JP2024046970A - 高周波モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】線路の接続部位における損失を低減し、高周波モジュールの使用周波数範囲を、より高い周波数まで拡張できるようにする技術を提供する。【解決手段】第１の基板は、基板の端部に該端部から突出した接続部を有する。第２の基板は、基板を厚さ方向に貫通し、接続部が挿通される基板貫通孔を有する。第１の基板は、基板貫通孔を突き抜ける接続部の先端に形成される端子パッドとトリプレート線路を形成する第１線路パターンとを接続する接続パターンを有する。接続パターンは、端子パッドから第１線路パターンに向けて線路幅が段階的に広がるように構成される。第２の基板は、基板貫通孔を突き抜けた端子パッドと電気的に接続される接続パッドを有する。【選択図】図４

Description

本開示は、異なる基板に形成された高周波線路を接続する技術に関する。

特許文献１には、第１の基板に形成されたトリプレート線路と、第２の基板に形成されたマイクロストリップ線路との接続に用いる接続構造が開示されている。具体的には、第２の基板に貫通孔を形成すると共に、貫通孔を両側から挟むように形成されたＵ字状のパッドパターンをマイクロストリップ線路の一端に設ける。第１の基板の縁部に、貫通孔を貫通する大きさに形成された突起状の接続部を設け、接続部の先端にトリプレート線路の信号線パターンに接続された端子パッドを設ける。第２の基板の貫通孔に、第１の基板の接続部を貫通させた状態に、両基板を組み合わせ、貫通孔を貫通した接続部の先端に形成された端子パッドと、貫通部の挟むように設けられたパッドパターンとをハンダづけする。これにより、異なる基板に形成された高周波線路同士を電気的に接続する。

特許第６９１６９８５号公報

ある周波数帯で動作するように設計された高周波モジュールを、使用周波数帯を高い側に拡張して使用する場合、両線路の接続部位（すなわち、貫通孔及び接続部）において信号の反射等による損失が生じ易いことが分かった。例えば、３ＧＨｚ以下で動作するように設計された高周波モジュール（例えば、アンテナ装置）を、５ＧＨｚまで使用周波数帯を拡張した場合、接続部位において信号の反射等による損失が生じ、所望の性能（例えば、ＶＳＷＲ）を実現できなかった。なお、ＶＳＷＲは、電圧定在波比の略である。

本開示の１つの局面は、線路の接続部位における損失を低減し、高周波モジュールの使用周波数範囲を、より高い周波数まで拡張できるようにする技術を提供する。

本開示の一態様は、高周波モジュールであって、第１の基板と、第２の基板と、を備える。第１の基板は、基板の端部に該端部から突出した接続部を有する。第２の基板は、基板を厚さ方向に貫通し、接続部が挿通される基板貫通孔を有し、接続部を基板貫通孔に挿通させた状態で、第１の基板と一体化される。第１の基板は、第１線路パターンと、端子パッドと、接続パターンと、を備える。第１線路パターンは、基板両面に対向して設けられ、トリプレート線路を形成する。端子パッドは、基板貫通孔を突き抜ける接続部の先端に形成される。接続パターンは、第１線路パターンと端子パッドとを接続し、且つ、端子パッドから第１線路パターンに向けて線路幅が段階的に広がるように構成される。第２の基板は、第２線路パターンと、接続パッドと、を備える。第２線路パターンは、当該第２の基板のパターン面に形成され、パターン面とは反対側のグランド面に形成されたグランドパターンと共にマイクロストリップ線路を形成する。接続パッドは、パターン面にて基板貫通孔の少なくとも一部を囲うと共に、第２線路パターンの一端に接続され、且つ、基板貫通孔を突き抜けた端子パッドと電気的に接続される。

このような構成によれば、線路の接続部位における損失を低減し、高周波モジュールを使用可能な周波数範囲を、より高い周波数まで拡張することができる。

図１Ａは、高周波モジュールの模式的な正面図であり、図１Ｂは、高周波モジュールの模式的な側面図である。 図１ＡにおけるＩＩ－ＩＩ線での模式的な断面図である。 図３Ａは、金属フレームにおいてアンテナ基板が取り付けられる部位をベース板の反射面側から見た模式的な正面図であり、図３Ｂは、図３Ａで示す部位を、アンテナ基板を取り除いた状態の模式的な正面図である。 図３ＡにおけるＩＶ－ＩＶ線での金属フレーム及びアンテナ基板の模式的な断面図、及び金属フレームに保持された回路基板を示す模式図である。 図３ＡにおけるＶ－Ｖ線での金属フレーム及びアンテナ基板の模式的な断面図、及び金属フレームに保持された回路基板を示す模式図である。 アンテナ基板と回路基板とを電気的に接続する部位周辺の構成を示す模式的な透視図である。 従来のパッドパターン形状及び接続部周辺のパターン形状を示す説明図である。 本開示におけるパッドパターン形状及び接続部周辺のパターン形状を示す説明図である。 従来構造の高周波モジュールにおいて、基板貫通孔を挿通させる接続部の幅（すなわち、端子パッドのパターン幅）Ｗ１を変化させて、シミュレーションによりＶＳＷＲを算出した結果を示すグラフである。 実施形態の高周波モジュールにおいて、給電線路側の接続線路の線路幅Ｗ２２を変化させて、シミュレーションによりＶＳＷＲを算出した結果を示すグラフである。 実施形態の高周波モジュールにおいて、接続部の幅Ｗ１を変化させてシミュレーションによりＶＳＷＲを算出した結果を示すグラフである。 実施形態の高周波モジュールにおいて、アンテナ基板のパターン面から突き出た接続部の長さ（すなわち、端子パッドのパターン長さ）Ｌ１を変化させて、シミュレーションによりＶＳＷＲを算出した結果を示すグラフである。

以下、図面を参照しながら、本開示の実施形態を説明する。
［１．構成］
図１～図８に示す高周波モジュール１は、金属フレーム２と、複数の回路基板３と、複数の接続基板４と、複数のアンテナ基板５と、分配基板６と、コネクタ群７とを備える。

［１－１．金属フレーム］
金属フレーム２は、複数の回路基板３、複数の接続基板４、複数のアンテナ基板５、分配基板６、及びコネクタ群７を一体に保持する。金属フレーム２は、例えば、アルミニウム又はアルミニウム合金で形成される。金属フレーム２は、接地された地導体である。金属フレーム２は、ベース板２１と、複数の壁板２２と、２つの端板２３とを有する。

ベース板２１は、長方形の板面を有する。以下では、ベース板２１の板面における短手方向に沿った軸をＸ軸とし、ベース板２１の板面における長手方向に沿った軸をＺ軸とし、Ｘ軸及びＺ軸と直交する方向、すなわち、ベース板２１の板面の厚さ方向に沿った軸をＹ軸とする。また、ベース板２１の一つの板面を反射面２１Ａとし、反射面２１Ａとは反対側の板面を保持面２１Ｂとする。高周波モジュール１は、Ｚ軸が鉛直方向と平行となり、且つ、Ｘ軸及びＹ軸が水平方向と平行となる向きに設置される。

ベース板２１のＺ軸方向の両端には、それぞれ端板２３が設けられる。鉛直方向の下端側に位置する端板２３には、コネクタ群７が設けられる。コネクタ群７に属する各コネクタには、例えば、同軸ケーブルを接続するＢＮＣコネクタ等が用いられる。

ベース板２１の反射面２１Ａ上には、Ｚ軸方向に沿って、複数の接続基板４及び複数のアンテナ基板５が、２つの端板２３の間に並置される。反射面２１Ａは、当該反射面２１Ａ上に配置されたアンテナ基板５に向けて電波を反射する機能を有する。反射面２１ＡのＺ軸方向の一端（ここでは、下方側端）には、分配基板６が設けられる。

ベース板２１の保持面２１Ｂには、Ｘ軸方向に沿って、複数の壁板２２が設けられる。
複数の壁板２２は、保持面２１ＢからＹ軸方向に突出し、且つ、各壁板２２の厚み方向がＸ軸方向と一致するように配置される。複数の壁板２２は、Ｘ軸方向に沿って等間隔で配置される。

保持面２１Ｂには、図２～図５に示すように、隣接する２つの壁板２２の間の中間位置にＺ軸方向に沿って形成された基板保持溝２１Ｃを備える。基板保持溝２１Ｃは、回路基板３の辺縁部を差し込み可能な溝幅を有し、基板保持溝２１Ｃに差し込まれた回路基板３を、２つの壁板２２の間に保持する。複数の壁板２２の大きさはすべて等しく、基板保持溝２１Ｃに保持された状態の回路基板３をＸ軸方向から見たときに、壁板２２によって回路基板３の全体が覆われる大きさを有する。

複数の回路基板３は、保持面２１Ｂにおいて、Ｘ軸方向に沿って並置され、それぞれが２つの壁板２２の間に挟まれた状態に保持される。複数の壁板２２は、複数の回路基板３上に形成された配線パターンと共にトリプレート線路を形成する。つまり、複数の壁板２２は、トリプレート線路の外部導体として機能する。

ベース板２１は、ベース板２１を厚み方向に貫通する複数のフレーム貫通孔２１Ｄを有する。フレーム貫通孔２１Ｄは、反射面２１Ａに配置される接続基板４又はアンテナ基板５と、保持面２１Ｂに形成された基板保持溝２１Ｃとが交差する地点の少なくとも一部に設けられる。

なお、本実施形態において、ベース板２１及び複数の壁板２２の全体が一つの部材として構成されている。ベース板２１は、例えば、複数の壁板２２が設けられた（つまり、複数の回路基板３が配置される）中央部分と、中央部分よりもＸ軸方向外側の部分を含む本体とが別の部材で構成されてもよい。この場合、中央部分は、本体に嵌合された状態で例えばボルトによって本体に固定されてもよい。

［１－２．アンテナ基板］
複数のアンテナ基板５は、いずれも同様の構成を有するプリント配線基板である。

アンテナ基板５は、一方の面（以下、グランド面）５Ａに、ほぼ全面に渡ってグランドパターン５１が形成される。アンテナ基板５は、グランド面５Ａとは反対側の面（以下、パターン面）５Ｂに、アンテナ素子５２と、アンテナ給電線路５３と、接続パッド５４として機能する配線パターンが形成される。なお、アンテナ素子５２は、特に図１Ａを参照のこと。アンテナ給電線路５３及び接続パッド５４は、特に図３Ａ、図６及び図８Ａを参照のこと。

各アンテナ基板５において、２つのアンテナ素子５２は、図１に示すように、アンテナ基板５のＸ軸に平行な方向の両端に配置される。２つのアンテナ素子５２は、いずれも、偏波角が直交する２つの直線状アンテナ素子をＸ字状に組み合わせることで形成される。１つのアンテナ素子５２を形成する２つの直線状アンテナ素子のうち、一方の直線状アンテナ素子の偏波角は水平方向に対し＋４５°となり、他方の直線状アンテナ素子の偏波角は水平方向に対し－４５°となるように設定される。

複数のアンテナ基板５は、互いに上下方向（つまりＺ軸方向）に離れて配置される。従って、本実施形態では、高周波モジュール１は、上下方向に並んだ複数のアンテナ素子５２で構成される列を２つ有する。ただし、複数のアンテナ素子５２の配置パターンはこれに限定されない。

アンテナ基板５は、図２及び図４に示すように、グランド面５Ａがベース板２１の反射面２１Ａと接触するように配置される。但し、アンテナ基板５のグランドパターン５１は、絶縁性のレジスト層で覆われていてもよい。この場合、アンテナ基板５のグランドパターン５１と金属フレーム２とは、レジスト層を介して電磁結合されることになる。

アンテナ基板５は、図３Ａ及び図６に示すように、当該アンテナ基板５が反射面２１Ａ上に配置されたときに、フレーム貫通孔２１Ｄと対向する部分に、グランドパターン５１の一部を除去したパターン除去部５１Ａを有する。つまり、アンテナ基板５は、ベース板２１の反射面２１Ａにて、パターン除去部５１Ａがフレーム貫通孔２１Ｄを覆うように配置される。

アンテナ基板５は、ベース板２１の反射面２１Ａに配置されたときにフレーム貫通孔２１Ｄと対向する位置（すなわち、パターン除去部５１Ａ）の中心部分に、後述する回路基板３の接続部３３の先端部位３３Ａを挿通させる長方形の基板貫通孔５Ｃを有する。

接続パッド５４は、図３Ａ及び図８Ａに示すように、アンテナ基板５のパターン面５Ｂにおいて、基板貫通孔５Ｃを囲うように形成される。具体的には、接続パッド５４は、長方形の基板貫通孔５Ｃの縁部のうち、Ｚ軸方向に沿った２つの縁部に沿って、基板貫通孔５Ｃを挟み込むように形成されたパターンを、Ｚ軸方向の一端にて連結したＵ字型の形状を有する。

アンテナ給電線路５３は、一端がアンテナ素子５２に接続され、他の一端が接続パッド５４に接続される。なお、アンテナ基板５において、パターン面５Ｂに形成されたアンテナ給電線路５３は、グランド面５Ａに形成されたグランドパターン５１と共にマイクロストリップ線路として機能する。

［１－３．接続基板］
接続基板４は、同系統の給電回路が搭載される異なる回路基板３同士を電気的に接続するためのものである。接続基板４は、ベース板２１の反射面２１Ａに配置され、フレーム貫通孔２１Ｄを介して回路基板３と電気的に接続される。

フレーム貫通孔２１Ｄを介して、接続基板４と回路基板３とを電気的に接続するために設けられる基板貫通孔、及び接続パッドの構造は、アンテナ基板５と回路基板３とを電気的に接続するために設けられる基板貫通孔５Ｃ、及び接続パッド５４の構造と同様である。

［１－４．回路基板］
回路基板３は、基板両面に配線パターンが形成される帯板状の誘電体基板である。回路基板３は、基板保持溝２１Ｃに差し込まれる端辺に、一つ以上の接続部３３を備える。接続部３３は、回路基板３が金属フレーム２によって所定の位置に保持されたときに、ベース板２１のフレーム貫通孔２１Ｄ、及びアンテナ基板５（又は接続基板４）の基板貫通孔５Ｃを突き抜けるように形成された突起状の部位である。

接続部３３は、図４～図６及び図８Ｂに示すように、先端部位３３Ａと、根元部位３３Ｂとを備える。先端部位３３Ａは、接続部３３の先端側に位置し、基板貫通孔５Ｃを挿通可能な幅を有する。根元部位３３Ｂは、接続部３３の根元側に位置し、フレーム貫通孔２１Ｄに挿入可能な幅を有する。つまり、根元部位３３Ｂがフレーム貫通孔２１Ｄに挿入されると、ベース板２１に対する回路基板３の位置が決められ、接続部３３の先端部位３３Ａは、フレーム貫通孔２１Ｄの中心に位置する。この状態で回路基板３をベース板２１側に更に押し込むことによって、接続部３３の先端部位３３Ａは、基板貫通孔５Ｃを挿通する。

回路基板３は、誘電体基板３１の両面に、給電線路３４、接続線路３５、端子パッド３６として機能する配線パターンが形成される。これらの配線パターンは、回路基板３の厚さ方向の一方から見て同一形状（すなわち、回路基板３の厚さ方向の中心に対して対称な形状）を有する。回路基板３の両面に形成された配線パターンは、回路基板３を貫通するスルーホールにより電気的に接続されてもよい。

給電線路３４は、一端が図示しない給電回路に接続され、他の一端（以下、接続部３３側端）が、基板保持溝２１Ｃに挿入される回路基板３の部位を挟んで、接続部３３と対向する位置に配線される。

端子パッド３６は、接続部３３の先端部位３３Ａのうち、基板貫通孔５Ｃを突き抜ける部位の全面に形成される。つまり、端子パッド３６のＺ軸に沿った方向のパターン幅Ｗ１は、先端部位３３ＡのＺ軸方向に沿った幅と同じ大きさを有する。

端子パッド３６は、金属フレーム２に組み付けられると、基板貫通孔５Ｃを貫通してアンテナ基板５のパターン面５Ｂから突き出た状態となる。このパターン面５Ｂから突き出た端子パッド３６が、基板貫通孔５Ｃの周囲に形成されたＵ字状の接続パッド５４にハンダ付けされることで、回路基板３上の給電線路３４と、アンテナ基板５上のアンテナ給電線路５３とが電気的に接続される。

回路基板３の接続部３３において、給電線路３４と端子パッド３６とを接続する接続線路３５は、図４、図６及び図８Ｂに示すように、端子パッド３６側から給電線路３４側に向けて段階的に線路幅が広がる形状を有する。

本実施形態では、接続線路３５は、端子パッド３６側の接続線路３５Ａと、給電線路３４側の接続線路３５Ｂとの２段階に分けられる。そして、接続線路３５Ｂの線路幅Ｗ２２は、接続線路３５Ａの線路幅Ｗ２１より広く、給電線路３４の線路幅Ｗ３より狭く設定される。

回路基板３が金属フレーム２に保持された状態では、接続線路３５Ａは、フレーム貫通孔２１Ｄの中心に位置し、当該接続線路３５Ａを内部導体とし、フレーム貫通孔２１Ｄの内周壁を外部導体とする同軸線路として機能する。

［１－５．分配基板］
分配基板６は、端板２３に設けられたコネクタ群７と複数の回路基板３上に設けられた各回路とを電気的に接続する機能を有する。具体的な構成についての説明は省略する。

［２．設計］
以下では、高周波モジュール１の使用周波数帯の中心周波数を基準周波数とする。また、基準周波数に対応する波長を基準波長λ、回路基板３及びアンテナ基板５内での基準周波数に対応する短縮された波長を、基準短縮波長λｇという。アンテナ基板５及び回路基板３に用いる誘電体基板３１として、ガラエポ材を用いた。

なお、接続線路３５Ｂの長さＬ２は、２ｍｍに設定する。なお、接続線路３５Ｂの長さＬ２は、これより長くし過ぎると、接続線路３５における同軸線路としての構造がくずれ、これより短くし過ぎると、特性を広帯域化する効果が得られなくなる。
トリプレート線路として機能する給電線路３４の線路幅Ｗ３と、同軸線路として機能する接続線路３５Ａの線路幅Ｗ２１と、マイクロストリップ線路として機能するアンテナ給電線路５３の線路幅Ｗ４は、いずれも基準周波数にてインピーダンスが所定値（例えば、５０Ω）となるように設定する。

次に、接続部３３の先端部位３３Ａ（すなわち、端子パッド３６）の幅Ｗ１を、使用周波数帯におけるＶＳＷＲの平均値が、できるだけ１．０に近づくように設計する。このとき、接続部３３の先端部位３３Ａが、アンテナ基板５のパターン面５Ｂから突出する高さＬ１は、端子パッド３６と接続パッド５４とをハンダ付けしたときに、十分な物理的強度が得られる、可能な限り小さなサイズに設定する。

接続線路３５Ｂの線路幅Ｗ２２は、上述の設定を前提として、使用周波数帯におけるＶＳＷＲの平均値が、１．０５以下となるように設定する。
上述の基本設計を行った後、更に、Ｗ１、Ｗ２２、Ｌ１、Ｌ２等を、ＶＳＷＲが最適化されるように微調整してもよい。

［３．実験］
図９は、従来構造を有する高周波モジュールが、接続部３３の先端部位３３Ａの幅（端子パッド３６の幅）Ｗ１を変化させて、ＶＳＷＲをシミュレーションによって算出した結果を示すグラフである。

なお、従来構造とは、図７Ｂに示すように、接続線路３５の線路幅Ｗ２が一定である構造をいう。また、高周波モジュールは、使用周波数帯を０．５ＧＨｚ～３ＧＨｚとして、使用周波数帯におけるＶＳＷＲの平均値が１．０５以下となるように設計されたものを用いた。具体的には、Ｗ１＝３．２ｍｍ、Ｗ２＝０．８ｍｍ、Ｗ３＝４．４ｍｍ、Ｗ４＝１．５ｍｍ、Ｗ５＝０．８ｍｍ、Ｌ１＝１．５ｍｍに設定し、Ｗ１＝３．２ｍｍ～１．６ｍｍとした。Ｗ５は、接続パッド５４のパターン幅である。なお、使用周波数帯の上限を５ＧＨｚまで拡張することを想定した。

図９に示すように、従来構造の高周波モジュールでは、Ｗ１を狭くすることで４ＧＨｚ以上のＶＳＷＲが改善されること、及び使用周波数帯でのＶＳＷＲの平均値を１．０５以下とすることができないことが確認された。
図１０は、本実施形態の高周波モジュール１を用い、接続線路３５Ｂの線路幅Ｗ２２を変化させてＶＳＷＲをシミュレーションによって算出した結果を示すグラフである。具体的には、Ｗ１＝２．０ｍｍ、Ｗ２１＝０．８ｍｍ、Ｗ３＝４．４ｍｍ、Ｗ４＝１．５ｍｍ、Ｗ５＝０．８ｍｍ、Ｌ１＝１．５ｍｍ、Ｌ２＝２．０ｍｍに設定し、Ｗ２２＝０．８ｍｍ～４．４ｍｍとした。

図１０に示すように、Ｗ２２＝１．６ｍｍ～２．６ｍｍ（すなわち、λ＝７５．０ｍｍとして０．０２１λ～０．０３５λの範囲、λｇ＝４５．８ｍｍとして０．０３５λｇ～０．０５７λｇの範囲）において、使用周波数帯でのＶＳＷＲの平均値が１．０５以下となることが確認された。

図１１は、本実施形態の高周波モジュール１を用い、接続部３３の先端部位３３Ａの幅（端子パッド３６の幅）Ｗ１を変化させて、ＶＳＷＲをシミュレーションによって算出した結果を示すグラフである。具体的には、Ｗ２１＝０．８ｍｍ、Ｗ２２＝２．０ｍｍ、Ｗ３＝４．４ｍｍ、Ｗ４＝１．５ｍｍ、Ｗ５＝０．８ｍｍ、Ｌ１＝１．５ｍｍ、Ｌ２＝２．０ｍｍに設定し、Ｗ１＝１．６ｍｍ～３．２ｍｍとした。

図１１に示すように、Ｗ１＝１．８ｍｍ～２．４ｍｍ（すなわち、λ＝７５．０ｍｍとして０．０２４λ～０．０３２λの範囲、λｇ＝４５．８ｍｍとして０．０３９λｇ～０．０５２λｇの範囲）において、使用周波数帯でのＶＳＷＲの平均値が１．０５以下となることが確認された。

図１２は、本実施形態の高周波モジュール１を用い、接続部３３の先端部位３３Ａのアンテナ基板５のパターン面５Ｂからの突き出し長さＬ１を変化させて、ＶＳＷＲをシミュレーションによって算出した結果を示すグラフである。具体的には、Ｗ１＝２．０ｍｍ、Ｗ２１＝０．８ｍｍ、Ｗ２２＝２．０ｍｍ、Ｗ３＝４．４ｍｍ、Ｗ４＝１．５ｍｍ、Ｗ５＝０．８ｍｍ、Ｌ２＝２．０ｍｍに設定し、Ｌ１＝１．１ｍｍ～３．１ｍｍとした。

図１２に示すように、Ｌ１＝１．１ｍｍ～３．１ｍｍ（すなわち、測定した全範囲）にて、使用周波数帯でのＶＳＷＲの平均値が１．０５以下となることが確認された。

［４．用語の対応］
本実施形態において、回路基板３が本開示における第１の基板の一例に相当し、接続基板４及びアンテナ基板５が本開示における第２の基板の一例に相当する。本実施形態において、給電線路３４が本開示における第１線路パターンの一例に相当し、アンテナ給電線路５３が本開示における第２線路パターンの一例に相当する。本実施形態において、接続線路３５が本開示における接続パターンの一例に相当し、接続線路３５Ａが本開示における狭幅線路の一例に相当し、接続線路３５Ｂが本開示における拡幅線路の一例に相当する。

［５．効果］
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果を奏する。
高周波モジュール１は、接続線路３５に所定のインピーダンスを得るために設定された線路幅Ｗ２１を有する部位（すなわち、接続線路３５Ａ）とは異なる線路幅Ｗ２２を有する部位（すなわち、接続線路３５Ｂ）を新たに備える。そして、高周波モジュール１では、接続部３３の先端部位３３Ａの幅Ｗ１に加え、接続線路３５Ｂの線路幅Ｗ２２を調整対象に加えることによって、所望のＶＳＷＲを充足する周波数範囲、すなわち、高周波モジュール１を使用可能な周波数範囲を、より高い周波数まで拡張することができる。

［６．他の実施形態］
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されることなく、種々変形して実施することができる。

（６ａ）上記実施形態では、回路基板３と接続基板４又はアンテナ基板５とを接続する例を示したが、回路基板３に接続される基板は、必ずしもアンテナ素子を備えている必要はなく、任意の高周波回路が実装された基板を接続することができる。

（６ｂ）上記実施形態における１つの構成要素が有する複数の機能を、複数の構成要素によって実現したり、１つの構成要素が有する１つの機能を、複数の構成要素によって実現したりしてもよい。また、複数の構成要素が有する複数の機能を、１つの構成要素によって実現したり、複数の構成要素によって実現される１つの機能を、１つの構成要素によって実現したりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加又は置換してもよい。

１…高周波モジュール、２…金属フレーム、３…回路基板、４…接続基板、５…アンテナ基板、５Ａ…グランド面、５Ｂ…パターン面、５Ｃ…基板貫通孔、６…分配基板、７…コネクタ群、２１…ベース板、２１Ａ…反射面、２１Ｂ…保持面、２１Ｃ…基板保持溝、２１Ｄ…フレーム貫通孔、２２…壁板、２３…端板、３３…接続部、３３Ａ…先端部位、３３Ｂ…根元部位、３４…給電線路、３５，３５Ａ，３５Ｂ…接続線路、３６…端子パッド、５１…グランドパターン、５１Ａ…パターン除去部、５２…アンテナ素子、５３…アンテナ給電線路、５４…接続パッド。

Claims (7)

1. 基板の端部に該端部から突出した接続部を有する第１の基板と、
   基板を厚さ方向に貫通し、前記接続部が挿通される基板貫通孔を有し、前記接続部を前記基板貫通孔に挿通させた状態で、前記第１の基板と一体化される第２の基板と、
   を備え、
   前記第１の基板は、
   基板両面に対向して設けられ、トリプレート線路を形成する第１線路パターンと、
   前記基板貫通孔を突き抜ける前記接続部の先端に形成される端子パッドと、
   前記第１線路パターンと前記端子パッドとを接続し、且つ、前記端子パッドから前記第１線路パターンに向けて線路幅が段階的に広がるように構成された接続パターンと、
   を備え、
   前記第２の基板は、
   当該第２の基板のパターン面に形成され、前記パターン面とは反対側のグランド面に形成されたグランドパターンと共にマイクロストリップ線路を形成する第２線路パターンと、
   前記パターン面にて前記基板貫通孔の少なくとも一部を囲うと共に、前記第２線路パターンの一端に接続され、且つ、前記基板貫通孔を突き抜けた前記端子パッドと電気的に接続される接続パッドと、
   を備える高周波モジュール。
2. 請求項１に記載の高周波モジュールであって、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間に介在して、前記第１の基板と前記第２の基板とを一体に保持するように構成された金属製のフレームを備え、
   前記接続部は、前記フレームに形成されたフレーム貫通孔を介して前記第２の基板に形成された前記基板貫通孔に至るように構成され、
   前記接続パターンは、前記フレーム貫通孔の内周壁を外部導体とし、当該接続パターンを内部導体とする同軸線路を形成するように構成された
   高周波モジュール。
3. 請求項２に記載の高周波モジュールであって、
   前記トリプレート線路を形成する前記第１線路パターンの線路幅、前記マイクロストリップ線路を形成する前記第２線路パターンの線路幅、及び前記同軸線路を形成する前記接続パターンの前記端子パッド側部分である狭幅線路の線路幅が、同一のインピーダンスを実現するように設定された、
   高周波モジュール。
4. 請求項３に記載の高周波モジュールであって、
   前記端子パッドのパターン幅及び前記接続パターンの前記狭幅線路以外の部分である拡幅線路の線路幅が、当該高周波モジュールが使用される使用周波数帯でのＶＳＷＲの平均値が１．０５以下となるように設定された
   高周波モジュール。
5. 請求項４に記載の高周波モジュールであって、
   前記使用周波数帯の中心周波数における前記第１の基板内での短縮された波長をλｇとして、
   前記端子パッドのパターン幅が、０．０３９λｇ～０．０５２λｇに設定され、
   前記拡幅線路の線路幅が、０．０３５λｇ～０．０５７λｇに設定された
   高周波モジュール。
6. 請求項４に記載の高周波モジュールであって、
   前記使用周波数帯は、０．５ＧＨｚ～５．５ＧＨｚである、
   高周波モジュール。
7. 請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載の高周波モジュールであって、
   前記第２の基板は、前記第２線路パターンに接続される一つ以上のアンテナ素子を備え、
   前記第１の基板は、前記第１線路パターンを介して前記第２の基板への給電を行う給電回路を備える
   高周波モジュール。