JP2000314799A - Ｘ線レンズ及びその製造方法 - Google Patents
Ｘ線レンズ及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2000314799A JP2000314799A JP2000041748A JP2000041748A JP2000314799A JP 2000314799 A JP2000314799 A JP 2000314799A JP 2000041748 A JP2000041748 A JP 2000041748A JP 2000041748 A JP2000041748 A JP 2000041748A JP 2000314799 A JP2000314799 A JP 2000314799A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plane
- ray lens
- mask
- tetrafluoroethylene
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、Ｘ線吸収が少なく、かつ
焦点距離を短くすることが可能なＸ線レンズ及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 本発明のＸ線レンズは、主平面に平行な
直線を母線とする柱面からなる第１の表面を有する。第
１の表面は、主平面に関して面対称である。第１の表面
と、その母線に垂直な仮想平面との交線が滑らかな曲線
であり、この曲線の、主平面との交点における曲率半径
が２０μｍ以下である。
焦点距離を短くすることが可能なＸ線レンズ及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 本発明のＸ線レンズは、主平面に平行な
直線を母線とする柱面からなる第１の表面を有する。第
１の表面は、主平面に関して面対称である。第１の表面
と、その母線に垂直な仮想平面との交線が滑らかな曲線
であり、この曲線の、主平面との交点における曲率半径
が２０μｍ以下である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線レンズ及びそ
の製造方法に関し、特に焦点距離を短くするのに適した
Ｘ線レンズ及びその製造方法に関する。
の製造方法に関し、特に焦点距離を短くするのに適した
Ｘ線レンズ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、ネイチャ第３８４巻（１９９６
年１１月７日）の第４９〜５１頁に開示されているＸ線
レンズの側面図を示す。ボロンまたはアルミニウム等か
らなる基材１００に、図４の紙面に垂直な中心軸を有す
る円柱状の複数の貫通孔１０１が形成されている。各貫
通孔１０１の半径は１００〜１１００μｍであり、相互
に隣接する２つの貫通孔１０１の間隔ｄは、約２５μｍ
である。
年１１月７日）の第４９〜５１頁に開示されているＸ線
レンズの側面図を示す。ボロンまたはアルミニウム等か
らなる基材１００に、図４の紙面に垂直な中心軸を有す
る円柱状の複数の貫通孔１０１が形成されている。各貫
通孔１０１の半径は１００〜１１００μｍであり、相互
に隣接する２つの貫通孔１０１の間隔ｄは、約２５μｍ
である。
【０００３】基材１００の図の左端から、Ｘ線１０２が
入射する。入射したＸ線は、各貫通孔１０１の内周面で
屈折を繰り返す。Ｘ線に対するボロンやアルミニウムの
屈折率は１よりもやや小さいため、基材１００の図の右
端から出射するＸ線１０３は、収束光線束となる。
入射する。入射したＸ線は、各貫通孔１０１の内周面で
屈折を繰り返す。Ｘ線に対するボロンやアルミニウムの
屈折率は１よりもやや小さいため、基材１００の図の右
端から出射するＸ線１０３は、収束光線束となる。
【０００４】種々の材料のＸ線領域における屈折率は非
常に１に近いため、焦点距離の短いＸ線レンズを作製す
ることは困難である。図４のように、複数の貫通孔１０
１を形成し複合レンズとすることにより、焦点距離の比
較的短いレンズを得ることができる。
常に１に近いため、焦点距離の短いＸ線レンズを作製す
ることは困難である。図４のように、複数の貫通孔１０
１を形成し複合レンズとすることにより、焦点距離の比
較的短いレンズを得ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】焦点距離を短くするた
めにレンズの枚数（図４では貫通孔１０１の個数に相
当）を多くすると、レンズ材料によるＸ線の吸収が大き
くなってしまう。例えば、貫通孔１０１の個数を５０、
相互に隣接する２つの貫通孔１０１の間隔ｄを０．０２
ｍｍとすると、レンズの吸収体の合計の厚さは１ｍｍに
なる。
めにレンズの枚数（図４では貫通孔１０１の個数に相
当）を多くすると、レンズ材料によるＸ線の吸収が大き
くなってしまう。例えば、貫通孔１０１の個数を５０、
相互に隣接する２つの貫通孔１０１の間隔ｄを０．０２
ｍｍとすると、レンズの吸収体の合計の厚さは１ｍｍに
なる。
【０００６】また、複合レンズの有効口径ＡCは、
【０００７】
【数１】ＡC＝２Ｒ（２／μＲＮ）1/2 と表される。ここで、Ｒは貫通孔１０１の半径、μはＸ
線吸収係数、Ｎはレンズ枚数である。例えば、アルミニ
ウムのＸ線吸収係数μは約２０ｃｍ-1である。Ｒ＝０．
２ｍｍ、Ｎ＝５０、とすると、有効口径ＡCは０．１２
ｍｍになってしまう。
線吸収係数、Ｎはレンズ枚数である。例えば、アルミニ
ウムのＸ線吸収係数μは約２０ｃｍ-1である。Ｒ＝０．
２ｍｍ、Ｎ＝５０、とすると、有効口径ＡCは０．１２
ｍｍになってしまう。
【０００８】本発明の目的は、Ｘ線吸収が少なく、かつ
焦点距離を短くすることが可能なＸ線レンズ及びその製
造方法を提供することである。
焦点距離を短くすることが可能なＸ線レンズ及びその製
造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、主平面に平行な直線を母線とする柱面からなる第１
の表面を有し、該第１の表面が前記主平面に関して面対
称であり、該第１の表面と、その母線に垂直な仮想平面
との交線が滑らかな第１の曲線であり、該第１の曲線
の、前記主平面との交点における曲率半径が２０μｍ以
下であるＸ線レンズが提供される。
と、主平面に平行な直線を母線とする柱面からなる第１
の表面を有し、該第１の表面が前記主平面に関して面対
称であり、該第１の表面と、その母線に垂直な仮想平面
との交線が滑らかな第１の曲線であり、該第１の曲線
の、前記主平面との交点における曲率半径が２０μｍ以
下であるＸ線レンズが提供される。
【００１０】第１の曲線の曲率半径が２０μｍ以下であ
るため、第１の表面を屈折面とする焦点距離の短いＸ線
レンズが得られる。
るため、第１の表面を屈折面とする焦点距離の短いＸ線
レンズが得られる。
【００１１】本発明の他の観点によると、ポリテトラフ
ルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−ヘキサフル
オロプロピレン共重合体、及びテトラフルオロエチレン
−ペルフルオロビニルエーテル共重合体からなる群より
選択された高分子材料により形成されたＸ線レンズであ
って、ＸＹＺ直交座標係を考えたとき、Ｙ軸に平行な直
線を母線とする柱面からなる第１の表面を有し、該第１
の表面がＹＺ面に関して面対称な凹面であり、該第１の
表面とＺＸ面との交線が放物線になるＸ線レンズが提供
される。
ルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−ヘキサフル
オロプロピレン共重合体、及びテトラフルオロエチレン
−ペルフルオロビニルエーテル共重合体からなる群より
選択された高分子材料により形成されたＸ線レンズであ
って、ＸＹＺ直交座標係を考えたとき、Ｙ軸に平行な直
線を母線とする柱面からなる第１の表面を有し、該第１
の表面がＹＺ面に関して面対称な凹面であり、該第１の
表面とＺＸ面との交線が放物線になるＸ線レンズが提供
される。
【００１２】第１の表面とＺＸ面との交線が放物線にな
るような第１の表面を屈折面とすることにより、円柱面
を屈折面とする場合に比べて、有効口径が大きく、かつ
焦点距離の短いレンズを得ることが可能になる。
るような第１の表面を屈折面とすることにより、円柱面
を屈折面とする場合に比べて、有効口径が大きく、かつ
焦点距離の短いレンズを得ることが可能になる。
【００１３】本発明のさらに他の観点によると、ポリテ
トラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−ヘキ
サフルオロプロピレン共重合体、及びテトラフルオロエ
チレン−ペルフルオロビニルエーテル共重合体からなる
群より選択された高分子材料により形成された部材を準
備する工程と、縁の一部に、凹状の放物線部分を含み、
シンクロトロン放射光を透過させないマスクを、前記部
材の表面に密着させ、または該表面からある間隔を隔て
て配置する工程と、前記マスクを介して前記部材にシン
クロトロン放射光を照射し、該部材の、シンクロトロン
放射光の照射された部分をエッチングする工程とを含む
Ｘ線レンズの製造方法が提供される。
トラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−ヘキ
サフルオロプロピレン共重合体、及びテトラフルオロエ
チレン−ペルフルオロビニルエーテル共重合体からなる
群より選択された高分子材料により形成された部材を準
備する工程と、縁の一部に、凹状の放物線部分を含み、
シンクロトロン放射光を透過させないマスクを、前記部
材の表面に密着させ、または該表面からある間隔を隔て
て配置する工程と、前記マスクを介して前記部材にシン
クロトロン放射光を照射し、該部材の、シンクロトロン
放射光の照射された部分をエッチングする工程とを含む
Ｘ線レンズの製造方法が提供される。
【００１４】本発明のさらに他の観点によると、支持基
板と、該支持基板に密着した高分子膜であって、該高分
子膜が、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロ
エチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、及びテ
トラフルオロエチレン−ペルフルオロビニルエーテル共
重合体からなる群より選択された高分子材料により形成
されている積層基板を準備する工程と、縁の一部に、凸
状の放物線部分を含み、シンクロトロン放射光を透過さ
せないマスクを、前記部材の表面に密着させ、または該
表面からある間隔を隔てて配置する工程と、前記マスク
を介して前記高分子膜にシンクロトロン放射光を照射
し、該高分子膜の、シンクロトロン放射光の照射された
部分をエッチングする工程と、前記高分子膜のエッチン
グされた部分に、金属部材を埋め込む工程と、前記支持
基板上に残っている高分子膜を除去する工程とを有する
Ｘ線レンズの製造方法が提供される。
板と、該支持基板に密着した高分子膜であって、該高分
子膜が、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロ
エチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、及びテ
トラフルオロエチレン−ペルフルオロビニルエーテル共
重合体からなる群より選択された高分子材料により形成
されている積層基板を準備する工程と、縁の一部に、凸
状の放物線部分を含み、シンクロトロン放射光を透過さ
せないマスクを、前記部材の表面に密着させ、または該
表面からある間隔を隔てて配置する工程と、前記マスク
を介して前記高分子膜にシンクロトロン放射光を照射
し、該高分子膜の、シンクロトロン放射光の照射された
部分をエッチングする工程と、前記高分子膜のエッチン
グされた部分に、金属部材を埋め込む工程と、前記支持
基板上に残っている高分子膜を除去する工程とを有する
Ｘ線レンズの製造方法が提供される。
【００１５】ＳＲ光を用いて高分子材料を加工するた
め、機械的に加工する場合に比べて、曲率半径の小さな
曲面を容易に形成することができる。
め、機械的に加工する場合に比べて、曲率半径の小さな
曲面を容易に形成することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１（Ａ）は、本発明の実施例に
よるＸ線レンズの斜視図を示す。ＸＹＺ直交座標系を考
える。ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）からな
る直方体形状の基材５０が、各面をＸＹ面、ＹＺ面、及
びＺＸ面に平行にするように配置されている。ＸＹ面に
平行な２つの面に、それぞれ溝５１Ａ及び５１Ｂが形成
されている。溝５１Ａの内面（第１の表面５２Ａ）及び
溝５１Ｂの内面（第２の表面５２Ｂ）は、共にＹ軸に平
行な直線を母線とする柱面であり、ＹＺ面（本明細書に
おいて、ＹＺ面を主平面と呼ぶ）に関して面対称であ
る。
よるＸ線レンズの斜視図を示す。ＸＹＺ直交座標系を考
える。ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）からな
る直方体形状の基材５０が、各面をＸＹ面、ＹＺ面、及
びＺＸ面に平行にするように配置されている。ＸＹ面に
平行な２つの面に、それぞれ溝５１Ａ及び５１Ｂが形成
されている。溝５１Ａの内面（第１の表面５２Ａ）及び
溝５１Ｂの内面（第２の表面５２Ｂ）は、共にＹ軸に平
行な直線を母線とする柱面であり、ＹＺ面（本明細書に
おいて、ＹＺ面を主平面と呼ぶ）に関して面対称であ
る。
【００１７】第１の表面５２ＡはＺ軸の負の方向を向
き、第２の表面５２ＢはＺ軸の正の方向を向いている。
すなわち、両者は相互に反対方向を向いている。また、
第１及び第２の表面５２Ａ及び５２Ｂは、共に凹面であ
る。第１の表面５２ＡとＺＸ面との交線、及び第２の表
面５２ＢとＺＸ面との交線は、共に放物線である。
き、第２の表面５２ＢはＺ軸の正の方向を向いている。
すなわち、両者は相互に反対方向を向いている。また、
第１及び第２の表面５２Ａ及び５２Ｂは、共に凹面であ
る。第１の表面５２ＡとＺＸ面との交線、及び第２の表
面５２ＢとＺＸ面との交線は、共に放物線である。
【００１８】ＰＴＦＥの屈折率をｎとすると、
【００１９】
【数２】ｎ＝１−δ と表すことができる。ここで、δは、屈折率低下分（re
fractive index decrement）である。波長０．７ｎｍの
Ｘ線に対するＰＴＦＥのδは７．２５×１０-7であり、
吸収係数μは６ｃｍ-1である。
fractive index decrement）である。波長０．７ｎｍの
Ｘ線に対するＰＴＦＥのδは７．２５×１０-7であり、
吸収係数μは６ｃｍ-1である。
【００２０】図１（Ａ）のＺ軸の正の向きに進行するＸ
線６０が、第１の表面５２Ａに入射する。第１の表面５
２Ａに入射したＸ線は、第１の表面５２Ａで屈折し、さ
らに第２の表面５２Ｂで屈折し、ＺＸ面内に関して収束
するＸ線６１が得られる。すなわち、第１及び第２の表
面５２Ａ及び５２Ｂを有する基材５０は、Ｘ線に対して
集光レンズとして作用する。
線６０が、第１の表面５２Ａに入射する。第１の表面５
２Ａに入射したＸ線は、第１の表面５２Ａで屈折し、さ
らに第２の表面５２Ｂで屈折し、ＺＸ面内に関して収束
するＸ線６１が得られる。すなわち、第１及び第２の表
面５２Ａ及び５２Ｂを有する基材５０は、Ｘ線に対して
集光レンズとして作用する。
【００２１】図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＸ線レンズの
ＺＸ面における断面形状を示す。第１の表面５２ＡとＺ
Ｘ面との交線は、
ＺＸ面における断面形状を示す。第１の表面５２ＡとＺ
Ｘ面との交線は、
【００２２】
【数３】Ｘ2＝２Ｒ（−Ｚ−ｄ／２） と表され、第２の表面５２ＢとＺＸ面との交線は、
【００２３】
【数４】Ｘ2＝２Ｒ（Ｚ−ｄ／２） と表される。ここで、Ｒ＝２μｍ、ｄ＝１０μｍであ
る。すなわち、この放物線の、ＹＺ面との交点における
曲率半径は２μｍであり、ＹＺ面上において、第１の表
面５２Ａと第２の表面５２Ｂとの間の厚さは１０μｍで
ある。このレンズの焦点距離Ｆは、Ｒ／（２δ）で与え
られるため、Ｆ＝１．４ｍとなる。
る。すなわち、この放物線の、ＹＺ面との交点における
曲率半径は２μｍであり、ＹＺ面上において、第１の表
面５２Ａと第２の表面５２Ｂとの間の厚さは１０μｍで
ある。このレンズの焦点距離Ｆは、Ｒ／（２δ）で与え
られるため、Ｆ＝１．４ｍとなる。
【００２４】基材５０のＺ軸方向の厚さを１２００μｍ
とすると、Ｚ＝±６００μｍの位置における第１及び第
２の表面５２Ａ及び５２ＢのＸ座標は約±４９μｍにな
る。すなわち、このＸ線レンズのＸ軸方向の有効口径は
約９８μｍになる。このとき、分解能σ＝１μｍにな
る。焦点距離Ｆ＝１．４ｍ、有効口径９８μｍの収束レ
ンズを、１枚の円柱面のレンズで実現することは不可能
である。上記特性の収束レンズを得るためには、図４に
示すように、円柱面レンズを複数用いた複合レンズとし
なければならない。本実施例の場合には、屈折面を放物
面にしているため、１枚のレンズで焦点距離が短く、か
つ有効口径の大きな収束レンズを実現することができ
る。
とすると、Ｚ＝±６００μｍの位置における第１及び第
２の表面５２Ａ及び５２ＢのＸ座標は約±４９μｍにな
る。すなわち、このＸ線レンズのＸ軸方向の有効口径は
約９８μｍになる。このとき、分解能σ＝１μｍにな
る。焦点距離Ｆ＝１．４ｍ、有効口径９８μｍの収束レ
ンズを、１枚の円柱面のレンズで実現することは不可能
である。上記特性の収束レンズを得るためには、図４に
示すように、円柱面レンズを複数用いた複合レンズとし
なければならない。本実施例の場合には、屈折面を放物
面にしているため、１枚のレンズで焦点距離が短く、か
つ有効口径の大きな収束レンズを実現することができ
る。
【００２５】実効的にＸ線を集光させることができ、か
つ大きな有効口径を確保するためには、第１または第２
の表面５２Ａまたは５２ＢとＺＸ面との交線の、ＹＺ面
との交点における曲率半径を２０μｍ以下とすることが
好ましい。
つ大きな有効口径を確保するためには、第１または第２
の表面５２Ａまたは５２ＢとＺＸ面との交線の、ＹＺ面
との交点における曲率半径を２０μｍ以下とすることが
好ましい。
【００２６】また、上記実施例では、基材５０としてＰ
ＴＦＥを用いた場合を説明したが、ＰＴＦＥの外に、テ
トラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重
合体（例えばデュポン社の登録商標「テフロンＦＥ
Ｐ」）やテトラフルオロエチレン−ペルフルオロビニル
エーテル共重合体（例えばデュポン社の登録商標「テフ
ロンＰＦＡ）を用いてもよい。
ＴＦＥを用いた場合を説明したが、ＰＴＦＥの外に、テ
トラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重
合体（例えばデュポン社の登録商標「テフロンＦＥ
Ｐ」）やテトラフルオロエチレン−ペルフルオロビニル
エーテル共重合体（例えばデュポン社の登録商標「テフ
ロンＰＦＡ）を用いてもよい。
【００２７】また、Ｘ線の光軸近傍（ＹＺ面近傍）にお
けるレンズの厚さが１０μｍ程度であるため、Ｘ線吸収
量を低減することができる。Ｘ線吸収量を十分少なくす
るためには、第１の表面５２Ａと第２の表面５２Ｂとに
挟まれた部分の最小厚さを５０μｍ以下とすることが好
ましい。
けるレンズの厚さが１０μｍ程度であるため、Ｘ線吸収
量を低減することができる。Ｘ線吸収量を十分少なくす
るためには、第１の表面５２Ａと第２の表面５２Ｂとに
挟まれた部分の最小厚さを５０μｍ以下とすることが好
ましい。
【００２８】また、上記実施例では、Ｘ線の入射側と出
射側の２つの屈折面を、共に放物面とした場合を説明し
たが、一方の面のみを放物面としてもよい。また、Ｘ線
を収束させる作用を奏する曲面であれば、放物面以外の
滑らかな曲面としてもよい。ただし、この場合にも、こ
の曲面とＺＸ面との交線の、ＹＺ面（主平面）との交点
における曲率半径を２０μｍ以下とすることが好まし
い。
射側の２つの屈折面を、共に放物面とした場合を説明し
たが、一方の面のみを放物面としてもよい。また、Ｘ線
を収束させる作用を奏する曲面であれば、放物面以外の
滑らかな曲面としてもよい。ただし、この場合にも、こ
の曲面とＺＸ面との交線の、ＹＺ面（主平面）との交点
における曲率半径を２０μｍ以下とすることが好まし
い。
【００２９】次に、図１（Ａ）に示す実施例によるＸ線
レンズの製造方法について説明する。
レンズの製造方法について説明する。
【００３０】図２（Ａ）は、実施例によるＸ線レンズの
加工装置の概略図である。シンクロトロンに蓄積された
電子の軌道１から光軸５に沿ってシンクロトロン放射光
（ＳＲ光）２が放射される。光軸５に沿った光源からの
距離Ｌの位置にＰＴＦＥ基材４が配置されている。加工
対象物４の前方には、間隔Ｇだけ離れてマスク３が配置
されている。電子軌道１、基材４及びマスク３は同一の
真空容器内に配置されている。
加工装置の概略図である。シンクロトロンに蓄積された
電子の軌道１から光軸５に沿ってシンクロトロン放射光
（ＳＲ光）２が放射される。光軸５に沿った光源からの
距離Ｌの位置にＰＴＦＥ基材４が配置されている。加工
対象物４の前方には、間隔Ｇだけ離れてマスク３が配置
されている。電子軌道１、基材４及びマスク３は同一の
真空容器内に配置されている。
【００３１】マスク３には、ＳＲ光を実質的に透過させ
る領域と透過させない領域とが画定されている。なお、
実質的に透過させる領域とは、ＰＴＦＥ基材４を加工す
るのに十分な強さのＳＲ光を透過させる領域を意味し、
実質的に透過させない領域とは、その領域をＳＲ光が透
過しないか、または透過したとしても透過光がＰＴＦＥ
基材を加工しない程度の強さまで弱められるような領域
を意味する。
る領域と透過させない領域とが画定されている。なお、
実質的に透過させる領域とは、ＰＴＦＥ基材４を加工す
るのに十分な強さのＳＲ光を透過させる領域を意味し、
実質的に透過させない領域とは、その領域をＳＲ光が透
過しないか、または透過したとしても透過光がＰＴＦＥ
基材を加工しない程度の強さまで弱められるような領域
を意味する。
【００３２】本実施例で使用したマスクは、図２（Ｂ）
に示すパターンを有する厚さ１０〜１００μｍの銅板で
ある。すなわち、マスクの縁は、凹状の放物線部分を含
む。なお、銅以外の金属を用いてもよい。なお、マスク
は、２〜１０μｍ程度の厚さのものでもよい。
に示すパターンを有する厚さ１０〜１００μｍの銅板で
ある。すなわち、マスクの縁は、凹状の放物線部分を含
む。なお、銅以外の金属を用いてもよい。なお、マスク
は、２〜１０μｍ程度の厚さのものでもよい。
【００３３】ＳＲ光２は、マスク３を介してＰＴＦＥ基
材４の表面に照射される。ＳＲ光の照射される面は、図
１（Ａ）のＺＸ面に平行な面である。ＰＴＦＥ基材４の
表面でＳＲ光によるエッチングが生じ、ＳＲ光が照射さ
れた部分が剥離される。ＳＲ光２は高い平行度を有する
ため、加工されたＰＴＦＥ基材４は、光軸５に沿って見
たときマスク３とほぼ同一形状になる。このため、図１
（Ａ）に示すようなＸ線レンズが得られる。
材４の表面に照射される。ＳＲ光の照射される面は、図
１（Ａ）のＺＸ面に平行な面である。ＰＴＦＥ基材４の
表面でＳＲ光によるエッチングが生じ、ＳＲ光が照射さ
れた部分が剥離される。ＳＲ光２は高い平行度を有する
ため、加工されたＰＴＦＥ基材４は、光軸５に沿って見
たときマスク３とほぼ同一形状になる。このため、図１
（Ａ）に示すようなＸ線レンズが得られる。
【００３４】図２（Ｂ）は、加工部の断面図を示す。真
空容器２０内に試料保持台１４が配置されている。試料
保持台１４の試料保持面にＰＴＦＥ基材４が保持されて
いる。マスク３が、マスク保持手段１７によりＰＴＦＥ
基材４の前面に配置されている。マスク３をＰＴＦＥ基
材４の表面に密着させてもよいし、ある間隔を隔てて配
置してもよい。加工時には、図の左方からマスク３を通
してＰＴＦＥ基材４の表面にＳＲ光２を照射する。
空容器２０内に試料保持台１４が配置されている。試料
保持台１４の試料保持面にＰＴＦＥ基材４が保持されて
いる。マスク３が、マスク保持手段１７によりＰＴＦＥ
基材４の前面に配置されている。マスク３をＰＴＦＥ基
材４の表面に密着させてもよいし、ある間隔を隔てて配
置してもよい。加工時には、図の左方からマスク３を通
してＰＴＦＥ基材４の表面にＳＲ光２を照射する。
【００３５】試料保持台１４は、例えばセラミックで形
成され、内部にヒータ８が埋め込まれている。ヒータ８
のリード線が、真空容器２０の壁に取り付けられたコネ
クタ２１の容器内側の端子に接続されている。コネクタ
２１の容器外側の端子が、電源７に接続されており、電
源７からヒータ８に電流が供給される。ヒータ８に電流
を流すことにより、ＰＴＦＥ基材４を加熱することがで
きる。
成され、内部にヒータ８が埋め込まれている。ヒータ８
のリード線が、真空容器２０の壁に取り付けられたコネ
クタ２１の容器内側の端子に接続されている。コネクタ
２１の容器外側の端子が、電源７に接続されており、電
源７からヒータ８に電流が供給される。ヒータ８に電流
を流すことにより、ＰＴＦＥ基材４を加熱することがで
きる。
【００３６】試料保持台１４の試料保持面に熱電対２３
が取り付けられている。熱電対２３のリード線は、リー
ド線取出口２２を通して真空容器２０の外部に導出さ
れ、温度制御装置９に接続されている。リード線取出口
２２は、例えばハンダ付けにより気密性が保たれてい
る。温度制御装置９は、試料保持面の温度が所望の温度
になるように、電源７を制御しヒータ８を流れる電流を
調節する。
が取り付けられている。熱電対２３のリード線は、リー
ド線取出口２２を通して真空容器２０の外部に導出さ
れ、温度制御装置９に接続されている。リード線取出口
２２は、例えばハンダ付けにより気密性が保たれてい
る。温度制御装置９は、試料保持面の温度が所望の温度
になるように、電源７を制御しヒータ８を流れる電流を
調節する。
【００３７】図２（Ｃ）は、試料保持台の他の構成例を
示す。試料保持台１５の内部にガス流路１６が形成され
ている。ガス流路１６に所望の温度のガスを流してガス
とＰＴＦＥ基材４との熱交換を行わせ、ＰＴＦＥ基材４
を所望の温度に維持することができる。
示す。試料保持台１５の内部にガス流路１６が形成され
ている。ガス流路１６に所望の温度のガスを流してガス
とＰＴＦＥ基材４との熱交換を行わせ、ＰＴＦＥ基材４
を所望の温度に維持することができる。
【００３８】最小曲率半径２０μｍ以下の滑らかな曲
面、及び最小の間隔が５０μｍ以下となるような２つの
屈折面を、機械的な加工によって作製することは困難で
ある。図２（Ａ）に示すＳＲ光を利用した加工装置を用
いることにより、最小曲率半径２０μｍ以下の放物面を
容易に形成することができる。また、２つの放物面の最
小間隔が５０μｍ以下となるＸ線レンズを再現性よく作
製することができる。
面、及び最小の間隔が５０μｍ以下となるような２つの
屈折面を、機械的な加工によって作製することは困難で
ある。図２（Ａ）に示すＳＲ光を利用した加工装置を用
いることにより、最小曲率半径２０μｍ以下の放物面を
容易に形成することができる。また、２つの放物面の最
小間隔が５０μｍ以下となるＸ線レンズを再現性よく作
製することができる。
【００３９】ＳＲ光は高い平行度を有するため、図１
（Ａ）のＸ線レンズのＹ軸方向の厚さをＴとしたとき、
Ｔ／Ｒが５以上のレンズを容易に作製することができ
る。Ｔ／Ｒが５以上となるようにすることにより、レン
ズをＹ軸方向に大きくしても、焦点距離を短く維持する
ことができる。
（Ａ）のＸ線レンズのＹ軸方向の厚さをＴとしたとき、
Ｔ／Ｒが５以上のレンズを容易に作製することができ
る。Ｔ／Ｒが５以上となるようにすることにより、レン
ズをＹ軸方向に大きくしても、焦点距離を短く維持する
ことができる。
【００４０】上記実施例では、基材として、ＰＴＦＥ等
の高分子材料を用いた場合を説明したが、Ｘ線吸収の少
ない金属を用いてもよい。Ｘ線吸収の少ない金属とし
て、例えばＡｌが挙げられる。以下、Ａｌを用いたＸ線
レンズの作製方法について説明する。
の高分子材料を用いた場合を説明したが、Ｘ線吸収の少
ない金属を用いてもよい。Ｘ線吸収の少ない金属とし
て、例えばＡｌが挙げられる。以下、Ａｌを用いたＸ線
レンズの作製方法について説明する。
【００４１】図３（Ａ）に示すように、金属膜３１とそ
れに密着したＰＴＦＥ膜３２とが積層された基板３０を
準備する。基板３０は、例えばＰＴＦＥ膜にＮｉ膜とＣ
ｕ膜をメッキにより堆積して作製することができる。ま
たは、Ｃｕ板の上にＰＴＦＥ膜を載せ、加熱しながら加
圧して融着させることによっても作製することができ
る。
れに密着したＰＴＦＥ膜３２とが積層された基板３０を
準備する。基板３０は、例えばＰＴＦＥ膜にＮｉ膜とＣ
ｕ膜をメッキにより堆積して作製することができる。ま
たは、Ｃｕ板の上にＰＴＦＥ膜を載せ、加熱しながら加
圧して融着させることによっても作製することができ
る。
【００４２】ＰＴＦＥ膜３２の表面上に一定の間隔を隔
ててマスク３３を配置する。マスク３３は、図１（Ｂ）
に示す断面図を反転させたパターンが形成されたステン
レス製の膜である。すなわち、マスク３３の縁は、凸状
の放物線部分を含む。
ててマスク３３を配置する。マスク３３は、図１（Ｂ）
に示す断面図を反転させたパターンが形成されたステン
レス製の膜である。すなわち、マスク３３の縁は、凸状
の放物線部分を含む。
【００４３】マスク３３を介してＰＴＦＥ膜３２にＳＲ
光３４を照射する。照射された部分のＰＴＦＥ膜３２が
エッチング除去される。金属膜３１はエッチングされな
いため、金属膜３１の表面が露出した時点でエッチング
が停止する。
光３４を照射する。照射された部分のＰＴＦＥ膜３２が
エッチング除去される。金属膜３１はエッチングされな
いため、金属膜３１の表面が露出した時点でエッチング
が停止する。
【００４４】基板温度を２００℃とし、光子密度約６×
１０15フォトン／ｓ・ｍｍ2のＳＲ光を照射したとこ
ろ、約１０分で３００μｍの厚さのＰＴＦＥ膜３２の全
厚さ部分をエッチングすることができた。
１０15フォトン／ｓ・ｍｍ2のＳＲ光を照射したとこ
ろ、約１０分で３００μｍの厚さのＰＴＦＥ膜３２の全
厚さ部分をエッチングすることができた。
【００４５】図３（Ｂ）は、金属膜３１の表面の一部が
露出した状態を示す。ＰＴＦＥ膜３２に、マスク３３の
パターンに対応した除去部３５が形成される。
露出した状態を示す。ＰＴＦＥ膜３２に、マスク３３の
パターンに対応した除去部３５が形成される。
【００４６】図３（Ｃ）に示すように、除去部３５の底
面に露出した金属膜３１の表面上に、電鋳により、Ａｌ
を堆積する。除去部３５内が、Ａｌからなる金属部材３
６で埋め込まれる。
面に露出した金属膜３１の表面上に、電鋳により、Ａｌ
を堆積する。除去部３５内が、Ａｌからなる金属部材３
６で埋め込まれる。
【００４７】残ったＰＴＦＥ膜３２に、ＳＲ光または電
子線を照射する。ＳＲ光を照射すると、ＰＴＦＥ膜３２
がエッチングされる。電子線を照射すると、ＰＴＦＥが
劣化して粉末状になり、ＰＴＦＥ膜３２を容易に除去す
ることが可能になる。
子線を照射する。ＳＲ光を照射すると、ＰＴＦＥ膜３２
がエッチングされる。電子線を照射すると、ＰＴＦＥが
劣化して粉末状になり、ＰＴＦＥ膜３２を容易に除去す
ることが可能になる。
【００４８】図３（Ｄ）は、ＰＴＦＥ膜３２を除去した
後の状態の断面図を示す。金属膜３１の表面上に金属部
材３６が残る。このようにして、ＡｌからなるＸ線レン
ズを作製することができる。
後の状態の断面図を示す。金属膜３１の表面上に金属部
材３６が残る。このようにして、ＡｌからなるＸ線レン
ズを作製することができる。
【００４９】波長９ｎｍのＸ線に対するＡｌの屈折率低
下分δは約２．８×１０-6であり、吸収係数μは約２０
ｃｍ-1である。従って、例えば焦点距離１．４ｍのレン
ズを得るためには、図１（Ａ）の第１及び第２の表面５
２Ａ及び５２ＢとＺＸ面との交線の、ＹＺ面との交点に
おける曲率半径を８μｍとすればよい。例えば、分解能
σを１μｍ程度とするためには、図１（Ａ）のＸ軸方向
の有効口径を１２６μｍとすればよい。
下分δは約２．８×１０-6であり、吸収係数μは約２０
ｃｍ-1である。従って、例えば焦点距離１．４ｍのレン
ズを得るためには、図１（Ａ）の第１及び第２の表面５
２Ａ及び５２ＢとＺＸ面との交線の、ＹＺ面との交点に
おける曲率半径を８μｍとすればよい。例えば、分解能
σを１μｍ程度とするためには、図１（Ａ）のＸ軸方向
の有効口径を１２６μｍとすればよい。
【００５０】図３（Ａ）〜（Ｄ）に示した方法の他に、
放電加工によっても金属製のＸ線レンズを作製すること
ができる。図１に示した実施例によるＸ線レンズを作製
するためには、曲率半径の小さな局面を精度よく成形し
なければならない。放電加工でこのような曲面を成形す
るためには、微細な工具電極を準備する必要がある。微
細な工具電極は、例えばワイヤ放電研削法（ワイヤ・エ
レクトロディスチャージ・グリンディング）により作製
することができる。ワイヤ放電研削法は、ワイヤガイド
に沿ってゆっくり移動する金属細線を電極として、放電
により細い棒を成形する手法である（例えば、増沢隆久
「マイクロマシニングの研究と手法」精密工学会誌第６
０巻Ｎｏ．１，１９９４年）。
放電加工によっても金属製のＸ線レンズを作製すること
ができる。図１に示した実施例によるＸ線レンズを作製
するためには、曲率半径の小さな局面を精度よく成形し
なければならない。放電加工でこのような曲面を成形す
るためには、微細な工具電極を準備する必要がある。微
細な工具電極は、例えばワイヤ放電研削法（ワイヤ・エ
レクトロディスチャージ・グリンディング）により作製
することができる。ワイヤ放電研削法は、ワイヤガイド
に沿ってゆっくり移動する金属細線を電極として、放電
により細い棒を成形する手法である（例えば、増沢隆久
「マイクロマシニングの研究と手法」精密工学会誌第６
０巻Ｎｏ．１，１９９４年）。
【００５１】ワイヤ放電研削法によって成形した微細な
工具電極を用いて、金属材料を放電加工することによ
り、曲率半径の小さな曲面を有するＸ線レンズを作製す
ることができる。
工具電極を用いて、金属材料を放電加工することによ
り、曲率半径の小さな曲面を有するＸ線レンズを作製す
ることができる。
【００５２】また、Ｘ線レンズの材料として、ＰＴＦＥ
や金属の他に、シリコン等の半導体材料を用いてもよ
い。シリコンの微細加工は、例えば、ＳＦ6ガスを用い
た極低温反応性イオンエッチングにより行うことができ
る（Masayoshi Esashi et al.,High-rate directional
deep dry etching for bulk silicon micromachining,
J. Micromech. Microeng. 5 (1995) pp.5-10）。
や金属の他に、シリコン等の半導体材料を用いてもよ
い。シリコンの微細加工は、例えば、ＳＦ6ガスを用い
た極低温反応性イオンエッチングにより行うことができ
る（Masayoshi Esashi et al.,High-rate directional
deep dry etching for bulk silicon micromachining,
J. Micromech. Microeng. 5 (1995) pp.5-10）。
【００５３】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
曲率半径の小さい曲面で屈折面を構成することにより、
焦点距離の短いＸ線レンズを得ることができる。また、
ＳＲ光によるエッチングを利用してＸ線レンズを作製す
ることにより、曲率半径の小さな屈折面を容易に形成
し、薄いレンズを再現性よく作製することが可能にな
る。
曲率半径の小さい曲面で屈折面を構成することにより、
焦点距離の短いＸ線レンズを得ることができる。また、
ＳＲ光によるエッチングを利用してＸ線レンズを作製す
ることにより、曲率半径の小さな屈折面を容易に形成
し、薄いレンズを再現性よく作製することが可能にな
る。
【図１】本発明の実施例によるＸ線レンズの斜視図、及
び断面図である。
び断面図である。
【図２】実施例で用いる加工装置の概略図、及び基材保
持部の断面図である。
持部の断面図である。
【図３】Ａｌを用いたＸ線レンズを作製する方法を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図４】従来例によるＸ線レンズの側面図である。
【符号の説明】 １ 電子軌道 ２ ＳＲ光 ３ マスク ４ ＰＴＦＥ基材 ５ 光軸 ７ 電源 ８ ヒータ ９ 温度制御装置 １４、１５ 試料保持台 １６ ガス流路 １７ マスク保持手段 ２０ 真空容器 ２１ コネクタ ２２ リード線取出口 ２３ 熱電対 ３０ 積層基板 ３１ 金属膜 ３２ ＰＴＦＥ膜 ３３ マスク ３４ ＳＲ光 ３５ 除去部 ３６ 金属部材 ５０ 基材 ５１Ａ、５１Ｂ 溝 ５２Ａ 第１の表面 ５２Ｂ 第２の表面 ６０、６１ Ｘ線
Claims (11)
- 【請求項１】 主平面に平行な直線を母線とする柱面か
らなる第１の表面を有し、該第１の表面が前記主平面に
関して面対称であり、該第１の表面と、その母線に垂直
な仮想平面との交線が滑らかな第１の曲線であり、該第
１の曲線の、前記主平面との交点における曲率半径が２
０μｍ以下であるＸ線レンズ。 - 【請求項２】 ポリテトラフルオロエチレン、テトラフ
ルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、
及びテトラフルオロエチレン−ペルフルオロビニルエー
テル共重合体からなる群より選択された高分子材料によ
り形成された請求項１に記載のＸ線レンズ。 - 【請求項３】 前記第１の表面が凹面である請求項１ま
たは２に記載のＸ線レンズ。 - 【請求項４】 前記第１の曲線が放物線である請求項１
〜３のいずれかに記載のＸ線レンズ。 - 【請求項５】 さらに、前記第１の表面の母線に平行な
直線を母線とする柱面からなり、該第１の表面とは反対
方向を向く第２の表面を有し、該第２の表面が前記主平
面に関して面対称な凹面であり、該第２の表面と、その
母線に垂直な仮想平面との交線が滑らかな第２の曲線で
あり、前記第１の表面と第２の表面とに挟まれた部分の
最小厚さが５０μｍ以下である請求項１〜４のいずれか
に記載のＸ線レンズ。 - 【請求項６】 ポリテトラフルオロエチレン、テトラフ
ルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、
及びテトラフルオロエチレン−ペルフルオロビニルエー
テル共重合体からなる群より選択された高分子材料によ
り形成されたＸ線レンズであって、ＸＹＺ直交座標係を
考えたとき、Ｙ軸に平行な直線を母線とする柱面からな
る第１の表面を有し、該第１の表面がＹＺ面に関して面
対称な凹面であり、該第１の表面とＺＸ面との交線が放
物線になるＸ線レンズ。 - 【請求項７】 さらに、前記第１の表面とＺＸ面との交
線の、ＹＺ面との交点における曲率半径をＲ、Ｘ線レン
ズのＹ軸方向の厚さをＴとしたとき、Ｔ／Ｒが５以上で
ある請求項６に記載のＸ線レンズ。 - 【請求項８】 ポリテトラフルオロエチレン、テトラフ
ルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、
及びテトラフルオロエチレン−ペルフルオロビニルエー
テル共重合体からなる群より選択された高分子材料によ
り形成された部材を準備する工程と、 縁の一部に、凹状の放物線部分を含み、シンクロトロン
放射光を透過させないマスクを、前記部材の表面に密着
させ、または該表面からある間隔を隔てて配置する工程
と、 前記マスクを介して前記部材にシンクロトロン放射光を
照射し、該部材の、シンクロトロン放射光の照射された
部分をエッチングする工程とを含むＸ線レンズの製造方
法。 - 【請求項９】 前記マスクの縁のうち前記放物線部分の
最小曲率半径が２０μｍ以下である請求項８に記載のＸ
線レンズの製造方法。 - 【請求項１０】 支持基板と、該支持基板に密着した高
分子膜であって、該高分子膜が、ポリテトラフルオロエ
チレン、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロ
ピレン共重合体、及びテトラフルオロエチレン−ペルフ
ルオロビニルエーテル共重合体からなる群より選択され
た高分子材料により形成されている積層基板を準備する
工程と、 縁の一部に、凸状の放物線部分を含み、シンクロトロン
放射光を透過させないマスクを、前記部材の表面に密着
させ、または該表面からある間隔を隔てて配置する工程
と、 前記マスクを介して前記高分子膜にシンクロトロン放射
光を照射し、該高分子膜の、シンクロトロン放射光の照
射された部分をエッチングする工程と、 前記高分子膜のエッチングされた部分に、金属部材を埋
め込む工程と、 前記支持基板上に残っている高分子膜を除去する工程と
を有するＸ線レンズの製造方法。 - 【請求項１１】 前記マスクの縁のうち前記放物線部分
の最小曲率半径が２０μｍ以下である請求項１０に記載
のＸ線レンズの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000041748A JP3590317B2 (ja) | 1999-03-01 | 2000-02-18 | Ｘ線レンズ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11-53025 | 1999-03-01 | ||
| JP5302599 | 1999-03-01 | ||
| JP2000041748A JP3590317B2 (ja) | 1999-03-01 | 2000-02-18 | Ｘ線レンズ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000314799A true JP2000314799A (ja) | 2000-11-14 |
| JP3590317B2 JP3590317B2 (ja) | 2004-11-17 |
Family
ID=26393730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000041748A Expired - Fee Related JP3590317B2 (ja) | 1999-03-01 | 2000-02-18 | Ｘ線レンズ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3590317B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102214493A (zh) * | 2011-03-16 | 2011-10-12 | 浙江工业大学 | 金属材料抛物面型二维聚焦x射线组合折射透镜的制作方法 |
| RU2634332C2 (ru) * | 2016-04-14 | 2017-10-25 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) | Рентгеновская линза на основе эффекта отражения |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60123803A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-02 | Pioneer Electronic Corp | マイクロフレネルレンズの製造方法 |
| JPH03160400A (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-10 | Shoji Suehiro | エックス線結像素子 |
| JPH07230000A (ja) * | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｘ線レンズ |
| JPH1050576A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 微細構造体製造用金型の製造方法および微細構造体の製造方法 |
| JPH10332895A (ja) * | 1997-05-19 | 1998-12-18 | Lucent Technol Inc | 冷中性子集束装置 |
| JPH1184092A (ja) * | 1997-09-11 | 1999-03-26 | Ritsumeikan | Ｘ線・シンクロトロン放射光の平行放射素子及び収束素子 |
| JP2000108136A (ja) * | 1998-10-07 | 2000-04-18 | Nippon Carbide Ind Co Inc | 光学素子形成用平板及びそれを用いた光学素子母型の作製方法 |
| JP2003505677A (ja) * | 1999-07-19 | 2003-02-12 | マメア イメイジング アクチボラゲット | 屈折型ｘ線装置 |
-
2000
- 2000-02-18 JP JP2000041748A patent/JP3590317B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60123803A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-02 | Pioneer Electronic Corp | マイクロフレネルレンズの製造方法 |
| JPH03160400A (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-10 | Shoji Suehiro | エックス線結像素子 |
| JPH07230000A (ja) * | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｘ線レンズ |
| JPH1050576A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 微細構造体製造用金型の製造方法および微細構造体の製造方法 |
| JPH10332895A (ja) * | 1997-05-19 | 1998-12-18 | Lucent Technol Inc | 冷中性子集束装置 |
| JPH1184092A (ja) * | 1997-09-11 | 1999-03-26 | Ritsumeikan | Ｘ線・シンクロトロン放射光の平行放射素子及び収束素子 |
| JP2000108136A (ja) * | 1998-10-07 | 2000-04-18 | Nippon Carbide Ind Co Inc | 光学素子形成用平板及びそれを用いた光学素子母型の作製方法 |
| JP2003505677A (ja) * | 1999-07-19 | 2003-02-12 | マメア イメイジング アクチボラゲット | 屈折型ｘ線装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102214493A (zh) * | 2011-03-16 | 2011-10-12 | 浙江工业大学 | 金属材料抛物面型二维聚焦x射线组合折射透镜的制作方法 |
| RU2634332C2 (ru) * | 2016-04-14 | 2017-10-25 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) | Рентгеновская линза на основе эффекта отражения |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3590317B2 (ja) | 2004-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6504901B1 (en) | X-ray focusing apparatus | |
| US6249566B1 (en) | Apparatus for x-ray analysis | |
| JP4025779B2 (ja) | Ｘ線集光装置 | |
| KR100408586B1 (ko) | 의료진단방사선촬영용반산란x선격자장치와격자제조방법 | |
| TW201523164A (zh) | 光束傳遞裝置及方法 | |
| Kume et al. | Development of electroforming process for soft x-ray ellipsoidal mirror | |
| CN102214493B (zh) | 金属材料抛物面型二维聚焦x射线组合折射透镜的制作方法 | |
| JP3590317B2 (ja) | Ｘ線レンズ及びその製造方法 | |
| Tamura et al. | Development of a multilayer Fresnel zone plate for high-energy synchrotron radiation X-rays by DC sputtering deposition | |
| WO2002057813A3 (en) | Pressed capillary optics | |
| JP2004219393A (ja) | 高光度の平行ビーム生成装置 | |
| CN110199374A (zh) | 光学寻址的、热电子电子束装置 | |
| CN115586200A (zh) | 一种立体成像装置 | |
| CN103021498B (zh) | 一种用于聚焦x射线的光学器件、制作方法及系统 | |
| US6674583B2 (en) | Fabrication of unit lenses for compound refractive lenses | |
| JP3818893B2 (ja) | Ｘ線レンズ | |
| CN1304858C (zh) | 一维x射线组合透镜 | |
| Wittry et al. | Large aperture point‐focusing diffractor for x rays | |
| JP3876268B2 (ja) | 放射光を用いた加工方法 | |
| JP2001337197A (ja) | Ｘ線レンズ、ｘ線描画装置及びｘ線露光方法 | |
| JP2000035500A (ja) | Ｘ線照射を用いた材料の加工方法及び加工装置 | |
| JP2011185781A (ja) | 電磁波集光シート | |
| Headrick et al. | Multilayer optics for a wiggler beamline | |
| JP2002071901A (ja) | Ｘ線レンズ及びその製造方法 | |
| JPH0711600B2 (ja) | Ｘ線集中装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040210 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040331 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040427 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040525 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040715 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040817 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040819 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080827 Year of fee payment: 4 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080827 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080827 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090827 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090827 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100827 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100827 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110827 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110827 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120827 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120827 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130827 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |