JP2000269093A - 電解コンデンサー電極用アルミニウム箔およびその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 エッチング処理後の状態で高レベルの静電容
量と折曲げ強度を発現し得る様な電解コンデンサー用ア
ルミニウム箔とその製法を開発すること。 【解決手段】 アルミニウム箔表面に形成される（１０
０）面の９５％以上が理想（１００）面に対して１５°
以内であり、且つ隣接する結晶粒の方位差が２０°を超
える結晶粒界長さの総和が、全結晶粒界長さの総和に対
して３０％以下である電解コンデンサー電極用アルミニ
ウム箔を提供すると共に、これらの特性を備えた電極用
アルミニウム箔を効率よく製造することのできる方法を
開示する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電解コンデンサー
電極用アルミニウム箔、特に、中高圧用の電極材として
用いられるアルミニウム箔とその製法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】中高圧用の電極コンデンサーの電極材と
して一般に用いられるアルミニウム箔には、その実効面
積を拡大して単位面積あたりの静電容量を増大するた
め、通常、電気化学的もしくは化学的エッチング処理が
施される。但し、アルミニウム箔を単にエッチング処理
するだけでは十分な静電容量が得られないので、箔上面
の結晶方位で（１００）面（立方体方位、Ｃｕｂｅ方位
とも呼ぶ）を多く有する集合組織とすることにより、箔
のエッチング特性を向上させることが必要となる。そこ
でこの様な高い（１００）面率を確保するため、種々の
方法が試みられている。

【０００３】電解コンデンサー電極用アルミニウム箔の
一般的な製法としては、ＤＣ鋳造した合金鋳塊を均質化
処理した後、熱間圧延、冷間圧延、中間焼鈍を順次行な
い、その後低冷延率またはスキンパスを経て、５００℃
程度以上の高温焼鈍を行なう方法が採用されている（特
公昭５４−１１２４２号、同６０−５９９８２号、同６
０−６３３５９号など）。

【０００４】また近年では、熱延条件の制御（特開平７
−２１１５９１号）や中間焼鈍から最終焼鈍までの間で
箔表層部を除去する方法（特開平１０−８１９４５
号）、冷延板の結晶方位を制御する方法（特開平１０−
３３０８７３９号）なども提案されている。更に特表平
９−５１１３６０号によると、製品アルミニウム箔での
理想立方体配向（[００１]＜１００＞に対し、１０〜２
０°ずれた配向を有する粒子が２０％未満）の制御がな
されている。

【０００５】また電極コンデンサー用の電極は、表面積
を拡大して単位体積あたりの静電容量を増大させるた
め、化学的あるいは電気化学的エッチング処理を施して
粗面化されるが、使用上の要求から強度、特に、引張強
度と折曲げ強度も重要であり、特開平６−２２０５６１
では、成分調整によってその改質が試みられている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】近年、電解コンデンサ
ーの小型化や高静電容量化の要望が高まってくるにつれ
て、アルミニウム箔に対する要求品質はますます厳しく
なっており、より高い（１００）面率と更に高い折曲げ
強度を有する製品が求められている。一方で、アルミニ
ウム純度が高くなる（９９．９９％以上）ほど、（１０
０）面率が高くなることは一般に知られているが、アル
ミニウム純度が高くなるほど原料スラブのコストは高く
なるので、昨今のコストダウンの要求に対応するには、
それほど純度の高くないアルミニウムであっても安定し
て高い（１００）面率を確保できる様にすることが求め
られる。

【０００７】本発明はこうした背景技術に鑑みてなされ
たものであり、高い立方体方位を有し、エッチング処理
後の状態で高レベルの静電容量と折曲げ強度を発現し得
る様な電解コンデンサー電極用アルミニウム箔を提供す
ることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決すること
のできた本発明の電解コンデンサー電極用アルミニウム
箔は、アルミニウム箔表面に形成される（１００）面の
９５％以上が理想（１００）面に対して１５°以内であ
り、且つ隣接する結晶粒の方位差が２０°を超える結晶
粒界長さの総和が、全結晶粒界長さの総和に対して３０
％以下であるところに要旨を有している。

【０００９】また本発明の製法は、上記特性を備えた電
解コンデンサー電極用アルミニウム箔を効率よく製造す
ることのできる方法を開示するもので、その構成は、ア
ルミニウム純度９９．９％以上のアルミニウム鋳塊を面
削した後、４５０〜６００℃の温度に保持してから粗圧
延を開始し、粗圧延開始パスからの圧延速度を３０ｍ／
ｍｉｎ以上にすると共に、板厚１００〜２００ｍｍ以降
のパスを１パス当たり１５〜４０％で圧延し、４５０℃
以上で粗圧延最終パスを行い、且つ圧延終了後１℃／ｓ
ｅｃ以上の速度で３８０℃以下まで冷却することによ
り、板厚２０〜５０ｍｍを得、引き続いて、熱延最終終
了温度２９０℃以下で板厚３〜１０ｍｍ以下まで熱間仕
上げ圧延した後、常法に従って冷間圧延、箔圧延、中間
焼鈍、冷間圧延および最終焼鈍を順次行なうことところ
に要旨がある。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明者らは上記課題の解決を期
して鋭意研究を重ねた結果、アルミニウム箔の結晶粒界
の性状を適正に制御することで、高い（１００）面率と
高い折曲げ強度が両立できることを見出した。

【００１１】本発明の電解コンデンサー電極用アルミニ
ウム箔における（１００）面を持った粒の方位は、理想
配向でＣｕｂｅ方位[００１]＜１００＞［アルミニウム
の結晶格子が、アルミニウム箔上面で（１００）面、圧
延方向が＜１００＞方向を向く］を示す。ところが、上
記理想配向から数度〜数十度ずれた結晶粒や面内で回転
した結晶粒が存在すると結晶粒界が不均一になり、それ
が、エッチング処理後の静電容量の増大と折曲げ強度の
上昇を著しく阻害していることを知った。そして、電解
コンデンサー電極用として高品質のアルミニウム箔を得
るには、アルミニウム箔表面における結晶粒の改善が必
要であり、本発明ではその制御に初めて成功したもので
ある。

【００１２】以下、本発明でアルミニウム箔の結晶粒界
方位差を特定した理由およびその評価法、更にはこうし
た方位差を確保するための具体的な条件について詳細に
説明していく。

【００１３】＜箔の結晶粒界方位差の制御＞本発明で
は、アルミニウム箔表面に形成される（１００）面の９
５％以上が理想（１００）面に対して１５°以内であ
り、且つ隣接する結晶粒の方位差が２０°を超える結晶
粒界長さの総和が、全結晶粒界長さの総和に対して３０
％以下であることを必須としており、これらの要件を定
めた理由は次の通りである。

【００１４】アルミニウム箔表面に形成される（１０
０）面の９５％以上が理想（１００）面に対して１５°
以内：電解コンデンサー電極用アルミニウム箔において
は、その上面の（１００）面占有率が高いほどエッチン
グ処理後の静電容量が高くなることは既に確認されてい
る。そして該（１００）面率は、サンプルを化学腐食
し、鏡をシート表面に平衡に配置して、明るい部分の表
面積の割合を画像処理等によって求めている。しかし実
際には、理想の（１００）面方位から数度以上分散して
いる粒子が相当量存在しているにもかかわらず、該分散
度が電解コンデンサー電極用アルミニウム箔としての性
能に与える定量的な影響までは追求されたことがなく、
もちろん該分散度の制御により性能を高めるといったこ
とは行われたことがない。

【００１５】ところが、本発明者らが電解コンデンサー
電極用アルミニウム箔としてエッチング特性に及ぼす上
記分散度の影響について追求した結果、箔表面の（１０
０）面における９５％以上、好ましくは９６％以上が、
理想（１００）面に対して１５°以内であるものは、安
定して優れたエッチング特性を発揮することが確認され
た。

【００１６】隣接する結晶粒の方位差が２０°を超え
ている結晶粒界長さの総和が、全結晶粒界長さの総和に
対して３０％以下：更に本発明者らが確認したところに
よると、隣接する結晶粒界の方位差は、エッチング処理
後の静電容量の向上と折曲げ強度の向上に顕著な影響を
及ぼすことが確認された。即ち、電気化学的もしくは化
学的エッチング等で生じるエッチングピットは、サイズ
が約１μｍ程度で素地の結晶方位が（１００）面のと
き、深くて均一なピット形状をなすが、結晶粒界の方位
差が大きいもの（以下、大傾角粒界と呼ぶ）の占める比
率が多くなるにつれて、その部分でピットが深く形成さ
れ難くなり、エッチング処理後の静電容量が向上し難く
なるばかりででなく、不均一エッチング部の発生により
折曲げ強度も低下してくることが確認された。

【００１７】そして、上記隣接結晶粒界の方位差がエッ
チング特性などに及ぼす定量的関係を追及した結果、隣
接結晶粒の方位差が２０°を超える結晶粒界長さの総和
が全結晶粒界長さの総和に対して３０％以下、より好ま
しくは２８％以下であるものは、安定して優れたエッチ
ング特性と折曲げ強度を示すことが確認された。

【００１８】尚このような大傾角粒界は、最終焼鈍過程
でのＣｕｂｅ方位粒の優先成長より結晶粒界面が移動し
て高（１００）面率が形成される（最終的には、平均結
晶粒径がおよそ１００〜５００μｍまで成長）際に、そ
の過程で残存した結晶粒界で生じること、そしてこうし
た結晶粒界の制御は、後述する熱延条件の制御によって
達成されることが確認された。

【００１９】次に、上記結晶方位および結晶粒界の方位
差の測定法および評価法について説明する。

【００２０】本発明では、上記の様に結晶方位および結
晶粒界の方位差を規定するが、これらの測定は、ＳＥＭ
−ＥＢＳＰ［Electron Back Scattering(Scattered)
Pattern）、若しくはＥＢＳＤ（Diffraction）とも言
う］によって行なわれる。測定対象となるアルミニウム
箔の表面は、電解研磨することによって調整し、例えば
約２×４ｍｍ範囲を数箇所測定し、その平均によって割
合を決める。測定する結晶粒の数は２００個以上とす
る。

【００２１】その他の方法として、ＳＥＭ（Scanning
Electron Microscopy）−ＥＣＰ（Electron Channeli
ng Pattern）法やＴＥＭによる電子線回折法もある
が、局所部分での測定であり、また結晶粒は厚さ方向に
変化しているので、任意の何点かの平均値をとることに
よって求める必要がある。

【００２２】解析する粒界は、結晶粒界方位差が１°以
上のすべてについて行う。ＥＢＳＰによる測定／解析の
例を後記表４に、また各粒界方位差を持った粒界の割合
を示すヒストグラムの一例を図１［本発明例（Ｎｏ．
１）］および図２［比較例（Ｎｏ．５）］に、更に組織
上の各方位差を持った粒界の分布状態の一例を図３［本
発明例（Ｎｏ．１）］および図４［比較例（Ｎｏ．
５）］に示す。

【００２３】図３，４において、結晶粒界を白抜きで示
しているのは方位差が２０°以下であるもの、黒く塗り
つぶしているのは方位差が２０°を超える結晶粒界を示
している。

【００２４】そして上記の様に、アルミニウム箔表面に
形成される（１００）面の９５％以上、より好ましくは
９６％以上が理想（１００）面に対して１５°以内であ
り、且つ隣接する結晶粒の方位差が２０°を超える結晶
粒界長さの総和が、全結晶粒界長さの総和に対して３０
％以下、より好ましくは２８％以上であるアルミニウム
箔は、後記実施例でも明らかにする如く、エッチング処
理により深くて且つ均一なエッチングピットを形成する
ことができ、それにより高い静電容量と折曲げ強度を兼
ね備えた電解コンデンサー用電極を得ることができるの
である。

【００２５】上記要件を満たす電解コンデンサー電極用
アルミニウム箔は、純度９９．９％以上のアルミニウム
を原料として使用し、該アルミニウム鋳塊を面削した
後、４５０〜６００℃の温度で保持してから粗圧延を開
始し、粗圧延開始パスから、圧延速度３０ｍ／ｍｉｎ以
上で、板厚１００〜２００ｍｍ以降のパスを１パス当た
り１５〜４０％の圧下率で、圧延温度４５０℃以上の粗
圧延最終パスを行い、且つ粗圧延終了後は１℃／ｓｅｃ
以上の速度で３８０℃以下まで冷却することにより板厚
２０〜５０ｍｍを得、引き続いて厚さ３〜１０ｍｍまで
熱延最終終了温度２９０℃以下で熱間仕上げ圧延を行な
い、その後は、常法に従って後、冷間圧延、箔圧延、中
間焼鈍、冷間圧延および最終焼鈍を順次行なうことによ
って得ることができる。

【００２６】即ち本発明者らが確認したところによる
と、最終製品アルミニウム箔における結晶粒界の性状が
悪くなる原因は粗圧延工程にあり、熱延終了状態で最適
な結晶粒界性状を得るには、熱間粗圧延から仕上げ圧延
温度までの条件を上記の様に設定すべきであることをつ
きとめたのである。

【００２７】即ちまず本発明では、原料アルミニウムと
して従来の様に９９．９９％以上といった純度までは要
求されないが、少なくとも９９．９％以上、より好まし
くは９９．９５％以上のものを使用することが必要であ
る。ちなみに９９．９％未満の低純度物では、最終アル
ミニウム箔をエッチングする際に、不純物の存在によっ
てエッチング性が阻害され、十分な深さを持った均一な
ピットが形成され難くなり、静電容量の高い電極が得ら
れ難くなる。

【００２８】原料となるアルミニウム鋳塊の製造には通
常のＤＣ鋳造法を採用すればよく、鋳造後は均質化処理
して熱間圧延に供される。この均質化処理は、面削後に
熱間圧延前の加熱をかねて行ってもよいし、熱間圧延の
加熱前に均質化処理として別に行ってもよい。なお予め
均質化処理を行い、その後で面削し再加熱してから熱間
圧延を行う手順を採用すると、圧延前における鋳塊表面
の酸化皮膜が少なくなるので表面品質の向上に効果的で
ある。

【００２９】以下、熱間圧延条件を上記の様に設定した
理由を詳細に説明していく。

【００３０】先ず粗圧延開始温度は、粗圧延前半での
再結晶、結晶粒径、粒界方位差を制御するうえで重要で
あり、この開始温度が６００℃を超えると、圧延中にロ
ールへの焼付きが生じて表面キズの原因になる。一方４
５０℃未満では、粗圧延開始から終了までの結晶粒界を
制御する再結晶の回数が不十分となり、その後の圧延条
件をうまくコントロールしたとしても、本発明で意図す
る様な優れたエッチング性と折曲げ強度が得られなくな
る。

【００３１】粗圧延時の圧延速度は３０ｍ／ｍｉｎ以
上とし、板厚１００〜２００ｍｍ以降のパスは１パス１
５〜４０％のパスで、且つ粗圧延最終パスを温度４５０
℃以上で行なう。

【００３２】上記圧下量と圧下率を規定したのは、結晶
粒径と粒界方位差を適正に制御するためである。上記温
度範囲で圧延を行なうと、粗圧延中に再結晶が生じる
が、本発明者らの実験によれば、該粗圧延時の圧下率に
より結晶粒と粒界の性状は顕著な影響を受けることが確
認された。そして圧下率が１５％未満では、再結晶後に
おける旧結晶粒と粒界の残存により（１００）面率の低
下および結晶粒の粗大化が起こり、また大傾角粒界の割
合も多くなる。一方、４０％を超える圧下率で圧延され
たものが再結晶すると、１つ１つの結晶粒径は小さくな
るものの、旧結晶粒の単位で同一結晶方位をもった粒の
集合体が形成され、組織が粗大化すると共に、Ｃｕｂｅ
率の低下と大傾角粒界の増大が起こり、いずれも場合も
本発明の目的にそぐわなくなる。より好ましい圧下率は
１６％以上、３９％以下である。

【００３３】なお粗圧延工程における前半のパスでは、
スラブが厚いため上記好適圧下率を満たす圧延は困難で
あるが、各パスにおける圧下量を１０ｍｍ以上で粗圧延
を行えば、圧下量不足による悪影響はほとんど現われな
い。それ以降のパスは、１パス当たり１５〜４０％の圧
下率を確保することが、本発明の目的を達成する上で必
須の要件となる。

【００３４】この時の圧延速度は、上記再結晶による同
一結晶方位群の分散、微細化、および組織の均一化に重
要であり、圧延速度が３０ｍ／ｍ未満では、板厚方向の
ひずみ導入が不十分で組織バラツキを生じる原因にな
る。十分なひずみ導入と組織バラツキ軽減の上でより好
ましい圧延速度は４０ｍ／ｍｉｎ以上である。

【００３５】粗圧延工程における最終パス温度の確保
は、上記圧延パスを経たアルミニウム板を再結晶化させ
るために重要であり、目的達成のためには、粗最終パス
温度を４５０℃以上、より好ましくは４６０℃以上にし
なければならない。粗最終パス温度が４５０℃未満の低
温になると、再結晶不足により満足のいくエッチング特
性が得られなくなる。

【００３６】粗圧延終了後は、１℃／ｓｅｃ以上の速
度で３８０℃以下まで冷却される。これは、粗圧延終了
後の結晶粒を粗大化させることなく、引き続いて行われ
る仕上げ圧延で熱延加工集合組織を発達させ、分散度１
５°以内の（１００）面率を向上させるうえで極めて重
要であり、３８０℃までの冷却速度が１℃／ｓｅｃ未満
では、粗圧延終了後の結晶粒が粗大化すると共に、引き
続いて行われる仕上げ圧延工程での熱延加工集合組織の
発達も遅れ、（１００）面率が低下してくる。

【００３７】上記粗熱延は板厚２０〜５０ｍｍで終了
し、引き続いて行なわれる熱間仕上げ圧延では厚さ３〜
１０ｍｍまで圧延すると共に、熱延最終終了温度は２９
０℃以下にすることが必要となる。すなわち粗熱延終了
時の板厚と熱延終了時のコイル厚さは、熱延加工集合組
織の発達とそれに伴う（１００）面率の向上に顕著な影
響を及ぼす。すなわち実操業ではコイル状にされるが、
最終板厚が１０ｍｍを超えると、コイルが十分に巻き締
まらなくなって表面キズを生じる原因になり、一方板厚
が３ｍｍ未満では、冷延ひずみ蓄積量が不十分になって
（１００）面率悪化の原因になる。また熱延終了温度が
２９０℃を超えると、コイル熱によって部分的な再結晶
が起こり、その後に、冷間圧延、箔圧延、中間焼鈍、冷
間圧延および最終焼鈍を順次行なうことによって得られ
る電極用アルミニウム箔の（１００）面率が低下する原
因になる。

【００３８】かくして本発明の製法によれば、純度９
９．９％以上のアルミニウム鋳塊を使用し、面削後の保
持温度と粗圧延開始温度、粗圧延開始パスからの圧延速
度と圧下量および圧下率、粗圧延最終パス温度、粗圧延
終了後の冷却速度と板厚、更にはその後の熱間仕上げ圧
延終了温度と板厚を特定し、その後、冷間圧延、箔圧
延、中間焼鈍、冷間圧延および最終焼鈍を順次行なうこ
とによって、優れたエッチング性を示す好適な結晶組織
を有し、且つエッチング後の状態で高レベルの静電容量
と折曲げ強度を示す電解コンデンサー電極用アルミニウ
ム箔を確実に得ることができる。

【００３９】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限
を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範
囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、そ
れらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。

【００４０】［製造方法］表１に示す組成のアルミニウ
ム合金を使用し、通常のＤＣ鋳造によって厚さ４００ｍ
ｍ、幅１０００ｍｍの鋳塊を鋳造した。その後、均質化
処理（５４０℃×８ｈ）してから面削し、次いで熱間圧
延に供するため加熱又は炉冷した後、熱間粗圧延および
仕上げ圧延の各条件を表２の様に変化させて熱延板を製
造した。

【００４１】その後、０．１２ｍｍまで冷間圧延と箔圧
延を行なってから２３０℃×１０時間の中間焼鈍を施
し、更に約１５％の冷延を行って１００μｍの箔とした
後、５５０℃×７時間で最終焼鈍を行なって最終アルミ
ニウム箔を得た。

【００４２】上記各条件で得た最終アルミニウム箔につ
いて下記の組織と特性評価を行ない、表３に示す結果を
得た。

【００４３】（１００）面率：得られた各アルミニウム
箔についてＥＢＳＰ測定を行った。試料は各コイル内の
複数個所から採取し、電解研磨処理（１０％過塩素酸溶
液、２０Ｖ×３０〜６０秒）を行った。ＥＢＳＰでは一
回の測定範囲が数ｍｍ角であるので、数点の測定を行っ
た。測定後、分散度１５°以内の（１００）面率を画像
処理によって求めた。

【００４４】結晶粒界方位差：上記ＥＢＳＰ測定より、
結晶粒界方位差の割合を解析した。このとき、結晶粒界
方位差が１°以上のすべての粒界について解析した。Ｅ
ＢＳＰによる測定／解析データの一例を表４に、また、
各粒界方位差を持った粒界の割合を示すヒストグラムの
一例を図１［本発明例（Ｎｏ．１）］および図２［比較
例（Ｎｏ．５）］に示す。これらから、粒界方位差が２
０°を超える粒界長さの割合を求めた。

【００４５】尚、組織上の各方位差を持った粒界の分布
状態の一例を図３［本発明例（Ｎｏ．１）］および図４
［比較例（Ｎｏ．５）］に示す。図中に白抜きで示した
粒界は方位差が２０°以下の結晶粒界を、黒く塗りつぶ
した粒界は方位差が２０°を超える結晶粒界を示し、全
結晶粒界長さの総和に対するす方位差２０°超の結晶粒
界長さの総和を求めた。

【００４６】相対静電容量：次に、各アルミニウム箔に
直流エッチングを行なった。エッチングは８２℃、１ｍ
ｏｌ／リットルの塩酸（ＨＣｌ）と３ｍｏｌ／リットル
硫酸（Ｈ₂ＳＯ₄）の混合液中で電流密度０．３３Ａ／ｃ
ｍ²の直流を１２０秒間通電した。その後、８０℃の５
％硼酸水溶液中で３５０Ｖの化成処理を施し、ＬＣＲメ
ーターで静電容量を測定した。その結果を、Ｎｏ．５
（比較例）を１００％とした時の相対静電容量と対比し
て評価した。

【００４７】折曲げ強度：ＪＩＳ Ｐ８１１５ ＭＩＴ
形自動折曲試験機を用いて、試験片サイズ：１０ｍｍ×
１５０ｍｍ、負荷荷重：２５０ｇｆ、折曲げ部の曲率半
径：３．５ｍｍ、折曲げ角：片側９０°、折曲げの繰返
し速度：６回／秒の条件で、試験片が破断するまでの折
曲げ回数を測定した（ｎ数は５本）。なお折曲げ回数
は、９０°曲げで１回、元に戻して２回というように数
える。

【００４８】

【表１】

【００４９】

【表２】

【００５０】

【表３】

【００５１】

【表４】

【００５２】上記表より、次の様に考察できる。

【００５３】Ｎｏ．１〜４，１２，１５は本発明の規定
要件を全て満たす実施例であり、いずれもエッチング後
の状態で高い静電容量を有すると共に優れた折曲げ強度
を有している。

【００５４】これらに対しＮｏ．５は、粗圧延最終パス
温度が規定温度より低い比較例であり、静電容量はある
程度良好であるものの折曲げ強度が低く、Ｎｏ．６は、
粗圧延終了パス後の水冷温度が高すぎるため静電容量、
折曲げ強度共に不良である。またＮｏ．７は、粗圧延パ
ス後半期の圧下率が高すぎ、Ｎｏ．８は、逆に粗圧延パ
ス後半期の圧下率が不足し、Ｎｏ．９は、粗圧延開始温
度が低すぎる他、粗圧延パス後半期の圧下率が不足する
と共に粗圧延最終パスの温度が高すぎ、Ｎｏ．１０は、
粗圧延初期の圧下量および後半期の圧下率が不足すると
共にその後の冷却速度が遅く、Ｎｏ．１１は、粗圧延パ
ス初期の圧下量および後半期の圧下率が不足すると共に
仕上げ板厚が薄すぎる、何れも比較例であり、静電容量
および折曲げ強度のいずれも著しく劣っている。

【００５５】Ｎｏ．１３，１４，１６，１７は、異なる
組成のアルミニウム合金鋳塊を用いた例であるが、Ｎ
ｏ．１３は、粗圧延パス後半期の圧下率が高すぎる他、
粗圧延最終パス温度が低く且つ仕上げ終了温度が高す
ぎ、Ｎｏ．１４は、粗圧延パス後半期の圧下率が不足す
る他、粗圧延最終パス温度が低く且つ仕上げ終了温度が
高すぎ、Ｎｏ．１６は、粗圧延パス後半期の圧下率が高
すぎると共に粗圧延最終パス温度が低く、Ｎｏ．１７
は、粗圧延パス後半期の圧下率が不足すると共に粗圧延
最終パス温度が低く、いずれも静電容量および折曲げ強
度が劣悪である。

【００５６】

【発明の効果】本発明は以上の様に構成されており、電
解コンデンサー電極用アルミニウム箔として高い立方体
方位を有し、高い静電容量と折曲げ強度を満たす電解コ
ンデンサー電極箔を安定して確実に製造し得ることにな
った。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例のＮｏ．１で得たアルミニウム箔表面の
各粒界方位差を持った粒界の割合を示すヒストグラムで
ある。

【図２】実施例のＮｏ．５（比較例）で得たアルミニウ
ム箔表面の各粒界方位差を持った粒界の割合を示すヒス
トグラムである。

【図３】Ｎｏ．１の実施例で得たアルミニウム箔表面の
組織上の各方位差を持った粒界の分布状態の一部を示す
ＥＢＳＰ画像図である。

【図４】Ｎｏ．５の比較例で得たアルミニウム箔表面の
組織上の各方位差を持った粒界の分布状態の一部を示す
ＥＢＳＰ画像図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２２Ｆ 1/04 Ｃ２２Ｆ 1/04 Ｋ (72)発明者 関 勇一 神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会 社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 杉崎 康昭 神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会 社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アルミニウム箔表面に形成される（１０
   ０）面の９５％以上が理想（１００）面に対して１５°
   以内であり、且つ隣接する結晶粒の方位差が２０°を超
   える結晶粒界長さの総和が、全結晶粒界長さの総和に対
   して３０％以下であることを特徴とする電解コンデンサ
   ー電極用アルミニウム箔。
2. 【請求項２】 アルミニウム純度９９．９％以上のアル
   ミニウム鋳塊を面削した後、４５０〜６００℃の温度に
   保持してから粗圧延を開始し、粗圧延開始パスからの圧
   延速度を３０ｍ／ｍｉｎ以上にすると共に、板厚１００
   〜２００ｍｍ以降のパスを１パス当たり１５〜４０％で
   圧延し、４５０℃以上で粗圧延最終パスを行い、且つ圧
   延終了後１℃／ｓｅｃ以上の速度で３８０℃以下まで冷
   却することにより、板厚２０〜５０ｍｍを得、引き続い
   て、熱延最終終了温度２９０℃以下で板厚３〜１０ｍｍ
   以下まで熱間仕上げ圧延した後、冷間圧延、箔圧延、中
   間焼鈍、冷間圧延および最終焼鈍を順次行なうことを特
   徴とする電解コンデンサー電極用アルミニウム箔の製
   法。