JP2000312101A - マイクロ波回路 - Google Patents
マイクロ波回路Info
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- JP2000312101A JP2000312101A JP11120682A JP12068299A JP2000312101A JP 2000312101 A JP2000312101 A JP 2000312101A JP 11120682 A JP11120682 A JP 11120682A JP 12068299 A JP12068299 A JP 12068299A JP 2000312101 A JP2000312101 A JP 2000312101A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 接続部のインピーダンス整合をとる。
【解決手段】 表面側に接続パターン６ｂを有し、裏面
側に接地用導体６ａを有する基板６と、この基板６を表
面側に有する台座２とから成るデバイスＤ１，Ｄ２を並
設し、上記基板６の端部６ｃを台座２の端部５ａ，５ｂ
より隣接の台座２方向に突出させて、突出させた基板
６，６同志の表，裏を、接続用導体７ａ，７ｂで接続し
た
側に接地用導体６ａを有する基板６と、この基板６を表
面側に有する台座２とから成るデバイスＤ１，Ｄ２を並
設し、上記基板６の端部６ｃを台座２の端部５ａ，５ｂ
より隣接の台座２方向に突出させて、突出させた基板
６，６同志の表，裏を、接続用導体７ａ，７ｂで接続し
た
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばマイクロ波
帯で使用されるモノリシックマイクロ波集積回路等の高
周波回路基板やドロップインタイプデバイスを接続して
構成されたマイクロ波回路に関する。
帯で使用されるモノリシックマイクロ波集積回路等の高
周波回路基板やドロップインタイプデバイスを接続して
構成されたマイクロ波回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１０ないし図１２は、例えば、特許出
願公開平４−１５０２０３に示された従来のマイクロ波
回路を示すものであり、図１０は１つのデバイスを示す
平面図、図１１はこのデバイスの断面図、図１２は複数
のデバイスが連接された状態を示す断面図である。図１
０、図１１において、２は銅等の導体から形成され、両
側面部に切欠き部３，３が設けられた平面視でＨ字状の
金属キャリアとしての台座、２ｄは一端部５ａ，他端部
５ｂ下側の接地取り面の側面に設けられ、内側に凹状に
窪む段部、９は台座２の上に搭載された高周波回路基
板、８は高周波回路基板９の上側に形成された回路パタ
ーンの両端部に一端が接続された金属片、６は金属片８
の他端が表面に所定寸法で形成された線路導体より成る
接続パターン６ｂに接続され、一端部５ａ，他端部５ｂ
まで設けられたセラミック等の誘電体から形成される基
板、６ａは基板６の裏側全面に被着され、金等の導体で
形成された接地導体、１０は高周波回路基板９を上から
覆うパッケージである。これらによりデバイスＤが形成
され、実際に使用するときには、１つ又は複数のデバイ
スＤが連接されて構成される。
願公開平４−１５０２０３に示された従来のマイクロ波
回路を示すものであり、図１０は１つのデバイスを示す
平面図、図１１はこのデバイスの断面図、図１２は複数
のデバイスが連接された状態を示す断面図である。図１
０、図１１において、２は銅等の導体から形成され、両
側面部に切欠き部３，３が設けられた平面視でＨ字状の
金属キャリアとしての台座、２ｄは一端部５ａ，他端部
５ｂ下側の接地取り面の側面に設けられ、内側に凹状に
窪む段部、９は台座２の上に搭載された高周波回路基
板、８は高周波回路基板９の上側に形成された回路パタ
ーンの両端部に一端が接続された金属片、６は金属片８
の他端が表面に所定寸法で形成された線路導体より成る
接続パターン６ｂに接続され、一端部５ａ，他端部５ｂ
まで設けられたセラミック等の誘電体から形成される基
板、６ａは基板６の裏側全面に被着され、金等の導体で
形成された接地導体、１０は高周波回路基板９を上から
覆うパッケージである。これらによりデバイスＤが形成
され、実際に使用するときには、１つ又は複数のデバイ
スＤが連接されて構成される。
【０００３】図１２は、例えば３つのデバイスＤ１，Ｄ
２，Ｄ３が横方向に連接された場合を示す断面図であ
り、１は接地導体となるケース等の取付体であり、デバ
イスＤ１，Ｄ２，Ｄ３は切欠き部３，３を介して図外の
ねじにより取付体１に螺着されて固定される。各デバイ
スＤ１，Ｄ２，Ｄ３同志は、近接状態となって突き合わ
せ状態となっている。この際にデバイスＤ１，Ｄ２間と
デバイスＤ２，Ｄ３間に注目すると、取付体１と切欠き
部２ｄ，２ｄとの間には、例えば導電性ゴム等の板状の
導電性弾性体Ｇが介在され、接地されている。さらに、
デバイスＤ１，Ｄ２とデバイスＤ２，Ｄ３相互の接続端
子としての基板６，６は突き合わせ状態となっており、
表面の接続パターン６ｂ，６ｂは上側から接続導体Ｅ，
Ｅにより接続されている。
２，Ｄ３が横方向に連接された場合を示す断面図であ
り、１は接地導体となるケース等の取付体であり、デバ
イスＤ１，Ｄ２，Ｄ３は切欠き部３，３を介して図外の
ねじにより取付体１に螺着されて固定される。各デバイ
スＤ１，Ｄ２，Ｄ３同志は、近接状態となって突き合わ
せ状態となっている。この際にデバイスＤ１，Ｄ２間と
デバイスＤ２，Ｄ３間に注目すると、取付体１と切欠き
部２ｄ，２ｄとの間には、例えば導電性ゴム等の板状の
導電性弾性体Ｇが介在され、接地されている。さらに、
デバイスＤ１，Ｄ２とデバイスＤ２，Ｄ３相互の接続端
子としての基板６，６は突き合わせ状態となっており、
表面の接続パターン６ｂ，６ｂは上側から接続導体Ｅ，
Ｅにより接続されている。
【０００４】基板６について注目すると、裏面全体に接
地導体６ａが被着され、表面に所定寸法の接続パターン
６ｂが形成されることにより、この接続パターン６ｂは
マイクロストリップ線路を構成することになる。図１３
を用いて、一般的なマイクロストリップ線路のインピー
ダンスを以下に説明する。図１３において、一般に、こ
のマイクロストリップ線路Ｓのインピーダンスは、マイ
クロストリップ線路Ｓの線路幅Ｗ、基板Ｋの厚さｈ、基
板Ｋの比誘電率εｒにより決定される。通常は、マイク
ロストリップ線路Ｓのインピーダンスの値が５０Ωとな
るように、線路幅Ｗ，厚さｈがそれぞれ所定の値に設定
されている。
地導体６ａが被着され、表面に所定寸法の接続パターン
６ｂが形成されることにより、この接続パターン６ｂは
マイクロストリップ線路を構成することになる。図１３
を用いて、一般的なマイクロストリップ線路のインピー
ダンスを以下に説明する。図１３において、一般に、こ
のマイクロストリップ線路Ｓのインピーダンスは、マイ
クロストリップ線路Ｓの線路幅Ｗ、基板Ｋの厚さｈ、基
板Ｋの比誘電率εｒにより決定される。通常は、マイク
ロストリップ線路Ｓのインピーダンスの値が５０Ωとな
るように、線路幅Ｗ，厚さｈがそれぞれ所定の値に設定
されている。
【０００５】図１２において、デバイスＤ１，Ｄ２，Ｄ
３同志の接続部に注目すると、接続導体Ｅと導電性弾性
体Ｇとの間でマイクロストリップ線路が形成される。し
かし、この接続導体Ｅが形成するマイクロストリップ線
路の厚さは、間隔ｈ１となって基板６の厚さより広がっ
ている。基板６の部分と比べると線路幅Ｗ，基板６の厚
さの関係が崩れており、線路幅Ｗ，間隔ｈ１の関係とな
っている。つまり、間隔ｈ１の部分のインピーダンスが
計算値より外れてしまい、５０Ωから大きく変わってし
まうことになり、デバイスＤ１，Ｄ２，Ｄ３同志の接続
部分でインピーダンスの不整合が生じる。
３同志の接続部に注目すると、接続導体Ｅと導電性弾性
体Ｇとの間でマイクロストリップ線路が形成される。し
かし、この接続導体Ｅが形成するマイクロストリップ線
路の厚さは、間隔ｈ１となって基板６の厚さより広がっ
ている。基板６の部分と比べると線路幅Ｗ，基板６の厚
さの関係が崩れており、線路幅Ｗ，間隔ｈ１の関係とな
っている。つまり、間隔ｈ１の部分のインピーダンスが
計算値より外れてしまい、５０Ωから大きく変わってし
まうことになり、デバイスＤ１，Ｄ２，Ｄ３同志の接続
部分でインピーダンスの不整合が生じる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来のマイクロ波回路は上記のように構成されていたの
で、マイクロストリップ線路のインピーダンスを決める
誘電体の厚さは、デバイスＤ１，Ｄ２，Ｄ３同志の接続
部分において、基板６の厚さから接続導体Ｅと導電性弾
性体Ｇとの間隔ｈ１に変わっていた。すなわち、この間
隔ｈ１となる接続部分でインピーダンスの不整合が発生
してしまい、高周波の反射が大きくなるという問題が起
こっていた。さらに、間隔ｈ１によっては、放射が起き
てしまうという問題があった。これらの反射や放射がお
きると、高周波特性が低下してしまうという問題があっ
た。
来のマイクロ波回路は上記のように構成されていたの
で、マイクロストリップ線路のインピーダンスを決める
誘電体の厚さは、デバイスＤ１，Ｄ２，Ｄ３同志の接続
部分において、基板６の厚さから接続導体Ｅと導電性弾
性体Ｇとの間隔ｈ１に変わっていた。すなわち、この間
隔ｈ１となる接続部分でインピーダンスの不整合が発生
してしまい、高周波の反射が大きくなるという問題が起
こっていた。さらに、間隔ｈ１によっては、放射が起き
てしまうという問題があった。これらの反射や放射がお
きると、高周波特性が低下してしまうという問題があっ
た。
【０００７】本発明は上記問題点を解消するためになさ
れたもので、簡易な構成によりマイクロ波の反射及び放
射を防いで、接続性能の向上を図り得るものである。
れたもので、簡易な構成によりマイクロ波の反射及び放
射を防いで、接続性能の向上を図り得るものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
のマイクロ波回路は、基板の端部を台座の端部より隣接
の台座方向に突出させて、突出させた基板同志の表，裏
を、デバイス間の接続用導体で接続したものである。
のマイクロ波回路は、基板の端部を台座の端部より隣接
の台座方向に突出させて、突出させた基板同志の表，裏
を、デバイス間の接続用導体で接続したものである。
【０００９】本発明の請求項２に記載のマイクロ波回路
は、表面側の接続用導体は、幅が上記接続パターンの幅
と等しいか若干小さいものである。
は、表面側の接続用導体は、幅が上記接続パターンの幅
と等しいか若干小さいものである。
【００１０】本発明の請求項３に記載のマイクロ波回路
は、各デバイスを取付体に取付けて、上記取付体には上
記接続用導体に対応する位置に表，裏方向に貫通する作
業穴を設けたものである。
は、各デバイスを取付体に取付けて、上記取付体には上
記接続用導体に対応する位置に表，裏方向に貫通する作
業穴を設けたものである。
【００１１】本発明の請求項４に記載のマイクロ波回路
は、台座と隣りの台座との間に間隙を設けて、この間隙
に対応する部位に、上記基板の端部を突出させたもので
ある。
は、台座と隣りの台座との間に間隙を設けて、この間隙
に対応する部位に、上記基板の端部を突出させたもので
ある。
【００１２】本発明の請求項５に記載のマイクロ波回路
は、上記台座の端部に切欠き部より成る窓部を形成し
て、この窓部方向に上記基板の端部を突出させたもので
ある。
は、上記台座の端部に切欠き部より成る窓部を形成し
て、この窓部方向に上記基板の端部を突出させたもので
ある。
【００１３】本発明の請求項６に記載のマイクロ波回路
は、上記切欠き部は、上記各台座の隣接部分の両側に形
成されたものである。
は、上記切欠き部は、上記各台座の隣接部分の両側に形
成されたものである。
【００１４】本発明の請求項７に記載のマイクロ波回路
は、上記切欠き部は、上記各台座の隣接部分の片側に形
成されたものである。
は、上記切欠き部は、上記各台座の隣接部分の片側に形
成されたものである。
【００１５】本発明の請求項８に記載のマイクロ波回路
は、上記窓部は、上記作業穴よりも大きさが小さいもの
である。
は、上記窓部は、上記作業穴よりも大きさが小さいもの
である。
【００１６】本発明の請求項９に記載のマイクロ波回路
は、デバイスの基板の端部を台座の端部よりドロップイ
ンタイプのデバイスの接続ピン方向に突出させて、この
突出させた上記基板の端部と上記接続ピン同志の表，裏
を、デバイス間の接続用導体で接続したものである。
は、デバイスの基板の端部を台座の端部よりドロップイ
ンタイプのデバイスの接続ピン方向に突出させて、この
突出させた上記基板の端部と上記接続ピン同志の表，裏
を、デバイス間の接続用導体で接続したものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面に基づき説明する。
て図面に基づき説明する。
【００１８】実施の形態１．図１は、本発明の実施の形
態１に係わるマイクロ波回路の構成を示す斜視図、図２
はマイクロ波回路の構成を示す平面図、図３はマイクロ
波回路の構成を示す断面図であり、この場合は２つのデ
バイス同志が接続されるものを示している。なお、図１
０ないし図１２と同じものは同一符号を用いている。図
１ないし図３において、平坦状の取付体１の表面側に
は、複数の台座２を所定間隔の隙間ｇを隔てて一列に並
設している。各台座２の両側部に切欠き部３が設けら
れ、この切欠き部３を介して取付体１に螺着されるねじ
４で台座２が取付体１に固定される。上記台座２及びそ
の表面の後述の部品等でデバイスＤ１，Ｄ２が構成され
る。
態１に係わるマイクロ波回路の構成を示す斜視図、図２
はマイクロ波回路の構成を示す平面図、図３はマイクロ
波回路の構成を示す断面図であり、この場合は２つのデ
バイス同志が接続されるものを示している。なお、図１
０ないし図１２と同じものは同一符号を用いている。図
１ないし図３において、平坦状の取付体１の表面側に
は、複数の台座２を所定間隔の隙間ｇを隔てて一列に並
設している。各台座２の両側部に切欠き部３が設けら
れ、この切欠き部３を介して取付体１に螺着されるねじ
４で台座２が取付体１に固定される。上記台座２及びそ
の表面の後述の部品等でデバイスＤ１，Ｄ２が構成され
る。
【００１９】この場合、取付体１に着眼すると、デバイ
スＤ１，Ｄ２の一端部５ａ，他端部５ｂの下側位置に、
ほぼ四角状の穴１ｍが複数形成され、この穴１ｍにより
熱圧着用の作業穴Ａが形成される。上記各台座２の上に
は、パッケージ１０が設置され、その内側に誘電体の基
板６が位置され、この基板６はパッケージ１０の外側に
延長されている。この基板６は、図２に示す如く上記各
台座２の中央横方向に延長し、この両端は、パッケージ
１０から外方向に突設されている。この基板６は長辺形
状となり、下面に接地用の接地導体６ａが金メッキ等に
より被着され、上面の中央には細幅の線路導体より成る
接続パターン６ｂが被着されており、半田等の不純物が
付着しないように製造時に管理されている。この場合、
基板６の両端部６ｃ，６ｃは一端部５ａ，他端部５ｂよ
りさらに外側にはみ出している。一方の基板６の端部６
ｃと隣りの基板６の端部６ｃとは一定距離離間している
が、上，下の接続用導体７ａ，７ｂにより電気的にブリ
ッジ接続されている。この接続用導体７ａは接続パター
ン６ｂの線路幅より若干小さいかほぼ等しい幅の金リボ
ン等の金属片より形成され、接続用導体７ｂは接続パタ
ーン６ｂの線路幅より十分広い幅の金リボン等の金属片
より形成され、両者とも作業穴Ａを用いて上，下から熱
圧着工具を当てて熱圧着されて接続される。すなわち、
接続用導体７ｂの両端は、隣接した基板６，６の接地導
体６ａ，６ａにしっかりと接続され、接続用導体７ａの
両端は、隣接した基板６，６の接続パターン６ｂ，６ｂ
にしっかりと接続される。
スＤ１，Ｄ２の一端部５ａ，他端部５ｂの下側位置に、
ほぼ四角状の穴１ｍが複数形成され、この穴１ｍにより
熱圧着用の作業穴Ａが形成される。上記各台座２の上に
は、パッケージ１０が設置され、その内側に誘電体の基
板６が位置され、この基板６はパッケージ１０の外側に
延長されている。この基板６は、図２に示す如く上記各
台座２の中央横方向に延長し、この両端は、パッケージ
１０から外方向に突設されている。この基板６は長辺形
状となり、下面に接地用の接地導体６ａが金メッキ等に
より被着され、上面の中央には細幅の線路導体より成る
接続パターン６ｂが被着されており、半田等の不純物が
付着しないように製造時に管理されている。この場合、
基板６の両端部６ｃ，６ｃは一端部５ａ，他端部５ｂよ
りさらに外側にはみ出している。一方の基板６の端部６
ｃと隣りの基板６の端部６ｃとは一定距離離間している
が、上，下の接続用導体７ａ，７ｂにより電気的にブリ
ッジ接続されている。この接続用導体７ａは接続パター
ン６ｂの線路幅より若干小さいかほぼ等しい幅の金リボ
ン等の金属片より形成され、接続用導体７ｂは接続パタ
ーン６ｂの線路幅より十分広い幅の金リボン等の金属片
より形成され、両者とも作業穴Ａを用いて上，下から熱
圧着工具を当てて熱圧着されて接続される。すなわち、
接続用導体７ｂの両端は、隣接した基板６，６の接地導
体６ａ，６ａにしっかりと接続され、接続用導体７ａの
両端は、隣接した基板６，６の接続パターン６ｂ，６ｂ
にしっかりと接続される。
【００２０】この接続用導体７ａ，７ｂにおける接続部
分のインピーダンスと基板６部分のインピーダンスとの
整合性を以下に説明する。上述のように、接続導体７ｂ
の両端が接地導体６ａ，６ａに接続されることで接地さ
れ、接続用導体７ａの両端が接続パターン６ｂ，６ｂに
接続されてマイクロ波を伝搬することにより、この接続
部分はマイクロストリップ線路を構成することになる。
接続用導体７ａ，７ｂ間の間隔ｈ２は、ほぼ基板６の板
厚と等しくなり、必要最小限度の寸法となる。さらに、
接続用導体７ａの幅が接続パターン６ｂの線路幅より若
干小さいかほぼ同じに形成されている。これにより、接
続用導体７ａ，７ｂの接続部分が形成するインピーダン
スと基板６部分のインピーダンスとがほぼ整合すること
になり、接続部におけるインピーダンスの不整合は無視
できる程度になる。
分のインピーダンスと基板６部分のインピーダンスとの
整合性を以下に説明する。上述のように、接続導体７ｂ
の両端が接地導体６ａ，６ａに接続されることで接地さ
れ、接続用導体７ａの両端が接続パターン６ｂ，６ｂに
接続されてマイクロ波を伝搬することにより、この接続
部分はマイクロストリップ線路を構成することになる。
接続用導体７ａ，７ｂ間の間隔ｈ２は、ほぼ基板６の板
厚と等しくなり、必要最小限度の寸法となる。さらに、
接続用導体７ａの幅が接続パターン６ｂの線路幅より若
干小さいかほぼ同じに形成されている。これにより、接
続用導体７ａ，７ｂの接続部分が形成するインピーダン
スと基板６部分のインピーダンスとがほぼ整合すること
になり、接続部におけるインピーダンスの不整合は無視
できる程度になる。
【００２１】なお、接続用導体７ａ，７ｂ間における空
気の比誘電率と基板６の比誘電率との違いを考慮して、
接続用導体７ａ，７ｂの幅を変えるようにしてもよい。
また、接続用導体７ａ，７ｂの中間側の間隙部分に誘電
体を介在させてスペーサとしての機能を与えてもよい。
また、接続用導体７ｂの熱圧着は、作業穴Ａを設けずに
側面側から行うことも考えられるが、作業穴Ａを介する
ことで圧着作業が容易に行える。
気の比誘電率と基板６の比誘電率との違いを考慮して、
接続用導体７ａ，７ｂの幅を変えるようにしてもよい。
また、接続用導体７ａ，７ｂの中間側の間隙部分に誘電
体を介在させてスペーサとしての機能を与えてもよい。
また、接続用導体７ｂの熱圧着は、作業穴Ａを設けずに
側面側から行うことも考えられるが、作業穴Ａを介する
ことで圧着作業が容易に行える。
【００２２】このように、台座２より基板６が突出さ
れ、この突出した部分が接続用導体７ａ，７ｂにより
上，下から接続されるように構成したので、接続用導体
７ａ，７ｂの間隔ｈ２は必要最小限の寸法となり、イン
ピーダンスの不整合はほとんどなくなり無視できる。そ
の結果、高周波の反射も最小限となり、接続性がよくな
り高周波特性の優れたマイクロ波回路を得ることが可能
となる。また、２つのデバイスＤ１，Ｄ２の場合を説明
したが、３つ以上のデバイスを接続するようにしてもよ
い。
れ、この突出した部分が接続用導体７ａ，７ｂにより
上，下から接続されるように構成したので、接続用導体
７ａ，７ｂの間隔ｈ２は必要最小限の寸法となり、イン
ピーダンスの不整合はほとんどなくなり無視できる。そ
の結果、高周波の反射も最小限となり、接続性がよくな
り高周波特性の優れたマイクロ波回路を得ることが可能
となる。また、２つのデバイスＤ１，Ｄ２の場合を説明
したが、３つ以上のデバイスを接続するようにしてもよ
い。
【００２３】実施の形態２．上記実施の形態１では、所
定間隔の隙間を設けてデバイスＤ１，Ｄ２を並設した場
合を説明したが、この実施の形態２では、図４ないし図
６に示すように、デバイスＤ１，Ｄ２を近接配置させ、
台座２の端部５ａ，５ｂに、作業穴Ａの上側に対応する
位置に切欠き部５ｎ，５ｎを設けたものである。この場
合、互いに隣接するデバイスＤ１，Ｄ２に着眼すると、
デバイスＤ１の一端部５ａと、デバイスＤ２の他端部５
ｂとには、互いに対向する位置に切欠き部５ｎ，５ｎが
形成されて、ほぼ楕円状の窓部５ｍが取付体１の穴１ｍ
より幾分小径に形成される。この穴１ｍと窓部５ｍとに
より熱圧着用の作業穴Ａが形成され、この場合では、上
記窓部５ｍの大きさは作業穴Ａよりも若干小さくなって
いる。この場合、基板６の両端６ｃ，６ｃは窓部５ｍに
対向する位置まで突出しており、その上，下が接続用導
体７ａ，７ｂで接続されることになる。これによれば、
切欠き部５ｎ，５ｎを設けたことによりデバイスＤ１，
Ｄ２が近接配置されるので、マイクロ波回路の寸法を短
くすることができる。なお、切欠き部５ｎは各台座２の
両端に設けることに限定されず、片側にだけ切欠き部５
ｎを設けて、窓部５ｍを形成してもよい。
定間隔の隙間を設けてデバイスＤ１，Ｄ２を並設した場
合を説明したが、この実施の形態２では、図４ないし図
６に示すように、デバイスＤ１，Ｄ２を近接配置させ、
台座２の端部５ａ，５ｂに、作業穴Ａの上側に対応する
位置に切欠き部５ｎ，５ｎを設けたものである。この場
合、互いに隣接するデバイスＤ１，Ｄ２に着眼すると、
デバイスＤ１の一端部５ａと、デバイスＤ２の他端部５
ｂとには、互いに対向する位置に切欠き部５ｎ，５ｎが
形成されて、ほぼ楕円状の窓部５ｍが取付体１の穴１ｍ
より幾分小径に形成される。この穴１ｍと窓部５ｍとに
より熱圧着用の作業穴Ａが形成され、この場合では、上
記窓部５ｍの大きさは作業穴Ａよりも若干小さくなって
いる。この場合、基板６の両端６ｃ，６ｃは窓部５ｍに
対向する位置まで突出しており、その上，下が接続用導
体７ａ，７ｂで接続されることになる。これによれば、
切欠き部５ｎ，５ｎを設けたことによりデバイスＤ１，
Ｄ２が近接配置されるので、マイクロ波回路の寸法を短
くすることができる。なお、切欠き部５ｎは各台座２の
両端に設けることに限定されず、片側にだけ切欠き部５
ｎを設けて、窓部５ｍを形成してもよい。
【００２４】実施の形態３．上記実施の形態１では、同
様な形状のデバイスＤ１，Ｄ２が複数連接された場合を
説明したが、この実施の形態３は、図７、図８に示すよ
うに、デバイスＤ１とドロップインタイプのデバイス２
０とが取付体１に併設され、デバイス２０から突設する
接続ピン２１とデバイスＤ１の基板６とを突き合わせ
て、接続ピン２１と基板６の端部とを上，下から接続用
導体２２，２３により接続したものである。この場合、
図９に示すように、ドロップインタイプのデバイス２０
は、箱状のケース２０ａの内側に、高周波を吸収する５
０Ω終端器、アンプ、ミキサー等を収納しており、ここ
では終端器が収納された例を説明するが、これに限定さ
れない。上記ケース２０ａ内側の終端器に接続された接
続ピン２１は板状であり、ケース２０ａの側面に設けら
れた誘電体２４を介して外側に突出している。この接続
ピン２１は、上から接続用導体２２により基板６の接続
用パターン６ｂに接続されている。上記ケース２０ａ
は、下から接続用導体２３により基板６の接地導体６ａ
に接続されて接地されている。実施の形態３においても
同様に、接続用導体２２と接続用導体２３との間隔が接
続ピン２１と基板６との重ね厚み分とほぼ等しくなるの
で最短となり、インピーダンスの不整合はほとんどなく
なり、無視できる程度となる。その結果、高周波の反射
及び放射も最小限となり、優れたマイクロ波回路を得る
ことが可能となる。
様な形状のデバイスＤ１，Ｄ２が複数連接された場合を
説明したが、この実施の形態３は、図７、図８に示すよ
うに、デバイスＤ１とドロップインタイプのデバイス２
０とが取付体１に併設され、デバイス２０から突設する
接続ピン２１とデバイスＤ１の基板６とを突き合わせ
て、接続ピン２１と基板６の端部とを上，下から接続用
導体２２，２３により接続したものである。この場合、
図９に示すように、ドロップインタイプのデバイス２０
は、箱状のケース２０ａの内側に、高周波を吸収する５
０Ω終端器、アンプ、ミキサー等を収納しており、ここ
では終端器が収納された例を説明するが、これに限定さ
れない。上記ケース２０ａ内側の終端器に接続された接
続ピン２１は板状であり、ケース２０ａの側面に設けら
れた誘電体２４を介して外側に突出している。この接続
ピン２１は、上から接続用導体２２により基板６の接続
用パターン６ｂに接続されている。上記ケース２０ａ
は、下から接続用導体２３により基板６の接地導体６ａ
に接続されて接地されている。実施の形態３においても
同様に、接続用導体２２と接続用導体２３との間隔が接
続ピン２１と基板６との重ね厚み分とほぼ等しくなるの
で最短となり、インピーダンスの不整合はほとんどなく
なり、無視できる程度となる。その結果、高周波の反射
及び放射も最小限となり、優れたマイクロ波回路を得る
ことが可能となる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に記載の
発明によれば、基板の端部を台座の端部より隣接の台座
方向に突出させて、突出させた基板同志の表，裏を、デ
バイス間の接続用導体で接続したので、接続部のインピ
ーダンスが整合されて高周波の反射及び放射がなくな
り、高周波特性の優れたマイクロ波回路を得ることがで
きる。
発明によれば、基板の端部を台座の端部より隣接の台座
方向に突出させて、突出させた基板同志の表，裏を、デ
バイス間の接続用導体で接続したので、接続部のインピ
ーダンスが整合されて高周波の反射及び放射がなくな
り、高周波特性の優れたマイクロ波回路を得ることがで
きる。
【００２６】また、請求項２に記載の発明によれば、表
面側の接続用導体は、幅が上記接続パターンの幅と等し
いか若干小さいので、接続部のインピーダンスが整合さ
れて高周波の反射及び放射がなくなり、高周波特性の優
れたマイクロ波回路を得ることができる。
面側の接続用導体は、幅が上記接続パターンの幅と等し
いか若干小さいので、接続部のインピーダンスが整合さ
れて高周波の反射及び放射がなくなり、高周波特性の優
れたマイクロ波回路を得ることができる。
【００２７】また、請求項３に記載の発明によれば、各
デバイスを取付体に取付けて、上記取付体には上記接続
用導体に対応する位置に表，裏方向に貫通する作業穴を
設けたので、接続用導体の接続作業が容易になる。
デバイスを取付体に取付けて、上記取付体には上記接続
用導体に対応する位置に表，裏方向に貫通する作業穴を
設けたので、接続用導体の接続作業が容易になる。
【００２８】また、請求項４に記載の発明によれば、台
座と隣りの台座との間に間隙を設けて、この間隙に対応
する部位に、上記基板の端部を突出させたので、マイク
ロ波回路を短い寸法で形成できる。
座と隣りの台座との間に間隙を設けて、この間隙に対応
する部位に、上記基板の端部を突出させたので、マイク
ロ波回路を短い寸法で形成できる。
【００２９】また、請求項５に記載の発明によれば、上
記台座の端部に切欠き部より成る窓部を形成して、この
窓部方向に上記基板の端部を突出させたので、マイクロ
波回路をさらに短い寸法で形成できる。
記台座の端部に切欠き部より成る窓部を形成して、この
窓部方向に上記基板の端部を突出させたので、マイクロ
波回路をさらに短い寸法で形成できる。
【００３０】また、請求項６に記載の発明によれば、上
記切欠き部は、上記各台座の隣接部分の両側に形成され
たので、マイクロ波回路をさらに短い寸法で形成でき
る。
記切欠き部は、上記各台座の隣接部分の両側に形成され
たので、マイクロ波回路をさらに短い寸法で形成でき
る。
【００３１】また、請求項７に記載の発明によれば、上
記切欠き部は、上記各台座の隣接部分の片側に形成され
たので、マイクロ波回路をさらに短い寸法で形成でき
る。
記切欠き部は、上記各台座の隣接部分の片側に形成され
たので、マイクロ波回路をさらに短い寸法で形成でき
る。
【００３２】また、請求項８に記載の発明によれば、上
記窓部は、上記作業穴よりも大きさが小さいので、マイ
クロ波回路を短い寸法で形成できる。
記窓部は、上記作業穴よりも大きさが小さいので、マイ
クロ波回路を短い寸法で形成できる。
【００３３】また、請求項９に記載の発明によれば、デ
バイスの基板の端部を台座の端部よりドロップインタイ
プのデバイスの接続ピン方向に突出させて、この突出さ
せた上記基板の端部と上記接続ピン同志の表，裏を、デ
バイス間の接続用導体で接続したので、ドロップインタ
イプのデバイスを用いても接続部のインピーダンス整合
を取ることができる。
バイスの基板の端部を台座の端部よりドロップインタイ
プのデバイスの接続ピン方向に突出させて、この突出さ
せた上記基板の端部と上記接続ピン同志の表，裏を、デ
バイス間の接続用導体で接続したので、ドロップインタ
イプのデバイスを用いても接続部のインピーダンス整合
を取ることができる。
【図１】 本発明の実施の形態１に係わるマイクロ波回
路の構成を示す斜視図である。
路の構成を示す斜視図である。
【図２】 実施の形態１に係わるマイクロ波回路の構成
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３】 実施の形態１に係わるマイクロ波回路の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】 実施の形態２に係わるマイクロ波回路の構成
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図５】 実施の形態２に係わるマイクロ波回路の構成
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図６】 実施の形態２に係わるマイクロ波回路の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図７】 実施の形態３に係わるマイクロ波回路の構成
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図８】 実施の形態３に係わるマイクロ波回路の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図９】 実施の形態３に係わるドロップインタイプの
デバイスの構成を示す斜視図である。
デバイスの構成を示す斜視図である。
【図１０】 従来のデバイスの構成を示す平面図であ
る。
る。
【図１１】 従来のデバイスの構成を示す断面図であ
る。
る。
【図１２】 従来のマイクロ波の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図１３】 マイクロストリップ線路のインピーダンス
を説明する断面斜視図である。
を説明する断面斜視図である。
１ 取付体、２ 台座、３ 切欠き部、４ ねじ、６
基板、６ａ 接地用導体、６ｂ 接続パターン、７ａ，
７ｂ 接続用導体、１０ パッケージ、Ｄ１，Ｄ２ デ
バイス、Ａ 作業穴。
基板、６ａ 接地用導体、６ｂ 接続パターン、７ａ，
７ｂ 接続用導体、１０ パッケージ、Ｄ１，Ｄ２ デ
バイス、Ａ 作業穴。
Claims (9)
- 【請求項１】 表面側に接続パターンを有し、裏面側に
接地用導体を有する誘電体より成る基板と、この基板を
表面側に有する台座とから成るデバイスを並設したマイ
クロ波回路において、上記基板の端部を台座の端部より
隣接の台座方向に突出させて、突出させた基板同志の
表，裏を、デバイス間の接続用導体で接続したこと特徴
とするマイクロ波回路。 - 【請求項２】 表面側の接続用導体は、幅が上記接続パ
ターンの幅と等しいか若干小さいことを特徴とする請求
項１に記載のマイクロ波回路。 - 【請求項３】 各デバイスを取付体に取付けて、上記取
付体には上記接続用導体に対応する位置に表，裏方向に
貫通する作業穴を設けたことを特徴とする請求項１又は
請求項２に記載のマイクロ波回路。 - 【請求項４】 台座と隣りの台座との間に間隙を設け
て、この間隙に対応する部位に、上記基板の端部を突出
させたことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか
に記載のマイクロ波回路。 - 【請求項５】 上記台座の端部に切欠き部より成る窓部
を形成して、この窓部方向に上記基板の端部を突出させ
たことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記
載のマイクロ波回路。 - 【請求項６】 上記切欠き部は、上記各台座の隣接部分
の両側に形成されたことを特徴とする請求項５に記載の
マイクロ波回路。 - 【請求項７】 上記切欠き部は、上記各台座の隣接部分
の片側に形成されたことを特徴とする請求項５に記載の
マイクロ波回路。 - 【請求項８】 上記窓部は、上記作業穴よりも大きさが
小さいことを特徴とする請求項５に記載のマイクロ波回
路。 - 【請求項９】 表面側に接続パターンを有し、裏面側に
接地用導体を有する誘電体より成る基板と、この基板を
表面側に有する台座とから成るデバイスと、ドロップイ
ンタイプのデバイスとを並設したマイクロ波回路におい
て、上記デバイスの基板の端部を台座の端部より上記ド
ロップインタイプのデバイスの接続ピン方向に突出させ
て、この突出させた上記基板の端部と上記接続ピン同志
の表，裏を、デバイス間の接続用導体で接続したこと特
徴とするマイクロ波回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11120682A JP2000312101A (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | マイクロ波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11120682A JP2000312101A (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | マイクロ波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000312101A true JP2000312101A (ja) | 2000-11-07 |
Family
ID=14792348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11120682A Pending JP2000312101A (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | マイクロ波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000312101A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011061387A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | 高周波モジュール |
-
1999
- 1999-04-27 JP JP11120682A patent/JP2000312101A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011061387A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | 高周波モジュール |
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