JP2000269231A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】 ＧａＡｓによって形成された半導体基板の上に、コレクタコンタクト層と、
該コレクタコンタクト層の第一の領域に形成された第一導電型のコレクタ層と、前記コレクタコンタクト層の第二の領域に形成されたコレクタ電極と、
前記コレクタ層の上に形成された第二導電型のベース層と、
該ベース層の第一の領域に形成されたベース電極と、
前記ベース層の第二の領域に形成された第一導電型のエミッタ層と、
該エミッタ層の上に形成されたエミッタコンタクト層と、
該エミッタコンタクト層の上に形成されたエミッタ電極とを有するヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、
前記コレクタコンタクト層と前記エミッタコンタクト層のうち少なくとも一方は、前記半導体基板と格子整合するIII −Ｖ族化合物半導体材料によって形成され、該III −Ｖ族化合物半導体材料が窒素を含むことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項２】 前記半導体基板がＧａＡｓによって形成されると共に、前記コレクタコンタクト層または前記エミッタコンタクト層のうち少なくともいずれか一方の少なくとも一部はＧａＩｎＮＡｓによって形成された請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項３】 前記ＧａＩｎＮＡｓによって形成された層に、シリコンが１０-19 ｃｍ-3以上ドーピングされた請求項２に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項１】 ＧａＡｓによって形成された半導体基板の上に、コレクタコンタクト層と、
該コレクタコンタクト層の第一の領域に形成された第一導電型のコレクタ層と、前記コレクタコンタクト層の第二の領域に形成されたコレクタ電極と、
前記コレクタ層の上に形成された第二導電型のベース層と、
該ベース層の第一の領域に形成されたベース電極と、
前記ベース層の第二の領域に形成された第一導電型のエミッタ層と、
該エミッタ層の上に形成されたエミッタコンタクト層と、
該エミッタコンタクト層の上に形成されたエミッタ電極とを有するヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、
前記コレクタコンタクト層と前記エミッタコンタクト層のうち少なくとも一方は、前記半導体基板と格子整合するIII −Ｖ族化合物半導体材料によって形成され、該III −Ｖ族化合物半導体材料が窒素を含むことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項２】 前記半導体基板がＧａＡｓによって形成されると共に、前記コレクタコンタクト層または前記エミッタコンタクト層のうち少なくともいずれか一方の少なくとも一部はＧａＩｎＮＡｓによって形成された請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項３】 前記ＧａＩｎＮＡｓによって形成された層に、シリコンが１０-19 ｃｍ-3以上ドーピングされた請求項２に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的は、ＧａＡｓによって形成された半導体基板の上にコレクタコンタクト層と、該コレクタコンタクト層の第一の領域に形成された第一導電型のコレクタ層と、コレクタコンタクト層の第二の領域に形成されたコレクタ電極と、コレクタ層の上に形成された第二導電型のベース層と、該ベース層の第一の領域に形成されたベース電極と、ベース層の第二の領域に形成された第一導電型のエミッタ層と、該エミッタ層の上に形成されたエミッタコンタクト層と、該エミッタコンタクト層の上に形成されたエミッタ電極とを有するヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、コレクタコンタクト層とエミッタコンタクト層のうち少なくとも一方は、半導体基板と格子整合するIII −Ｖ族化合物半導体材料によって形成され、該III −Ｖ族化合物半導体材料が窒素を含むことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供することにより達成される。
【課題を解決するための手段】
上記の目的は、ＧａＡｓによって形成された半導体基板の上にコレクタコンタクト層と、該コレクタコンタクト層の第一の領域に形成された第一導電型のコレクタ層と、コレクタコンタクト層の第二の領域に形成されたコレクタ電極と、コレクタ層の上に形成された第二導電型のベース層と、該ベース層の第一の領域に形成されたベース電極と、ベース層の第二の領域に形成された第一導電型のエミッタ層と、該エミッタ層の上に形成されたエミッタコンタクト層と、該エミッタコンタクト層の上に形成されたエミッタ電極とを有するヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、コレクタコンタクト層とエミッタコンタクト層のうち少なくとも一方は、半導体基板と格子整合するIII −Ｖ族化合物半導体材料によって形成され、該III −Ｖ族化合物半導体材料が窒素を含むことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供することにより達成される。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07447799A JP4695736B2 (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07447799A JP4695736B2 (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269231A JP2000269231A (ja) | 2000-09-29 |
| JP2000269231A5 true JP2000269231A5 (ja) | 2006-05-11 |
| JP4695736B2 JP4695736B2 (ja) | 2011-06-08 |
Family
ID=13548402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07447799A Expired - Fee Related JP4695736B2 (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4695736B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2795871B1 (fr) * | 1999-07-01 | 2001-09-14 | Picogiga Sa | Transistor iii-v a heterojonction, notamment transistor a effet de champ hemt ou transistor bipolaire a heterojonction |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2714861B2 (ja) * | 1989-08-02 | 1998-02-16 | 富士通株式会社 | バイポーラ半導体装置 |
| JPH0637355A (ja) * | 1992-07-20 | 1994-02-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｉｉｉ−ｖ族合金半導体およびその製造方法 |
| JP2000012559A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1999
- 1999-03-18 JP JP07447799A patent/JP4695736B2/ja not_active Expired - Fee Related
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