JP2000277569A - レベリング装置、レベリング方法、ボンディング装置及びボンディング方法 - Google Patents
レベリング装置、レベリング方法、ボンディング装置及びボンディング方法Info
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- JP2000277569A JP2000277569A JP8130499A JP8130499A JP2000277569A JP 2000277569 A JP2000277569 A JP 2000277569A JP 8130499 A JP8130499 A JP 8130499A JP 8130499 A JP8130499 A JP 8130499A JP 2000277569 A JP2000277569 A JP 2000277569A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
Abstract
(57)【要約】
【課題】バンプ電極の潰れ面の面積を一定にすることで
ボンディング不良を未然に防ぐことができるレベリング
装置を提供すること。 【解決手段】バンプＢを有するチップＣを保持するボン
ディングヘッド５５と、ボンディングヘッド５５と対向
配置され光透過材で形成されたレベリングステージ４３
と、ボンディングヘッド５５に保持されたチップＣのバ
ンプＢをレベリングステージ４３に押圧するヘッド駆動
部５６と、レベリングステージ４３に押圧されたバンプ
Ｂを撮像するＣＣＤカメラ４２と、バンプＢの画像に基
づいてバンプＢの潰れ面積を測定する測定部４４と、測
定部４４において測定されたバンプＢの潰れ面積が予め
設定された設定値に達したのに基づきヘッド駆動部５６
による押圧を停止する制御部５７とを備えるようにし
た。
ボンディング不良を未然に防ぐことができるレベリング
装置を提供すること。 【解決手段】バンプＢを有するチップＣを保持するボン
ディングヘッド５５と、ボンディングヘッド５５と対向
配置され光透過材で形成されたレベリングステージ４３
と、ボンディングヘッド５５に保持されたチップＣのバ
ンプＢをレベリングステージ４３に押圧するヘッド駆動
部５６と、レベリングステージ４３に押圧されたバンプ
Ｂを撮像するＣＣＤカメラ４２と、バンプＢの画像に基
づいてバンプＢの潰れ面積を測定する測定部４４と、測
定部４４において測定されたバンプＢの潰れ面積が予め
設定された設定値に達したのに基づきヘッド駆動部５６
による押圧を停止する制御部５７とを備えるようにし
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バンプ付チップを
レベリングするためのレベリング装置及びレベリング方
法に関し、特にバンプの潰れ面の面積を一定にすること
ができるものに関する。
レベリングするためのレベリング装置及びレベリング方
法に関し、特にバンプの潰れ面の面積を一定にすること
ができるものに関する。
【０００２】
【従来の技術】フリップチップボンディング装置は、バ
ンプ（バンプ電極）が設けられたチップ（半導体部品）
をボンディング装置を用いて基板やリードフレーム等に
ボンディングする装置である。チップは、金バンプやは
んだバンプがバンプボンダ等で予めチップ表面に付けら
れている。これらのバンプの高さを一定にするために、
ボンディングの前工程においてレベリング装置が用いら
れている。すなわち、レベリング装置では、図３に示す
ようにボンディングヘッド１でチップＣの背面側から一
定の圧力でバンプＢを板状のレベリングステージ２に押
し付けることで、バンプの高さを一定にするようにして
いた。そして、ボンディングステージ３上に載置された
基板Ｓにボンディングするようにしていた。
ンプ（バンプ電極）が設けられたチップ（半導体部品）
をボンディング装置を用いて基板やリードフレーム等に
ボンディングする装置である。チップは、金バンプやは
んだバンプがバンプボンダ等で予めチップ表面に付けら
れている。これらのバンプの高さを一定にするために、
ボンディングの前工程においてレベリング装置が用いら
れている。すなわち、レベリング装置では、図３に示す
ようにボンディングヘッド１でチップＣの背面側から一
定の圧力でバンプＢを板状のレベリングステージ２に押
し付けることで、バンプの高さを一定にするようにして
いた。そして、ボンディングステージ３上に載置された
基板Ｓにボンディングするようにしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のレベリ
ング装置やこのレベリング装置を有する半導体部品の実
装装置では、次のような問題があった。すなわち、バン
プボンダで付けられたバンプＢは、チップＣ毎に微妙に
大きさが異なることがある。このため、一定の圧力でレ
ベリングステージ２に押し付けても、バンプＢの潰れ面
の面積がチップＣ毎に異なることになる。
ング装置やこのレベリング装置を有する半導体部品の実
装装置では、次のような問題があった。すなわち、バン
プボンダで付けられたバンプＢは、チップＣ毎に微妙に
大きさが異なることがある。このため、一定の圧力でレ
ベリングステージ２に押し付けても、バンプＢの潰れ面
の面積がチップＣ毎に異なることになる。
【０００４】バンプＢの潰れ面の面積が異なると、次工
程で接続する基板のリード部との接続面積が異なること
になり、所定より面積が大きい場合にはリード部からは
み出して短絡したり、所定より面積が小さい場合には接
続抵抗が大きくなる等の問題があった。
程で接続する基板のリード部との接続面積が異なること
になり、所定より面積が大きい場合にはリード部からは
み出して短絡したり、所定より面積が小さい場合には接
続抵抗が大きくなる等の問題があった。
【０００５】そこで本発明は、バンプ電極の潰れ面の面
積を一定にすることでボンディング不良を未然に防ぐこ
とができるレベリング装置、レベリング方法、ボンディ
ング装置及びボンディング方法を提供することを目的と
している。
積を一定にすることでボンディング不良を未然に防ぐこ
とができるレベリング装置、レベリング方法、ボンディ
ング装置及びボンディング方法を提供することを目的と
している。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、請求項１に記載された発明は、バンプ
電極を有する半導体部品を保持するボンディングヘッド
と、前記ボンディングヘッドと対向配置され光透過材で
形成されたステージと、前記ボンディングヘッドに保持
された前記半導体部品のバンプ電極を前記ステージに押
圧する押圧部と、前記ステージに押圧された前記バンプ
電極を撮像する撮像カメラと、前記バンプ電極の画像に
基づいて前記バンプ電極の潰れ面積を測定する測定部
と、この測定部において測定された前記バンプ電極の潰
れ面積が予め設定された設定値に達した時点で前記押圧
部による押圧を停止する制御部とを備えるようにした。
達成するために、請求項１に記載された発明は、バンプ
電極を有する半導体部品を保持するボンディングヘッド
と、前記ボンディングヘッドと対向配置され光透過材で
形成されたステージと、前記ボンディングヘッドに保持
された前記半導体部品のバンプ電極を前記ステージに押
圧する押圧部と、前記ステージに押圧された前記バンプ
電極を撮像する撮像カメラと、前記バンプ電極の画像に
基づいて前記バンプ電極の潰れ面積を測定する測定部
と、この測定部において測定された前記バンプ電極の潰
れ面積が予め設定された設定値に達した時点で前記押圧
部による押圧を停止する制御部とを備えるようにした。
【０００７】請求項２に記載された発明は、バンプ電極
を有する半導体部品のバンプ電極を光透過材で形成され
た板状のステージの表面に押圧する押圧工程と、前記バ
ンプ電極を撮像する撮像工程と、この撮像工程により得
られた前記バンプ電極の画像に基づいて前記バンプ電極
の潰れ面積を測定する測定工程と、前記バンプ電極の潰
れ面積が予め設定された設定値に達した時点で前記押圧
工程を停止する押圧停止工程とを備えるようにした。
を有する半導体部品のバンプ電極を光透過材で形成され
た板状のステージの表面に押圧する押圧工程と、前記バ
ンプ電極を撮像する撮像工程と、この撮像工程により得
られた前記バンプ電極の画像に基づいて前記バンプ電極
の潰れ面積を測定する測定工程と、前記バンプ電極の潰
れ面積が予め設定された設定値に達した時点で前記押圧
工程を停止する押圧停止工程とを備えるようにした。
【０００８】請求項３に記載された発明は、バンプ電極
を有する半導体部品の前記バンプ電極のレベリングを行
うレベリング部と、前記半導体部品を基板にボンディン
グするボンディング部とを備え、前記レベリング部は前
記半導体部品を保持するボンディングヘッドと、前記ボ
ンディングヘッドと対向配置され光透過材で形成された
ステージと、前記ボンディングヘッドに保持された前記
半導体部品のバンプ電極を前記ステージに押圧する押圧
部と、前記ステージに押圧された前記バンプ電極を撮像
する撮像カメラと、前記バンプ電極の画像に基づいて前
記バンプ電極の潰れ面積を測定する測定部と、この測定
部において測定された前記バンプ電極の潰れ面積が予め
設定された設定値に達したのに基づき前記押圧部による
押圧を停止する制御部とを備えるようにした。
を有する半導体部品の前記バンプ電極のレベリングを行
うレベリング部と、前記半導体部品を基板にボンディン
グするボンディング部とを備え、前記レベリング部は前
記半導体部品を保持するボンディングヘッドと、前記ボ
ンディングヘッドと対向配置され光透過材で形成された
ステージと、前記ボンディングヘッドに保持された前記
半導体部品のバンプ電極を前記ステージに押圧する押圧
部と、前記ステージに押圧された前記バンプ電極を撮像
する撮像カメラと、前記バンプ電極の画像に基づいて前
記バンプ電極の潰れ面積を測定する測定部と、この測定
部において測定された前記バンプ電極の潰れ面積が予め
設定された設定値に達したのに基づき前記押圧部による
押圧を停止する制御部とを備えるようにした。
【０００９】請求項４に記載された発明は、バンプ電極
を有する半導体部品のバンプ電極を光透過材で形成され
た板状のステージの表面に押圧する押圧工程と、前記バ
ンプ電極を撮像する撮像工程と、この撮像工程により得
られた前記バンプ電極の画像に基づいて前記バンプ電極
の潰れ面積を測定する測定工程と、前記バンプ電極の潰
れ面積が予め設定された設定値に達したのに基づき前記
押圧工程を停止する押圧停止工程と、前記半導体部品を
基板にボンディングする接合工程とを備えるようにし
た。
を有する半導体部品のバンプ電極を光透過材で形成され
た板状のステージの表面に押圧する押圧工程と、前記バ
ンプ電極を撮像する撮像工程と、この撮像工程により得
られた前記バンプ電極の画像に基づいて前記バンプ電極
の潰れ面積を測定する測定工程と、前記バンプ電極の潰
れ面積が予め設定された設定値に達したのに基づき前記
押圧工程を停止する押圧停止工程と、前記半導体部品を
基板にボンディングする接合工程とを備えるようにし
た。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態に係
るレベリング装置４０が組み込まれたフリップチップボ
ンディング装置１０を示す図、図２はフリップチップボ
ンディング装置１０に組み込まれたレベリング装置４０
及びボンディング装置５０を示す斜視図、図３はレベリ
ング装置によるレベリング工程を示す説明図である。
るレベリング装置４０が組み込まれたフリップチップボ
ンディング装置１０を示す図、図２はフリップチップボ
ンディング装置１０に組み込まれたレベリング装置４０
及びボンディング装置５０を示す斜視図、図３はレベリ
ング装置によるレベリング工程を示す説明図である。
【００１１】なお、図１中矢印ＸＹＺは互いに直交する
三方向を示しており、矢印ＸＹは水平方向、矢印Ｚは鉛
直方向を示している。また、Ｃはチップ（半導体部
品）、Ｓは基板を示している。また、チップＣの一方の
面には金又ははんだ製のバンプ（バンプ電極）Ｂが例え
ば８０〜２００個設けられている。
三方向を示しており、矢印ＸＹは水平方向、矢印Ｚは鉛
直方向を示している。また、Ｃはチップ（半導体部
品）、Ｓは基板を示している。また、チップＣの一方の
面には金又ははんだ製のバンプ（バンプ電極）Ｂが例え
ば８０〜２００個設けられている。
【００１２】フリップチップボンディング装置１０は、
床面に配置されたベース１１を備えている。ベース１１
上には基板ローダ装置２０、接着剤塗布装置３０、レベ
リング装置４０、ボンディング装置５０、トレイ供給装
置６０と、基板アンローダ装置７０と、基板ローダ装置
２０側から基板アンローダ装置７０側へ図１中矢印Ｙ方
向に沿って基板Ｓを搬送する基板搬送機構８０とが設け
られている。
床面に配置されたベース１１を備えている。ベース１１
上には基板ローダ装置２０、接着剤塗布装置３０、レベ
リング装置４０、ボンディング装置５０、トレイ供給装
置６０と、基板アンローダ装置７０と、基板ローダ装置
２０側から基板アンローダ装置７０側へ図１中矢印Ｙ方
向に沿って基板Ｓを搬送する基板搬送機構８０とが設け
られている。
【００１３】基板ローダ装置２０は、基板Ｓを積層して
配置するローダ用マガジンカセット２１と、このローダ
用マガジンカセット２１から基板Ｓを取り出し、基板搬
送装置８０への受渡位置まで搬送するローダユニット２
２とを備えている。
配置するローダ用マガジンカセット２１と、このローダ
用マガジンカセット２１から基板Ｓを取り出し、基板搬
送装置８０への受渡位置まで搬送するローダユニット２
２とを備えている。
【００１４】接着剤塗布装置３０は、基板Ｓを載置する
ステージ３１と、このステージ３１上方に配置され基板
Ｓの所定位置に接着剤を塗布するディスペンスヘッド３
２とを備えている。
ステージ３１と、このステージ３１上方に配置され基板
Ｓの所定位置に接着剤を塗布するディスペンスヘッド３
２とを備えている。
【００１５】レベリング装置４０は、後述するスライダ
５２上に設けられたベース４１と、このベース４１上に
配置され図１中上向きに設置されたＣＣＤカメラ（撮像
カメラ）４２と、このＣＣＤカメラ４２の上方に配置さ
れた石英ガラス材製のレベリングステージ４３と、ＣＣ
Ｄカメラ４２により撮像されたバンプＢの画像に基づい
てバンプＢの潰れ面積を測定する測定部４４と、バンプ
Ｂの画像を表示するモニタ４５とを備えている。すなわ
ち、ＣＣＤカメラ４２はレベリングステージ４３を透過
したバンプＢの画像を撮像するように構成されている。
５２上に設けられたベース４１と、このベース４１上に
配置され図１中上向きに設置されたＣＣＤカメラ（撮像
カメラ）４２と、このＣＣＤカメラ４２の上方に配置さ
れた石英ガラス材製のレベリングステージ４３と、ＣＣ
Ｄカメラ４２により撮像されたバンプＢの画像に基づい
てバンプＢの潰れ面積を測定する測定部４４と、バンプ
Ｂの画像を表示するモニタ４５とを備えている。すなわ
ち、ＣＣＤカメラ４２はレベリングステージ４３を透過
したバンプＢの画像を撮像するように構成されている。
【００１６】ボンディング装置５０は、後述するスライ
ダ５２を基板搬送装置８０への搬送位置と後述するボン
ディングヘッド５５の下方との間を往復動させる移動機
構５１と、この移動機構５１により移動されるスライダ
５２と、このスライダ５２上に設けられたベース５３
と、このベース５３上に設けられたステージ５４と、こ
のステージ５４の上方に設けられたボンディングヘッド
５５と、このボンディングヘッド５５を駆動するヘッド
駆動部（押圧部）５６と、上述した測定部４４により測
定されたバンプＢの画像に基づいてヘッド駆動部５６を
制御する制御部５７とを備えている。
ダ５２を基板搬送装置８０への搬送位置と後述するボン
ディングヘッド５５の下方との間を往復動させる移動機
構５１と、この移動機構５１により移動されるスライダ
５２と、このスライダ５２上に設けられたベース５３
と、このベース５３上に設けられたステージ５４と、こ
のステージ５４の上方に設けられたボンディングヘッド
５５と、このボンディングヘッド５５を駆動するヘッド
駆動部（押圧部）５６と、上述した測定部４４により測
定されたバンプＢの画像に基づいてヘッド駆動部５６を
制御する制御部５７とを備えている。
【００１７】トレイ供給装置６０は、チップＣを収納す
るトレイＴを保持するトレイ保持部６１と、トレイ保持
部６１からトレイＴを吸着保持し、図１中矢印Ｘ方向に
移動するトレイステージ６２と、このトレイステージ６
２により吸着保持されているトレイＴ上のチップＣを視
覚認識するカメラ６３と、トレイＴから取り出したチッ
プＣをボンディングヘッド５５に反転して受け渡すピッ
クアップヘッド６４と、これらカメラ６３及びピックア
ップヘッド６４を駆動するピックアップ駆動部６５とを
備えている。
るトレイＴを保持するトレイ保持部６１と、トレイ保持
部６１からトレイＴを吸着保持し、図１中矢印Ｘ方向に
移動するトレイステージ６２と、このトレイステージ６
２により吸着保持されているトレイＴ上のチップＣを視
覚認識するカメラ６３と、トレイＴから取り出したチッ
プＣをボンディングヘッド５５に反転して受け渡すピッ
クアップヘッド６４と、これらカメラ６３及びピックア
ップヘッド６４を駆動するピックアップ駆動部６５とを
備えている。
【００１８】基板アンローダ装置７０は、アンローダ用
マガジンスタッカ７１と、基板搬送装置８０から受け取
った基板Ｓをアンローダ用マガジンスタッカ７１のマガ
ジンへ収納するアンローダユニット７２とを備えてい
る。
マガジンスタッカ７１と、基板搬送装置８０から受け取
った基板Ｓをアンローダ用マガジンスタッカ７１のマガ
ジンへ収納するアンローダユニット７２とを備えてい
る。
【００１９】基板搬送装置８０は、ガイド８１と、この
ガイド８１上を往復動する３台のスライダ８２と、この
スライダ８２にそれぞれ設けられ基板Ｓを脱着自在に保
持する保持ハンド８３とを備えている。
ガイド８１上を往復動する３台のスライダ８２と、この
スライダ８２にそれぞれ設けられ基板Ｓを脱着自在に保
持する保持ハンド８３とを備えている。
【００２０】このように構成されたフリップチップボン
ディング装置１０では、次のようにして基板Ｓへのチッ
プＣのボンディングを行う。すなわち、ローダユニット
２２によりローダ用マガジンカセット２１から基板Ｓを
取り出し、基板搬送装置８０への受渡位置まで搬送す
る。
ディング装置１０では、次のようにして基板Ｓへのチッ
プＣのボンディングを行う。すなわち、ローダユニット
２２によりローダ用マガジンカセット２１から基板Ｓを
取り出し、基板搬送装置８０への受渡位置まで搬送す
る。
【００２１】受渡位置にある基板Ｓを保持ハンド８３に
より保持し、スライダ８２を接着剤塗布装置への受渡位
置まで移動させる。保持ハンド８３によりステージ３１
上に基板Ｓを載置し、ディスペンスヘッド３２により基
板Ｓの所定位置に接着剤を塗布する。
より保持し、スライダ８２を接着剤塗布装置への受渡位
置まで移動させる。保持ハンド８３によりステージ３１
上に基板Ｓを載置し、ディスペンスヘッド３２により基
板Ｓの所定位置に接着剤を塗布する。
【００２２】次に保持ハンド８３によりステージ３１上
にある基板Ｓを保持し、スライダ８２をボンディング装
置５０への受渡位置まで移動させステージ５４上に載置
する。
にある基板Ｓを保持し、スライダ８２をボンディング装
置５０への受渡位置まで移動させステージ５４上に載置
する。
【００２３】一方、トレイ供給装置６０では、トレイス
テージ６２によりトレイ保持部６１からトレイＴを吸着
保持し、図１中矢印Ｘ方向に移動する。次にピックアッ
プヘッド６４によりトレイステージ６２により吸着保持
されているトレイＴからチップＣを視覚認識して取り出
し、反転してボンディングヘッド５５に受け渡す。
テージ６２によりトレイ保持部６１からトレイＴを吸着
保持し、図１中矢印Ｘ方向に移動する。次にピックアッ
プヘッド６４によりトレイステージ６２により吸着保持
されているトレイＴからチップＣを視覚認識して取り出
し、反転してボンディングヘッド５５に受け渡す。
【００２４】レベリング動作は、次のようにして行う。
すなわち、ボンディングヘッド５５は、吸着保持してい
るチップＣの背面側を保持し、そのバンプＢが設けられ
ている面を下方にしてレベリングステージ４３の上面４
３ａに押圧する。
すなわち、ボンディングヘッド５５は、吸着保持してい
るチップＣの背面側を保持し、そのバンプＢが設けられ
ている面を下方にしてレベリングステージ４３の上面４
３ａに押圧する。
【００２５】ＣＣＤカメラ４２により予め決められた位
置のバンプＢを撮像し、測定部４４により一定時間ごと
にその潰れ面積を測定する。測定部４４により測定され
た潰れ面積は制御部５７に送られる。そして、潰れ面積
が予め定められた設定値に達したのに基づき制御部５７
からヘッド駆動部５６へ指令を出し、ボンディングヘッ
ド５５を上昇させ、レベリング動作を終了する。
置のバンプＢを撮像し、測定部４４により一定時間ごと
にその潰れ面積を測定する。測定部４４により測定され
た潰れ面積は制御部５７に送られる。そして、潰れ面積
が予め定められた設定値に達したのに基づき制御部５７
からヘッド駆動部５６へ指令を出し、ボンディングヘッ
ド５５を上昇させ、レベリング動作を終了する。
【００２６】なお、潰れ面積が設定値に達したときの押
圧力が所定の範囲から外れていたり、所定の押圧力を超
えても潰れ面積が設定値に達しない場合には、作業者が
モニタ４５を見て、次工程のボンディングを行うか否か
を判断する。
圧力が所定の範囲から外れていたり、所定の押圧力を超
えても潰れ面積が設定値に達しない場合には、作業者が
モニタ４５を見て、次工程のボンディングを行うか否か
を判断する。
【００２７】レベリングが終了したのに基づき基板Ｓを
載置したステージ５４を移動機構５１によりボンディン
グヘッド５５の下方に移動し、ボンディングヘッド５５
により吸着されたチップＣを基板Ｓの所定位置に加熱・
加圧してボンディングを行う。
載置したステージ５４を移動機構５１によりボンディン
グヘッド５５の下方に移動し、ボンディングヘッド５５
により吸着されたチップＣを基板Ｓの所定位置に加熱・
加圧してボンディングを行う。
【００２８】ボンディングが終了した基板Ｓ及びチップ
Ｃを載置したステージ５４を移動機構５１により基板搬
送装置８０の受渡位置まで移動させ、保持ハンド８３に
よりステージ５４上にある基板Ｓ及びチップＣを保持
し、スライダ８２を基板アンローダ装置７０への受渡位
置まで移動させる。
Ｃを載置したステージ５４を移動機構５１により基板搬
送装置８０の受渡位置まで移動させ、保持ハンド８３に
よりステージ５４上にある基板Ｓ及びチップＣを保持
し、スライダ８２を基板アンローダ装置７０への受渡位
置まで移動させる。
【００２９】保持ハンド８３によりアンローダユニット
７２に基板Ｓ及びチップＣを受け渡し、アンローダユニ
ット７２は基板Ｓ及びチップＣをアンローダ用マガジン
スタッカ７１に収容する。
７２に基板Ｓ及びチップＣを受け渡し、アンローダユニ
ット７２は基板Ｓ及びチップＣをアンローダ用マガジン
スタッカ７１に収容する。
【００３０】上述したように本実施の形態に係るフリッ
プチップボンディング装置１０では、チップＣと基板Ｓ
とのボンディングを行う前のレベリング動作において、
バンプＢの潰れ面積を測定して所定の設定値となるよう
に制御している。このため、チップＣ毎のバンプの大き
さが微妙に異なる場合であっても、潰れ面積を予め定め
た設定値とすることができる。したがって、所定より潰
れ面積が大きいことによる短絡や所定より潰れ面積が小
さいことによる高抵抗化等のボンディング不良を未然に
防ぐことができる。
プチップボンディング装置１０では、チップＣと基板Ｓ
とのボンディングを行う前のレベリング動作において、
バンプＢの潰れ面積を測定して所定の設定値となるよう
に制御している。このため、チップＣ毎のバンプの大き
さが微妙に異なる場合であっても、潰れ面積を予め定め
た設定値とすることができる。したがって、所定より潰
れ面積が大きいことによる短絡や所定より潰れ面積が小
さいことによる高抵抗化等のボンディング不良を未然に
防ぐことができる。
【００３１】なお、上述した例では、撮像するバンプＢ
として所定の位置にあるバンプＢを撮像し、その潰れ面
積に基づいてレベリング動作を制御するようにしている
が、他のバンプＢの潰れ面積に基づいてレベリング動作
を制御するようにしてもよい。
として所定の位置にあるバンプＢを撮像し、その潰れ面
積に基づいてレベリング動作を制御するようにしている
が、他のバンプＢの潰れ面積に基づいてレベリング動作
を制御するようにしてもよい。
【００３２】すなわち、バンプＢのうち四隅にあるバン
プＢを順に取り込み、その中で一番大きい潰れ面積を有
するバンプＢを自動で選択し、その潰れ面積が設定値と
なるようにレベリング動作を行ってもよい。
プＢを順に取り込み、その中で一番大きい潰れ面積を有
するバンプＢを自動で選択し、その潰れ面積が設定値と
なるようにレベリング動作を行ってもよい。
【００３３】また、全てのバンプＢを一視野で取り込
み、全てのバンプＢの潰れ総面積が設定値となるように
レベリング動作を行ってもよい。
み、全てのバンプＢの潰れ総面積が設定値となるように
レベリング動作を行ってもよい。
【００３４】さらに、ＣＣＤカメラ４２をスキャンして
全てのバンプＢの各潰れ面積をそれぞれ測定し、各潰れ
面積がそれぞれ設定値となるようにレベリング動作を行
ってもよい。
全てのバンプＢの各潰れ面積をそれぞれ測定し、各潰れ
面積がそれぞれ設定値となるようにレベリング動作を行
ってもよい。
【００３５】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではない。すなわち、チップをフリップチップと
したが、ＢＧＡパッケージ、ＰＧＡパッケージ等のボン
ディングにおけるレベリングに適用することもできる。
このほか、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実
施可能であるのは勿論である。
るものではない。すなわち、チップをフリップチップと
したが、ＢＧＡパッケージ、ＰＧＡパッケージ等のボン
ディングにおけるレベリングに適用することもできる。
このほか、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実
施可能であるのは勿論である。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、バンプの潰れ面積を測
定して所定の設定値となるように制御しているため、チ
ップＣ毎のバンプの大きさが微妙に異なる場合であって
も、潰れ面積を予め定めた設定値とすることができる。
したがって、所定より潰れ面積が大きいことによる短絡
や所定より潰れ面積が小さいことによる高抵抗化等のボ
ンディング不良を未然に防ぐことができる。
定して所定の設定値となるように制御しているため、チ
ップＣ毎のバンプの大きさが微妙に異なる場合であって
も、潰れ面積を予め定めた設定値とすることができる。
したがって、所定より潰れ面積が大きいことによる短絡
や所定より潰れ面積が小さいことによる高抵抗化等のボ
ンディング不良を未然に防ぐことができる。
【図１】本発明の一実施の形態を示すフリップチップボ
ンディング装置を示す斜視図。
ンディング装置を示す斜視図。
【図２】同フリップチップボンディング装置に組み込ま
れたレベリング装置のレベリング動作を示す説明図。
れたレベリング装置のレベリング動作を示す説明図。
【図３】従来のレベリング装置のレベリング動作を示す
説明図。
説明図。
１０…フリップチップボンディング装置 ４０…レベリング装置 ４２…ＣＣＤカメラ（撮像カメラ） ４３…レベリングステージ ４４…測定部 ４５…モニタ ５０…ボンディング装置 ５５…ボンディングヘッド ５６…ヘッド駆動部（押圧部） ５７…制御部
Claims (4)
- 【請求項１】バンプ電極を有する半導体部品を保持する
ボンディングヘッドと、 前記ボンディングヘッドと対向配置され光透過材で形成
されたステージと、 前記ボンディングヘッドに保持された前記半導体部品の
バンプ電極を前記ステージに押圧する押圧部と、 前記ステージに押圧された前記バンプ電極を撮像する撮
像カメラと、 前記バンプ電極の画像に基づいて前記バンプ電極の潰れ
面積を測定する測定部と、 この測定部において測定された前記バンプ電極の潰れ面
積が予め設定された設定値に達したのに基づき前記押圧
部による押圧を停止する制御部とを備えていることを特
徴とするレベリング装置。 - 【請求項２】バンプ電極を有する半導体部品のバンプ電
極を光透過材で形成された板状のステージの表面に押圧
する押圧工程と、 前記バンプ電極を撮像する撮像工程と、 この撮像工程により得られた前記バンプ電極の画像に基
づいて前記バンプ電極の潰れ面積を測定する測定工程
と、 前記バンプ電極の潰れ面積が予め設定された設定値に達
したのに基づき前記押圧工程を停止する押圧停止工程と
を備えていることを特徴とするレベリング方法。 - 【請求項３】バンプ電極を有する半導体部品の前記バン
プ電極のレベリングを行うレベリング部と、 前記半導体部品を基板にボンディングするボンディング
部とを備え、 前記レベリング部は前記半導体部品を保持するボンディ
ングヘッドと、 前記ボンディングヘッドと対向配置され光透過材で形成
されたステージと、 前記ボンディングヘッドに保持された前記半導体部品の
バンプ電極を前記ステージに押圧する押圧部と、 前記ステージに押圧された前記バンプ電極を撮像する撮
像カメラと、 前記バンプ電極の画像に基づいて前記バンプ電極の潰れ
面積を測定する測定部と、 この測定部において測定された前記バンプ電極の潰れ面
積が予め設定された設定値に達したのに基づき前記押圧
部による押圧を停止する制御部とを備えていることを特
徴とするボンディング装置。 - 【請求項４】バンプ電極を有する半導体部品のバンプ電
極を光透過材で形成された板状のステージの表面に押圧
する押圧工程と、 前記バンプ電極を撮像する撮像工程と、 この撮像工程により得られた前記バンプ電極の画像に基
づいて前記バンプ電極の潰れ面積を測定する測定工程
と、 前記バンプ電極の潰れ面積が予め設定された設定値に達
したのに基づき前記押圧工程を停止する押圧停止工程
と、 前記半導体部品を基板にボンディングする接合工程とを
備えていることを特徴とするボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8130499A JP4119031B2 (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | レベリング装置、レベリング方法、ボンディング装置及びボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8130499A JP4119031B2 (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | レベリング装置、レベリング方法、ボンディング装置及びボンディング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277569A true JP2000277569A (ja) | 2000-10-06 |
| JP4119031B2 JP4119031B2 (ja) | 2008-07-16 |
Family
ID=13742663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8130499A Expired - Fee Related JP4119031B2 (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | レベリング装置、レベリング方法、ボンディング装置及びボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4119031B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012641A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子実装方法および半導体素子実装装置 |
| JP2009038146A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Nidec-Read Corp | 基板処理装置 |
-
1999
- 1999-03-25 JP JP8130499A patent/JP4119031B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012641A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子実装方法および半導体素子実装装置 |
| JP4619209B2 (ja) * | 2005-06-28 | 2011-01-26 | パナソニック株式会社 | 半導体素子実装方法および半導体素子実装装置 |
| JP2009038146A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Nidec-Read Corp | 基板処理装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4119031B2 (ja) | 2008-07-16 |
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