JP2000269399A - リードフレームとこのリードフレームを用いた半導体装置 - Google Patents
リードフレームとこのリードフレームを用いた半導体装置Info
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- JP2000269399A JP2000269399A JP6737399A JP6737399A JP2000269399A JP 2000269399 A JP2000269399 A JP 2000269399A JP 6737399 A JP6737399 A JP 6737399A JP 6737399 A JP6737399 A JP 6737399A JP 2000269399 A JP2000269399 A JP 2000269399A
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- bonding
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- frame
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイボンディングに速硬化性ペースト接合を
用い、その後のワイヤボンディングに熱圧着方式を用い
ても、チップの剥がれが生じることのないリードフレー
ムとこのリードフレームを用いた半導体装置。 【解決手段】 リードフレーム１のアイランド２はＣｕ
面で形成し、インナリード部５はアイランド２に近接し
た部分に部分Ａｇめっき処理を施す。
用い、その後のワイヤボンディングに熱圧着方式を用い
ても、チップの剥がれが生じることのないリードフレー
ムとこのリードフレームを用いた半導体装置。 【解決手段】 リードフレーム１のアイランド２はＣｕ
面で形成し、インナリード部５はアイランド２に近接し
た部分に部分Ａｇめっき処理を施す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路用
の外囲器に使用されるリードフレームとこのリードフレ
ームを用いた半導体装置に関する。
の外囲器に使用されるリードフレームとこのリードフレ
ームを用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の組立工程では、ダイ
シングによりウエハ上に形成された半導体のチップが分
割され、分割された個々のチップをパッケージのリード
フレーム上にダイボンディングで搭載している。この搭
載の接合はＡｕ−Ｓｉ共晶合金のろう付けを用いたり、
また、はんだやペーストによって接合されている。
シングによりウエハ上に形成された半導体のチップが分
割され、分割された個々のチップをパッケージのリード
フレーム上にダイボンディングで搭載している。この搭
載の接合はＡｕ−Ｓｉ共晶合金のろう付けを用いたり、
また、はんだやペーストによって接合されている。
【０００３】続いて、チップ上のパッドとリードフレー
ム上の外部リードとは、ワイヤボンディングによりＡｕ
線やＡｌ線を用いて接続される。ボンディングの方法に
は、熱圧着と超音波による２つの方法があり、通常は熱
圧着方式のワイヤボンディングが用いられている。
ム上の外部リードとは、ワイヤボンディングによりＡｕ
線やＡｌ線を用いて接続される。ボンディングの方法に
は、熱圧着と超音波による２つの方法があり、通常は熱
圧着方式のワイヤボンディングが用いられている。
【０００４】低温プロセスで量産性を上げて大型チップ
に対応する場合は、ダイボンディングにペースト接合を
用いることが多い。この場合は、チップのマウントは常
温で行え、また、Ａｇ系エポキシ樹脂のペーストは１５
０℃〜２００℃で硬化するので高温作業が必要でなく特
に設備が必要でなく処理が容易である。
に対応する場合は、ダイボンディングにペースト接合を
用いることが多い。この場合は、チップのマウントは常
温で行え、また、Ａｇ系エポキシ樹脂のペーストは１５
０℃〜２００℃で硬化するので高温作業が必要でなく特
に設備が必要でなく処理が容易である。
【０００５】また、その後のワイヤボンディングに熱圧
着方式を用いる場合が多い。熱圧着法は２種の金属の融
点以下の適当な温度と圧力の下で、双方の清浄な金属面
の接触により、溶融することなく拡散により接合させる
方法で、ＡｕワイヤやＡｌワイヤを３００℃前後に加熱
されたＡｕやＡｌのめっき層等にボンディングしてい
る。
着方式を用いる場合が多い。熱圧着法は２種の金属の融
点以下の適当な温度と圧力の下で、双方の清浄な金属面
の接触により、溶融することなく拡散により接合させる
方法で、ＡｕワイヤやＡｌワイヤを３００℃前後に加熱
されたＡｕやＡｌのめっき層等にボンディングしてい
る。
【０００６】通常、ダイボンディングにペーストを用い
た接合を行い、ワイヤボンディングに熱圧着法を用いた
際に、使用する半導体集積回路用のリードフレームは、
図２に示すように、アイランド１２にＡｇめっき処理を
施し、インナーリード部１５とつりピン部１３にはアイ
ランド１２に近い部分にのみに部分Ａｇめっき処理を施
す。また、フレーム枠体１４にはめっき処理を施さな
い。その状態でＡｇペーストディドフレーム１１と図示
しないチップを固着している。
た接合を行い、ワイヤボンディングに熱圧着法を用いた
際に、使用する半導体集積回路用のリードフレームは、
図２に示すように、アイランド１２にＡｇめっき処理を
施し、インナーリード部１５とつりピン部１３にはアイ
ランド１２に近い部分にのみに部分Ａｇめっき処理を施
す。また、フレーム枠体１４にはめっき処理を施さな
い。その状態でＡｇペーストディドフレーム１１と図示
しないチップを固着している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
集積回路用リードフレームでは、連続した工程のライン
で速硬化性のＡｇペーストを用いて接合すると、次のワ
イヤボンディングポジションでの、熱圧着によるワイヤ
ボンディングの際には熱時強度が９００ｇ以上が必要で
あるが、この熱時強度が得られないためにワイヤボンデ
ィング工程でチップが剥がれてしまう不具合がが生じて
いる。
集積回路用リードフレームでは、連続した工程のライン
で速硬化性のＡｇペーストを用いて接合すると、次のワ
イヤボンディングポジションでの、熱圧着によるワイヤ
ボンディングの際には熱時強度が９００ｇ以上が必要で
あるが、この熱時強度が得られないためにワイヤボンデ
ィング工程でチップが剥がれてしまう不具合がが生じて
いる。
【０００８】本発明はこれらの事情に基づいてなされた
もので、ダイボンディングに速硬化性ペースト接合を用
い、その後のワイヤボンディングに熱圧着方式を用いて
も、チップの剥がれが生じることのないリードフレーム
とこのリードフレームを用いた半導体装置を提供するこ
とを目的としている。
もので、ダイボンディングに速硬化性ペースト接合を用
い、その後のワイヤボンディングに熱圧着方式を用いて
も、チップの剥がれが生じることのないリードフレーム
とこのリードフレームを用いた半導体装置を提供するこ
とを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、フレー
ム枠につりピンを介して保持されているアイランドと、
このアイランドを挟むように前記フレーム枠から延在し
て形成されているインナーリード部とを有するリードフ
レームにおいて、前記アイランドはＣｕ面で形成されて
おり、前記インナリード部は前記アイランドに近接した
部分に部分Ａｇめっき処理が施されていることを特徴と
するリードフレームである。
ム枠につりピンを介して保持されているアイランドと、
このアイランドを挟むように前記フレーム枠から延在し
て形成されているインナーリード部とを有するリードフ
レームにおいて、前記アイランドはＣｕ面で形成されて
おり、前記インナリード部は前記アイランドに近接した
部分に部分Ａｇめっき処理が施されていることを特徴と
するリードフレームである。
【００１０】また本発明によれば、前記つりピンは、Ｃ
ｕ面で形成されていることを特徴とするリードフレーム
である。
ｕ面で形成されていることを特徴とするリードフレーム
である。
【００１１】また本発明によれば、前記アイランドは、
前記フレーム枠に２本の前記つりピンで保持されている
ことを特徴とするリードフレームである。
前記フレーム枠に２本の前記つりピンで保持されている
ことを特徴とするリードフレームである。
【００１２】また本発明によれば、上記のリードフレー
ムを用いたことを特徴とする半導体装置だある。
ムを用いたことを特徴とする半導体装置だある。
【００１３】
【発明の実施の形態】半導体装置の組立工程では、ダイ
シングによりウエハ上に形成された半導体のチップが分
割され、分割された個々のチップをパッケージのリード
フレーム上にダイボンディングで搭載している。この搭
載の接合はＡｕ−Ｓｉ共晶合金のろう付けを用いたり、
また、はんだやペーストによって接合されている。
シングによりウエハ上に形成された半導体のチップが分
割され、分割された個々のチップをパッケージのリード
フレーム上にダイボンディングで搭載している。この搭
載の接合はＡｕ−Ｓｉ共晶合金のろう付けを用いたり、
また、はんだやペーストによって接合されている。
【００１４】続いて、チップ上のパッドとリードフレー
ム上の外部リードとは、ワイヤボンディングによりＡｕ
線やＡｌ線を用いて接続される。ボンディングの方法に
は、熱圧着と超音波による２つの方法があり、通常は熱
圧着方式のワイヤボンディングが用いられている。
ム上の外部リードとは、ワイヤボンディングによりＡｕ
線やＡｌ線を用いて接続される。ボンディングの方法に
は、熱圧着と超音波による２つの方法があり、通常は熱
圧着方式のワイヤボンディングが用いられている。
【００１５】低温プロセスで量産性を上げて大型チップ
に対応する場合は、ダイボンディングにペースト接合を
用いることが多い。この場合は、チップのマウントは常
温で行え、また、Ａｇ系エポキシ樹脂のペーストは１５
０℃〜２００℃で硬化するので高温作業が必要でなく特
に設備が必要でなく処理が容易である。
に対応する場合は、ダイボンディングにペースト接合を
用いることが多い。この場合は、チップのマウントは常
温で行え、また、Ａｇ系エポキシ樹脂のペーストは１５
０℃〜２００℃で硬化するので高温作業が必要でなく特
に設備が必要でなく処理が容易である。
【００１６】標準的なペーストとしては、エポキシ樹脂
の中にＡｇ粉末を配合したものが用いられている。この
ペーストに要求される特性の主なものは、（１）Ａｌ電
極などを腐食するＣｌ−等の物質含まれていない。
（２）硬化時に半導体チップに悪影響を及ぼすガスを発
生しない。（３）熱及び電気の伝導度が高いとうであ
る。
の中にＡｇ粉末を配合したものが用いられている。この
ペーストに要求される特性の主なものは、（１）Ａｌ電
極などを腐食するＣｌ−等の物質含まれていない。
（２）硬化時に半導体チップに悪影響を及ぼすガスを発
生しない。（３）熱及び電気の伝導度が高いとうであ
る。
【００１７】また、接着の方法はペーストをダイパット
部にスタンピング法やディスペンサ法により塗布し、こ
れにチップを押し付け仮止めした後に加熱して硬化させ
る。硬化時間は、ペーストの種類により異なるが数１０
分を要する場合が多い。この接合により十分な引張強度
が得られる。
部にスタンピング法やディスペンサ法により塗布し、こ
れにチップを押し付け仮止めした後に加熱して硬化させ
る。硬化時間は、ペーストの種類により異なるが数１０
分を要する場合が多い。この接合により十分な引張強度
が得られる。
【００１８】また、その後のワイヤボンディングに熱圧
着方式を用いる場合場多い。熱圧着法は２種の金属の融
点以下の適当な温度と圧力の下で、双方の清浄な金属面
の接触により、溶融することなく拡散により接合させる
方法で、ＡｕやＡｌワイヤを３００℃前後に加熱された
ＡｕやＡｌのめっき層等にボンディングする。
着方式を用いる場合場多い。熱圧着法は２種の金属の融
点以下の適当な温度と圧力の下で、双方の清浄な金属面
の接触により、溶融することなく拡散により接合させる
方法で、ＡｕやＡｌワイヤを３００℃前後に加熱された
ＡｕやＡｌのめっき層等にボンディングする。
【００１９】以下、ダイボンディングにペースト接合を
用い、その後のワイヤボンディングに熱圧着方式を用い
た際のリードフレームについて、本発明の一実施の形態
を図１を参照して説明する。
用い、その後のワイヤボンディングに熱圧着方式を用い
た際のリードフレームについて、本発明の一実施の形態
を図１を参照して説明する。
【００２０】リードフレーム１はＣｕの打ち抜き薄板
で、図示しないチップを接合するアイランド２の中央部
が２本のつりピン部３で２方向からフレーム枠体４に保
持されている。また、フレーム枠体４にはインナリード
部５がアイランド２を挟んディドフレーム１の長手方向
に左右対称の位置に設けられている。インナーリード部
５にはアイランド２に近接する部分のみに、部分Ａｇめ
っき処理が施されている。また、アイランド２とつりピ
ン部３にはＡｇめっき処理を施さずＣｕ面のままになっ
ている。
で、図示しないチップを接合するアイランド２の中央部
が２本のつりピン部３で２方向からフレーム枠体４に保
持されている。また、フレーム枠体４にはインナリード
部５がアイランド２を挟んディドフレーム１の長手方向
に左右対称の位置に設けられている。インナーリード部
５にはアイランド２に近接する部分のみに、部分Ａｇめ
っき処理が施されている。また、アイランド２とつりピ
ン部３にはＡｇめっき処理を施さずＣｕ面のままになっ
ている。
【００２１】このようなリードフレーム１の製造は、所
定のアイランド２とインナリード部５の形状をプレスで
打ち抜いた後にＡｇめっき処理を施すが、Ａｇめっき処
理の際に、フレーム枠体４、アイランド２とつりピン部
３にはＡｇめっき処理が行なわれないようにマスキング
処理を行う。
定のアイランド２とインナリード部５の形状をプレスで
打ち抜いた後にＡｇめっき処理を施すが、Ａｇめっき処
理の際に、フレーム枠体４、アイランド２とつりピン部
３にはＡｇめっき処理が行なわれないようにマスキング
処理を行う。
【００２２】これらによって製造されたリードフレーム
１を用いて、速硬化性ペーストによりチップをリードフ
レームにダイボンディングする。その後、ワイヤボンデ
ィングポジションで線径がφ５０μｍ程度のボンディン
グワイヤを用いてワイヤボンディングした結果、アイラ
ンド部４がＣｕ面であるので熱時強度が９５０ｇ以上確
保されている。これによって、ボンディングしたペレッ
ト（チップ）がリードフレーム１から剥がれることなく
確実にボンディングされていることを確認することがで
きた。
１を用いて、速硬化性ペーストによりチップをリードフ
レームにダイボンディングする。その後、ワイヤボンデ
ィングポジションで線径がφ５０μｍ程度のボンディン
グワイヤを用いてワイヤボンディングした結果、アイラ
ンド部４がＣｕ面であるので熱時強度が９５０ｇ以上確
保されている。これによって、ボンディングしたペレッ
ト（チップ）がリードフレーム１から剥がれることなく
確実にボンディングされていることを確認することがで
きた。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、ダイボンディングに速
硬化性ペースト接合を用い、その後のワイヤボンディン
グに熱圧着方式を用いてもチップの剥がれが生じること
のないリードフレームとそれを用いた半導体装置が得ら
れる。
硬化性ペースト接合を用い、その後のワイヤボンディン
グに熱圧着方式を用いてもチップの剥がれが生じること
のないリードフレームとそれを用いた半導体装置が得ら
れる。
【図１】本発明のリードフレームの平面図。
【図２】従来のリードフレームの平面図。
１、１１…リードフレーム、２、１２…アイランド、
３、１３…つりピン部、４、１４…フレーム枠体、５、
１５…インナーリード部
３、１３…つりピン部、４、１４…フレーム枠体、５、
１５…インナーリード部
Claims (4)
- 【請求項１】 フレーム枠につりピンを介して保持され
ているアイランドと、このアイランドを挟むように前記
フレーム枠から延在して形成されているインナーリード
部とを有するリードフレームにおいて、 前記アイランドはＣｕ面で形成されており、前記インナ
リード部は前記アイランドに近接した部分に部分Ａｇめ
っき処理が施されていることを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項２】 前記つりピンは、Ｃｕ面で形成されてい
ることを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。 - 【請求項３】 前記アイランドは、前記フレーム枠に２
本の前記つりピンで保持されていることを特徴とする請
求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項４】 請求項1乃至３記載のリードフレームを
用いたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6737399A JP2000269399A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | リードフレームとこのリードフレームを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6737399A JP2000269399A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | リードフレームとこのリードフレームを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269399A true JP2000269399A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13343155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6737399A Abandoned JP2000269399A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | リードフレームとこのリードフレームを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000269399A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101488494B (zh) * | 2008-01-18 | 2011-01-19 | 矽品精密工业股份有限公司 | 导线架式半导体装置及其导线架 |
-
1999
- 1999-03-12 JP JP6737399A patent/JP2000269399A/ja not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101488494B (zh) * | 2008-01-18 | 2011-01-19 | 矽品精密工业股份有限公司 | 导线架式半导体装置及其导线架 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20040824 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040902 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050428 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050510 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Effective date: 20050614 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 |