JP2000260689A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2000260689A5 JP2000260689A5 JP1999060708A JP6070899A JP2000260689A5 JP 2000260689 A5 JP2000260689 A5 JP 2000260689A5 JP 1999060708 A JP1999060708 A JP 1999060708A JP 6070899 A JP6070899 A JP 6070899A JP 2000260689 A5 JP2000260689 A5 JP 2000260689A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnification
- linear error
- pattern
- exposure
- exposure apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 210000003660 reticulum Anatomy 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
Images
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06070899A JP3929635B2 (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 露光方法 |
| US09/520,630 US6542237B1 (en) | 1999-03-08 | 2000-03-07 | Exposure method for making precision patterns on a substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06070899A JP3929635B2 (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 露光方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000260689A JP2000260689A (ja) | 2000-09-22 |
| JP2000260689A5 true JP2000260689A5 (enExample) | 2005-06-30 |
| JP3929635B2 JP3929635B2 (ja) | 2007-06-13 |
Family
ID=13150070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06070899A Expired - Fee Related JP3929635B2 (ja) | 1999-03-08 | 1999-03-08 | 露光方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6542237B1 (enExample) |
| JP (1) | JP3929635B2 (enExample) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002224604A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-13 | Hitachi Ltd | パターン転写装置,パターン転写方法および転写用原版の製造方法 |
| US7171637B2 (en) * | 2005-01-14 | 2007-01-30 | Intel Corporation | Translation generation for a mask pattern |
| JP2017090817A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置、及び物品の製造方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4918320A (en) | 1987-03-20 | 1990-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment method usable in a step-and-repeat type exposure apparatus for either global or dye-by-dye alignment |
| US5243195A (en) * | 1991-04-25 | 1993-09-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor |
| US5798195A (en) * | 1993-09-24 | 1998-08-25 | Nikon Corporation | Stepping accuracy measuring method |
| KR100377887B1 (ko) * | 1994-02-10 | 2003-06-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 정렬방법 |
| JPH07260472A (ja) * | 1994-03-22 | 1995-10-13 | Nikon Corp | ステージ装置の直交度測定方法 |
| JPH0845814A (ja) * | 1994-07-27 | 1996-02-16 | Nikon Corp | 露光装置および位置決め方法 |
| JP3261948B2 (ja) * | 1995-03-28 | 2002-03-04 | キヤノン株式会社 | X線露光用マスク及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| KR100471461B1 (ko) * | 1996-05-16 | 2005-07-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광방법및노광장치 |
| WO2000019497A1 (en) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Nikon Corporation | Alignment method and method for producing device using the alignment method |
| JP3751762B2 (ja) * | 1998-12-08 | 2006-03-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法および原板 |
| JP3831138B2 (ja) * | 1999-01-28 | 2006-10-11 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
-
1999
- 1999-03-08 JP JP06070899A patent/JP3929635B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-07 US US09/520,630 patent/US6542237B1/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107799451A (zh) | 半导体加工中控制曲度以控制叠对的位置特定的应力调节 | |
| US5986766A (en) | Alignment method and alignment system | |
| JP2015043452A (ja) | 応力ならびにオーバーレイのフィードフォーワード、及び/または、フィードバック・リソグラフィック・プロセス制御 | |
| CN106547171A (zh) | 一种用于光刻装置的套刻补偿系统及方法 | |
| TWI685726B (zh) | 用於控制基板之定位之方法及用於判定參照基板之特徵之位置的方法 | |
| US5731113A (en) | Method of reducing registration error in exposure step of semiconductor device | |
| JP3595707B2 (ja) | 露光装置および露光方法 | |
| JPH07335524A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JP5134625B2 (ja) | Apc制御ストラテジーにより露光フィールド内のオーバーレイ誤差を小さくする方法およびシステム | |
| JP2000133579A5 (enExample) | ||
| JP2010502024A5 (enExample) | ||
| US6557163B1 (en) | Method of photolithographic critical dimension control by using reticle measurements in a control algorithm | |
| WO2018010928A1 (en) | Method and apparatus for determining a fingerprint of a performance parameter | |
| US20200081353A1 (en) | Device manufacturing method | |
| JPH09166416A (ja) | レチクルパターンの相対的位置ずれ量計測方法およびレチクルパターンの相対的位置ずれ量計測装置 | |
| JP2000260689A5 (enExample) | ||
| JP3445102B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2000275010A (ja) | 位置計測方法および該位置計測法を用いた半導体露光装置 | |
| JP3168590B2 (ja) | 縮小投影露光方法 | |
| JP7703055B2 (ja) | 改善されたオーバーレイ誤差計測のための誘起変位 | |
| JP4158418B2 (ja) | レジストパターン幅寸法の調整方法 | |
| JPH09330862A5 (enExample) | ||
| JP2876406B2 (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| JP2698217B2 (ja) | 半導体ウエハの位置合わせ方法 | |
| TW202520007A (zh) | 判定微影設備上之退化的方法 |