JP2000264776A - シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法 - Google Patents
シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法Info
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- JP2000264776A JP2000264776A JP11068890A JP6889099A JP2000264776A JP 2000264776 A JP2000264776 A JP 2000264776A JP 11068890 A JP11068890 A JP 11068890A JP 6889099 A JP6889099 A JP 6889099A JP 2000264776 A JP2000264776 A JP 2000264776A
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- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/09—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
- C03B19/095—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould by centrifuging, e.g. arc discharge in rotating mould
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】この発明は、石英ガラスルツボの製造におい
て、電極アークの加熱が型枠内の原料石英ガラスの局所
に集中しないようにし、これによって石英ガラスからの
蒸発物質が電極などに付着して、その後これらが落下し
て石英ガラスルツボの純度を低下しないようにしたもの
である。 【解決手段】型枠２１を回転しながらこの型枠内に石英
微細粒子を供給して、型枠の内側部材の内周に石英ガラ
ス微細粒子充填層３４を形成し、この充填層を内側から
アーク電極２９で加熱して溶融ないし半溶融し、その後
これを冷却してからこれを型枠から取出すことからなる
石英ガラスルツボの製造方法において、前記アーク電極
に直流単相電極を用い、さらにこの電極を該電極と同軸
の円筒２８内に収納してこの円筒内に不活性ガスを流入
することを特徴とするシリコン単結晶引上げ用石英ガラ
スルツボの製造方法である。
て、電極アークの加熱が型枠内の原料石英ガラスの局所
に集中しないようにし、これによって石英ガラスからの
蒸発物質が電極などに付着して、その後これらが落下し
て石英ガラスルツボの純度を低下しないようにしたもの
である。 【解決手段】型枠２１を回転しながらこの型枠内に石英
微細粒子を供給して、型枠の内側部材の内周に石英ガラ
ス微細粒子充填層３４を形成し、この充填層を内側から
アーク電極２９で加熱して溶融ないし半溶融し、その後
これを冷却してからこれを型枠から取出すことからなる
石英ガラスルツボの製造方法において、前記アーク電極
に直流単相電極を用い、さらにこの電極を該電極と同軸
の円筒２８内に収納してこの円筒内に不活性ガスを流入
することを特徴とするシリコン単結晶引上げ用石英ガラ
スルツボの製造方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、シリコン単結晶
の引上げ用石英ガラスの製造方法に関する。
の引上げ用石英ガラスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスに使用されるシリコン単
結晶は、多くの場合チョクラルスキー法で製造されてい
る。この方法は石英ガラスルツボ内に多結晶シリコンを
入れ、これを周囲から加熱して溶融し、上方から吊り下
げた種結晶をシリコン融液に接触してからこれを徐々に
引上げてシリコン単結晶を生成するものである。また、
ここで用いられる石英ガラスルツボは、粉砕、精製した
石英ガラス粉を回転している型枠内に供給し、これを遠
心力で型枠の内周面に付着させてルツボ状に成形し、同
時に内側からアーク電極などで溶融して作られている。
結晶は、多くの場合チョクラルスキー法で製造されてい
る。この方法は石英ガラスルツボ内に多結晶シリコンを
入れ、これを周囲から加熱して溶融し、上方から吊り下
げた種結晶をシリコン融液に接触してからこれを徐々に
引上げてシリコン単結晶を生成するものである。また、
ここで用いられる石英ガラスルツボは、粉砕、精製した
石英ガラス粉を回転している型枠内に供給し、これを遠
心力で型枠の内周面に付着させてルツボ状に成形し、同
時に内側からアーク電極などで溶融して作られている。
【０００３】ここで用いられる石英ガラスルツボの不純
物や気泡の存在は、これを用いて製造されるシリコン単
結晶の純度や結晶の微少欠陥に直接大きく影響を与える
ところから、石英ガラスルツボの高純度化、無気泡化す
る方法は、これまでも実に多数の提案がなされている。
その一部を示すと、ルツボ内表面に高純度の合成石英ガ
ラス層を形成するもの（特開平１−２３９０８２号、特
開昭６１−２４２９８４号など）、原料シリコン多結晶
を予め高純度処理するもの（特開平５−３１９９９０号
など）、不活性ガスを吹き込むもの（特開平１−１５７
４２７号）などである。
物や気泡の存在は、これを用いて製造されるシリコン単
結晶の純度や結晶の微少欠陥に直接大きく影響を与える
ところから、石英ガラスルツボの高純度化、無気泡化す
る方法は、これまでも実に多数の提案がなされている。
その一部を示すと、ルツボ内表面に高純度の合成石英ガ
ラス層を形成するもの（特開平１−２３９０８２号、特
開昭６１−２４２９８４号など）、原料シリコン多結晶
を予め高純度処理するもの（特開平５−３１９９９０号
など）、不活性ガスを吹き込むもの（特開平１−１５７
４２７号）などである。
【０００４】本発明者も高純度石英ガラスルツボの製法
を研究してきたが、その過程でアーク電極による石英ガ
ラス微細粒子の加熱溶融に際して、石英ガラス微細粒子
からの蒸発物質がアーク電極などに付着し、その後この
付着物がルツボ内に落下していることが、ルツボが不純
物を含みその高純度化を妨げている大きな原因であるこ
とが確認されたものである。
を研究してきたが、その過程でアーク電極による石英ガ
ラス微細粒子の加熱溶融に際して、石英ガラス微細粒子
からの蒸発物質がアーク電極などに付着し、その後この
付着物がルツボ内に落下していることが、ルツボが不純
物を含みその高純度化を妨げている大きな原因であるこ
とが確認されたものである。
【０００５】図２は、従来の石英ガラスルツボの製造装
置の１例を示したものである。図２において１は成形用
型枠である。この型枠１は、例えば高純度処理をした多
孔質カーボン型などのガス透過性部材で構成されている
内側部材２と、その外側にガス通路３を設けて前記内側
部材２を保持する保持体４から構成されている。また、
保持体４の下部には回転軸５が固着されていて、型枠１
とともに回転可能に支持されている。型枠１のガス通路
３は、型枠１の保持体４の下部に設けられた開口部６を
介して、回転軸５のガス導入路７と連通している。この
ガス導入路７は、図示しない水素ガス、ヘリウムガスな
どのガス供給管と接合され、必要に応じてこれらのガス
の供給およびその停止ができるようになっている。な
お、型枠１の外側の保持体４には、図示しない水冷ジャ
ケットが内装されている。また、型枠１の内側の中央に
は、３相交流電源に接続された３本のカーボン電極８
１ 、８２ 、８３ が、その先端を型枠底部中央に向
けて設けてある。
置の１例を示したものである。図２において１は成形用
型枠である。この型枠１は、例えば高純度処理をした多
孔質カーボン型などのガス透過性部材で構成されている
内側部材２と、その外側にガス通路３を設けて前記内側
部材２を保持する保持体４から構成されている。また、
保持体４の下部には回転軸５が固着されていて、型枠１
とともに回転可能に支持されている。型枠１のガス通路
３は、型枠１の保持体４の下部に設けられた開口部６を
介して、回転軸５のガス導入路７と連通している。この
ガス導入路７は、図示しない水素ガス、ヘリウムガスな
どのガス供給管と接合され、必要に応じてこれらのガス
の供給およびその停止ができるようになっている。な
お、型枠１の外側の保持体４には、図示しない水冷ジャ
ケットが内装されている。また、型枠１の内側の中央に
は、３相交流電源に接続された３本のカーボン電極８
１ 、８２ 、８３ が、その先端を型枠底部中央に向
けて設けてある。
【０００６】上記装置を用いての石英ガラスルツボの製
造は、図示しない回転駆動源を稼動して回転軸５を回転
し型枠１を矢印の方向に回転させる。この状態にして、
型枠１内に図示しない供給管で型枠上部から高純度石英
ガラス微細粒子の原料を供給する。供給された高純度石
英ガラス微細粒子は遠心力によって型枠１の内側に押圧
されてルツボ形状に成形される。さらに型枠を回転状態
にしたままで、保持体４の下部に設けた回転軸５のガス
導入路７から水素ガス、ヘリウムガスなどのガスを型枠
１の周囲から供給してルツボ状に形成された高純度石英
ガラス微細粒子９の中の気泡を放出せしめ、同時に型枠
内側の中央部に配置した電極に通電してアーク１０を発
生させ、その高熱１１で高純度石英粉を加熱溶融させ
る。石英ガラス微細粒子９が溶融してルツボが形成され
たところで、型枠１の図示しない水冷ジャケットに水を
通して冷却し、石英ガラスルツボを型枠１から取出して
製品とするものである。
造は、図示しない回転駆動源を稼動して回転軸５を回転
し型枠１を矢印の方向に回転させる。この状態にして、
型枠１内に図示しない供給管で型枠上部から高純度石英
ガラス微細粒子の原料を供給する。供給された高純度石
英ガラス微細粒子は遠心力によって型枠１の内側に押圧
されてルツボ形状に成形される。さらに型枠を回転状態
にしたままで、保持体４の下部に設けた回転軸５のガス
導入路７から水素ガス、ヘリウムガスなどのガスを型枠
１の周囲から供給してルツボ状に形成された高純度石英
ガラス微細粒子９の中の気泡を放出せしめ、同時に型枠
内側の中央部に配置した電極に通電してアーク１０を発
生させ、その高熱１１で高純度石英粉を加熱溶融させ
る。石英ガラス微細粒子９が溶融してルツボが形成され
たところで、型枠１の図示しない水冷ジャケットに水を
通して冷却し、石英ガラスルツボを型枠１から取出して
製品とするものである。
【０００７】しかしながら、こうした従来の石英ガラス
ルツボの製法では、図２に示すようにアーク１０が型枠
１底部の局所を連続して加熱し、この高熱１１によって
型枠内の高純度石英ガラス微細粒子９の全体を加熱溶融
させるものであったために、原料の石英ガラス微細粒子
が部分的に極度に高温となって、その部分の石英ガラス
からの蒸発物質が電極などに付着し、やがてその付着物
が成形される石英ガラスルツボの中に落下し、そのルツ
ボの純度を劣化させ不良品を発生させる原因となってい
た。
ルツボの製法では、図２に示すようにアーク１０が型枠
１底部の局所を連続して加熱し、この高熱１１によって
型枠内の高純度石英ガラス微細粒子９の全体を加熱溶融
させるものであったために、原料の石英ガラス微細粒子
が部分的に極度に高温となって、その部分の石英ガラス
からの蒸発物質が電極などに付着し、やがてその付着物
が成形される石英ガラスルツボの中に落下し、そのルツ
ボの純度を劣化させ不良品を発生させる原因となってい
た。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、アーク電
極に直流単相電極を用いるとともに電極を円筒内に収め
その中に不活性ガスを流入し、さらに電極アークの加熱
が型枠内の原料石英ガラスの局所に集中しないように
し、これによって電極の酸化消耗を低減し、さらに石英
ガラスからの蒸発物質が電極などに付着して、その後こ
れらが落下して石英ガラスルツボの純度を低下しないよ
うにしたものである。
極に直流単相電極を用いるとともに電極を円筒内に収め
その中に不活性ガスを流入し、さらに電極アークの加熱
が型枠内の原料石英ガラスの局所に集中しないように
し、これによって電極の酸化消耗を低減し、さらに石英
ガラスからの蒸発物質が電極などに付着して、その後こ
れらが落下して石英ガラスルツボの純度を低下しないよ
うにしたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、ガス透過性
の内側部材と外側部材の中間にガス通路を設けてなる型
枠を回転しながらこの型枠内に石英微細粒子を供給し
て、型枠の内側部材の内周に石英ガラス微細粒子充填層
を形成し、この石英ガラス微細粒子充填層を内側からア
ーク電極で加熱して溶融ないし半溶融し、その後これを
冷却してからここに形成された石英ガラスルツボを型枠
から取出すことからなる石英ガラスルツボの製造方法に
おいて、前記アーク電極に直流単相電極を用い、さらに
この電極を該電極と同軸の円筒内に収納してこの円筒内
に不活性ガスを流入することを特徴とするシリコン単結
晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法（請求項１）お
よび電極の中心軸を、型枠の中心軸と型枠直胴部の範囲
内で偏ってオフセットさせたことを特徴とする請求項１
記載のシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造
方法（請求項２）および電極のアークが型枠の直胴部下
端と底部外周の接合部の湾曲部を指向して加熱するよう
にしたことを特徴とする請求項２記載のシリコン単結晶
引上げ用石英ガラスルツボの製造方法（請求項３）であ
る。
の内側部材と外側部材の中間にガス通路を設けてなる型
枠を回転しながらこの型枠内に石英微細粒子を供給し
て、型枠の内側部材の内周に石英ガラス微細粒子充填層
を形成し、この石英ガラス微細粒子充填層を内側からア
ーク電極で加熱して溶融ないし半溶融し、その後これを
冷却してからここに形成された石英ガラスルツボを型枠
から取出すことからなる石英ガラスルツボの製造方法に
おいて、前記アーク電極に直流単相電極を用い、さらに
この電極を該電極と同軸の円筒内に収納してこの円筒内
に不活性ガスを流入することを特徴とするシリコン単結
晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法（請求項１）お
よび電極の中心軸を、型枠の中心軸と型枠直胴部の範囲
内で偏ってオフセットさせたことを特徴とする請求項１
記載のシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造
方法（請求項２）および電極のアークが型枠の直胴部下
端と底部外周の接合部の湾曲部を指向して加熱するよう
にしたことを特徴とする請求項２記載のシリコン単結晶
引上げ用石英ガラスルツボの製造方法（請求項３）であ
る。
【００１０】上記構成においては、不活性ガスが円筒内
に流入して電極アークの外周を覆うようになるので、加
熱溶融に際して大気中との接触が遮断されて電極の消耗
が減少するとともに、大気中の不純物が石英ガラスルツ
ボの中に取り込まれることが少なくなる。また、アーク
電極に直流単層電極を用いると、従来の三相交流電極を
用いたものと比較して高温にならないので、石英ガラス
からの蒸発物質が電極などに付着して、その後これらが
落下して石英ガラスルツボの純度を低下することも少な
くなる。さらに、電極をオフセットしてアークが型枠の
直胴部下端と底部外周の接合部の湾曲部を指向して加熱
するようにすると、型枠内の石英ガラス粉末の加熱が局
部に集中することがなく広い範囲で行われるので、石英
ガラスからの蒸発物質の低減はさらに減少することにな
る。
に流入して電極アークの外周を覆うようになるので、加
熱溶融に際して大気中との接触が遮断されて電極の消耗
が減少するとともに、大気中の不純物が石英ガラスルツ
ボの中に取り込まれることが少なくなる。また、アーク
電極に直流単層電極を用いると、従来の三相交流電極を
用いたものと比較して高温にならないので、石英ガラス
からの蒸発物質が電極などに付着して、その後これらが
落下して石英ガラスルツボの純度を低下することも少な
くなる。さらに、電極をオフセットしてアークが型枠の
直胴部下端と底部外周の接合部の湾曲部を指向して加熱
するようにすると、型枠内の石英ガラス粉末の加熱が局
部に集中することがなく広い範囲で行われるので、石英
ガラスからの蒸発物質の低減はさらに減少することにな
る。
【００１１】
【発明の実施の態様】以下に、図面を参照にしてこの発
明をさらに説明する。図１はこの発明の一実施例になる
石英ガラスルツボの製造装置を示したものである。図１
において２１は成形用型枠である。この型枠２１は従来
と同様である。即ち、例えば高純度処理をした多孔質カ
ーボン型などのガス透過性部材で構成されている内側部
材２２と、その外側にガス通路２３を設けて前記内側部
材２２を保持する保持体２４から構成され、保持体２４
の下部には回転軸２５が固着され回転可能に支持されて
いる。
明をさらに説明する。図１はこの発明の一実施例になる
石英ガラスルツボの製造装置を示したものである。図１
において２１は成形用型枠である。この型枠２１は従来
と同様である。即ち、例えば高純度処理をした多孔質カ
ーボン型などのガス透過性部材で構成されている内側部
材２２と、その外側にガス通路２３を設けて前記内側部
材２２を保持する保持体２４から構成され、保持体２４
の下部には回転軸２５が固着され回転可能に支持されて
いる。
【００１２】型枠２１のガス通路２３は、その開口部２
６を介して、回転軸２５のガス吸引通路２７と連通して
いる。このガス吸引通路２７は、図示しないガス吸引管
と接合されている。なお、型枠２１の外側の保持体２４
には、図示しない水冷ジャケットが内装されている。ま
た、型枠２１の内側の中央には、円筒２８に納められた
単相直流電源に接続された２本のカーボン電極２
９１ 、２９２ が、その先端を型枠の直胴部下端と底
部外周の接合部の湾曲部３０を指向している。図示例で
は、電極２９１ 、２９２ が、型枠の直胴部に近接し
た位置に配置してあるが、この他に電極の中心軸が、型
枠２１の上部中心位置と型枠の直胴部下端と底部外周の
接合部を結ぶ線３１から外側の範囲３２内で偏ってオフ
セットしてもよい。しかし、この場合でも電極と加熱部
分との距離が長くなると伝熱効果が少さくなるので、そ
の間の距離は出来るだけ短い方がよい。
６を介して、回転軸２５のガス吸引通路２７と連通して
いる。このガス吸引通路２７は、図示しないガス吸引管
と接合されている。なお、型枠２１の外側の保持体２４
には、図示しない水冷ジャケットが内装されている。ま
た、型枠２１の内側の中央には、円筒２８に納められた
単相直流電源に接続された２本のカーボン電極２
９１ 、２９２ が、その先端を型枠の直胴部下端と底
部外周の接合部の湾曲部３０を指向している。図示例で
は、電極２９１ 、２９２ が、型枠の直胴部に近接し
た位置に配置してあるが、この他に電極の中心軸が、型
枠２１の上部中心位置と型枠の直胴部下端と底部外周の
接合部を結ぶ線３１から外側の範囲３２内で偏ってオフ
セットしてもよい。しかし、この場合でも電極と加熱部
分との距離が長くなると伝熱効果が少さくなるので、そ
の間の距離は出来るだけ短い方がよい。
【００１３】上記装置を用いての石英ガラスルツボの製
造は、図示しない回転駆動源を稼動して回転軸２５を回
転し型枠を矢印の方向に回転させる。この状態にして、
型枠２１内に図示しない供給管でもって型枠上部から高
純度石英微細粒子の原料を供給する。通常は、この供給
ノズルは２つ設けて、型枠の側面と底面の２つに向けて
別々に石英ガラス微細粒子を供給する。供給された高純
度石英ガラス微細粒子３４は遠心力によって型枠２１の
内側に押圧されてルツボ形状に成形される。さらに型枠
を回転状態にしたままで、型枠内の直胴部下端と底部外
周の接合部の湾曲部３０に向けて、アーク３３を発生さ
せて同時に同軸の円筒２８に不活性ガスを流出させて石
英ガラス微細粒子３４を加熱溶融させる。ここにおける
アーク加熱は、回転している型枠の直胴部下端の湾曲部
３０であるから、加熱される個所は常に移動されること
になって、原料石英ガラス微細粒子の局所加熱を避けて
均一加熱を行うことができ、石英からの蒸発物質の低減
を図ることができる。
造は、図示しない回転駆動源を稼動して回転軸２５を回
転し型枠を矢印の方向に回転させる。この状態にして、
型枠２１内に図示しない供給管でもって型枠上部から高
純度石英微細粒子の原料を供給する。通常は、この供給
ノズルは２つ設けて、型枠の側面と底面の２つに向けて
別々に石英ガラス微細粒子を供給する。供給された高純
度石英ガラス微細粒子３４は遠心力によって型枠２１の
内側に押圧されてルツボ形状に成形される。さらに型枠
を回転状態にしたままで、型枠内の直胴部下端と底部外
周の接合部の湾曲部３０に向けて、アーク３３を発生さ
せて同時に同軸の円筒２８に不活性ガスを流出させて石
英ガラス微細粒子３４を加熱溶融させる。ここにおける
アーク加熱は、回転している型枠の直胴部下端の湾曲部
３０であるから、加熱される個所は常に移動されること
になって、原料石英ガラス微細粒子の局所加熱を避けて
均一加熱を行うことができ、石英からの蒸発物質の低減
を図ることができる。
【００１４】ガス吹き込みを伴ったアーク加熱の際に
は、型枠の保持体２４の下部に設けた回転軸２５のガス
導入路２７から型枠内に吹き込まれたガスを吸引すると
ともに、ルツボ状に形成された高純度石英粉の中の気泡
を放出せしめる。石英ガラス微細粒子３４が溶融してル
ツボが形成されたところで、加熱溶融とガスの流出を中
止し、さらに型枠の水冷ジャケットに冷水を通して冷却
し、石英ガラスルツボを型枠から取出して製品とするも
のである。
は、型枠の保持体２４の下部に設けた回転軸２５のガス
導入路２７から型枠内に吹き込まれたガスを吸引すると
ともに、ルツボ状に形成された高純度石英粉の中の気泡
を放出せしめる。石英ガラス微細粒子３４が溶融してル
ツボが形成されたところで、加熱溶融とガスの流出を中
止し、さらに型枠の水冷ジャケットに冷水を通して冷却
し、石英ガラスルツボを型枠から取出して製品とするも
のである。
【００１５】なお、図１に示した実施例において、円筒
２８内に２本のカーボン電極２９１ 、２９２ が配置さ
れている例を示したが、カーボン電極２９１ 、２９２
の各々に円筒２８を配置しても同様の作用効果を得るこ
とができ、この場合は円筒２８内を流れるガスの流路が
上流から下流までほぼ同様となり、ガスをカーボン電極
２９１ 、２９２ の周囲に均等に流すことができる。
２８内に２本のカーボン電極２９１ 、２９２ が配置さ
れている例を示したが、カーボン電極２９１ 、２９２
の各々に円筒２８を配置しても同様の作用効果を得るこ
とができ、この場合は円筒２８内を流れるガスの流路が
上流から下流までほぼ同様となり、ガスをカーボン電極
２９１ 、２９２ の周囲に均等に流すことができる。
【００１６】
【発明の効果】以上の通り、この発明によると電極と同
軸の円筒に不活性ガスを流入して、その中でアーク放電
を行って原料の石英ガラス微細粒子を加熱溶融するよう
にしたので、電極の酸化消耗を低減できるとともに原料
の石英ガラス微細粒子からの蒸発物質が電極へ付着する
のも低減するようになった。また、電極をオフセットす
ることにより型枠内の溶融温度を均一化できて、この面
からも蒸発物質の低減ができるようになった。
軸の円筒に不活性ガスを流入して、その中でアーク放電
を行って原料の石英ガラス微細粒子を加熱溶融するよう
にしたので、電極の酸化消耗を低減できるとともに原料
の石英ガラス微細粒子からの蒸発物質が電極へ付着する
のも低減するようになった。また、電極をオフセットす
ることにより型枠内の溶融温度を均一化できて、この面
からも蒸発物質の低減ができるようになった。
【図１】この発明の１実施例になるシリコン単結晶引上
げ用石英ガラスルツボの製造装置の概略縦断面図。
げ用石英ガラスルツボの製造装置の概略縦断面図。
【図２】従来のシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツ
ボの１例の製造装置を示す概略縦断面図。
ボの１例の製造装置を示す概略縦断面図。
２１…型枠、２２…内側部材、２３…ガス通路、２４…
保持体、２５…回転軸、２６…開口部、２７…ガス吸引
通路、２８…円筒、２９１ 、２９２ …電極、３０…
湾曲部、３１…接合部を結ぶ線、３２…外側の範囲、３
３…アーク、３４…石英ガラス微細粒子。
保持体、２５…回転軸、２６…開口部、２７…ガス吸引
通路、２８…円筒、２９１ 、２９２ …電極、３０…
湾曲部、３１…接合部を結ぶ線、３２…外側の範囲、３
３…アーク、３４…石英ガラス微細粒子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 天野 正実 神奈川県秦野市曽屋30番地 東芝セラミッ クス株式会社開発研究所内 Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BA04 CF10 EG02 PD01 5F053 AA12 BB01 BB02 BB04 BB12 BB13 DD01 FF04 GG01 RR03 RR04
Claims (3)
- 【請求項１】 ガス透過性の内側部材と外側部材の中間
にガス通路を設けてなる型枠を回転しながらこの型枠内
に石英微細粒子を供給して、型枠の内側部材の内周に石
英ガラス微細粒子充填層を形成し、この石英ガラス微細
粒子充填層を内側からアーク電極で加熱して溶融ないし
半溶融し、その後これを冷却してからここに形成された
石英ガラスルツボを型枠から取出すことからなる石英ガ
ラスルツボの製造方法において、前記アーク電極に直流
単相電極を用い、さらにこの電極を該電極と同軸の円筒
内に収納してこの円筒内に不活性ガスを流入することを
特徴とするシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの
製造方法。 - 【請求項２】 電極の中心軸を、型枠の中心軸と型枠直
胴部の範囲内で偏ってオフセットさせたことを特徴とす
る請求項１記載のシリコン単結晶引上げ用石英ガラスル
ツボの製造方法。 - 【請求項３】 電極のアークが型枠の直胴部下端と底部
外周の接合部の湾曲部を指向して加熱するようにしたこ
とを特徴とする請求項２記載のシリコン単結晶引上げ用
石英ガラスルツボの製造方法。
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| JP2009161362A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Japan Siper Quarts Corp | 石英ガラスルツボ製造装置の電極構造 |
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| US20110197631A1 (en) * | 2009-10-20 | 2011-08-18 | Japan Super Quartz Corporation | Method and apparatus for manufacturing vitreous silica crucible |
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Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2009161362A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Japan Siper Quarts Corp | 石英ガラスルツボ製造装置の電極構造 |
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