JPH084757Y2 - 受光装置 - Google Patents

受光装置

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JPH084757Y2
JPH084757Y2 JP1988042256U JP4225688U JPH084757Y2 JP H084757 Y2 JPH084757 Y2 JP H084757Y2 JP 1988042256 U JP1988042256 U JP 1988042256U JP 4225688 U JP4225688 U JP 4225688U JP H084757 Y2 JPH084757 Y2 JP H084757Y2
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省二 横田
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    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
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    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes

Description

【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は、近赤外光等を制御信号として用いる遠隔操
作機器の受光装置に関し、テレビジヨンやVTR装置のリ
モートコントロール装置に利用される。
〈従来の技術〉 従来、近赤外光によるワイヤレスリモートコントロー
ルシステムの受光部は、受光素子（光電変換用素子）、
増幅回路、検波回路、および波形成形回路等により構成
される。この受光部は扱う電気信号が極めて微弱である
ため、機器内外からの静電誘導、電磁誘導によりノイズ
をひらい、動作が不安定になる。
そのため、受光部をシールドケースで包囲し、ノイズ
の侵入を軽減させている。
しかしながら、受光素子で電気信号を得るには受光用
の窓が必要となり、この受光窓からノイズが侵入するの
を防ぐため、第３図ないし第７図に示すような種々の対
策が行われている。第３図は受信部１のケース２の前面
に受光窓３を極力小さく形成したもの、第４図は導電性
の金網で受光窓３を形成したもの、第５図は受光窓を複
数個のスリットから構成したもの（実公昭62-23182号を
参照）、第６図はケース２の前面の受光窓を複数の小孔
から構成したものを夫々示す。
〈考案が解決しようとする問題点〉 しかし、上記従来技術において、第３図に示す構成で
は、受光部１の指向特性の制約により受光窓の開孔面積
をあまり小さくできず、そのためノイズに対して充分な
シールド効果を得ることができない。第４図の構成で
は、指向特性が悪く、かつ受光窓をケース２と別体の金
網で構成しているためコストが割高になる。第５図の構
成では、スリツトが上下方向に長く形成され、そのスリ
ツト間の孔壁が受光素子に向つて配列されているため左
右方向からの光信号に対しての指向性はよいが、上下方
向の指向特性が悪くなる。
また、第６図の構成では、そのＢ−Ｂ断面図である第
７図に示す如く、斜め方向から到来する光信号５に対し
ては開孔面積は実質的に減少するため、受光素子に到達
する光信号量が少なくなり、指向特性が悪くなるといつ
た問題点があつた。
本考案は、上記の鑑み、シールド効果に優れ、しかも
指向特性の向上をはかることができる受光装置の提供を
目的とする。
〈問題点を解決するための手段〉 前記目的を達成するために本願考案による受光装置は、
受光部と、該受光部を電磁シールドするとともに前記受
光部に光信号を入射させる受光窓を有するシールドケー
スとからなる受光装置において、前記受光窓は、前記シ
ールドケースの前記受光部に対向するケース面が外方に
向かって半球状に突出形成されるとともに、前記半球面
の全周面に複数個の小孔が形成され、且つ該小孔の孔壁
が、光信号を前記受光部に指向させるよう前記半球面の
法線方向に形成されてなることを特徴とする。
〈作用〉 上記問題点解決手段において、リモートコントロール
送信器から送られてくる近赤外光信号５は、受光窓３の
小孔４を通過して、シールドケース２と受光部１との間
をそのまま直進して受光素子６のセンサチツプ７に到達
する。
このとき、受光窓３の開孔部の径が大きいほどノイズ
は侵入しやすく、開孔部の径が小さいほどノイズのシー
ルド効果は大となるが、小孔４を複数個設けているの
で、必要量の光信号５を通過させ、かつシールド効果を
向上させることができる。
また、受光窓３を凸面状に形成し、受光窓３の全周面
に小孔４を配し、その孔壁4aは受光素子側に指向するよ
う形成しているので、たとえ小さな開孔面積でも、斜め
方向から到来する光信号５を受光することができる。
このように、斜め方向から到来する光信号５に対し
て、開孔面積の減少をおさえることができ、受光センサ
６への光信号量の減少が少なくなり、このため遠隔操作
できる範囲を著しく広げて指向特性を向上させることが
できる。
〈実施例〉 以下、本考案の一実施例を第1,2図に基づいて説明す
る。第１図は本考案受光装置の一実施例を示す斜視図、
第２図は第１図のＡ−Ａ線における横断面図である。
そして、図示の如く、受光部１と、該受光部１を電磁
シールドするシールドケース２とから成る受光装置にお
いて、前記シールドケース２の一面に前記受光部１に対
向する受光窓３が凸面状に一体的に形成され、該受光窓
３の全周面に複数個の小孔４が光信号５を受光部１に指
向させるよう形成されたものである。
前記受光部１は、受光素子６、増幅回路、検波回路、
および波形成形回路等により構成される。前記受光素子
６は、フオトダイオードであつて、センサチツプ７（フ
オトダイオードチツプ）を有し、受光窓３の裏側に配さ
れている。
前記シールドケース２は、導電性材料により直方体状
に形成され、機器内外からの静電誘導や電磁誘導により
発生するノイズを遮蔽するため、前記受光部１が内装さ
れている。
そして、前記受光窓３は、受光素子６の前方に位置す
るシールドケース２の外壁面８に配され、該受光窓３の
凸面は半球面状とされている。そして、前記受光窓３の
複数個の円形の小孔４は、球面の最頂部を中心として放
射状に配されている。該小孔４は、ノイズの侵入を充分
に軽減できる大きさとし、小孔４の数は光信号５が必要
量確保できる数とされている。さらに、小孔４の孔壁4a
は、前記受光部の受光素子６に指向するよう球面の法線
方向に形成されている。
上記構成において、リモートコントロール送信器から
送られてくる近赤外線光信号５は、受光窓３の小孔４を
通過して、シールドケース２内に到達し、受光素子６の
センサチツプ７で電気信号に変換され、増幅回路、検波
回路等を経て信号解読回路へ出力される。
このとき、受光窓３の開後部の径が大きいほどノイズ
は侵入しやすく、開孔部の径が小さいほどノイズのシー
ルド効果は大となるが、小さな孔４を複数個設けている
ので、必要量の光信号５を通過させ、かつシールド効果
を向上させることができる。
また、受光窓３を凸面状に形成し、受光窓３の全周面
に小孔４を配し、その孔壁4aは受光素子側に指向するよ
う球面の法線方向に形成しているので、たとえ小さな開
孔面積でも、斜め方向から到来する光信号５を受光する
ことができる。
このように、斜め方向から到来する光信号５に対し
て、開孔面積の減少をおさえることができ、受光素子６
への光信号量の減少が少なくなり、このため遠隔操作で
きる範囲を著しく広げて指向特性を向上させることがで
きる。
したがつて、本考案の受光窓３では斜め方向から到来
する光信号のロスを少なく受光素子６に供給でき、外来
ノズルに対するシールド効果も充分に得ることができ安
定な遠隔操作が可能となる。
なお、本考案は、上記実施例に限定されるものではな
く、本考案の範囲内で上記実施例に多くの修正および変
更を加え得ることは勿論である。
〈考案の効果〉 以上の説明から明らかな通り、本考案によると、受光
窓は、シールドケースの受光部対向面が外方に向かつて
凸面状に形成され、かつ該凸面の全周面に複数個の小孔
が光信号を受光部に指向させるよう形成されているた
め、機器内外から発生するノイズに対するシールド効果
が高められ、かつ光信号の減衰もなく指向特性を向上す
ることができ、広範囲な遠隔操作領域が得られるととも
にシールド効果の向上によりノイズ発生源に近接して受
光部を配置することができ、機器の省スペース化に役立
たせることができる。
また、シールドケースの一部を加工するだけで受光窓
が形成されるので、簡易な構造でシールド効果と十分な
受光の確保という両方を実現できるという優れた効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本考案受光装置の一実施例を示す斜視図、第２
図は同じく第１図のＡ−Ａ線における横断面図、第３図
〜第６図は夫々従来の受光装置の斜視図、第７図は第６
図のＢ−Ｂ線における横断面図である。 1:受光部、2:シールドケース、3:受光窓、4:小孔、4a:
孔壁、5:光信号、6:受光素子、7:センサチツプ、8:外壁
面。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】受光部と、該受光部を電磁シールドすると
    ともに前記受光部に光信号を入射させる受光窓を有する
    シールドケースとからなる受光装置において、前記受光
    窓は、前記シールドケースの前記受光部に対向するケー
    ス面が外方に向かって半球状に突出形成されるととも
    に、前記半球面の全周面に複数個の小孔が形成され、且
    つ該小孔の孔壁が、光信号を前記受光部に指向させるよ
    う前記半球面の法線方向に形成されてなることを特徴と
    する受光装置。
JP1988042256U 1988-03-29 1988-03-29 受光装置 Expired - Lifetime JPH084757Y2 (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1988042256U JPH084757Y2 (ja) 1988-03-29 1988-03-29 受光装置
EP89100995A EP0335068B1 (en) 1988-03-29 1989-01-20 Photodetector
DE68911345T DE68911345T2 (de) 1988-03-29 1989-01-20 Photodetektor.
US07/305,756 US4948969A (en) 1988-03-29 1989-02-03 Photodetector having convex window for shielding electromagnetic wave and electrostatic induction noises

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JPH01146637U JPH01146637U (ja) 1989-10-09
JPH084757Y2 true JPH084757Y2 (ja) 1996-02-07

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EP (1) EP0335068B1 (ja)
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0670582B2 (ja) * 1989-05-02 1994-09-07 宇宙開発事業団 開口部を有する光学センサの電磁シールド方式
DE19601390C2 (de) * 1996-01-16 1998-07-16 Siemens Ag Mikrochip
US5969344A (en) * 1998-02-20 1999-10-19 Tseng; Hsin-Te Photo detector for a data input device
WO2007024334A1 (en) * 2005-08-24 2007-03-01 Thomson Licensing Infrared detector for a mobile display
US8507862B2 (en) * 2011-02-25 2013-08-13 Tyco Fire & Security Gmbh Low profile light collimator micro baffle and method
GB2520321A (en) * 2013-11-18 2015-05-20 Melexis Technologies Nv Infrared sensor with limitation aperture

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49104585U (ja) * 1972-12-27 1974-09-07
US4555626A (en) * 1982-08-03 1985-11-26 Capintec Inc. Radiation shield in light detector and/or assembly
US4498767A (en) * 1982-09-07 1985-02-12 Teletype Corporation Apparatus for measuring light
AU560866B2 (en) * 1984-09-25 1987-04-16 Matsushita Electric Works Ltd. Passive infrared detector
JPS6183921A (ja) * 1984-10-01 1986-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照度計
JPS61240126A (ja) * 1985-04-17 1986-10-25 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 照度測定装置
JPS6223182A (ja) * 1985-07-23 1987-01-31 Komatsu Ltd ガスレ−ザ装置
JPS6240275U (ja) * 1985-08-29 1987-03-10

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JPH01146637U (ja) 1989-10-09
DE68911345D1 (de) 1994-01-27
EP0335068B1 (en) 1993-12-15
EP0335068A2 (en) 1989-10-04
EP0335068A3 (en) 1990-06-06
US4948969A (en) 1990-08-14

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