JP2000277719A - リニアイメージセンサic - Google Patents
リニアイメージセンサicInfo
- Publication number
- JP2000277719A JP2000277719A JP11086586A JP8658699A JP2000277719A JP 2000277719 A JP2000277719 A JP 2000277719A JP 11086586 A JP11086586 A JP 11086586A JP 8658699 A JP8658699 A JP 8658699A JP 2000277719 A JP2000277719 A JP 2000277719A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- image sensor
- silicon
- silicon oxide
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Facsimile Heads (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
縁膜3とパッシベーション膜4との界面、あるいは、パ
ッシベーション膜4表面で反射されることにより、光を
損失し、さらに互いの光が干渉しあい、各膜厚変動に対
し光電変換効率がばらついてしまう。また、同様の理由
から、実際の使用形態によってはパッシベーション膜の
上に透明樹脂やカラーフィルター等を乗せるなどするこ
とから、パッシベーション表面での反射率が変化し、実
際の光電変換効率とイメージセンサ単体で検査した光電
変換効率とに差異が生じてしまう。 【解決手段】 窒化シリコンのパッシベーション膜上に
シリコン酸化膜を形成し、前記シリコン酸化膜をセンシ
ングする光の波長の1/4波長程度の光学的膜厚とし、
前記画素アレイ上の一部分の前記パッシベーション膜を
取り除いた構造を特徴とするリニアイメージセンサとし
た。
Description
電送する、ファクシミリやイメージスキャナに好適なリ
ニアイメージセンサICに関する。
てPN接合が用いられている。図3は従来のイメージセ
ンサの画素部の一例を示す断面図である。N型シリコン
基板1とP型低濃度領域2とのPN接合を光電変換素子
として使用している。光はセンサ面に対してほぼ垂直に
入射し、窒化シリコンのパッシベーション膜および酸化
シリコンの中間絶縁膜を通ってP型低濃度領域2とN型
シリコン基板1とのPN接合に届き、光電変換される。
ージセンサにおいては、光の一部がシリコン基板1の表
面や、中間絶縁膜3とパッシベーション膜4との界面、
あるいは、パッシベーション膜4表面で反射されること
により、光を損失し、さらに互いの光が干渉しあい、各
膜厚変動に対し光電変換効率がばらついてしまうという
問題点があった。
よってはパッシベーション膜の上に透明樹脂やカラーフ
ィルター等を乗せるなどすることから、パッシベーショ
ン表面での反射率が変化し、実際の光電変換効率とイメ
ージセンサ単体で検査した光電変換効率とに差異が生じ
てしまうという問題点があった。
めに、本発明はイメージセンサを以下のように構成し
た。複数個のフォトトランジスター、または、フォトダ
イオードの画素アレイとCMOS素子を同一基板上にも
つイメージセンサICにおいて、窒化シリコンのパッシ
ベーション膜と、前記パッシベーション膜上にシリコン
酸化膜を形成した構造のリニアイメージセンサとした。
また、前記シリコン酸化膜をセンシングする光の波長の
1/4波長程度の光学的膜厚とした構造のリニアイメー
ジセンサとした。あるいはまた、前記画素アレイ上の一
部分の前記パッシベーション膜を取り除いた構造を特徴
とするリニアイメージセンサとした。
する。図1は本発明のイメージセンサの画素部の第一実
施例の断面図である。N型シリコン基板1内にP型低濃
度領域2があり、このPN接合で光電変換を行ってい
る。シリコン基板1の上は下層シリコン酸化膜3、シリ
コン窒化膜4、および、上層シリコン酸化膜5からなる
3層構造の絶縁膜が形成されている。下層シリコン酸化
膜3は素子分離用のLOCOSの様に熱シリコン酸化膜
や、配線間に用いられるCVDシリコン酸化膜、あるい
はそれらの多層膜である。シリコン窒化膜4はパッシベ
ーション膜として形成された。
面では、それぞれ接している膜の屈折率をn1、n2と
した場合、1式から求められる反射率Rで反射する。 R=(n1−n2)2/(n1+n2)2 (1式) シリコン基板1は3.4程度の屈折率を持ち、下層シリ
コン酸化膜3および上層シリコン酸化膜5は1.46程
度の屈折率を持ち、シリコン窒化膜4は2.03程度の
屈折率である。また、大気中の屈折率はほぼ1.00で
ある。大気から直接にシリコン窒化膜4に入射する光は
大気とシリコン窒化膜4界面で全体の12%近く反射さ
れてしまう。しかし、シリコン窒化膜4の上層にシリコ
ン酸化膜5を形成することにより、大気と上層シリコン
酸化膜5界面で3%、上層シリコン酸化膜5とシリコン
窒化膜4界面で3%の合計6%の反射となり、シリコン
基板1に入射する光量を増やすことができる。
び上の膜界面で反射を繰り返すことで入射した光と反射
した光の間で干渉現象が発生する。シリコン窒化膜4の
上層にシリコン酸化膜5を形成することにより、反射率
を下げ、干渉現象も抑制することができる。さらに、従
来用いられるカラーフィルター膜や透明樹脂の屈折率も
上層シリコン酸化膜5の屈折率とほぼ同じ値を持ってい
るため、カラーフィルター膜や透明樹脂を乗せても、新
たな大きな反射界面は発生せず、実使用上の光電変換効
率とイメージセンサ単体で検査した時の光電変換効率と
に差異を生じさせないようにした。
光が強められ、3式の条件で光が弱められる現象であ
る。ここでn1は屈折率、tは膜厚、λは光波長、mは
自然数である。 2×n1×t=2m×λ/2 (2式) 2×n1×t=(2m−1)×λ/2 (3式) 上層シリコン酸化膜の厚みをセンシングする光の波長の
1/4波長程度の光学的膜厚としたことで、3式の条件
でのm=1と一致し、効率よく干渉によって反射光を弱
め、膜厚バラツキによる光電変換バラツキもより低減で
きるようにした。
第二実施例の断面図である。N型シリコン基板1内にP
型低濃度領域2があり、このPN接合で光電変換を行っ
ている。シリコン基板1の上は下層シリコン酸化膜3の
絶縁膜が形成されている。画素上のシリコン窒化膜4は
エッチングにより取り除かれている。シリコン酸化膜3
は素子分離用のLOCOSの様に熱シリコン酸化膜や、
配線間に用いられるCVDシリコン酸化膜、あるいはそ
れらの多層膜である。
し取り去ることにより、第一実施例と同様に、反射総量
を下げ、シリコン基板1に入射する光量を増やすと同時
に、干渉現象を抑制している。
度のバラツキが小さく安定して製造ができ、検査時と実
使用時との光電変換効率の差が小さいイメージセンサを
供給することができる。
実施例の断面図である。
実施例の断面図である。
示す断面図である。。
1)
Claims (3)
- 【請求項1】 複数個のフォトトランジスター、また
は、フォトダイオードの画素アレイとCMOS素子を同
一基板上にもつイメージセンサICにおいて、窒化シリ
コンのパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜
上にシリコン酸化膜を形成した構造を特徴とするリニア
イメージセンサIC。 - 【請求項2】 前記シリコン酸化膜の厚みをセンシング
する光の波長の1/4波長の光学的膜厚としたことを特
徴とする請求項1記載のリニアイメージセンサIC。 - 【請求項3】 複数個のフォトトランジスター、また
は、フォトダイオードの画素アレイとCMOS素子を同
一基板上にもつイメージセンサICにおいて、窒化シリ
コンのパッシベーション膜と、前記画素アレイ上の一部
分の前記パッシベーション膜を取り除いた構造を特徴と
するリニアイメージセンサIC。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11086586A JP3103977B2 (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | リニアイメージセンサic |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11086586A JP3103977B2 (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | リニアイメージセンサic |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000277719A true JP2000277719A (ja) | 2000-10-06 |
JP3103977B2 JP3103977B2 (ja) | 2000-10-30 |
Family
ID=13891127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11086586A Expired - Lifetime JP3103977B2 (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | リニアイメージセンサic |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3103977B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017199887A (ja) * | 2016-04-29 | 2017-11-02 | キヤノン電子株式会社 | 有機光電変換デバイス及び太陽電池 |
CN109786417A (zh) * | 2018-04-04 | 2019-05-21 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 图像传感装置的制造方法 |
-
1999
- 1999-03-29 JP JP11086586A patent/JP3103977B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017199887A (ja) * | 2016-04-29 | 2017-11-02 | キヤノン電子株式会社 | 有機光電変換デバイス及び太陽電池 |
CN109786417A (zh) * | 2018-04-04 | 2019-05-21 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 图像传感装置的制造方法 |
WO2019192376A1 (en) * | 2018-04-04 | 2019-10-10 | Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Manufacturing method of image sensing device |
CN109786417B (zh) * | 2018-04-04 | 2020-05-12 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 图像传感装置的制造方法 |
US11107856B2 (en) * | 2018-04-04 | 2021-08-31 | Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Manufacturing method of image sensing device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3103977B2 (ja) | 2000-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4391497B2 (ja) | カラーセンサー、カラーセンサーの製造方法、センサー、及び電子機器 | |
KR100874954B1 (ko) | 후면 수광 이미지 센서 | |
US7208811B2 (en) | Photo-detecting device | |
US20090189055A1 (en) | Image sensor and fabrication method thereof | |
US7582943B2 (en) | Color light receiving device and image pickup device | |
TW200915551A (en) | Spectrum detector and manufacturing method therefore | |
US6831344B2 (en) | Photo detect element and an optical semiconductor device | |
JP2008108918A (ja) | 固体撮像素子 | |
US8379223B2 (en) | Integrated monolithic interference detection device | |
US6512220B1 (en) | Semiconductor image sensor incorporating therein optical layer | |
JP2011124522A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2008112944A (ja) | 固体撮像素子 | |
EP0354280B1 (en) | Image sensor and photo-electric conversion element therefor | |
JP2000277719A (ja) | リニアイメージセンサic | |
JPS6341226B2 (ja) | ||
JPS63102361A (ja) | 密着型固体撮像装置 | |
JP2005033110A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP2862048B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JPH01303752A (ja) | 固体撮像装置の感光部構造 | |
JP5821400B2 (ja) | 分光センサー及び角度制限フィルター | |
JP2979071B2 (ja) | 画像読み取り装置 | |
JP2019004073A (ja) | 光電変換装置およびスキャナ | |
TWI281263B (en) | Image sensor and microelectronic device | |
JPH09210793A (ja) | カラーイメージセンサ | |
JPH0582766A (ja) | 固体撮像素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070901 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080901 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090901 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100901 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100901 Year of fee payment: 10 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100901 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110901 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120901 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130901 Year of fee payment: 13 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |