JP2000277912A - 多層プリント配線基板の製造方法 - Google Patents
多層プリント配線基板の製造方法Info
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- JP2000277912A JP2000277912A JP8536099A JP8536099A JP2000277912A JP 2000277912 A JP2000277912 A JP 2000277912A JP 8536099 A JP8536099 A JP 8536099A JP 8536099 A JP8536099 A JP 8536099A JP 2000277912 A JP2000277912 A JP 2000277912A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】配線パターンを高密度化できる多層プリント配
線基板を提供する。 【解決手段】絶縁体層５を介し相隣り合う配線層２，６
がバンプ７により接続された多層配線基板１の一面に光
硬化性樹脂層９を形成する。光硬化性樹脂層９の表面に
フォトレジスト１０を形成し、フォトレジスト１０をマ
スクとし光硬化性樹脂層９を露光させ、絶縁体層９ａを
形成する。未露光部分を除去し配線層６を露出する穴部
１１を形成する。光硬化性樹脂層９が硬化した絶縁体層
９ａ上にメッキを施し導電体層１３を形成する。穴部１
１に施されたメッキにより導電体層１３と配線層６とを
接続するビア１１ａを形成する。導電体層１３にエッチ
ングを施して配線パターン１４を形成する。前記光硬化
性樹脂層９を、バンプ７とビア２６とを備える多層配線
基板２１の一面に形成する。インターステシャルビアホ
ール３，３０に導電性ペーストを充填する。
線基板を提供する。 【解決手段】絶縁体層５を介し相隣り合う配線層２，６
がバンプ７により接続された多層配線基板１の一面に光
硬化性樹脂層９を形成する。光硬化性樹脂層９の表面に
フォトレジスト１０を形成し、フォトレジスト１０をマ
スクとし光硬化性樹脂層９を露光させ、絶縁体層９ａを
形成する。未露光部分を除去し配線層６を露出する穴部
１１を形成する。光硬化性樹脂層９が硬化した絶縁体層
９ａ上にメッキを施し導電体層１３を形成する。穴部１
１に施されたメッキにより導電体層１３と配線層６とを
接続するビア１１ａを形成する。導電体層１３にエッチ
ングを施して配線パターン１４を形成する。前記光硬化
性樹脂層９を、バンプ７とビア２６とを備える多層配線
基板２１の一面に形成する。インターステシャルビアホ
ール３，３０に導電性ペーストを充填する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
基板の製造方法に関するものである。
基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子部品の小型化技術及び配線基
板に対する実装技術の進歩に伴い、プリント配線基板を
高密度化すると共にコストを低減する必要が生じてい
る。従来、多層プリント配線基板は、基板に設けられた
貫通孔（スルーホール）に銅等の導体をメッキして配線
層間の接続を行うことにより製造されているが、このよ
うな製造方法では、前記高密度化及びコスト低減に対応
することが困難になりつつある。
板に対する実装技術の進歩に伴い、プリント配線基板を
高密度化すると共にコストを低減する必要が生じてい
る。従来、多層プリント配線基板は、基板に設けられた
貫通孔（スルーホール）に銅等の導体をメッキして配線
層間の接続を行うことにより製造されているが、このよ
うな製造方法では、前記高密度化及びコスト低減に対応
することが困難になりつつある。
【０００３】そこで、前記従来の製造方法に代わる技術
が検討されており、例えば、特開平６−３４２９７７号
公報に開示された製造方法が知られている。前記公報記
載の技術は、まず、銅箔等の導電性支持体上の所定位置
に、銀ペースト等の導電性ペーストを印刷して複数のバ
ンプを形成する。次に、該バンプが形成された銅箔にプ
リプレグ等の合成樹脂系シートを積層し、加圧すること
により、該バンプを該合成樹脂系シートに貫通させ、そ
の先端を該合成樹脂系シートから露出せしめる。そし
て、該合成樹脂系シートに銅箔等の導電体層を積層、加
圧して、該合成樹脂系シートから露出したバンプの先端
を該導電体層に圧着させることにより、該バンプにより
前記合成樹脂系シートを貫通して両銅箔を接続する貫通
型導体配線部を形成するものである。前記公報記載の技
術によれば、次いで、前記両銅箔にエッチングを施して
配線パターンを形成することにより、両面型プリント配
線基板が得られる。
が検討されており、例えば、特開平６−３４２９７７号
公報に開示された製造方法が知られている。前記公報記
載の技術は、まず、銅箔等の導電性支持体上の所定位置
に、銀ペースト等の導電性ペーストを印刷して複数のバ
ンプを形成する。次に、該バンプが形成された銅箔にプ
リプレグ等の合成樹脂系シートを積層し、加圧すること
により、該バンプを該合成樹脂系シートに貫通させ、そ
の先端を該合成樹脂系シートから露出せしめる。そし
て、該合成樹脂系シートに銅箔等の導電体層を積層、加
圧して、該合成樹脂系シートから露出したバンプの先端
を該導電体層に圧着させることにより、該バンプにより
前記合成樹脂系シートを貫通して両銅箔を接続する貫通
型導体配線部を形成するものである。前記公報記載の技
術によれば、次いで、前記両銅箔にエッチングを施して
配線パターンを形成することにより、両面型プリント配
線基板が得られる。
【０００４】また、前記バンプの先端が圧着される導電
体層を、前記銅箔に代えて前記両面型プリント配線基板
とすれば、該両面型プリント配線基板の表面に形成され
た配線パターンに前記バンプの先端を圧着させて貫通型
導体配線部を形成し、前記バンプが形成されている導電
性支持体にエッチングを施して配線パターンを形成する
操作を繰り返すことにより、容易に多数の配線層を備え
る多層プリント配線基板を製造することができる。
体層を、前記銅箔に代えて前記両面型プリント配線基板
とすれば、該両面型プリント配線基板の表面に形成され
た配線パターンに前記バンプの先端を圧着させて貫通型
導体配線部を形成し、前記バンプが形成されている導電
性支持体にエッチングを施して配線パターンを形成する
操作を繰り返すことにより、容易に多数の配線層を備え
る多層プリント配線基板を製造することができる。
【０００５】前記公報記載の製造方法により得られる多
層プリント配線基板では、前記導電性支持体から形成さ
れた配線パターンに、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａ
ｒｒｅｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ／Ｓｃａ１ｅ
Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる半導体パッケージ等の電
子部品を実装することが充分に可能な、高密度の配線パ
ターンを得ることができる。
層プリント配線基板では、前記導電性支持体から形成さ
れた配線パターンに、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａ
ｒｒｅｙ）やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ／Ｓｃａ１ｅ
Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる半導体パッケージ等の電
子部品を実装することが充分に可能な、高密度の配線パ
ターンを得ることができる。
【０００６】しかしながら、前記バンプは前記プリプレ
グ等の合成樹脂系シートを貫通することができる程度の
径を必要とするので、該ハンプが形成されている銅箔等
にエッチングにより配線パターンを形成する際に、前記
配線パターンのピッチが該バンプ径に規制され、さらに
高密度の配線パターンを形成することが難しい。
グ等の合成樹脂系シートを貫通することができる程度の
径を必要とするので、該ハンプが形成されている銅箔等
にエッチングにより配線パターンを形成する際に、前記
配線パターンのピッチが該バンプ径に規制され、さらに
高密度の配線パターンを形成することが難しい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明はかか
る不都合を解消して、バンプ径によらず、さらに配線パ
ターンを高密度化することができる多層プリント配線基
板を提供することを目的とする。
る不都合を解消して、バンプ径によらず、さらに配線パ
ターンを高密度化することができる多層プリント配線基
板を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明の多層プリント配線基板の製造方法の第１
の態様は、絶縁体層を介して相隣り合う配線層が該絶縁
体層を貫通するバンプにより接続されている貫通型導体
配線部を傭える多層配線基板の少なくとも一方の表面に
光硬化性樹脂層を形成する工程と、該光硬化性樹脂層の
表面に、該多層配線基板の配線層を露出する部分を被覆
するフォトレジストを形成し、該フォトレジストをマス
クとして該光硬化性樹脂層を露光させて硬化せしめ、光
硬化性樹脂からなる絶縁体層を形成する工程と、該光硬
化性樹脂層の未露光部分を除去して、該多層配線基板の
配線層を露出する穴部を形成する工程と、該光硬化性樹
脂からなる絶縁体層上にメッキを施して導電体層を形成
すると共に、該穴部に施されたメッキにより、該導電体
層と該多層配線基板の配線層とを接続するビアを形成す
る工程と、該導電体層にエッチングを施して所定の配線
パターンを形成する工程とを備えることを特徴とする。
めに、本発明の多層プリント配線基板の製造方法の第１
の態様は、絶縁体層を介して相隣り合う配線層が該絶縁
体層を貫通するバンプにより接続されている貫通型導体
配線部を傭える多層配線基板の少なくとも一方の表面に
光硬化性樹脂層を形成する工程と、該光硬化性樹脂層の
表面に、該多層配線基板の配線層を露出する部分を被覆
するフォトレジストを形成し、該フォトレジストをマス
クとして該光硬化性樹脂層を露光させて硬化せしめ、光
硬化性樹脂からなる絶縁体層を形成する工程と、該光硬
化性樹脂層の未露光部分を除去して、該多層配線基板の
配線層を露出する穴部を形成する工程と、該光硬化性樹
脂からなる絶縁体層上にメッキを施して導電体層を形成
すると共に、該穴部に施されたメッキにより、該導電体
層と該多層配線基板の配線層とを接続するビアを形成す
る工程と、該導電体層にエッチングを施して所定の配線
パターンを形成する工程とを備えることを特徴とする。
【０００９】前記第１の態様の製造方法では、絶縁体層
を介して相隣り合う配線層が該絶縁体層を貫通する導電
性ぺ一ストからなるバンプにより接続されている貫通型
導体配線部を傭える多層配線基板を用いる。このような
多層配線基板は、例えば、所定位置に導電性ペーストか
らなるバンプを形成したシート状の導電性支持体に合成
樹脂系シートを積層して加圧することにより該バンプを
該合成樹脂系シートに貫通させて、その先端を露出せし
め、該合成樹脂系シートから露出した該バンプの先端
を、コアとなるベース基板の配線層に圧着することによ
り形成される。
を介して相隣り合う配線層が該絶縁体層を貫通する導電
性ぺ一ストからなるバンプにより接続されている貫通型
導体配線部を傭える多層配線基板を用いる。このような
多層配線基板は、例えば、所定位置に導電性ペーストか
らなるバンプを形成したシート状の導電性支持体に合成
樹脂系シートを積層して加圧することにより該バンプを
該合成樹脂系シートに貫通させて、その先端を露出せし
め、該合成樹脂系シートから露出した該バンプの先端
を、コアとなるベース基板の配線層に圧着することによ
り形成される。
【００１０】前記多層配線基板では、前記バンプの径
を、該バンプが前記合成樹脂系シートを貫通するに十分
な大きさにする必要がある。この結果、前記バンプが形
成されている導電性支持体に配線パターンを形成しよう
とすると、該配線パターンのピッチを前記バンプの径に
より規制される幅以上に高密度化することが難しい。
を、該バンプが前記合成樹脂系シートを貫通するに十分
な大きさにする必要がある。この結果、前記バンプが形
成されている導電性支持体に配線パターンを形成しよう
とすると、該配線パターンのピッチを前記バンプの径に
より規制される幅以上に高密度化することが難しい。
【００１１】そこで、本態様では次に、前記多層配線基
板の少なくとも一方の表面に光硬化性樹脂層を形成す
る。そして、前記光硬化性樹脂層の表面に、該多層配線
基板の配線層を露出する部分を被覆するフォトレジスト
を形成し、該フォトレジストをマスクとして該光硬化性
樹脂層を露光せしめる。すると、前記光硬化性樹脂層
は、前記フォトレジストの背後の未露光部分を残して、
他の露光部分が硬化し、光硬化性樹脂からなる絶縁体層
を形成する。
板の少なくとも一方の表面に光硬化性樹脂層を形成す
る。そして、前記光硬化性樹脂層の表面に、該多層配線
基板の配線層を露出する部分を被覆するフォトレジスト
を形成し、該フォトレジストをマスクとして該光硬化性
樹脂層を露光せしめる。すると、前記光硬化性樹脂層
は、前記フォトレジストの背後の未露光部分を残して、
他の露光部分が硬化し、光硬化性樹脂からなる絶縁体層
を形成する。
【００１２】次に、該光硬化性樹脂層の未露光部分を除
去すると、前記光硬化性樹脂層からなる絶縁体層に、前
記多層配線基板の配線層を露出する穴部が形成される。
前記フォトレジストは、前記穴部の径が前記多層配線基
板の配線層を露出する大きさであればよく、前記バンプ
のように前記合成樹脂系シートを貫通し得る径にしなけ
ればならないというような制約がないので、前記穴部は
前記バンプの径よりも小径に形成することができる。
去すると、前記光硬化性樹脂層からなる絶縁体層に、前
記多層配線基板の配線層を露出する穴部が形成される。
前記フォトレジストは、前記穴部の径が前記多層配線基
板の配線層を露出する大きさであればよく、前記バンプ
のように前記合成樹脂系シートを貫通し得る径にしなけ
ればならないというような制約がないので、前記穴部は
前記バンプの径よりも小径に形成することができる。
【００１３】従って、前記光硬化性樹脂からなる絶縁体
層上にメッキを施して導電体層を形成すると共に、該穴
部に施されたメッキにより、該導電体層と該多層配線基
板の配線層とを接続するビアを形成し、該導電体層にエ
ッチングを施して所定の配線パターンを形成することに
より、前記バンプの径により規制される幅以上に高密度
化された配線パターンを備える多層プリント配線基板を
形成することができる。
層上にメッキを施して導電体層を形成すると共に、該穴
部に施されたメッキにより、該導電体層と該多層配線基
板の配線層とを接続するビアを形成し、該導電体層にエ
ッチングを施して所定の配線パターンを形成することに
より、前記バンプの径により規制される幅以上に高密度
化された配線パターンを備える多層プリント配線基板を
形成することができる。
【００１４】また、前記多層配線基板は、絶縁体層を介
して相隣り合う配線層が該絶縁体層を貫通するバンプに
より接続されている第１の貫通型導体配線部と、光硬化
性樹脂からなる絶縁体層を介して相隣り合う配線層が、
前記フォトレジストをマスクとして該光硬化性樹脂を露
光せしめ未露光部を除去して設けられた穴部にメッキを
施して形成されたビアにより接続されている第２の貫通
型導体配線部とを備え、前記絶縁体層と光硬化性樹脂か
らなる絶縁体層とが積層されている基板であってもよ
い。
して相隣り合う配線層が該絶縁体層を貫通するバンプに
より接続されている第１の貫通型導体配線部と、光硬化
性樹脂からなる絶縁体層を介して相隣り合う配線層が、
前記フォトレジストをマスクとして該光硬化性樹脂を露
光せしめ未露光部を除去して設けられた穴部にメッキを
施して形成されたビアにより接続されている第２の貫通
型導体配線部とを備え、前記絶縁体層と光硬化性樹脂か
らなる絶縁体層とが積層されている基板であってもよ
い。
【００１５】そこで、本発明の製造方法の第２の態様
は、絶縁体層を介して相隣り合う配線層が該絶縁体層を
貫通するバンプにより接続されている第１の貫通型導体
配線部と、第１の光硬化性樹脂からなる絶縁体層を介し
て相隣り合う配線層が、前記フォトレジストをマスクと
して第１の光硬化性樹脂を露光せしめ未露光部を除去し
て設けられた穴部にメッキを施して形成されたビアによ
り接続されている第２の貫通型導体配線部とを備え、前
記絶縁体層と第１の光硬化性樹脂からなる絶縁体層とが
積層されている多層配線基板の少なくとも一方の表面に
第２の光硬化性樹脂層を形成する工程と、前記第１の態
様と同一手段により第２の光硬化性樹脂層を露光せしめ
て絶縁体層と、該絶縁体層に施されるメッキからなる導
電体層と、該導電体層と該多層配線基板の配線層とを接
続するビアを形成し、さらに該導電体層にエッチングを
施して所定の配線パターンを形成する工程とを備える。
は、絶縁体層を介して相隣り合う配線層が該絶縁体層を
貫通するバンプにより接続されている第１の貫通型導体
配線部と、第１の光硬化性樹脂からなる絶縁体層を介し
て相隣り合う配線層が、前記フォトレジストをマスクと
して第１の光硬化性樹脂を露光せしめ未露光部を除去し
て設けられた穴部にメッキを施して形成されたビアによ
り接続されている第２の貫通型導体配線部とを備え、前
記絶縁体層と第１の光硬化性樹脂からなる絶縁体層とが
積層されている多層配線基板の少なくとも一方の表面に
第２の光硬化性樹脂層を形成する工程と、前記第１の態
様と同一手段により第２の光硬化性樹脂層を露光せしめ
て絶縁体層と、該絶縁体層に施されるメッキからなる導
電体層と、該導電体層と該多層配線基板の配線層とを接
続するビアを形成し、さらに該導電体層にエッチングを
施して所定の配線パターンを形成する工程とを備える。
【００１６】ここで、前記第１の貫通型導体配線部を備
える絶縁体層と、前記第２の貫通型導体配線部を備える
第１の光硬化性樹脂からなる絶縁体層とは、どちらが上
に積層されていてもよい。
える絶縁体層と、前記第２の貫通型導体配線部を備える
第１の光硬化性樹脂からなる絶縁体層とは、どちらが上
に積層されていてもよい。
【００１７】本態様に用いる多層配線基板は、その積層
構造の一部に前記第１の貫通型導体配線部と共に前記第
２の貫通型導体配線部を備えることにより、該第２の貫
通型導体配線部に接続される配線部における配線パター
ンを、前記第１の貫通型導体配線部を構成する前記バン
プの径により規制される幅以上に高密度化することがで
きる。従って、かかる製造方法によれば、前記両貫通型
導体配線部を備える多層配線基板を用いることにより、
さらに高密度化された配線パターンを備える多層プリン
ト配線基板を形成することができる。
構造の一部に前記第１の貫通型導体配線部と共に前記第
２の貫通型導体配線部を備えることにより、該第２の貫
通型導体配線部に接続される配線部における配線パター
ンを、前記第１の貫通型導体配線部を構成する前記バン
プの径により規制される幅以上に高密度化することがで
きる。従って、かかる製造方法によれば、前記両貫通型
導体配線部を備える多層配線基板を用いることにより、
さらに高密度化された配線パターンを備える多層プリン
ト配線基板を形成することができる。
【００１８】また、本発明の製造方法では、前記多層プ
リント配線基板にインターステシャルビアホールを形成
し、該インターステシャルビアホールに導電性ペースト
を充填するようにしてもよい。前記インターステシャル
ビアホールに導電性ペーストを充填することにより、内
層で発生した熱を容易に放散することができる多層プリ
ント配線基板を形成することができる。
リント配線基板にインターステシャルビアホールを形成
し、該インターステシャルビアホールに導電性ペースト
を充填するようにしてもよい。前記インターステシャル
ビアホールに導電性ペーストを充填することにより、内
層で発生した熱を容易に放散することができる多層プリ
ント配線基板を形成することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、添付の図面を参照しながら
本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。図
１は本発明の製造方法の第１の実施形態に用いる多層配
線基板を示す説明的断面図であり、図２は図１示の多層
配線基板の製造方法を示す説明的断面図であり、図３乃
至図７は本発明の製造方法の第１の実施形態の工程を示
す説明的断面図である。また、図８は本発明の製造方法
の第２の実施形態に用いる多層配線基板を示す説明的断
面図であり、図９及び図１０は本発明の製造方法の第２
の実施形態の工程を示す説明的断面図である。
本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。図
１は本発明の製造方法の第１の実施形態に用いる多層配
線基板を示す説明的断面図であり、図２は図１示の多層
配線基板の製造方法を示す説明的断面図であり、図３乃
至図７は本発明の製造方法の第１の実施形態の工程を示
す説明的断面図である。また、図８は本発明の製造方法
の第２の実施形態に用いる多層配線基板を示す説明的断
面図であり、図９及び図１０は本発明の製造方法の第２
の実施形態の工程を示す説明的断面図である。
【００２０】まず、図１を参照して、本発明の製造方法
の第１の実施形態に用いる多層配線基板１について説明
する。図１示の多層配線基板１は、表裏両面に配線層２
が設けられ、配線層２，２がインターステシャルビアホ
ール３により接続されているベース基板４をコアとし
て、ベース基板４にプリプレグ等の合成樹脂系シートか
らなる絶縁体５を積層し、絶縁体５の表面に形成された
配線層６がバンプ７を介してベース基板４の配線層２に
接続された４層構成となっている。前記ベース基板４
は、例えば３００μｍの厚さのガラスエポキシ樹脂等か
らなる絶縁体層であり、配線層２は例えば厚さ１８μｍ
の銅箔により形成されている。また、インターステシャ
ルビアホール３は、例えば、０．２５ｍｍの径に形成さ
れ、内部には導電性ぺーストが充填され、乾燥されてい
る。
の第１の実施形態に用いる多層配線基板１について説明
する。図１示の多層配線基板１は、表裏両面に配線層２
が設けられ、配線層２，２がインターステシャルビアホ
ール３により接続されているベース基板４をコアとし
て、ベース基板４にプリプレグ等の合成樹脂系シートか
らなる絶縁体５を積層し、絶縁体５の表面に形成された
配線層６がバンプ７を介してベース基板４の配線層２に
接続された４層構成となっている。前記ベース基板４
は、例えば３００μｍの厚さのガラスエポキシ樹脂等か
らなる絶縁体層であり、配線層２は例えば厚さ１８μｍ
の銅箔により形成されている。また、インターステシャ
ルビアホール３は、例えば、０．２５ｍｍの径に形成さ
れ、内部には導電性ぺーストが充填され、乾燥されてい
る。
【００２１】多層配線基板１は、次の様にして製造する
ことができる。まず、図２（ａ）示のように、例えば厚
さ１８μｍの銅箔等の導電性支持体８上の所定の位置
に、複数のバンプ７を形成する。前記バンプ７は、導電
性支持体８に、所定の位置に貫通孔を備えるメタルマス
タを積層し、該メタルマスタの上から銀ペースト等の導
電性ペーストをスクリーン印刷して、乾燥することによ
り形成される。
ことができる。まず、図２（ａ）示のように、例えば厚
さ１８μｍの銅箔等の導電性支持体８上の所定の位置
に、複数のバンプ７を形成する。前記バンプ７は、導電
性支持体８に、所定の位置に貫通孔を備えるメタルマス
タを積層し、該メタルマスタの上から銀ペースト等の導
電性ペーストをスクリーン印刷して、乾燥することによ
り形成される。
【００２２】次に、図２（ｂ）示のように、バンプ７が
形成された導電性支持体８に前記合成樹脂系シート５を
積層し、加圧して、バンプ７を合成樹脂系シート５に貫
通させ、その先端を合成樹脂系シート５から露出せしめ
る。合成樹脂系シート５は、６０μｍの厚さを備えてお
り、バンプ７はかかる合成樹脂系シート５を貫通するた
めに、例えば導電性支持体８に接触する部分の径が０．
２ｍｍ、高さが０．１５ｍｍの大きさとなるように形成
される。
形成された導電性支持体８に前記合成樹脂系シート５を
積層し、加圧して、バンプ７を合成樹脂系シート５に貫
通させ、その先端を合成樹脂系シート５から露出せしめ
る。合成樹脂系シート５は、６０μｍの厚さを備えてお
り、バンプ７はかかる合成樹脂系シート５を貫通するた
めに、例えば導電性支持体８に接触する部分の径が０．
２ｍｍ、高さが０．１５ｍｍの大きさとなるように形成
される。
【００２３】次に、図２（ｃ）示のように、合成樹脂系
シート５が積層された導電性支持体８を、バンプ７が合
成樹脂系シート５から露出している面で、前記構成を備
えるべース基板４の両面に圧着する。次いで、合成樹脂
系シート５が積層された導電性支持体８が両面に圧着さ
れたべース基板４を多層プレス機に装着して、真空中に
て加熱プレスすることにより一体化する。
シート５が積層された導電性支持体８を、バンプ７が合
成樹脂系シート５から露出している面で、前記構成を備
えるべース基板４の両面に圧着する。次いで、合成樹脂
系シート５が積層された導電性支持体８が両面に圧着さ
れたべース基板４を多層プレス機に装着して、真空中に
て加熱プレスすることにより一体化する。
【００２４】次に、図２（ｄ）示のように、べース基板
４に合成樹脂系シート５を介して一体化された導電性支
持体８にエッチングを施すことにより配線層６が形成さ
れ、図１示の多層配線基板１が得られる。配線層６に
は、バンプ７の形成されている部分の反対側に該バンプ
７に接続するランドが設けられるが、該ランドは前記の
ように０．２ｍｍ径のバンプ７に対して、０．４ｍｍ径
となる。また、配線層６の配線ピッチは前記ランド径に
より規制され、ライン／スペース＝１００μｍ／１００
μｍとなる。
４に合成樹脂系シート５を介して一体化された導電性支
持体８にエッチングを施すことにより配線層６が形成さ
れ、図１示の多層配線基板１が得られる。配線層６に
は、バンプ７の形成されている部分の反対側に該バンプ
７に接続するランドが設けられるが、該ランドは前記の
ように０．２ｍｍ径のバンプ７に対して、０．４ｍｍ径
となる。また、配線層６の配線ピッチは前記ランド径に
より規制され、ライン／スペース＝１００μｍ／１００
μｍとなる。
【００２５】尚、図１は図２（ｄ）の多層配線基板１の
要部拡大図に相当する。
要部拡大図に相当する。
【００２６】次に、図３乃至図７を参照して、多層配線
基板１を用いる本実施形態の多層プリント配線基板の製
造方法について説明する、本実施形態の製造方法では、
まず図３示のように、多層配線基板１の表裏両面に、光
硬化性樹脂層９を形成する。光硬化性樹脂層９を形成す
る光硬化性樹脂としては、２量化反応樹脂、カチオン重
合樹脂、アニオン重合樹脂等の感光性エポキシ樹脂を用
いることができる。このような光硬化性樹脂として、例
えば株式会社タムラ製作所製ソルダーレジスト（商品
名：ＦＩＮＤＥＬ ＤＳＲ−２２００ＭＬ）、チバ・ス
ペシャリティ・ケミカルズ株式会社製プロビマー（商品
名）等を挙げることができる。前記に例示した光硬化性
樹脂は、光硬化性と共に熱硬化性も兼ね備えている。前
記光硬化性樹脂は、スクリーン印刷、カーテンコート、
スプレーコート等の方法により、多層配線基板１に塗布
し、乾燥することにより、例えば厚さ６０μｍの光硬化
性樹脂層９を形成することができる。
基板１を用いる本実施形態の多層プリント配線基板の製
造方法について説明する、本実施形態の製造方法では、
まず図３示のように、多層配線基板１の表裏両面に、光
硬化性樹脂層９を形成する。光硬化性樹脂層９を形成す
る光硬化性樹脂としては、２量化反応樹脂、カチオン重
合樹脂、アニオン重合樹脂等の感光性エポキシ樹脂を用
いることができる。このような光硬化性樹脂として、例
えば株式会社タムラ製作所製ソルダーレジスト（商品
名：ＦＩＮＤＥＬ ＤＳＲ−２２００ＭＬ）、チバ・ス
ペシャリティ・ケミカルズ株式会社製プロビマー（商品
名）等を挙げることができる。前記に例示した光硬化性
樹脂は、光硬化性と共に熱硬化性も兼ね備えている。前
記光硬化性樹脂は、スクリーン印刷、カーテンコート、
スプレーコート等の方法により、多層配線基板１に塗布
し、乾燥することにより、例えば厚さ６０μｍの光硬化
性樹脂層９を形成することができる。
【００２７】次に、図４示のように、多層配線基板１の
バンプ７に対応する部分の配線層６を露出する部分を被
覆するようにフォトレジスト１０を設け、フォトレジス
ト１０をマスクとして、光硬化性樹脂層９に紫外線を放
射し、露光せしめる。すると、前記光硬化性樹脂はフォ
トレジスト１０の背後に未露光の光硬化性樹脂層９を残
し、前記紫外線に露光した部分が硬化して絶縁体層９ａ
が形成される。
バンプ７に対応する部分の配線層６を露出する部分を被
覆するようにフォトレジスト１０を設け、フォトレジス
ト１０をマスクとして、光硬化性樹脂層９に紫外線を放
射し、露光せしめる。すると、前記光硬化性樹脂はフォ
トレジスト１０の背後に未露光の光硬化性樹脂層９を残
し、前記紫外線に露光した部分が硬化して絶縁体層９ａ
が形成される。
【００２８】前記フォトレジスト１０及びその背後の未
露光の光硬化性樹脂層９は、次いで１％−炭酸ナトリウ
ム水溶液で現像することにより除去され、図５に示すよ
うに、配線層６を露出する穴部１１が形成される。穴部
１１は、配線層６を露出させるために十分な大きさであ
ればよく。例えば、開口部の径が０．１ｍｍになるよう
に形成される。このとき、所望によりスルーホールを形
成する貫通孔１２を穿設してもよい。貫通孔１２は、ド
リル、レーザ、電子ビーム等により、例えば０．３ｍｍ
の径に形成される。
露光の光硬化性樹脂層９は、次いで１％−炭酸ナトリウ
ム水溶液で現像することにより除去され、図５に示すよ
うに、配線層６を露出する穴部１１が形成される。穴部
１１は、配線層６を露出させるために十分な大きさであ
ればよく。例えば、開口部の径が０．１ｍｍになるよう
に形成される。このとき、所望によりスルーホールを形
成する貫通孔１２を穿設してもよい。貫通孔１２は、ド
リル、レーザ、電子ビーム等により、例えば０．３ｍｍ
の径に形成される。
【００２９】次に、図６示のように、光硬化性樹脂から
なる絶縁体層９ａの表面に、メッキを施して、例えば厚
さ１８μｍの導電体層１３を形成する。前記メッキは、
同時に穴部１１及び貫通孔１３内にも施され、穴部１１
に導電体層１３と配線層６とを接続するビア１１ａ、貫
通孔１３に導電体層１３，１３を接続するスルーホール
１２ａが形成される。前記メッキとしては、銅、ニッケ
ル、金からなるもの等を用いることができる。尚、本明
細書では、以下、ビア１１ａと同一の手順により形成さ
れるビアを「フォトビア」と記載する。
なる絶縁体層９ａの表面に、メッキを施して、例えば厚
さ１８μｍの導電体層１３を形成する。前記メッキは、
同時に穴部１１及び貫通孔１３内にも施され、穴部１１
に導電体層１３と配線層６とを接続するビア１１ａ、貫
通孔１３に導電体層１３，１３を接続するスルーホール
１２ａが形成される。前記メッキとしては、銅、ニッケ
ル、金からなるもの等を用いることができる。尚、本明
細書では、以下、ビア１１ａと同一の手順により形成さ
れるビアを「フォトビア」と記載する。
【００３０】次に、前記導電体層１３に常法に従ってエ
ッチングを施すことにより、図７示のように、配線パタ
ーン１４を備える多層プリント配線基板１５が得られ
る。尚、配線パターン１４上には、耐熱性被覆及び外部
環境からの保護のために絶縁体インキを塗布し、例えば
２０μｍの厚さのレジストを形成することが好ましい。
ッチングを施すことにより、図７示のように、配線パタ
ーン１４を備える多層プリント配線基板１５が得られ
る。尚、配線パターン１４上には、耐熱性被覆及び外部
環境からの保護のために絶縁体インキを塗布し、例えば
２０μｍの厚さのレジストを形成することが好ましい。
【００３１】本実施形態の多層プリント配線基板１５で
は、配線層６においてバンプ７に接続するランド径が
０．４ｍｍであるのに対し、配線パターン１４において
フォトビア１１ａに接続するランド径０．２７５ｍｍと
縮小することができた。また、配線パターン１４は、配
線ピッチが前記ランド径に対応してライン／スペース＝
７５μｍ／７５μｍとなり、配線層６のライン／スペー
ス＝１００μｍ／１００μｍに比して高密度化すること
ができた。この結果、本実施形態の多層プリント配線基
板１５は、フォトビア１１ａによる配線層間の接続に替
えてバンプ７による接続とした同一の機能を備える多層
プリント配線基板に比較して、面積及び重量を２／３と
することができた。
は、配線層６においてバンプ７に接続するランド径が
０．４ｍｍであるのに対し、配線パターン１４において
フォトビア１１ａに接続するランド径０．２７５ｍｍと
縮小することができた。また、配線パターン１４は、配
線ピッチが前記ランド径に対応してライン／スペース＝
７５μｍ／７５μｍとなり、配線層６のライン／スペー
ス＝１００μｍ／１００μｍに比して高密度化すること
ができた。この結果、本実施形態の多層プリント配線基
板１５は、フォトビア１１ａによる配線層間の接続に替
えてバンプ７による接続とした同一の機能を備える多層
プリント配線基板に比較して、面積及び重量を２／３と
することができた。
【００３２】次に、図８乃至図１０を参照して、本発明
の製造方法の第２の実施形態について説明する。本実施
形態では、図１示の多層プリント配線基板１に替えて、
図８示の多層配線基板２１を用いる。
の製造方法の第２の実施形態について説明する。本実施
形態では、図１示の多層プリント配線基板１に替えて、
図８示の多層配線基板２１を用いる。
【００３３】図８示の多層配線基板２１は、表裏両面に
配線層２２が設けられているべース基板２３をコアとし
て、べース基板２３の両面に、図３乃至図７に示す手順
と同様にして形成される光硬化性樹脂からなる絶縁体層
２４、配線層２５、フォトビア２６を備え、配線層２５
はフォトビア２６により配線層２２に接続されている。
光硬化性樹脂からなる絶縁体層２４及び配線層２５の上
には、図２に示す手順と同様にしてプリプレグ等の合成
樹脂系シートからなる絶縁体２７が積層され、絶縁体２
７の表面に形成された配線層２８がバンプ２９を介して
配線層２２に接続されており、全体として６層構成とな
っている。尚、光硬化性樹脂からなる絶縁体層２４上に
形成された配線層２５，２５は、内部に導電性ぺ一スト
が充填され、乾燥されているインターステシャルビアホ
ール３０により接続されている。
配線層２２が設けられているべース基板２３をコアとし
て、べース基板２３の両面に、図３乃至図７に示す手順
と同様にして形成される光硬化性樹脂からなる絶縁体層
２４、配線層２５、フォトビア２６を備え、配線層２５
はフォトビア２６により配線層２２に接続されている。
光硬化性樹脂からなる絶縁体層２４及び配線層２５の上
には、図２に示す手順と同様にしてプリプレグ等の合成
樹脂系シートからなる絶縁体２７が積層され、絶縁体２
７の表面に形成された配線層２８がバンプ２９を介して
配線層２２に接続されており、全体として６層構成とな
っている。尚、光硬化性樹脂からなる絶縁体層２４上に
形成された配線層２５，２５は、内部に導電性ぺ一スト
が充填され、乾燥されているインターステシャルビアホ
ール３０により接続されている。
【００３４】本実施形態では、次に、多層配線基板２１
の表裏両面に光硬化性樹脂層を形成し、該光硬化性樹脂
層上に設けられたフォトレジストをマスクとして、紫外
線を放射することにより、図９示のように該光硬化性樹
脂を硬化させて絶縁体層９ａを形成すると共に、該光硬
化性樹脂層を現像して前記フォトレジスト及びその背後
の未露光部分を除去することにより配線層２８を露出す
る穴部１１を形成する。前記操作は、前記図３乃至図５
に示す手順と全く同一にして行うことができる。
の表裏両面に光硬化性樹脂層を形成し、該光硬化性樹脂
層上に設けられたフォトレジストをマスクとして、紫外
線を放射することにより、図９示のように該光硬化性樹
脂を硬化させて絶縁体層９ａを形成すると共に、該光硬
化性樹脂層を現像して前記フォトレジスト及びその背後
の未露光部分を除去することにより配線層２８を露出す
る穴部１１を形成する。前記操作は、前記図３乃至図５
に示す手順と全く同一にして行うことができる。
【００３５】次に、光硬化性樹脂からなる絶縁体層９ａ
の表面にメッキを施して、図１０に仮想線示する導電体
層１３を形成する。前記メッキは、同時に穴部１１にも
施され、穴部１１に導電体層１３と配線層２８とを接続
するフォトビア１１ａが形成される。そして、前記導電
体層１３に常法に従ってエッチングを施すことにより、
配線パターン１４を備える多層プリント配線基板３１が
得られる。
の表面にメッキを施して、図１０に仮想線示する導電体
層１３を形成する。前記メッキは、同時に穴部１１にも
施され、穴部１１に導電体層１３と配線層２８とを接続
するフォトビア１１ａが形成される。そして、前記導電
体層１３に常法に従ってエッチングを施すことにより、
配線パターン１４を備える多層プリント配線基板３１が
得られる。
【００３６】尚、多層プリント配線基板３１は、所望に
よりスルーホールを設けるようにしてもよい。
よりスルーホールを設けるようにしてもよい。
【００３７】前記各実施形態では、フォトビア１１ａが
配線層６，２８のバンプ７，２９に対応する部分に接続
するように形成されているが、フォトビア１１ａは配線
層６，２８の他の部分に接続するように形成されていて
もよい。また、前記各実施形態において、インターステ
シャルビアホール３，３０は、いずれもその内部にメッ
キが施されていてもよい。
配線層６，２８のバンプ７，２９に対応する部分に接続
するように形成されているが、フォトビア１１ａは配線
層６，２８の他の部分に接続するように形成されていて
もよい。また、前記各実施形態において、インターステ
シャルビアホール３，３０は、いずれもその内部にメッ
キが施されていてもよい。
【図１】本発明の製造方法の第１の実施形態に用いる多
層配線基板を示す説明的断面図。
層配線基板を示す説明的断面図。
【図２】図１示の多層配線基板の製造方法を示す説明的
断面図。
断面図。
【図３】本発明の製造方法の第１の実施形態の工程を示
す説明的断面図。
す説明的断面図。
【図４】本発明の製造方法の第１の実施形態の工程を示
す説明的断面図。
す説明的断面図。
【図５】本発明の製造方法の第１の実施形態の工程を示
す説明的断面図。
す説明的断面図。
【図６】本発明の製造方法の第１の実施形態の工程を示
す説明的断面図。
す説明的断面図。
【図７】本発明の製造方法の第１の実施形態の工程を示
す説明的断面図。
す説明的断面図。
【図８】本発明の製造方法の第２の実施形態に用いる多
層配線基板を示す説明的断面図。
層配線基板を示す説明的断面図。
【図９】本発明の製造方法の第２の実施形態の工程を示
す説明的断面図。
す説明的断面図。
【図１０】本発明の製造方法の第２の実施形態の工程を
示す説明的断面図。
示す説明的断面図。
１，２１…多層配線基板、 ２，６，２２，２５，２８
…配線層、 ３，３０…インターステシャルビアホー
ル、 ４，５…絶縁体層、 ７…バンプ（第１の貫通型
導体配線部）、 ９…光硬化性樹脂層、 １０…フォト
レジスト、 １１…穴部、 １１ａ…ビア（第２の貫通
型導体配線部）、 １３…導電体層、 １４…配線パタ
ーン。
…配線層、 ３，３０…インターステシャルビアホー
ル、 ４，５…絶縁体層、 ７…バンプ（第１の貫通型
導体配線部）、 ９…光硬化性樹脂層、 １０…フォト
レジスト、 １１…穴部、 １１ａ…ビア（第２の貫通
型導体配線部）、 １３…導電体層、 １４…配線パタ
ーン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E346 AA06 AA12 AA15 AA35 AA43 BB01 BB16 CC08 CC09 CC39 DD02 DD03 DD12 DD13 DD22 DD32 EE02 EE06 EE07 EE08 EE31 FF04 FF18 FF24 FF35 GG15 GG17 GG19 GG22 GG28 HH25 HH26
Claims (3)
- 【請求項１】絶縁体層を介して相隣り合う配線層が該絶
縁体層を貫通するバンプにより接統されている貫通型導
体配線部を傭える多層配線基板の少なくとも一方の表面
に光硬化性樹脂層を形成する工程と、 該光硬化性樹脂層の表面に、該多層配線基板の配線層を
露出する部分を被覆するフォトレジストを形成し、該フ
ォトレジストをマスクとして該光硬化性樹脂層を露光さ
せて硬化せしめ、光硬化性樹脂からなる絶縁体層を形成
する工程と、 該光硬化性樹脂層の未露光部分を除去して、該多層配線
基板の配線層を露出する穴部を形成する工程と、 該光硬化性樹脂からなる絶縁体層上にメッキを施して導
電体層を形成すると共に、該穴部に施されたメッキによ
り、該導電体層と該多層配線基板の配線層とを接続する
ビアを形成する工程と、 該導電体層にエッチングを施して所定の配線パターンを
形成する工程とを備えることを特徴とする多層プリント
配線基板の製造方法。 - 【請求項２】絶縁体層を介して相隣り合う配線層が該絶
縁体層を貫通するバンプにより接続されている第１の貫
通型導体配線部と、第１の光硬化性樹脂からなる絶縁体
層を介して相隣り合う配線層が、フォトレジストをマス
クとして第１の光硬化性樹脂を露光せしめ未露光部を除
去して設けられた穴部にメッキを施して形成されたビア
により接続されている第２の貫通型導体配線部とを備
え、前記絶縁体層と第１の光硬化性樹脂からなる絶縁体
層とが積層されている多層配線基板の少なくとも一方の
表面に第２の光硬化性樹脂層を形成する工程と、 第２の光硬化性樹脂層の表面に、該多層配線基板の配線
層を露出する部分を被覆するフォトレジストを形成し、
該フォトレジストをマスクとして第２の光硬化性樹脂層
を露光させて硬化せしめ、第２の光硬化性樹脂からなる
絶縁体層を形成する工程と、 第２の光硬化性樹脂層の未露光部分を除去して、該多層
配線基板の配線層を露出する穴部を形成する工程と、 第２の光硬化性樹脂からなる絶縁体層上にメッキを施し
て導電体層を形成すると共に、該穴部に施されたメッキ
により、該導電体層と該多層配線基板の配線層とを接続
するビアを形成する工程と、 該導電体層にエッチングを施して所定の配線パターンを
形成する工程とを備えることを特徴とする多層プリント
配線基板の製造方法。 - 【請求項３】インターステシャルビアホールを形成する
と共に、該インターステシャルビアホールに導電性ぺ一
ストを充填することを特徴とする請求項１または請求項
２記載の多層プリント配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8536099A JP2000277912A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 多層プリント配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8536099A JP2000277912A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 多層プリント配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277912A true JP2000277912A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13856556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8536099A Pending JP2000277912A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 多層プリント配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000277912A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6441314B2 (en) * | 1999-03-11 | 2002-08-27 | Shinko Electric Industries Co., Inc. | Multilayered substrate for semiconductor device |
| WO2003009661A1 (fr) * | 2001-07-12 | 2003-01-30 | Meiko Electronics Co., Ltd. | Substrat de noyau et carte de circuit imprime multicouche comprenant ce dernier |
| JP2003078249A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Fujitsu Ten Ltd | 多層基板構造 |
| WO2012124362A1 (ja) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | 株式会社 村田製作所 | 樹脂多層基板 |
-
1999
- 1999-03-29 JP JP8536099A patent/JP2000277912A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6441314B2 (en) * | 1999-03-11 | 2002-08-27 | Shinko Electric Industries Co., Inc. | Multilayered substrate for semiconductor device |
| US6931724B2 (en) | 1999-03-11 | 2005-08-23 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Insulated multilayered substrate having connecting leads for mounting a semiconductor element thereon |
| US7763809B2 (en) | 1999-03-11 | 2010-07-27 | Shink Electric Industries Co., Inc. | Multilayered substrate for semiconductor device and method of manufacturing same |
| WO2003009661A1 (fr) * | 2001-07-12 | 2003-01-30 | Meiko Electronics Co., Ltd. | Substrat de noyau et carte de circuit imprime multicouche comprenant ce dernier |
| JP2003078249A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Fujitsu Ten Ltd | 多層基板構造 |
| WO2012124362A1 (ja) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | 株式会社 村田製作所 | 樹脂多層基板 |
| CN103430639A (zh) * | 2011-03-17 | 2013-12-04 | 株式会社村田制作所 | 树脂多层基板 |
| JP5741975B2 (ja) * | 2011-03-17 | 2015-07-01 | 株式会社村田製作所 | 樹脂多層基板 |
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