジニル、４−イミダゾリジニル、
１，２，４−オキサジアゾリジン−３−イル、１，２，
４−オキサジアゾリジン−５−イル、１，３，４−オキ
サジアゾリジン−２−イル、

【００５０】１，２，４−チアジアゾリジン−３−イ
ル、１，２，４−チアジアゾリジン−５−イル、１，
３，４−チアジアゾリジン−２−イル、１，３，４−ト
リアゾリジン−２−イル、１，３−ジオキソラン−２−
イル、１，３−ジオキソラン−４−イル、１，３−ジチ
オラン−２−イル、１，３−ジチオラン−４−イル、
１，３−オキサチオラン等のＮ，Ｏ若しくはＳ原子を１
〜４個含む飽和の５員環ヘテロ環基、

【００５１】２−ピリジル、３−ピリジル、４−ピリジ
ル、３−ピリダジニル、４−ピリダジニル、２−ピリミ
ジニル、４−ピリミジニル、５−ピリミジニル、ピラジ
ン−２−イル、２Ｈ−ピラン−３−イル、２Ｈ−チオピ
ラン−３−イル、２−ピペリジニル、３−ピペリジニ
ル、４−ピペリジニル、２−ピペラジニル、２−モルホ
リニル、３−モルホリニル、５，６−ジヒドロ−４Ｈ−
１，３−チアジン−２−イル、２−テトラヒドロピラニ
ル、３−テトラヒドロピラニル、４−テトラヒドロピラ
ニル、２−テトラヒドロチオピラニル、３−テトラヒド
ロチオピラニル、４−テトラヒドロチオピラニル等の
Ｎ，Ｏ若しくはＳ原子を１〜４個含む６員環ヘテロ環基
を例示することができる。

【００５２】また、前記Ｒ⁶ とＱは一緒になって、それ
ぞれが置換しているベンゼン環を含めて５又は６員環を
形成してもよい。

【００５３】かかる縮合環を有する前記一般式（３）及
び（４）で表される化合物としては、以下の化合物を例
示することができる。

【００５４】

【化１２】

【００５５】（式中、Ｗ，Ｘ¹ 及びＸ² は、前記と同じ
意味を表し、Ｒ¹⁹は、Ｃ_1-6 アルキル基、Ｃ_1-6 アルコ
キシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基等を表し、
ｌは、０又は１〜４の整数を表す。）

【００５６】次に、本発明の製造方法について詳細に説
明する。

【００５７】

【化１３】

【００５８】（式中、Ｘ¹ ，Ｘ² ，Ｗ，Ｙ，Ｒ及びｎ
は、前記と同じ意味を表す。）

【００５９】即ち、一般式（２）で表される芳香族ハロ
ゲン化物を、適当な不活性溶媒中、塩基の存在下、過剰
量の式ＲＳＨ（Ｒは前記と同じ意味を表す。）で表され
るアルカンチオールと反応させることによって、一般式
（１）で表される芳香族チオエーテル化合物を製造する
ことができる。

【００６０】なお、この反応においては、芳香族ハロゲ
ン化物（２）に対して、０．１〜５倍当量の水を添加す
ることによって、反応がより円滑に進行する場合があ
る。

【００６１】またこの反応においては、光（所定波長の
光）照射下で行うと反応がより円滑に進行する。光源と
しては、太陽光、蛍光灯、水銀燈、アーク燈、白熱燈等
の種々の光源を用いることができる。

【００６２】この反応において用いられる溶媒として
は、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ），Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド，Ｎ−メチルピロリドンなどのアミド類
が特に好ましいが、これに限定されるものではない。

【００６３】用いられる塩基としては、水酸化ナトリウ
ム，水酸化カリウムなどの水酸化物、炭酸ナトリウム，
炭酸水素ナトリウム，炭酸カリウム，炭酸水素カリウム
などの炭酸塩類、ナトリウムメチラート，ナトリウムエ
チラート，カリウムｔ−ブトキシドなどの金属アルコラ
ート類などが挙げられる。

【００６４】又、この場合、予めアルカンチオールと塩
基からアルカンチオールのナトリウム塩やカリウム塩等
のアルカンチオールの塩を調製し、反応に用いることも
できる。

【００６５】用いられる塩基およびアルカンチオールの
量は、芳香族ハロゲン化物（２）に対して、２〜２０当
量が好ましい。

【００６６】一般式（１）で表される化合物のうち、Ｗ
がＣＯ₂ Ｒ⁵ である安息香酸誘導体は、下記反応式に示
すように、ＳＲ基の酸化反応により対応するＳＯ₂ Ｒ体
（５）に誘導することができる。この酸化反応は、例え
ば、水、メタノール、エタノール等のアルコール類、酢
酸などの有機酸、ジクロロメタン，クロロホルム，四塩
化炭素などのハロゲン化炭化水素などの不活性溶媒中、
過酸化水素，過酢酸，過安息香酸，ｍ−クロロ過安息香
酸などの過酸、次亜塩素酸ナトリウム，次亜塩素酸カリ
ウムなどの次亜塩素酸などの酸化剤を使用して行うこと
ができる。反応は、０℃から用いられる溶媒の沸点まで
の温度範囲で円滑に進行する。

【００６７】

【化１４】

【００６８】なお、前記ＳＯ₂ Ｒ体（５）のうち、ベン
ゼン環の２位の置換基がＲ⁶ であり、３位の置換基がＱ
である化合物（５’）は、以下に示す製造法によっても
製造することができる。

【００６９】

【化１５】

【００７０】一般式（６）で表される化合物は、一般式
（３’）で表される化合物に、一般式（３’）で表され
る化合物１当量に対し、１〜３当量程度の式ＲＳＨ（Ｒ
は前記と同じ意味を表す。）で表されるメルカプタン
を、不活性溶媒中、適当な塩基の存在下に反応させるこ
とにより得ることができる。

【００７１】この反応に用いられる塩基としては、例え
ば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化アル
カリ、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の炭酸塩、ナト
リウムメチラート、ナトリウムエチラート、ｔ−ブトキ
シカリウム等のアルコキシド、トリエチルアミン、ジエ
チルイソプロピルアミン、ピリジン等の有機塩基を挙げ
ることができる。

【００７２】また、この反応に用いられる溶媒として
は、メタノール、エタノール等のアルコール類、アセト
ニトリル、ＤＭＳＯ、ＤＭＦ、ベンゼン、トルエン、キ
シレン等の芳香族炭化水素、及びこれらの混合溶媒を挙
げることができる。反応は、０℃〜用いられる溶媒の沸
点までの温度範囲で円滑に進行する。

【００７３】一般式（７）で表される化合物は、一般式
（６）で表される化合物を酸化させることにより製造す
ることができる。この酸化反応は、例えば、水、メタノ
ール、エタノール等のアルコール類、酢酸などの有機
酸、ジクロロメタン，クロロホルム，四塩化炭素などの
ハロゲン化炭化水素などの不活性溶媒中、過酸化水素，
過酢酸，過安息香酸，ｍ−クロロ過安息香酸などの過
酸、次亜塩素酸ナトリウム，次亜塩素酸カリウムなどの
次亜塩素酸などの酸化剤を使用して行われる。反応は、
０℃から用いられる溶媒の沸点までの温度範囲で円滑に
進行する。

【００７４】次の一般式（５’）で表される化合物は、
一般式（７）で表される化合物を脱クロル化することに
より製造することができる。この脱クロル化は、例え
ば、新実験化学講座 第１４巻 有機化合物の合成と反
応［Ｉ］２２−３０頁（日本化学会編 丸善）に記載さ
れているラネーニッケルを触媒として用いる接触水素化
分解による方法、リチウム，ナトリウムなどの金属およ
び金属塩を用いる方法、スズ水素化物による水素化還元
法、水素化アルミニウムリチウム等の金属水素錯化合物
による還元法あるいは電解還元法などによって行われ
る。

【００７５】反応生成物は、反応終了後、通常の後処理
を行うことにより、目的物を得ることができる。また、
本発明に係る化合物等の構造は、ＩＲ，ＮＭＲおよびＭ
Ｓなどから決定した。

【００７６】

【実施例】次に実施例を挙げて、本発明を更に具体的に
説明する。

【００７７】実施例１ エチル ４−メチルチオベンゾエート（化合物番号１−
２２９）の製造

【００７８】

【化１６】

【００７９】５０ｍｌナス型フラスコに、メチルメルカ
プタン０．７８ｇのＤＭＦ７ｍｌ溶液、水０．０５８５
ｇ及びＤＭＦ２ｍｌを入れ、次いで、炭酸カリウム１．
１２ｇ及びエチル ３，４−ジクロロベンゾエート０．
７１２ｇを加えた。この混合物を４０Ｗ蛍光灯照射下
に、マグネチックスターラーを使用して室温で３時間攪
拌した。

【００８０】反応液を氷水４０ｍｌ中に注ぎ、ジエチル
エーテル４０ｍｌで抽出し、有機層を水洗したのち、無
水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去して得
られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝９５／５）により精製
し、無色透明油状物質として、表記化合物０．４３８ｇ
を得た。

【００８１】実施例２ エチル ２−メチル−３−（３−メチルイソオキサゾー
ル−５−イル）−４−メチルチオベンゾエート（化合物
番号１−３）の製造

【００８２】

【化１７】

【００８３】エチル ４，５−ジクロロ−２−メチル−
３−（３−メチルイソオキサゾール−５−イル）ベンゾ
エート０．５０ｇと炭酸カリウム４．４０ｇをＤＭＦ１
５ｍｌに加え、室温下にＤＭＦ５ｍｌに、メタンチオー
ル１．５３ｇを溶解した溶液を滴下し、さらに１９．５
時間攪拌した。次いで、反応液を氷水にあけ、酢酸エチ
ルで抽出した。有機層を水洗、次いで飽和食塩水で洗浄
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧濃縮後、得
られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
により精製して、白色結晶として表記化合物０．４２ｇ
を得た。融点 ７２−７４℃

【００８４】実施例３ エチル ２−メチル−３−（３−メチルイソオキサゾー
ル−５−イル）−４−メチルチオベンゾエート（化合物
番号１−３）の製造

【００８５】

【化１８】

【００８６】エチル ４，５−ジクロロ−２−メチル−
３−（３−メチルイソオキサゾール−５−イル）ベンゾ
エート０．５０ｇ、炭酸カリウム１．１０ｇ及び水０．
１５ｇをＤＭＦ１５ｍｌに加え、さらに、ＤＭＦ５ｍｌ
にメタンチオール０．３８ｇを溶解した溶液を室温下で
滴下し、室温で２３時間攪拌した。実施例１と同様の操
作により、白色結晶として表記化合物０．４２ｇを得
た。融点 ７２−７４℃

【００８７】実施例４ エチル ２−メチル−３−（３−メチルイソオキサゾー
ル−５−イル）−４−メチルチオベンゾエート（化合物
番号１−３）の製造

【００８８】

【化１９】

【００８９】エチル ４，５−ジクロロ−２−メチル−
３−（３−メチルイソオキサゾール−５−イル）ベンゾ
エート４．４８ｇ及び炭酸カリウム３．００ｇをＤＭＦ
１００ｍｌに加え、メタンチオールガス２．１ｇを反応
系中に室温で吹き込んだ。さらに室温で１５時間攪拌し
た後、反応液を氷水にあけ、酢酸エチルで抽出し、有機
層を水洗、次いで、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。減圧濃縮して白色結晶として、エ
チル ５−クロロ−２−メチル−３−（３−メチルイソ
オキサゾール−５−イル）−４−メチルチオベンゾエー
ト４．４０ｇを得た。融点 ７９−８２℃

【００９０】得られたエチル ５−クロロ−２−メチル
−３−（３−メチルイソオキサゾール−５−イル）−４
−メチルチオベンゾエート０．５０ｇと炭酸カリウム
１．０６ｇをＤＭＦ１５ｍｌに加え、さらにＤＭＦ５ｍ
ｌにメタンチオール０．３６ｇを溶解した溶液を室温で
滴下し、室温で２３時間攪拌した。実施例１と同様の操
作により、白色結晶として表記化合物０．２９ｇを得
た。また、エチル ５−クロロ−２−メチル−３−（３
−メチルイソオキサゾール−５−イル）−４−メチルチ
オベンゾエート０．０８ｇを回収した。

【００９１】実施例５ ｔ−ブチル ２−メチル−３−（３−メチルイソオキサ
ゾール−５−イル）−４−メチルチオベンゾエート（化
合物番号１−４）の製造

【００９２】

【化２０】

【００９３】ＤＭＦ１０ｍｌに水２７ｍｇを加え、メチ
ルメルカプタン３６０ｍｇを吹き込んだ後、反応系を窒
素置換した。次いで、この溶液中に炭酸カリウム５１８
ｍｇ及びｔｅｒｔ−ブチル ４，５−ジクロロ−２−メ
チル−３−（３−メチルイソオキサゾール−５−イル）
ベンゾエート５１３ｍｇを加えて、室温で２０時間攪拌
した。反応液を氷水２５ｍｌに注ぎ、エーテル２５ｍｌ
で抽出した。有機層を水洗した後、無水硫酸ナトリウム
で乾燥した。溶媒を減圧留去して得られた粗生成物をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／酢
酸エチル＝９５／５）により精製して、純度８３％の表
記化合物の白色固体４８４ｍｇを得た（純度はＮＭＲス
ペクトル測定により決定した。）。再度シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーにより精製して、白色結晶として
表記化合物を得た。融点 １０２−１０３℃

【００９４】実施例６ エチル ３−（４，５−ジヒドロイソオキサゾール−３
−イル）−２−メチル−４−メチルチオベンゾエート
（化合物番号１−２２）の製造

【００９５】

【化２１】

【００９６】窒素置換した１０ｍｌのナス型フラスコ中
に、水７．９ｍｇ、ＤＭＦ１．１ｍｌ及びメチルメルカ
プタン１０５ｍｇのＤＭＦ１．５ｍｌ溶液を加え、次い
で、炭酸カリウム１５１ｍｇ及びエチル ４，５−ジク
ロロ−３−（４，５−ジヒドロイソオキサゾール−３−
イル）−２−メチルベンゾエート１３２ｍｇを加えた。
ここで用いたＤＭＦは予め窒素置換したものを用いた。
この混合物を４０Ｗ蛍光灯照射下にマグネチックスター
ラーを使用して室温で３時間４５分攪拌した。

【００９７】反応液を氷水２０ｍｌ中に注ぎ、ジエチル
エーテル２０ｍｌで抽出し、有機層を水洗した後、無水
硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去して得ら
れた粗精製物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝９５／５）により精製し
て、白色結晶として表記化合物８７．８ｍｇを得た。融
点 ９３−９４℃

【００９８】実施例７ エチル ４−エチルチオ−２−メチル−３−（３−メチ
ルイソオキサゾール−５−イル）ベンゾエート（化合物
番号１−７）の製造

【００９９】

【化２２】

【０１００】２５ｍｌのナス型フラスコ中にエチルメル
カプタン０．３１１ｇ、水０．０１８ｇ及びＤＭＦ６ｍ
ｌを加え、次いで、炭酸カリウム０．３４６ｇ及びエチ
ル４，５−ジクロロ−２−メチル−３−（３−メチルイ
ソオキサゾール−５−イルベンゾエート０．３１４ｇを
加えた。この混合物を４０Ｗの蛍光灯照射下にマグネチ
ックスターラーを用いて室温で６時間攪拌した。

【０１０１】反応液を氷水２５ｍｌ中に注ぎジエチルエ
ーテル２５ｍｌで抽出した。有機層を水洗したのち、無
水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去した。得
られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝９５／５〜１／１）によ
り精製して、白色結晶として表記化合物０．１３２ｇを
得た。融点 ３９−４０℃

【０１０２】実施例８ メチル ３−（２−イソオキサゾリン−３−イル）−２
−メチル−４−メチルチオ ベンゾエート（化合物番号
１−１８）の製造

【０１０３】

【化２３】

【０１０４】無色透明ガラス製容器中に脱気したＤＭＦ
１０ｍｌを加え、メチルメルカプタン４２０ｍｇを吹き
込み溶解させた。次いで、炭酸カリウム６００ｍｇ及び
４，５−ジクロロ−３−（２−イソオキサゾリン−３−
イル）−２−メチル安息香酸メチル５００ｍｇを順次添
加し、窒素雰囲気下、遮光し、室温でテフロン製マグネ
チックスターラーで攪拌した。１時間攪拌したのち、Ｎ
ＭＲスペクトルにより５−クロロ−３−（２−イソオキ
サゾリン−３−イル）−２−メチル−４−メチルチオ安
息香酸メチルが主生成物であることを確認した。

【０１０５】引き続き、反応系内を白色蛍光灯を照射し
ながら４０℃で２時間攪拌した。反応液を氷水中に注加
し、ジエチルエーテル−クロロホルム（５：１）及びジ
エチルエーテルで順次抽出し、有機層を水洗後、無水硫
酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ｎ−
ヘキサン／酢酸エチル＝９５／５）により精製して、表
記目的化合物を白色結晶として４２４ｍｇを得た。融点
１０９−１１１℃

【０１０６】本発明により製造することができる一般式
（１）で表される芳香族チオエーテル化合物の例を第１
表〜第７表に示す。なお、第１表〜第７表においては、
Ｑのヘテロ環基は下記の記号を用いて示した。記号の意
味は次の通りである。

【０１０７】

【化２４】

【０１０８】

【化２５】

【０１０９】

【表１０１】

【０１１０】

【表１０２】

【０１１１】

【表１０３】

【０１１２】

【表１０４】

【０１１３】

【表１０５】

【０１１４】

【表１０６】

【０１１５】

【表１０７】

【０１１６】

【表１０８】

【０１１７】

【表１０９】

【０１１８】

【表１１０】

【０１１９】

【表１１１】

【０１２０】

【表２０１】

【０１２１】

【表２０２】

【０１２２】

【表２０３】

【０１２３】

【表２０４】

【０１２４】

【表２０５】

【０１２５】

【表２０６】

【０１２６】

【表２０７】

【０１２７】

【表２０８】

【０１２８】

【表２０９】

【０１２９】

【表２１０】

【０１３０】

【表２１１】

【０１３１】

【表３０１】

【０１３２】

【表３０２】

【０１３３】

【表３０３】

【０１３４】

【表３０４】

【０１３５】

【表３０５】

【０１３６】

【表３０６】

【０１３７】

【表３０７】

【０１３８】

【表３０８】

【０１３９】

【表３０９】

【０１４０】

【表３１０】

【０１４１】

【表４０１】

【０１４２】

【表４０２】

【０１４３】

【表４０３】

【０１４４】

【表４０４】

【０１４５】

【表４０５】

【０１４６】

【表４０６】

【０１４７】

【表４０７】

【０１４８】

【表４０８】

【０１４９】

【表４０９】

【０１５０】

【表４１０】

【０１５１】

【表４１１】

【０１５２】

【表５０１】

【０１５３】

【表５０２】

【０１５４】

【表５０３】

【０１５５】

【表５０４】

【０１５６】

【表５０５】

【０１５７】

【表５０６】

【０１５８】

【表５０７】

【０１５９】

【表５０８】

【０１６０】

【表５０９】

【０１６１】

【表５１０】

【０１６２】

【表５１１】

【０１６３】

【表６０１】

【０１６４】

【表６０２】

【０１６５】

【表６０３】

【０１６６】

【表６０４】

【０１６７】

【表６０５】

【０１６８】

【表６０６】

【０１６９】

【表６０７】

【０１７０】

【表６０８】

【０１７１】

【表６０９】

【０１７２】

【表６１０】

【０１７３】

【表６１１】

【０１７４】

【表７０１】

【０１７５】

【表７０２】

【０１７６】

【表７０３】

【０１７７】

【表７０４】

【０１７８】

【表７０５】

【０１７９】

【表７０６】

【０１８０】

【表７０７】

【０１８１】

【表７０８】

【０１８２】

【表７０９】

【０１８３】

【表７１０】

【０１８４】

【表７１１】

【０１８５】（参考例）次に、前記４−ＳＯ₂ Ｒ体
（６）の製造例を参考例により説明する。 参考例１ エチル ２−メチル−３−（３−メチルイソオキサゾー
ル−５−イル）−４−メチルスルホニルベンゾエートの
製造

【０１８６】

【化２６】

【０１８７】エチル ５−クロロ−２−メチル−３−
（３−メチルイソオキサゾール−５−イル）−４−メチ
ルスルホニルベンゾエート ０．３０ｇをエタノール２
０ｍｌに溶解し、反応系内を窒素置換した後、５％パラ
ジウム−カーボン ０．０２ｇを加え、水素置換し、水
素の入ったゴム球を取り付けて、室温で３時間攪拌し
た。反応液からパラジウム−カーボンをろ別後、溶媒を
減圧留去して、白色結晶として表記化合物０．２８ｇを
得た。融点 ８３−８６℃

【０１８８】参考例２ エチル ５−クロロ−２−メチル−３−（３−メチルイ
ソオキサゾール−５−イル）−４−メチルスルホニルベ
ンゾエートの製造

【０１８９】

【化２７】

【０１９０】エチル−５−クロロ−２−メチル−３−
（３−メチルイソオキサゾール−５−イル）−４−メチ
ルチオベンゾエート ４．４０ｇをクロロホルム５０ｍ
ｌに溶解し、室温下で５５％ ｍ−クロロ過安息香酸１
２．７０ｇを添加して、室温で１９時間攪拌した。反応
液から析出結晶をろ別し、ろ液を４％水酸化ナトリウム
水溶液８０ｍｌで洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した後、溶媒を減圧留去して、白色結晶とし
て表記化合物 ４．４９ｇを得た。融点１２６−１２９
℃

【０１９１】参考例３ エチル ５−クロロ−２−メチル−３−（３−メチルイ
ソオキサゾール−５−イル）−４−メチルチオベンゾエ
ートの製造

【０１９２】

【化２８】

【０１９３】エチル ４，５−ジクロロ−３−（３−メ
チルイソオキサゾール−５−イル）−４−メチルチオベ
ンゾエート ４．４８ｇと炭酸カリウム３．００ｇをＤ
ＭＦ１００ｍｌに溶解し、室温でメチルメルカプタンガ
ス２．１ｇを反応系中に吹き込んだ。さらに室温で１５
時間攪拌した後、反応液を水にあけ、酢酸エチルで抽出
した。有機層を水、次いで飽和食塩水で洗浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去して、白色
結晶として表記化合物４．４０ｇを得た。融点７９−８
２℃

【０１９４】この製造法によっても、一般式（６）で表
される化合物を簡易かつ工業的に有利に製造することが
できる。

【０１９５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
によれば、農薬・医薬の製造中間体、特にＷＯ９６−２
６２０６号公報、ＷＯ−９７−４１１１８号公報等に記
載された除草剤の製造中間体として有用な一般式（１）
で表される芳香族チオエーテル化合物を、安価な原料か
ら容易に得られる芳香族ハロゲン化物を出発原料とし
て、簡易かつ工業的に有利に製造することができる。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｄ 261/04 Ｃ０７Ｄ 261/04 261/08 261/08 263/32 263/32 277/30 277/30 317/30 317/30 319/06 319/06 (72)発明者 阿達 弘之 神奈川県小田原市高田345 日本曹達株式 会社小田原研究所内 Ｆターム(参考） 4C022 GA04 4C033 AD09 AD18 4C055 AA01 BA02 BA33 BB02 CA02 CA33 CB02 DA33 DB02 4C056 AA01 AB01 AC01 AC02 AD01 AE02 AE03 BA13 FA01 4H006 AA02 AC63 BA69 BA95 TA04 TB40 TB42 TB61

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式（２） 【化１】 〔式中、Ｘ¹ ，Ｘ² は、それぞれ独立してハロゲン原子
   を表し、 Ｗは、水素原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル
   基、ハロゲン原子、Ｃ_{1- 6} アルキル基、Ｃ_1-6 ハロアル
   キル基、Ｃ_1-6 アルコキシ基、Ｃ_1-6 アルコキシカルボ
   ニル基、Ｃ_1-6 アルキルカルボニル基、ＣＯＮＲ¹ Ｒ²
   （Ｒ¹ 及びＲ² は、それぞれ独立して水素原子又はＣ
   _1-6 アルキル基を表す。また、Ｒ¹ 及びＲ²はＮと一緒
   になって環を形成してもよい。）、Ｃ_1-6 アルキルスル
   ホニル基、又はＳＯ₂ ＮＲ³ Ｒ⁴ （Ｒ³ 及びＲ⁴ は、そ
   れぞれ独立して水素原子又はＣ_1-6 アルキル基を表す。
   また、Ｒ³ 及びＲ⁴ はＮと一緒になって環を形成しても
   よい。）を表す。Ｙは、ベンゼン環の置換基を表す。ｎ
   は、０又は１−３の整数を表す。〕で表される芳香族ハ
   ロゲン化物と、式ＲＳＨ（Ｒは、Ｃ_1-6 アルキル基を表
   す。）で表されるアルカンチオール及び塩基、又は式Ｒ
   ＳＨ（Ｒは前記と同じ意味を表す。）で表されるアルカ
   ンチオールの塩とを反応させることを特徴とする、一般
   式（１） 【化２】 （式中、Ｗ，Ｙ，Ｒ及びｎは、前記と同じ意味を表
   す。）で表される芳香族チオエーテル化合物の製造方
   法。
2. 【請求項２】前記一般式（２）で表される芳香族ハロゲ
   ン化物と、式ＲＳＨ（Ｒは、Ｃ_1-6アルキル基を表
   す。）で表されるアルカンチオール及び塩基、又は式Ｒ
   ＳＨ（Ｒは前記と同じ意味を表す。）で表されるアルカ
   ンチオールの塩とを、所定波長の光照射下に反応させる
   ことを特徴とする、 請求項１記載の芳香族チオエーテル化合物の製造方法。
3. 【請求項３】前記一般式（２）で表される芳香族ハロゲ
   ン化物は、Ｗがカルボキシル基又はＣ_1-6 アルコキシカ
   ルボニル基の化合物である、 請求項１記載の芳香族チオエーテル化合物の製造方法。
4. 【請求項４】一般式（３） 【化３】 〔式中、Ｘ¹ ，Ｘ² は、それぞれ独立してハロゲン原子
   を表し、 Ｒ⁵ は、水素原子又はＣ_1-6 アルキル基を表し、 Ｒ⁶ は、水素原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、ホル
   ミル基、ハロゲン原子、Ｃ_1-6 アルキル基、Ｃ_1-6 ハロ
   アルキル基、Ｃ_1-6 アルコキシ基、Ｃ_1-6 ハロアルコシ
   基、Ｃ_1-6 アルコキシカルボニル基、Ｃ_1-6 アルキルチ
   オ基、Ｃ_1-6 アルキルスルホニル基、Ｃ_1-6 アルコキシ
   Ｃ_1-6 アルキル基、Ｃ_1-6 アルキルチオＣ_1-6 アルキル
   基、Ｃ_1-6 アルキルスルホニルＣ_1-6 アルキル基、Ｃ
   _1-6 アルコキシＣ_1-6 アルコキシ基、Ｃ_1-6 アルキルチ
   オＣ_1-6 アルコキシ基、Ｃ_1-6 アルキルスルフィニルＣ
   _1-6 アルコキシ基、Ｃ_1-6 アルキルスルホニルＣ_1-6 ア
   ルコキシ基、Ｃ_1-6 アルキルカルボニル基、ＣＯＮＲ⁷
   Ｒ⁸ （Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は、それぞれ独立して水素原子又はＣ
   _1-6 アルキル基を表す。）で表される基、ＮＲ⁹ Ｒ
   ¹⁰（Ｒ⁹ ，Ｒ¹⁰は、それぞれ独立して水素原子、ホルミ
   ル基、Ｃ_1-6 アルキル基、Ｃ_1-6 アルキルカルボニル
   基、Ｃ_1-6 アルキルスルホニル基、Ｃ_1-6 アルコキシカ
   ルボニル基を表す。）を表す。Ｑは、水素原子、ニトロ
   基、シアノ基、カルボキシル基、ハロゲン原子、Ｃ_{1- 6}
   アルキル基、Ｃ_1-6 アルコキシ基、Ｃ_1-6 ハロアルキル
   基、Ｃ_1-6 ハロアルコキシ基、Ｃ_1-6 アルコキシカルボ
   ニル基、ＣＯＮＲ¹¹Ｒ¹²（Ｒ¹¹，Ｒ¹²は、それぞれ独立
   して水素原子又はＣ_1-6 アルキル基を表す。）、ＣＨ
   （ＯＲ¹³）ＯＲ¹⁴（Ｒ¹³，Ｒ¹⁴はそれぞれ独立してＣ
   _1-6 アルキル基を表す。また、Ｒ¹³とＲ¹⁴は結合して、
   Ｃ_2-3 アルキレン基を形成してもよい。）、Ｃ_1-6 アル
   キルチオ基、Ｃ_1-6 アルキルスルホニル基、Ｃ_1-6 アル
   コキシＣ_1-6 アルキル基、Ｃ_1-6 アルキルチオＣ_1-6 ア
   ルキル基、Ｃ_1-6 アルキルスルホニルＣ_1-6 アルキル
   基、Ｃ_{1- 6} アルコキシＣ_1-6 アルコキシ基、Ｃ_1-6 アル
   キルチオＣ_1-6 アルコキシ基、Ｃ _1-6 アルキルスルフィ
   ニルＣ_1-6 アルコキシ基、Ｃ_1-6 アルキルスルホニルＣ
   _{1- 6} アルコキシ基、Ｃ_1-6 アルキルカルボニル基、ＣＯ
   ＮＲ¹⁵Ｒ¹⁶（Ｒ¹⁵，Ｒ¹⁶は、それぞれ独立して水素原子
   又はＣ_1-6 アルキル基を表す。）で表される基、ＮＲ¹⁷
   Ｒ¹⁸（Ｒ¹⁷，Ｒ¹⁸は、それぞれ独立して水素原子、ホル
   ミル基、Ｃ_1-6 アルキル基、Ｃ_1-6 アルキルカルボニル
   基、Ｃ_1-6 アルキルスルホニル基、Ｃ_1-6 アルコキシカ
   ルボニル基を表す。）、 炭素原子でベンゼン環部と結合する、Ｎ，Ｏ若しくはＳ
   原子を１〜４個含む置換基を有していてもよい飽和或い
   は不飽和の５若しくは６員ヘテロ環基を表す。また、前
   記Ｒ⁶ とＱは一緒になって、それぞれが置換しているベ
   ンゼン環を含めて５又は６員環を形成してもよい。〕で
   表される４，５−ジハロゲノ安息香酸誘導体と、式ＲＳ
   Ｈ（Ｒは前記と同じ意味を表す。）で表されるアルカン
   チオール及び塩基、又は式ＲＳＨ（Ｒは前記と同じ意味
   を表す。）で表されるアルカンチオールの塩とを反応さ
   せることを特徴とする、一般式（４） 【化４】 （式中、Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ ，Ｑ及びＲは、前記と同じ意味を表
   す。）で表される安息香酸誘導体の製造方法。
5. 【請求項５】前記一般式（３）で表される４，５−ジハ
   ロゲノ安息香酸誘導体と、式ＲＳＨ（ＲはＣ_1-6 アルキ
   ル基を表す。）で表されるアルカンチオール及び塩基、
   又は式ＲＳＨ（Ｒは前記と同じ意味を表す。）で表され
   るアルカンチオールの塩とを、所定波長の光照射下に反
   応させることを特徴とする、 請求項４記載の安息香酸誘導体の製造方法。
6. 【請求項６】前記Ｑは、次のＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，
   Ｑ５，Ｑ６，Ｑ７，Ｑ８及びＱ９ 【化５】 （式中、Ｒ¹¹は、Ｃ_1-6 アルキル基又はＣ_1-6 ハロアル
   キル基を表し、ｍは、０、１又は２を表す。また、Ｒ¹²
   は、水素原子又はＣ_1-6 アルキル基を表す。）からなる
   群から選ばれる基のいずれか１種である、 請求項４又は５記載の安息香酸誘導体の製造方法。