JP2000268768A5 - - Google Patents

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US20040016880A1 (en) * 2002-04-18 2004-01-29 Empa Eidg. Materialprufungs- Und Forschungsanstalt Method for the preparation of a TEM lamella
US6843927B2 (en) * 2002-08-27 2005-01-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus for endpoint detection in electron beam assisted etching
AU2003290752A1 (en) 2002-11-12 2004-06-03 Fei Company Defect analyzer
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JP5710887B2 (ja) * 2010-03-18 2015-04-30 株式会社日立ハイテクサイエンス 複合荷電粒子加工観察装置
CN103545231B (zh) * 2013-10-21 2016-03-02 上海华力微电子有限公司 镍侵蚀缺陷在线检测方法

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