JP2000294979A - 光通信用半導体デバイス - Google Patents
光通信用半導体デバイスInfo
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】簡潔な構成であって、容易に製造することがで
き、しかも、外部ノイズの影響も確実に抑制することが
できる。 【解決手段】リードフレーム１１上に半導体チップ１２
が搭載されており、この半導体チップ１２の上方域を通
過するように、外部ノイズの影響を低減させるノイズ遮
蔽用ワイヤー１４が設けられている。
き、しかも、外部ノイズの影響も確実に抑制することが
できる。 【解決手段】リードフレーム１１上に半導体チップ１２
が搭載されており、この半導体チップ１２の上方域を通
過するように、外部ノイズの影響を低減させるノイズ遮
蔽用ワイヤー１４が設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種電化製品を赤
外線信号を利用してリモートコントロールするため、あ
るいは、赤外線信号を利用して情報機器間にてデーター
伝送するために使用される光通信用半導体デバイスに関
する。
外線信号を利用してリモートコントロールするため、あ
るいは、赤外線信号を利用して情報機器間にてデーター
伝送するために使用される光通信用半導体デバイスに関
する。
【０００２】
【従来の技術】赤外線信号によって制御される各種電化
製品、あるいは赤外線信号によってデーターが伝送され
る情報機器では、赤外線信号を受信するための光通信用
半導体デバイスが設けられている。
製品、あるいは赤外線信号によってデーターが伝送され
る情報機器では、赤外線信号を受信するための光通信用
半導体デバイスが設けられている。
【０００３】図９（ａ）は、従来の光通信用半導体デバ
イスの一例を示す概略断面図、図９（ｂ）は、その平面
図である。この光通信用半導体デバイスは、赤外線信号
を受信するようにリードフレーム２３上にマウントされ
たフォトダイオード２１と、フォトダイオードにて受信
された赤外線信号を処理するようにリードフレーム２３
上に搭載された光信号処理用ＩＣ２２とを有している。
フォトダイオード２１および光信号処理用ＩＣ２２は、
リードフレーム２３と、それぞれ、ボンディングワイヤ
ー２６によってワイヤーボンディングされており、ま
た、フォトダイオード２１および光信号処理用ＩＣ２２
同士も、ボンディングワイヤー２６によって相互にワイ
ヤーボンディングされている。光信号処理用ＩＣ２２に
は、赤外線の受信距離が長くなるように、あるいは、デ
ーター伝送速度が高速になるように、高ゲインのアンプ
が内蔵されている。
イスの一例を示す概略断面図、図９（ｂ）は、その平面
図である。この光通信用半導体デバイスは、赤外線信号
を受信するようにリードフレーム２３上にマウントされ
たフォトダイオード２１と、フォトダイオードにて受信
された赤外線信号を処理するようにリードフレーム２３
上に搭載された光信号処理用ＩＣ２２とを有している。
フォトダイオード２１および光信号処理用ＩＣ２２は、
リードフレーム２３と、それぞれ、ボンディングワイヤ
ー２６によってワイヤーボンディングされており、ま
た、フォトダイオード２１および光信号処理用ＩＣ２２
同士も、ボンディングワイヤー２６によって相互にワイ
ヤーボンディングされている。光信号処理用ＩＣ２２に
は、赤外線の受信距離が長くなるように、あるいは、デ
ーター伝送速度が高速になるように、高ゲインのアンプ
が内蔵されている。
【０００４】フォトダイオード２１および光信号処理用
ＩＣ２２は、光透過性樹脂によって構成された樹脂モー
ルド２４によってモールドされている。樹脂モールド２
４は、フォトダイオード２１に対向する部分に、半球状
突出した受光部２４ａが形成されている。樹脂モールド
２４は、金属ケース２５内に収容されている。金属ケー
ス２５には、樹脂モールド２４の受光部２４ａを格子状
に覆う格子部２５ａが設けられており、この金属製の格
子部２５ａによって半球状に突出した受光部２４ａが覆
われている。
ＩＣ２２は、光透過性樹脂によって構成された樹脂モー
ルド２４によってモールドされている。樹脂モールド２
４は、フォトダイオード２１に対向する部分に、半球状
突出した受光部２４ａが形成されている。樹脂モールド
２４は、金属ケース２５内に収容されている。金属ケー
ス２５には、樹脂モールド２４の受光部２４ａを格子状
に覆う格子部２５ａが設けられており、この金属製の格
子部２５ａによって半球状に突出した受光部２４ａが覆
われている。
【０００５】このような構成の光通信用半導体デバイス
では、金属ケース２５の格子部２５ａから露出した樹脂
モールド２４の受光部２４ａを赤外線が通過して、フォ
トダイオード２１にて受光されるようになっており、フ
ォトダイオード２１にて受光された赤外線が、高ゲイン
のアンプが内蔵された光信号処理用ＩＣ２２にて信号処
理される。光信号処理用ＩＣ２２は、高ゲインのアンプ
が内蔵されていることによって、電磁誘導ノイズ等の外
部ノイズによる影響を受けやすくなっているが、樹脂モ
ールド２４全体が金属ケース２５に収容されており、し
かも、受光部２４ａも金属製の格子部２５ａによって覆
われているために、外部ノイズによる影響が低減されて
いる。
では、金属ケース２５の格子部２５ａから露出した樹脂
モールド２４の受光部２４ａを赤外線が通過して、フォ
トダイオード２１にて受光されるようになっており、フ
ォトダイオード２１にて受光された赤外線が、高ゲイン
のアンプが内蔵された光信号処理用ＩＣ２２にて信号処
理される。光信号処理用ＩＣ２２は、高ゲインのアンプ
が内蔵されていることによって、電磁誘導ノイズ等の外
部ノイズによる影響を受けやすくなっているが、樹脂モ
ールド２４全体が金属ケース２５に収容されており、し
かも、受光部２４ａも金属製の格子部２５ａによって覆
われているために、外部ノイズによる影響が低減されて
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに、半球状に突出した受光部２４ａを覆う格子部２５
ａが設けられた金属ケース２５は大型化しており、しか
も、格子部２５を形成するために複雑な加工を必要と
し、経済的に製造することも容易でないという問題があ
る。
うに、半球状に突出した受光部２４ａを覆う格子部２５
ａが設けられた金属ケース２５は大型化しており、しか
も、格子部２５を形成するために複雑な加工を必要と
し、経済的に製造することも容易でないという問題があ
る。
【０００７】本発明は、このような問題を解決するもの
であり、その目的は、簡潔な構成であって、容易に製造
することができ、しかも、外部ノイズの影響も確実に抑
制することができる光通信用半導体デバイスを提供する
ことにある。
であり、その目的は、簡潔な構成であって、容易に製造
することができ、しかも、外部ノイズの影響も確実に抑
制することができる光通信用半導体デバイスを提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
または基板上に半導体チップが搭載されており、この半
導体チップの上方域を通過するように、外部ノイズの影
響を低減させるノイズ遮蔽用ワイヤーが設けられている
ことを特徴とする。
または基板上に半導体チップが搭載されており、この半
導体チップの上方域を通過するように、外部ノイズの影
響を低減させるノイズ遮蔽用ワイヤーが設けられている
ことを特徴とする。
【０００９】前記半導体チップの上方域には、相互に交
差する一対のノイズ遮蔽用ワイヤーが設けられている。
差する一対のノイズ遮蔽用ワイヤーが設けられている。
【００１０】前記半導体チップは、フォトダイオードで
ある。前記半導体チップは、光信号処理用ＩＣである。
ある。前記半導体チップは、光信号処理用ＩＣである。
【００１１】前記ノイズ遮蔽用ワイヤーは、グランド電
位になっている。前記ノイズ遮蔽用ワイヤーは、フォト
ダイオードのアノード側をグランド電位とするように、
フォトダイオードに接続されている。
位になっている。前記ノイズ遮蔽用ワイヤーは、フォト
ダイオードのアノード側をグランド電位とするように、
フォトダイオードに接続されている。
【００１２】前記半導体チップは、リードフレームまた
は基板に設けられた凹部内に収容されている。
は基板に設けられた凹部内に収容されている。
【００１３】前記半導体チップの上面は、前記凹部の周
囲の上面と面一になっている。
囲の上面と面一になっている。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面に基づいて説明する。図１（ａ）は、本発明の光通信
用半導体デバイスの実施の形態の一例を示す要部の概略
側面図、図１（ｂ）は、その平面図である。この光通信
用半導体デバイスは、リードフレーム１１上に搭載され
た半導体チップ１２を有している。半導体チップ１２
は、長方形の平板状をしており、その上面における各コ
ーナー部が、ボンディングワイヤー１３によって、リー
ドフレーム１１にそれぞれワイヤーボンディングされて
いる。なお、リードフレーム１１に替えて基板を使用す
るようにしてもよい。
面に基づいて説明する。図１（ａ）は、本発明の光通信
用半導体デバイスの実施の形態の一例を示す要部の概略
側面図、図１（ｂ）は、その平面図である。この光通信
用半導体デバイスは、リードフレーム１１上に搭載され
た半導体チップ１２を有している。半導体チップ１２
は、長方形の平板状をしており、その上面における各コ
ーナー部が、ボンディングワイヤー１３によって、リー
ドフレーム１１にそれぞれワイヤーボンディングされて
いる。なお、リードフレーム１１に替えて基板を使用す
るようにしてもよい。
【００１５】半導体チップ１２の上方域には、１本のノ
イズ遮蔽用ワイヤー１４が通過している。このノイズ遮
蔽用ワイヤー１４は、半導体チップ１２における幅方向
中央部に沿って配置されており、各端部が、半導体チッ
プ１２の各側方にて、リードフレーム１１上にそれぞれ
接続されている。半導体チップ１２、ノイズ遮蔽用ワイ
ヤー１４およびボンディングワイヤー１３は、図示しな
い樹脂モールドによってモールドされた後に、金属ケー
ス内に収容されて、所望の光通信用半導体デバイスとさ
れる。
イズ遮蔽用ワイヤー１４が通過している。このノイズ遮
蔽用ワイヤー１４は、半導体チップ１２における幅方向
中央部に沿って配置されており、各端部が、半導体チッ
プ１２の各側方にて、リードフレーム１１上にそれぞれ
接続されている。半導体チップ１２、ノイズ遮蔽用ワイ
ヤー１４およびボンディングワイヤー１３は、図示しな
い樹脂モールドによってモールドされた後に、金属ケー
ス内に収容されて、所望の光通信用半導体デバイスとさ
れる。
【００１６】このような構成の光通信用半導体デバイス
では、半導体チップ１２上をノイズ遮蔽用ワイヤー１４
が通過しているために、半導体チップ１２に対する電磁
波ノイズ等の外部ノイズの影響がノイズ遮蔽用ワイヤー
１４によって低減される。また、樹脂モールドが収容さ
れる金属ケースは、特別な加工をする必要がなく、容易
に製造することができる。
では、半導体チップ１２上をノイズ遮蔽用ワイヤー１４
が通過しているために、半導体チップ１２に対する電磁
波ノイズ等の外部ノイズの影響がノイズ遮蔽用ワイヤー
１４によって低減される。また、樹脂モールドが収容さ
れる金属ケースは、特別な加工をする必要がなく、容易
に製造することができる。
【００１７】図２（ａ）は、本発明の光通信用半導体デ
バイスの実施の形態の他の例を示す要部の概略側面図、
図２（ｂ）は、その平面図である。この光通信用半導体
デバイスでは、リードフレーム１１上に搭載された半導
体チップ１２に隣接して、フォトダイオード１５が搭載
されている。半導体チップ１２は、４本のボンディング
ワイヤー１３によって、リードフレーム１１にワイヤー
ボンディングされている。なお、リードフレーム１１に
替えて基板を使用するようにしてもよい。
バイスの実施の形態の他の例を示す要部の概略側面図、
図２（ｂ）は、その平面図である。この光通信用半導体
デバイスでは、リードフレーム１１上に搭載された半導
体チップ１２に隣接して、フォトダイオード１５が搭載
されている。半導体チップ１２は、４本のボンディング
ワイヤー１３によって、リードフレーム１１にワイヤー
ボンディングされている。なお、リードフレーム１１に
替えて基板を使用するようにしてもよい。
【００１８】フォトダイオード１５は、長方形の平板状
をしており、各コーナー部の上面が、それぞれ、ボンデ
ィングワイヤー１３によって、リードフレーム１１とワ
イヤーボンディングされている。
をしており、各コーナー部の上面が、それぞれ、ボンデ
ィングワイヤー１３によって、リードフレーム１１とワ
イヤーボンディングされている。
【００１９】フォトダイオード１５の上方域には、一対
のノイズ遮蔽用ワイヤー１４が相互に交差した状態で通
過している。各ノイズ遮蔽用ワイヤー１４は、フォトダ
イオード１５の対角線に沿ってそれぞれ配置されてお
り、各ノイズ遮蔽用ワイヤー１４の端部が、フォトダイ
オード１５の各コーナー部に近接したリードフレーム１
１上にそれぞれ接続されている。
のノイズ遮蔽用ワイヤー１４が相互に交差した状態で通
過している。各ノイズ遮蔽用ワイヤー１４は、フォトダ
イオード１５の対角線に沿ってそれぞれ配置されてお
り、各ノイズ遮蔽用ワイヤー１４の端部が、フォトダイ
オード１５の各コーナー部に近接したリードフレーム１
１上にそれぞれ接続されている。
【００２０】各ノイズ遮蔽用ワイヤー１４、フォトダイ
オード１５、半導体チップ１２、ボンディングワイヤー
１３は、光透過性樹脂製の樹脂モールド（図示せず）に
よってモールドされる。樹脂モールドには、フォトダイ
オード１５に対向して、半球状に突出する受光部が形成
される。このような樹脂モールドは、金属ケース内に収
容されて、所望の光通信用半導体デバイスとされる。金
属ケースには、樹脂モールドの受光部が突出するように
開口部が形成されている。
オード１５、半導体チップ１２、ボンディングワイヤー
１３は、光透過性樹脂製の樹脂モールド（図示せず）に
よってモールドされる。樹脂モールドには、フォトダイ
オード１５に対向して、半球状に突出する受光部が形成
される。このような樹脂モールドは、金属ケース内に収
容されて、所望の光通信用半導体デバイスとされる。金
属ケースには、樹脂モールドの受光部が突出するように
開口部が形成されている。
【００２１】このような光通信用半導体デバイスは、金
属ケースから突出した樹脂モールドの受光部を赤外線が
通過してフォトダイオード１５にて受光される。フォト
ダイオード１５における受光面の上方域には、一対のノ
イズ遮蔽用ワイヤー１４が相互に交差した状態で通過し
ており、これらのノイズ遮蔽用ワイヤー１４によって、
赤外線を受光するフォトダイオード１５は、電磁誘導ノ
イズ等の外部ノイズの影響が低減されて、赤外線信号を
確実に受信する。
属ケースから突出した樹脂モールドの受光部を赤外線が
通過してフォトダイオード１５にて受光される。フォト
ダイオード１５における受光面の上方域には、一対のノ
イズ遮蔽用ワイヤー１４が相互に交差した状態で通過し
ており、これらのノイズ遮蔽用ワイヤー１４によって、
赤外線を受光するフォトダイオード１５は、電磁誘導ノ
イズ等の外部ノイズの影響が低減されて、赤外線信号を
確実に受信する。
【００２２】図２に示す要部を有する光通信用半導体デ
バイスが、テレビのブラウン管から発生する電磁波ノイ
ズの影響をどの程度低減しているかを調べるために、テ
レビのブラウン管に対して光通信用半導体デバイスを距
離をあけて配置して、その位置にて、光通信用半導体デ
バイスがブラウン管の電磁波による影響を受けることな
く赤外線信号を受信することができる距離について実験
したところ、図３に実線で示す結果が得られた。なお、
図３の一点鎖線は、１本のノイズ遮蔽用ワイヤー１４を
フォトダイオード１５の上方域を通過するように設けた
光通信用半導体デバイスの場合である。一対のノイズ遮
蔽用ワイヤー１４が設けられた図２に示す本発明の光通
信用半導体デバイスでは、テレビのブラウン管から2000
mm離れると、赤外線信号を受信することができる距離
は、7.5 ｍ以上になっており、また、１本のノイズ遮蔽
用ワイヤー１４が設けられた光通信用半導体デバイスで
も、テレビのブラウン管から2000mm離れると、赤外線信
号を受信することができる距離は７ｍ近くに達してい
た。
バイスが、テレビのブラウン管から発生する電磁波ノイ
ズの影響をどの程度低減しているかを調べるために、テ
レビのブラウン管に対して光通信用半導体デバイスを距
離をあけて配置して、その位置にて、光通信用半導体デ
バイスがブラウン管の電磁波による影響を受けることな
く赤外線信号を受信することができる距離について実験
したところ、図３に実線で示す結果が得られた。なお、
図３の一点鎖線は、１本のノイズ遮蔽用ワイヤー１４を
フォトダイオード１５の上方域を通過するように設けた
光通信用半導体デバイスの場合である。一対のノイズ遮
蔽用ワイヤー１４が設けられた図２に示す本発明の光通
信用半導体デバイスでは、テレビのブラウン管から2000
mm離れると、赤外線信号を受信することができる距離
は、7.5 ｍ以上になっており、また、１本のノイズ遮蔽
用ワイヤー１４が設けられた光通信用半導体デバイスで
も、テレビのブラウン管から2000mm離れると、赤外線信
号を受信することができる距離は７ｍ近くに達してい
た。
【００２３】比較のために、フォトダイオード１５の上
方域を通過するノイズ遮蔽用ワイヤー１４が設けられて
いない光通信用半導体デバイスを使用して同様の実験を
した結果を図４に破線で示す。なお、図４の一点鎖線
は、１本のノイズ遮蔽用ワイヤー１４を設けた光通信用
半導体デバイスの場合（図３の一点鎖線に相当）の結果
である。ノイズ遮蔽用ワイヤー１４が設けられていない
光通信用半導体デバイスでは、テレビのブラウン管から
2000mm離れると、ブラウン管の電磁波による影響によっ
て、赤外線信号を受信することができる距離は６ｍ程度
であった。
方域を通過するノイズ遮蔽用ワイヤー１４が設けられて
いない光通信用半導体デバイスを使用して同様の実験を
した結果を図４に破線で示す。なお、図４の一点鎖線
は、１本のノイズ遮蔽用ワイヤー１４を設けた光通信用
半導体デバイスの場合（図３の一点鎖線に相当）の結果
である。ノイズ遮蔽用ワイヤー１４が設けられていない
光通信用半導体デバイスでは、テレビのブラウン管から
2000mm離れると、ブラウン管の電磁波による影響によっ
て、赤外線信号を受信することができる距離は６ｍ程度
であった。
【００２４】図５（ａ）は、本発明の光通信用半導体デ
バイスの実施の形態のさらに他の例を示す要部の概略側
面図、図５（ｂ）は、その平面図である。この光通信用
半導体デバイスでは、リードフレーム１１上に搭載され
たフォトダイオード１５に隣接して、フォトダイオード
１５にて受信される赤外線信号を処理する光信号処理用
ＩＣ１６が搭載されている。光信号処理用ＩＣ１６は長
方形の平板状をしており、高ゲインのアンプが内蔵され
ている。光信号処理用ＩＣ１６は、各コーナー部の上面
が、ボンディングワイヤー１３によって、リードフレー
ム１１にそれぞれワイヤーボンディングされている。な
お、リードフレーム１１に替えて基板を使用するように
してもよい。
バイスの実施の形態のさらに他の例を示す要部の概略側
面図、図５（ｂ）は、その平面図である。この光通信用
半導体デバイスでは、リードフレーム１１上に搭載され
たフォトダイオード１５に隣接して、フォトダイオード
１５にて受信される赤外線信号を処理する光信号処理用
ＩＣ１６が搭載されている。光信号処理用ＩＣ１６は長
方形の平板状をしており、高ゲインのアンプが内蔵され
ている。光信号処理用ＩＣ１６は、各コーナー部の上面
が、ボンディングワイヤー１３によって、リードフレー
ム１１にそれぞれワイヤーボンディングされている。な
お、リードフレーム１１に替えて基板を使用するように
してもよい。
【００２５】光信号処理用ＩＣ１６の上方域には、一対
のノイズ遮蔽用ワイヤー１４が、相互に交差した状態で
通過している。各ノイズ遮蔽用ワイヤー１４は、光信号
処理用ＩＣ１６の対角線にそれぞれ沿った状態に配置さ
れており、各ノイズ遮蔽用ワイヤー１４の各端部は、光
信号処理用ＩＣ１６の各コーナー部の近傍にてリードフ
レーム１１上にそれぞれ接続されている。
のノイズ遮蔽用ワイヤー１４が、相互に交差した状態で
通過している。各ノイズ遮蔽用ワイヤー１４は、光信号
処理用ＩＣ１６の対角線にそれぞれ沿った状態に配置さ
れており、各ノイズ遮蔽用ワイヤー１４の各端部は、光
信号処理用ＩＣ１６の各コーナー部の近傍にてリードフ
レーム１１上にそれぞれ接続されている。
【００２６】長方形の平板状をしたフォトダイオード１
５は、相互に対向する一対のコーナー部上面が、それぞ
れ、ボンディングワイヤー１３によってリードフレーム
１１とワイヤーボンディングされている。
５は、相互に対向する一対のコーナー部上面が、それぞ
れ、ボンディングワイヤー１３によってリードフレーム
１１とワイヤーボンディングされている。
【００２７】各ノイズ遮蔽用ワイヤー１４、フォトダイ
オード１５、光信号処理用ＩＣ１６、ボンディングワイ
ヤー１３は、光透過性樹脂製の樹脂モールド（図示せ
ず）によってモールドされる。樹脂モールドには、フォ
トダイオード１５に対向して、半球状に突出する受光部
が形成される。このような樹脂モールドは、金属ケース
内に収容されて、所望の光通信用半導体デバイスとされ
る。金属ケースには、樹脂モールドの受光部が突出する
ように開口部が形成されている。
オード１５、光信号処理用ＩＣ１６、ボンディングワイ
ヤー１３は、光透過性樹脂製の樹脂モールド（図示せ
ず）によってモールドされる。樹脂モールドには、フォ
トダイオード１５に対向して、半球状に突出する受光部
が形成される。このような樹脂モールドは、金属ケース
内に収容されて、所望の光通信用半導体デバイスとされ
る。金属ケースには、樹脂モールドの受光部が突出する
ように開口部が形成されている。
【００２８】このような光通信用半導体デバイスは、フ
ォトダイオード１５によって受光された赤外線信号を処
理する光信号処理用ＩＣ１６の上方域を、一対のノイズ
遮蔽用ワイヤー１４が相互に交差した状態で通過してお
り、これらのノイズ遮蔽用ワイヤー１４によって、光信
号処理用ＩＣ１６は、電磁誘導ノイズ等の外部ノイズの
影響が低減される。
ォトダイオード１５によって受光された赤外線信号を処
理する光信号処理用ＩＣ１６の上方域を、一対のノイズ
遮蔽用ワイヤー１４が相互に交差した状態で通過してお
り、これらのノイズ遮蔽用ワイヤー１４によって、光信
号処理用ＩＣ１６は、電磁誘導ノイズ等の外部ノイズの
影響が低減される。
【００２９】図６（ａ）は、本発明の光通信用半導体デ
バイスの実施の形態のさらに他の例を示す要部の概略側
面図、図６（ｂ）は、その平面図である。この光通信用
半導体デバイスでは、リードフレーム１１上に搭載され
たフォトダイオード１５に隣接して、フォトダイオード
１５にて受信される赤外線信号を処理する光信号処理用
ＩＣ１６が搭載されている。
バイスの実施の形態のさらに他の例を示す要部の概略側
面図、図６（ｂ）は、その平面図である。この光通信用
半導体デバイスでは、リードフレーム１１上に搭載され
たフォトダイオード１５に隣接して、フォトダイオード
１５にて受信される赤外線信号を処理する光信号処理用
ＩＣ１６が搭載されている。
【００３０】フォトダイオード１５における一方のコー
ナー部上面には、１本のノイズ遮蔽用ワイヤー１４の一
方の端部が取り付けられており、このノイズ遮蔽用ワイ
ヤー１４が、フォトダイオード１５のアノードに接続さ
れている。ノイズ遮蔽用ワイヤー１４は、一方の端部が
取り付けられたフォトダイオード１５のコーナー部か
ら、そのコーナー部に対向した他方のコーナー部に向か
って、フォトダイオード１５の一方の対角線に沿った状
態で、フォトダイオード１５の上方域を通過しており、
ノイズ遮蔽用ワイヤー１４の他方のコーナー部近傍のリ
ードフレーム１１上にノイズ遮蔽用ワイヤー１４の端部
が接続されている。そして、このノイズ遮蔽用ワイヤー
１４がグランド電位とされており、これにより、フォト
ダイオード１５のアノード側がグランド電位とされてい
る。
ナー部上面には、１本のノイズ遮蔽用ワイヤー１４の一
方の端部が取り付けられており、このノイズ遮蔽用ワイ
ヤー１４が、フォトダイオード１５のアノードに接続さ
れている。ノイズ遮蔽用ワイヤー１４は、一方の端部が
取り付けられたフォトダイオード１５のコーナー部か
ら、そのコーナー部に対向した他方のコーナー部に向か
って、フォトダイオード１５の一方の対角線に沿った状
態で、フォトダイオード１５の上方域を通過しており、
ノイズ遮蔽用ワイヤー１４の他方のコーナー部近傍のリ
ードフレーム１１上にノイズ遮蔽用ワイヤー１４の端部
が接続されている。そして、このノイズ遮蔽用ワイヤー
１４がグランド電位とされており、これにより、フォト
ダイオード１５のアノード側がグランド電位とされてい
る。
【００３１】フォトダイオード１５の上方域には、前記
ノイズ遮蔽用ワイヤー１４と交差するように、他のノイ
ズ遮蔽用ワイヤー１４が、フォトダイオード１５の他方
の対角線に沿って通過しており、そのノイズ遮蔽用ワイ
ヤー１４の各端部が、フォトダイオード１５の相互に対
向した一対のコーナー部近傍のリードフレーム１１上に
それぞれ接続されている。
ノイズ遮蔽用ワイヤー１４と交差するように、他のノイ
ズ遮蔽用ワイヤー１４が、フォトダイオード１５の他方
の対角線に沿って通過しており、そのノイズ遮蔽用ワイ
ヤー１４の各端部が、フォトダイオード１５の相互に対
向した一対のコーナー部近傍のリードフレーム１１上に
それぞれ接続されている。
【００３２】各ノイズ遮蔽用ワイヤー１４、フォトダイ
オード１５、光信号処理用ＩＣ１６、ボンディングワイ
ヤー１３は、光透過性樹脂製の樹脂モールド（図示せ
ず）によってモールドされる。樹脂モールドには、フォ
トダイオード１５に対向して、半球状に突出する受光部
が形成される。このような樹脂モールドは、金属ケース
内に収容されて、所望の光通信用半導体デバイスとされ
る。金属ケースには、樹脂モールドの受光部が突出する
ように開口部が形成されている。
オード１５、光信号処理用ＩＣ１６、ボンディングワイ
ヤー１３は、光透過性樹脂製の樹脂モールド（図示せ
ず）によってモールドされる。樹脂モールドには、フォ
トダイオード１５に対向して、半球状に突出する受光部
が形成される。このような樹脂モールドは、金属ケース
内に収容されて、所望の光通信用半導体デバイスとされ
る。金属ケースには、樹脂モールドの受光部が突出する
ように開口部が形成されている。
【００３３】このような光通信用半導体デバイスでは、
樹脂モールドの受光部を通過した赤外線信号が受信され
るフォトダイオード１５は、一対のノイズ遮蔽用ワイヤ
ー１４によって、電磁誘導ノイズ等の外部ノイズの影響
が低減されている。しかも、一方のノイズ遮蔽用ワイヤ
ー１４は、グランド電位とされているために、より効果
的に、外部ノイズの影響を低減することができる。ま
た、グランド電位とされるノイズ遮蔽用ワイヤー１４
は、フォトダイオード１５のアノード側をグランド電位
とするボンディングワイヤーとしても機能しており、従
って、光通信用半導体デバイスを製造する際のワイヤー
ボンディング作業の工数が低減される。
樹脂モールドの受光部を通過した赤外線信号が受信され
るフォトダイオード１５は、一対のノイズ遮蔽用ワイヤ
ー１４によって、電磁誘導ノイズ等の外部ノイズの影響
が低減されている。しかも、一方のノイズ遮蔽用ワイヤ
ー１４は、グランド電位とされているために、より効果
的に、外部ノイズの影響を低減することができる。ま
た、グランド電位とされるノイズ遮蔽用ワイヤー１４
は、フォトダイオード１５のアノード側をグランド電位
とするボンディングワイヤーとしても機能しており、従
って、光通信用半導体デバイスを製造する際のワイヤー
ボンディング作業の工数が低減される。
【００３４】図７（ａ）は、本発明の光通信用半導体デ
バイスの実施の形態のさらに他の例を示す要部の概略側
面図、図７（ｂ）は、その平面図である。この光通信用
半導体デバイスでは、フォトダイオード１５が搭載され
るリードフレーム１１部分に、フォトダイオード１５が
嵌入されるように、凹部１１ａが形成されている。凹部
１１ａは、フォトダイオード１５よりも一回り大きな直
方体状の空間を内部に有している。凹部１１ａの底面に
は、フォトダイオード１５が搭載されている。フォトダ
イオード１５の上面は、凹部１１ａの周囲のリードフレ
ーム１１の上面に等しく面一になっている。
バイスの実施の形態のさらに他の例を示す要部の概略側
面図、図７（ｂ）は、その平面図である。この光通信用
半導体デバイスでは、フォトダイオード１５が搭載され
るリードフレーム１１部分に、フォトダイオード１５が
嵌入されるように、凹部１１ａが形成されている。凹部
１１ａは、フォトダイオード１５よりも一回り大きな直
方体状の空間を内部に有している。凹部１１ａの底面に
は、フォトダイオード１５が搭載されている。フォトダ
イオード１５の上面は、凹部１１ａの周囲のリードフレ
ーム１１の上面に等しく面一になっている。
【００３５】凹部１１ａ内に収容されたフォトダイオー
ド１５は、その上面における相互に対向した一対のコー
ナー部が、各コーナー部に近接した凹部１１ａの周囲の
リードフレーム１１上に、ボンディングワイヤー１４に
よって、それぞれ、ワイヤーボンディングされている。
そして、凹部１１ａの開口部における一対の対角線に沿
って、それぞれノイズ遮蔽用ワイヤー１４が配置されて
いる。それぞれのノイズ遮蔽用ワイヤー１４の各端部
は、凹部１１ａの各コーナー部に近接したリードフレー
ム１１上にそれぞれ取り付けられている。
ド１５は、その上面における相互に対向した一対のコー
ナー部が、各コーナー部に近接した凹部１１ａの周囲の
リードフレーム１１上に、ボンディングワイヤー１４に
よって、それぞれ、ワイヤーボンディングされている。
そして、凹部１１ａの開口部における一対の対角線に沿
って、それぞれノイズ遮蔽用ワイヤー１４が配置されて
いる。それぞれのノイズ遮蔽用ワイヤー１４の各端部
は、凹部１１ａの各コーナー部に近接したリードフレー
ム１１上にそれぞれ取り付けられている。
【００３６】凹部１１ａに隣接したリードフレーム１１
上には、図６に示す光通信用半導体デバイスと同様に、
フォトダイオード１５にて受信される赤外線信号を処理
する光信号処理用ＩＣ１６が搭載されており、光信号処
理用ＩＣ１６の上面における各コーナー部が、ボンディ
ングワイヤー１３によって、リードフレーム１１上にそ
れぞれワイヤーボンディングされている。そして、図６
に示す光通信用半導体デバイスと同様に、樹脂モールド
にてモールドされた後に金属ケース内に収容されてい
る。
上には、図６に示す光通信用半導体デバイスと同様に、
フォトダイオード１５にて受信される赤外線信号を処理
する光信号処理用ＩＣ１６が搭載されており、光信号処
理用ＩＣ１６の上面における各コーナー部が、ボンディ
ングワイヤー１３によって、リードフレーム１１上にそ
れぞれワイヤーボンディングされている。そして、図６
に示す光通信用半導体デバイスと同様に、樹脂モールド
にてモールドされた後に金属ケース内に収容されてい
る。
【００３７】このような光通信用半導体デバイスでは、
樹脂モールドの受光部を通過した赤外線信号を受信する
フォトダイオード１５が、リードフレーム１１の凹部１
１ａ内に収容されて、赤外線の受光面以外の部分が凹部
１１ａの内周面にて覆われた状態になっており、しか
も、凹部１１ａにて覆われていないフォトダイオード１
５の赤外線受光面の上方域を、一対のノイズ遮蔽用ワイ
ヤー１４が相互に交差した状態で通過しているために、
フォトダイオード１５は、電磁誘導ノイズ等の外部ノイ
ズの影響が、より効果的に低減される。しかも、フォト
ダイオード１５の上面に接続された各ノイズ遮蔽用ワイ
ヤー１４およびボンディングワイヤー１３は、フォトダ
イオード１５の上面と面一になったリードフレーム１１
の上面に接続されているために、ワイヤーボンディング
に際して、フォトダイオード１５の上面におけるエッジ
に当接して破損するおそれがない。
樹脂モールドの受光部を通過した赤外線信号を受信する
フォトダイオード１５が、リードフレーム１１の凹部１
１ａ内に収容されて、赤外線の受光面以外の部分が凹部
１１ａの内周面にて覆われた状態になっており、しか
も、凹部１１ａにて覆われていないフォトダイオード１
５の赤外線受光面の上方域を、一対のノイズ遮蔽用ワイ
ヤー１４が相互に交差した状態で通過しているために、
フォトダイオード１５は、電磁誘導ノイズ等の外部ノイ
ズの影響が、より効果的に低減される。しかも、フォト
ダイオード１５の上面に接続された各ノイズ遮蔽用ワイ
ヤー１４およびボンディングワイヤー１３は、フォトダ
イオード１５の上面と面一になったリードフレーム１１
の上面に接続されているために、ワイヤーボンディング
に際して、フォトダイオード１５の上面におけるエッジ
に当接して破損するおそれがない。
【００３８】図７に示す光通信用半導体デバイスが、電
磁誘導ノイズ等の影響を効果的に抑制されていることを
検証するために、フォトダイオードの側面を３方向から
覆うとともに、フォトダイオードの赤外線受光面の上方
域に、一対のノイズ遮蔽用ワイヤーを相互に交差させた
状態で通過させた半導体デバイスを製作して、製作され
た半導体デバイスのフォトダイオードが、ブラウン管の
電磁波による影響を受けることなく、赤外線信号を受信
することができる距離と、ブラウン管までの距離との関
係について実験したところ、図８に実線で示す結果が得
られた。この場合、フォトダイオードがブラウン管から
200mm 離れることによって、フォトダイオードが赤外線
信号を受信することができる距離は10.5ｍ程度になって
いた。
磁誘導ノイズ等の影響を効果的に抑制されていることを
検証するために、フォトダイオードの側面を３方向から
覆うとともに、フォトダイオードの赤外線受光面の上方
域に、一対のノイズ遮蔽用ワイヤーを相互に交差させた
状態で通過させた半導体デバイスを製作して、製作され
た半導体デバイスのフォトダイオードが、ブラウン管の
電磁波による影響を受けることなく、赤外線信号を受信
することができる距離と、ブラウン管までの距離との関
係について実験したところ、図８に実線で示す結果が得
られた。この場合、フォトダイオードがブラウン管から
200mm 離れることによって、フォトダイオードが赤外線
信号を受信することができる距離は10.5ｍ程度になって
いた。
【００３９】比較のために、フォトダイオードの赤外線
の受光面の上方域に、１本のノイズ遮蔽用ワイヤーを配
置したこと以外は、同様にして、フォトダイオードから
ブラウン管までの距離と、フォトダイオードが赤外線を
受信することができる距離との関係を実験したところ、
図８に二点鎖線で示す結果が得られた。フォトダイオー
ドからブラウン管までの距離が200mm では、フォトダイ
オードが赤外線信号を受信することができる距離は、9.
5 ｍ程度であった。なお、図８の一点鎖線は、凹部１１
ａが設けられていないリードフレーム１１上にフォトダ
イオード１５を搭載して、１本のノイズ遮蔽用ワイヤー
１４を設けた光通信用半導体デバイスを使用した場合に
おける実験結果（図４の一点鎖線に相当）である。
の受光面の上方域に、１本のノイズ遮蔽用ワイヤーを配
置したこと以外は、同様にして、フォトダイオードから
ブラウン管までの距離と、フォトダイオードが赤外線を
受信することができる距離との関係を実験したところ、
図８に二点鎖線で示す結果が得られた。フォトダイオー
ドからブラウン管までの距離が200mm では、フォトダイ
オードが赤外線信号を受信することができる距離は、9.
5 ｍ程度であった。なお、図８の一点鎖線は、凹部１１
ａが設けられていないリードフレーム１１上にフォトダ
イオード１５を搭載して、１本のノイズ遮蔽用ワイヤー
１４を設けた光通信用半導体デバイスを使用した場合に
おける実験結果（図４の一点鎖線に相当）である。
【００４０】
【発明の効果】本発明の光通信用半導体デバイスは、こ
のように、リードフレームまたは基板上に搭載された半
導体チップの上方域を、ノイズ遮蔽用ワイヤーが通過し
ているために、このノイズ遮蔽用ワイヤーによって、半
導体チップに対する電磁波ノイズ等の外部ノイズによる
影響を効果的に低減させることができる。しかも、ノイ
ズ遮蔽用ワイヤーを使用することによって、樹脂モール
ドを収容する金属ケースを容易に、しかも経済的に使用
することができる。
のように、リードフレームまたは基板上に搭載された半
導体チップの上方域を、ノイズ遮蔽用ワイヤーが通過し
ているために、このノイズ遮蔽用ワイヤーによって、半
導体チップに対する電磁波ノイズ等の外部ノイズによる
影響を効果的に低減させることができる。しかも、ノイ
ズ遮蔽用ワイヤーを使用することによって、樹脂モール
ドを収容する金属ケースを容易に、しかも経済的に使用
することができる。
【００４１】なお、本発明は、前記各実施の形態に限定
されるものではない。
されるものではない。
【図１】（ａ）は、本発明の光通信用半導体デバイスの
実施の形態の一例を示す要部の側面図、（ｂ）は、その
平面図である。
実施の形態の一例を示す要部の側面図、（ｂ）は、その
平面図である。
【図２】（ａ）は、本発明の光通信用半導体デバイスの
実施の形態の他の例を示す要部の側面図、（ｂ）は、そ
の平面図である。
実施の形態の他の例を示す要部の側面図、（ｂ）は、そ
の平面図である。
【図３】図２に示す光通信用半導体デバイスとテレビの
ブラウン管との距離と、光通信用半導体デバイスに設け
られたフォトダイオードが赤外線信号を受信することが
できる距離との関係を示すグラフである。
ブラウン管との距離と、光通信用半導体デバイスに設け
られたフォトダイオードが赤外線信号を受信することが
できる距離との関係を示すグラフである。
【図４】ノイズ遮蔽用ワイヤーが設けられていない光通
信用半導体デバイスとテレビのブラウン管との距離と、
光通信用半導体デバイスに設けられたフォトダイオード
が赤外線信号を受信することができる距離との関係を示
すグラフである。
信用半導体デバイスとテレビのブラウン管との距離と、
光通信用半導体デバイスに設けられたフォトダイオード
が赤外線信号を受信することができる距離との関係を示
すグラフである。
【図５】（ａ）は、本発明の光通信用半導体デバイスの
実施の形態のさらに他の例を示す要部の側面図、（ｂ）
は、その平面図である。
実施の形態のさらに他の例を示す要部の側面図、（ｂ）
は、その平面図である。
【図６】（ａ）は、本発明の光通信用半導体デバイスの
実施の形態のさらに他の例を示す要部の側面図、（ｂ）
は、その平面図である。
実施の形態のさらに他の例を示す要部の側面図、（ｂ）
は、その平面図である。
【図７】（ａ）は、本発明の光通信用半導体デバイスの
実施の形態のさらに他の例を示す要部の側面図、（ｂ）
は、その平面図である。
実施の形態のさらに他の例を示す要部の側面図、（ｂ）
は、その平面図である。
【図８】図７に示す光通信用半導体デバイスとテレビの
ブラウン管との距離と、光通信用半導体デバイスに設け
られたフォトダイオードが赤外線信号を受信することが
できる距離との関係を示すグラフである。
ブラウン管との距離と、光通信用半導体デバイスに設け
られたフォトダイオードが赤外線信号を受信することが
できる距離との関係を示すグラフである。
【図９】（ａ）は、従来の光通信用半導体デバイスの一
例を示す要部の断面図、（ｂ）は、その平面図である。
例を示す要部の断面図、（ｂ）は、その平面図である。
１１ リードフレーム １２ 半導体チップ １３ ボンディングワイヤー １４ ノイズ遮蔽用ワイヤー １５ フォトダイオード １６ 光信号処理用ＩＣ
Claims (8)
- 【請求項１】 リードフレームまたは基板上に半導体チ
ップが搭載されており、この半導体チップの上方域を通
過するように、外部ノイズの影響を低減させるノイズ遮
蔽用ワイヤーが設けられていることを特徴とする光通信
用半導体デバイス。 - 【請求項２】 前記半導体チップの上方域には、相互に
交差する一対のノイズ遮蔽用ワイヤーが設けられている
請求項１に記載の光通信用半導体デバイス。 - 【請求項３】 前記半導体チップは、フォトダイオード
である請求項１に記載の光通信用半導体デバイス。 - 【請求項４】 前記半導体チップは、光信号処理用ＩＣ
である請求項１に記載の光通信用半導体デバイス。 - 【請求項５】 前記ノイズ遮蔽用ワイヤーは、グランド
電位になっている請求項１に記載の光通信用半導体デバ
イス。 - 【請求項６】 前記ノイズ遮蔽用ワイヤーは、フォトダ
イオードのアノード側をグランド電位とするように、フ
ォトダイオードに接続されている請求項３に記載の光通
信用半導体デバイス。 - 【請求項７】 前記半導体チップは、リードフレームま
たは基板に設けられた凹部内に収容されている請求項１
に記載の光通信用半導体デバイス。 - 【請求項８】 前記半導体チップの上面は、前記凹部の
周囲の上面と面一になっている請求項１に記載の光通信
用半導体デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09642199A JP3745156B2 (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | 光通信用半導体受光デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09642199A JP3745156B2 (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | 光通信用半導体受光デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000294979A true JP2000294979A (ja) | 2000-10-20 |
| JP3745156B2 JP3745156B2 (ja) | 2006-02-15 |
Family
ID=14164528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09642199A Expired - Fee Related JP3745156B2 (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | 光通信用半導体受光デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3745156B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014056935A (ja) * | 2012-09-12 | 2014-03-27 | Renesas Electronics Corp | フォトカプラ |
| US20170263568A1 (en) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device having conductive wire with increased attachment angle and method |
| KR20200015389A (ko) * | 2018-08-03 | 2020-02-12 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 모듈 |
| JP2020108069A (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-09 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
| JPWO2019098316A1 (ja) * | 2017-11-20 | 2020-11-19 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
| KR20210067998A (ko) * | 2018-08-03 | 2021-06-08 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 모듈 |
| US11342276B2 (en) | 2019-05-24 | 2022-05-24 | Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
-
1999
- 1999-04-02 JP JP09642199A patent/JP3745156B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014056935A (ja) * | 2012-09-12 | 2014-03-27 | Renesas Electronics Corp | フォトカプラ |
| US9236954B2 (en) | 2012-09-12 | 2016-01-12 | Renesas Electronics Corporation | Photocoupler with protrusion |
| TWI713187B (zh) * | 2016-03-10 | 2020-12-11 | 美商艾馬克科技公司 | 具有增大的附接角度的導電線之半導體裝置及方法 |
| US10141269B2 (en) * | 2016-03-10 | 2018-11-27 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device having conductive wire with increased attachment angle and method |
| US20190051616A1 (en) * | 2016-03-10 | 2019-02-14 | Amkor Technology Inc. | Semiconductor device having conductive wire with increased attachment angle and method |
| US11804447B2 (en) | 2016-03-10 | 2023-10-31 | Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. | Semiconductor device having conductive wire with increased attachment angle and method |
| CN107180810A (zh) * | 2016-03-10 | 2017-09-19 | 艾马克科技公司 | 具有增大的附接角度的导电线的半导体装置和方法 |
| CN107180810B (zh) * | 2016-03-10 | 2023-05-02 | 艾马克科技公司 | 具有增大的附接角度的导电线的半导体装置和方法 |
| US20170263568A1 (en) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device having conductive wire with increased attachment angle and method |
| US10943871B2 (en) | 2016-03-10 | 2021-03-09 | Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. | Semiconductor device having conductive wire with increased attachment angle and method |
| JP7028254B2 (ja) | 2017-11-20 | 2022-03-02 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
| JPWO2019098316A1 (ja) * | 2017-11-20 | 2020-11-19 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
| CN110797324A (zh) * | 2018-08-03 | 2020-02-14 | 株式会社村田制作所 | 模块 |
| KR102279978B1 (ko) * | 2018-08-03 | 2021-07-21 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 모듈 |
| KR102279979B1 (ko) * | 2018-08-03 | 2021-07-21 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 모듈 |
| US11227840B2 (en) | 2018-08-03 | 2022-01-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic module having improved shield performance |
| KR20210067998A (ko) * | 2018-08-03 | 2021-06-08 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 모듈 |
| KR20200015389A (ko) * | 2018-08-03 | 2020-02-12 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 모듈 |
| JP2020108069A (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-09 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
| US11342276B2 (en) | 2019-05-24 | 2022-05-24 | Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
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|---|---|
| JP3745156B2 (ja) | 2006-02-15 |
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