JP2000252107A - 高磁束密度の半硬質磁性材料およびその製造方法、ならびにヒステリシスカップリング装置 - Google Patents
高磁束密度の半硬質磁性材料およびその製造方法、ならびにヒステリシスカップリング装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 飽和磁束密度の高い新規な半硬質磁性材料を
提供し、磁性材料のヒステリシス特性を利用した各種装
置の性能を向上させる。 【解決手段】 （Ｆｅ1-mＣｏm）100-x-yＢxＲyＭzの組
成式等によって表された半硬質磁性材料である。Ｒは
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、およびＳｍからなる群か
ら選択された少なくとも１種の希土類元素、ＭはＡｌ、
Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇ
ａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、
Ａｕ、およびＰｂからなる群から選択された少なくとも
１種の元素である。組成式中のｘ、ｙ、ｚ、およびｍ
は、７原子％≦ｘ＜１５原子％、０．５原子％≦ｙ≦４
原子％、０．１原子％≦ｚ≦７原子％、および０．００
１≦ｍ≦０．５の関係を満足する。この組成の合金溶湯
をメルトクエンチング法によって急冷し、アモルファス
相を含む急冷凝固合金を形成した後、この急冷凝固合金
を加熱し、平均結晶粒径が１００ｎｍ以下である微結晶
を構成相中に形成することによって製造される。熱処理
後の結晶質相はα−Ｆｅ微結晶を主として含む。
提供し、磁性材料のヒステリシス特性を利用した各種装
置の性能を向上させる。 【解決手段】 （Ｆｅ1-mＣｏm）100-x-yＢxＲyＭzの組
成式等によって表された半硬質磁性材料である。Ｒは
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、およびＳｍからなる群か
ら選択された少なくとも１種の希土類元素、ＭはＡｌ、
Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇ
ａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、
Ａｕ、およびＰｂからなる群から選択された少なくとも
１種の元素である。組成式中のｘ、ｙ、ｚ、およびｍ
は、７原子％≦ｘ＜１５原子％、０．５原子％≦ｙ≦４
原子％、０．１原子％≦ｚ≦７原子％、および０．００
１≦ｍ≦０．５の関係を満足する。この組成の合金溶湯
をメルトクエンチング法によって急冷し、アモルファス
相を含む急冷凝固合金を形成した後、この急冷凝固合金
を加熱し、平均結晶粒径が１００ｎｍ以下である微結晶
を構成相中に形成することによって製造される。熱処理
後の結晶質相はα−Ｆｅ微結晶を主として含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ヒステリシス材料
や各種ヨーク材に最適な飽和磁束密度を持つ半硬質磁性
材料およびその製造方法、ならびに当該半硬質磁性材料
から形成した部材を備えたヒステリシスカップリング装
置等に関する。
や各種ヨーク材に最適な飽和磁束密度を持つ半硬質磁性
材料およびその製造方法、ならびに当該半硬質磁性材料
から形成した部材を備えたヒステリシスカップリング装
置等に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁性材料の分野では、保磁力が低く透磁
率の高い材料（軟磁性材料または高透磁率材料）と、保
磁力および飽和磁束密度の両方が高い材料（硬磁性材料
または永久磁石材料）とが代表的な磁性材料として活発
に研究開発されてきた。しかしながら、磁性材料の中に
は保磁力が軟磁性材料と硬磁性材料との中間範囲にあっ
てしかも高い残留磁束密度を示すものがあり、「半硬質
磁性材料」と呼ばれている。この半硬質磁性材料は角形
ヒステリシス材料のひとつとして、各種リレー、スイッ
チ、半固定メモリ、ヒステリシスモータ、およびヒステ
リシスカッリング装置等に用いられる。角形ヒステリシ
ス材料は、飽和磁束密度Ｂsに対する残留磁束密度Ｂrの
比（Ｂr／Ｂs）、すなわち角形比が１に近い材料である
ことが好ましい。
率の高い材料（軟磁性材料または高透磁率材料）と、保
磁力および飽和磁束密度の両方が高い材料（硬磁性材料
または永久磁石材料）とが代表的な磁性材料として活発
に研究開発されてきた。しかしながら、磁性材料の中に
は保磁力が軟磁性材料と硬磁性材料との中間範囲にあっ
てしかも高い残留磁束密度を示すものがあり、「半硬質
磁性材料」と呼ばれている。この半硬質磁性材料は角形
ヒステリシス材料のひとつとして、各種リレー、スイッ
チ、半固定メモリ、ヒステリシスモータ、およびヒステ
リシスカッリング装置等に用いられる。角形ヒステリシ
ス材料は、飽和磁束密度Ｂsに対する残留磁束密度Ｂrの
比（Ｂr／Ｂs）、すなわち角形比が１に近い材料である
ことが好ましい。
【０００３】従来、ヒステリシスモータやヒステリシス
カップリング装置には、バイカロイ等の半硬質磁性材料
や保磁力が１０〜４０ｋＡ／ｍ程度のＡｌ-Ｎｉ-Ｃｏ磁
石およびＦｅ-Ｃｒ-Ｃｏ磁石が用いられていた。
カップリング装置には、バイカロイ等の半硬質磁性材料
や保磁力が１０〜４０ｋＡ／ｍ程度のＡｌ-Ｎｉ-Ｃｏ磁
石およびＦｅ-Ｃｒ-Ｃｏ磁石が用いられていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半硬質磁性材料
は、何れも残留磁束密度Ｂrが１テスラ［Ｔ］前後と比
較的に低く、ヒステリシスモータやヒステリシスカップ
リング装置の小型化に適した材料ではなかった。また、
残留磁束密度の高い鉄系磁性材料を半硬質磁性材料とし
て利用しようとしても、既存の鉄系磁性材料（例えばＦ
ｅ−Ｓｉ−Ｂ軟磁性材料やＮｄ−Ｆｅ−Ｂ磁石）の保磁
力は何れも１ｋＡ／ｍ未満（軟磁性材料）または６００
ｋＡ／ｍ以上（硬磁性材料）であり、半硬質磁性材料に
求められる範囲（１〜５０ｋＡ／ｍ）内の保磁力を示す
ものは得られなかった。
は、何れも残留磁束密度Ｂrが１テスラ［Ｔ］前後と比
較的に低く、ヒステリシスモータやヒステリシスカップ
リング装置の小型化に適した材料ではなかった。また、
残留磁束密度の高い鉄系磁性材料を半硬質磁性材料とし
て利用しようとしても、既存の鉄系磁性材料（例えばＦ
ｅ−Ｓｉ−Ｂ軟磁性材料やＮｄ−Ｆｅ−Ｂ磁石）の保磁
力は何れも１ｋＡ／ｍ未満（軟磁性材料）または６００
ｋＡ／ｍ以上（硬磁性材料）であり、半硬質磁性材料に
求められる範囲（１〜５０ｋＡ／ｍ）内の保磁力を示す
ものは得られなかった。
【０００５】本発明は斯かる諸点に鑑みてなされたもの
であり、その主な目的は、飽和磁束密度の高い新規な半
硬質磁性材料を提供し、磁性材料のヒステリシス特性を
利用する各種装置の性能を向上させることにある。
であり、その主な目的は、飽和磁束密度の高い新規な半
硬質磁性材料を提供し、磁性材料のヒステリシス特性を
利用する各種装置の性能を向上させることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による半硬質磁性
材料は、Ｆｅ100-x-yＢxＲy（Ｆｅは鉄、Ｂはボロン、
ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、およびＳｍからなる
群から選択された少なくとも１種の希土類元素）の組成
式で表される半硬質磁性材料であって、前記組成式中の
ｘおよびｙが７原子％≦ｘ＜１５原子％、および０．５
原子％≦ｙ≦４原子％の関係を満足し、かつ構成相とし
て、平均結晶粒径が１００ｎｍ以下であるα−Ｆｅ微結
晶とを含んでいることを特徴とする。
材料は、Ｆｅ100-x-yＢxＲy（Ｆｅは鉄、Ｂはボロン、
ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、およびＳｍからなる
群から選択された少なくとも１種の希土類元素）の組成
式で表される半硬質磁性材料であって、前記組成式中の
ｘおよびｙが７原子％≦ｘ＜１５原子％、および０．５
原子％≦ｙ≦４原子％の関係を満足し、かつ構成相とし
て、平均結晶粒径が１００ｎｍ以下であるα−Ｆｅ微結
晶とを含んでいることを特徴とする。
【０００７】本発明による他の半硬質磁性材料は、Ｆｅ
100-x-yＢxＲyＭz（Ｆｅは鉄、Ｂはボロン、ＲはＹ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、およびＳｍからなる群から選択
された少なくとも１種の希土類元素、ＭはＡｌ、Ｓｉ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、
およびＰｂからなる群から選択された少なくとも１種の
元素）の組成式で表される半硬質磁性材料であって、前
記組成式中のｘ、ｙ、およびｚが７原子％≦ｘ＜１５原
子％、０．５原子％≦ｙ≦４原子％、および０．１原子
％≦ｚ≦７原子％の関係を満足し、かつ構成相として、
平均結晶粒径が１００ｎｍ以下であるα−Ｆｅ微結晶と
を含んでいることを特徴とする。
100-x-yＢxＲyＭz（Ｆｅは鉄、Ｂはボロン、ＲはＹ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、およびＳｍからなる群から選択
された少なくとも１種の希土類元素、ＭはＡｌ、Ｓｉ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、
およびＰｂからなる群から選択された少なくとも１種の
元素）の組成式で表される半硬質磁性材料であって、前
記組成式中のｘ、ｙ、およびｚが７原子％≦ｘ＜１５原
子％、０．５原子％≦ｙ≦４原子％、および０．１原子
％≦ｚ≦７原子％の関係を満足し、かつ構成相として、
平均結晶粒径が１００ｎｍ以下であるα−Ｆｅ微結晶と
を含んでいることを特徴とする。
【０００８】本発明による更に他の半硬質磁性材料は、
（Ｆｅ1-mＣｏm）100-x-yＢxＲyＭz（Ｆｅは鉄、Ｃｏは
コバルト、Ｂはボロン、ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、およびＳｍからなる群から選択された少なくとも１
種の希土類元素、ＭはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａ
ｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、およびＰｂからなる
群から選択された少なくとも１種の元素）の組成式で表
される半硬質磁性材料であって、前記組成式中のｘ、
ｙ、ｚ、およびｍが７原子％≦ｘ＜１５原子％、０．５
原子％≦ｙ≦４原子％、０．１原子％≦ｚ≦７原子％、
および０．００１≦ｍ≦０．５の関係を満足し、かつ構
成相として、平均結晶粒径１００ｎｍ以下であるα−Ｆ
ｅ微結晶を含んでいることを特徴とする。
（Ｆｅ1-mＣｏm）100-x-yＢxＲyＭz（Ｆｅは鉄、Ｃｏは
コバルト、Ｂはボロン、ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、およびＳｍからなる群から選択された少なくとも１
種の希土類元素、ＭはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａ
ｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、およびＰｂからなる
群から選択された少なくとも１種の元素）の組成式で表
される半硬質磁性材料であって、前記組成式中のｘ、
ｙ、ｚ、およびｍが７原子％≦ｘ＜１５原子％、０．５
原子％≦ｙ≦４原子％、０．１原子％≦ｚ≦７原子％、
および０．００１≦ｍ≦０．５の関係を満足し、かつ構
成相として、平均結晶粒径１００ｎｍ以下であるα−Ｆ
ｅ微結晶を含んでいることを特徴とする。
【０００９】前記構成相中には平均結晶粒径が１００ｎ
ｍ以下であるα−Ｆｅ微結晶以外の鉄系化合物微結晶が
存在していてもよい。
ｍ以下であるα−Ｆｅ微結晶以外の鉄系化合物微結晶が
存在していてもよい。
【００１０】好ましい実施形態では、飽和磁束密度Ｂs
が１．４Ｔ以上、固有保磁力Ｈcjが１ｋＡ／ｍ≦Ｈcj＜
５０ｋＡ／ｍの範囲内、飽和磁束密度Ｂsに対する残留
磁束密度Ｂrの比である角形比（Ｂr／Ｂs）が０．７以
上である。
が１．４Ｔ以上、固有保磁力Ｈcjが１ｋＡ／ｍ≦Ｈcj＜
５０ｋＡ／ｍの範囲内、飽和磁束密度Ｂsに対する残留
磁束密度Ｂrの比である角形比（Ｂr／Ｂs）が０．７以
上である。
【００１１】本発明による半硬質磁性材料用合金の製造
方法は、Ｆｅ100-x-yＢxＲyの組成式、Ｆｅ100-x-yＢx
ＲyＭzの組成式、または（Ｆｅ1-mＣｏm）100-x-yＢxＲ
yＭzの組成式の何れかによって表され（Ｆｅは鉄、Ｃｏ
はコバルト、Ｂはボロン、ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、
Ｎｄ、およびＳｍからなる群から選択された少なくとも
１種の希土類元素、ＭはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａ
ｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、およびＰｂからなる
群から選択された少なくとも１種の元素）、前記組成式
中のｘ、ｙ、ｚ、およびｍが、７原子％≦ｘ＜１５原子
％、０．５原子％≦ｙ≦４原子％、０．１原子％≦ｚ≦
７原子％、および０．００１≦ｍ≦０．５の関係を満足
する合金溶湯を形成する工程と、前記合金溶湯をメルト
クエンチング法によって急冷し、アモルファス相を含む
急冷凝固合金を形成する急冷工程とを包含する。
方法は、Ｆｅ100-x-yＢxＲyの組成式、Ｆｅ100-x-yＢx
ＲyＭzの組成式、または（Ｆｅ1-mＣｏm）100-x-yＢxＲ
yＭzの組成式の何れかによって表され（Ｆｅは鉄、Ｃｏ
はコバルト、Ｂはボロン、ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、
Ｎｄ、およびＳｍからなる群から選択された少なくとも
１種の希土類元素、ＭはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａ
ｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、およびＰｂからなる
群から選択された少なくとも１種の元素）、前記組成式
中のｘ、ｙ、ｚ、およびｍが、７原子％≦ｘ＜１５原子
％、０．５原子％≦ｙ≦４原子％、０．１原子％≦ｚ≦
７原子％、および０．００１≦ｍ≦０．５の関係を満足
する合金溶湯を形成する工程と、前記合金溶湯をメルト
クエンチング法によって急冷し、アモルファス相を含む
急冷凝固合金を形成する急冷工程とを包含する。
【００１２】本発明による半硬質磁性材料の製造方法
は、Ｆｅ100-x-yＢxＲyの組成式、Ｆｅ100-x-yＢxＲyＭ
zの組成式、または（Ｆｅ1-mＣｏm）100-x-yＢxＲyＭz
の組成式の何れかによって表され（Ｆｅは鉄、Ｃｏはコ
バルト、Ｂはボロン、ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、およびＳｍからなる群から選択された少なくとも１
種の希土類元素、ＭはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａ
ｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、およびＰｂからなる
群から選択された少なくとも１種の元素）、前記組成式
中のｘ、ｙ、ｚ、およびｍが、７原子％≦ｘ＜１５原子
％、０．５原子％≦ｙ≦４原子％、０．１原子％≦ｚ≦
７原子％、および０．００１≦ｍ≦０．５の関係を満足
する合金溶湯を形成する工程と、前記合金溶湯をメルト
クエンチング法によって急冷し、アモルファス相を含む
急冷凝固合金を形成する急冷工程と、前記急冷凝固合金
を加熱することによって、平均結晶粒径が１００ｎｍ以
下である微結晶を構成相中に生成する熱処理工程とを包
含する。
は、Ｆｅ100-x-yＢxＲyの組成式、Ｆｅ100-x-yＢxＲyＭ
zの組成式、または（Ｆｅ1-mＣｏm）100-x-yＢxＲyＭz
の組成式の何れかによって表され（Ｆｅは鉄、Ｃｏはコ
バルト、Ｂはボロン、ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、およびＳｍからなる群から選択された少なくとも１
種の希土類元素、ＭはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａ
ｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、およびＰｂからなる
群から選択された少なくとも１種の元素）、前記組成式
中のｘ、ｙ、ｚ、およびｍが、７原子％≦ｘ＜１５原子
％、０．５原子％≦ｙ≦４原子％、０．１原子％≦ｚ≦
７原子％、および０．００１≦ｍ≦０．５の関係を満足
する合金溶湯を形成する工程と、前記合金溶湯をメルト
クエンチング法によって急冷し、アモルファス相を含む
急冷凝固合金を形成する急冷工程と、前記急冷凝固合金
を加熱することによって、平均結晶粒径が１００ｎｍ以
下である微結晶を構成相中に生成する熱処理工程とを包
含する。
【００１３】前記微結晶は主にα−Ｆｅ微結晶から構成
されることが好ましい。
されることが好ましい。
【００１４】好ましい実施形態では、前記熱処理工程に
おいて、加熱温度を４００℃以上７００℃以下に設定
し、加熱時間を３０秒以上にする。
おいて、加熱温度を４００℃以上７００℃以下に設定
し、加熱時間を３０秒以上にする。
【００１５】前記メルトクエンチング法として、回転ロ
ール法、ガスアトマイズ法、回転ロール法とガスアトマ
イズ法を組み合わせた液体急冷法の何れかを用いること
が好ましい。
ール法、ガスアトマイズ法、回転ロール法とガスアトマ
イズ法を組み合わせた液体急冷法の何れかを用いること
が好ましい。
【００１６】本発明による他の半硬質磁性材料の製造方
法は、上記製造方法によって製造された半硬質磁性材料
用合金を加熱し、それによって半硬質磁性材料を製造す
ることを特徴とする。
法は、上記製造方法によって製造された半硬質磁性材料
用合金を加熱し、それによって半硬質磁性材料を製造す
ることを特徴とする。
【００１７】本発明によるヒステリシスカップリング装
置は、上記製造方法の何れかによって製造された半硬質
磁性材料から形成され、回転軸を中心に回転可能に支持
された第１の部材と、永久磁石材料から形成され、前記
第１の部材に対して前記回転軸方向に沿って間隙をおき
ながら前記回転軸を中心に回転可能に支持された第２の
部材とを備え、前記第１の部材と前記第２の部材との間
で磁力を介してトルク伝達を行い得る。
置は、上記製造方法の何れかによって製造された半硬質
磁性材料から形成され、回転軸を中心に回転可能に支持
された第１の部材と、永久磁石材料から形成され、前記
第１の部材に対して前記回転軸方向に沿って間隙をおき
ながら前記回転軸を中心に回転可能に支持された第２の
部材とを備え、前記第１の部材と前記第２の部材との間
で磁力を介してトルク伝達を行い得る。
【００１８】本発明による他のヒステリシスカップリン
グ装置は、上記製造方法の何れかによって製造された半
硬質磁性材料から形成され、回転可能に支持された第１
の部材と、永久磁石材料から形成され、前記第１の部材
に対して間隙をおいて回転可能に支持された第２の部材
とを備え、前記第１の部材と前記第２の部材との間で磁
力を介してトルク伝達を行い得る。
グ装置は、上記製造方法の何れかによって製造された半
硬質磁性材料から形成され、回転可能に支持された第１
の部材と、永久磁石材料から形成され、前記第１の部材
に対して間隙をおいて回転可能に支持された第２の部材
とを備え、前記第１の部材と前記第２の部材との間で磁
力を介してトルク伝達を行い得る。
【００１９】本発明による半硬質磁性材料用合金は、Ｆ
ｅ100-x-yＢxＲy、Ｆｅ100-x-yＢxＲyＭz、または（Ｆ
ｅ1-mＣｏm）100-x-yＢxＲyＭzの組成式（Ｆｅは鉄、Ｃ
ｏはコバルト、Ｂはボロン、ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、およびＳｍからなる群から選択された少なく
とも１種の希土類元素、ＭはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、およびＰｂか
らなる群から選択された少なくとも１種の元素である）
で表現され、前記組成式中のｘ、ｙ、ｚ、およびｍが、
７原子％≦ｘ＜１５原子％、０．５原子％≦ｙ≦４原子
％、０．１原子％≦ｚ≦７原子％、および０．００１≦
ｍ≦０．５の関係を満足することを特徴とする。この合
金を加熱することによって、本発明の半硬質磁性材料を
得ることができる。
ｅ100-x-yＢxＲy、Ｆｅ100-x-yＢxＲyＭz、または（Ｆ
ｅ1-mＣｏm）100-x-yＢxＲyＭzの組成式（Ｆｅは鉄、Ｃ
ｏはコバルト、Ｂはボロン、ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、およびＳｍからなる群から選択された少なく
とも１種の希土類元素、ＭはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、およびＰｂか
らなる群から選択された少なくとも１種の元素である）
で表現され、前記組成式中のｘ、ｙ、ｚ、およびｍが、
７原子％≦ｘ＜１５原子％、０．５原子％≦ｙ≦４原子
％、０．１原子％≦ｚ≦７原子％、および０．００１≦
ｍ≦０．５の関係を満足することを特徴とする。この合
金を加熱することによって、本発明の半硬質磁性材料を
得ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明者は、従来から軟磁性材料
として知られていた鉄基ナノ結晶合金材料にＬａ等の希
土類元素を添加することによって保磁力が増大し、半硬
質磁性材料としての性質が現れることを見いだし、本発
明を想到するにいたった。
として知られていた鉄基ナノ結晶合金材料にＬａ等の希
土類元素を添加することによって保磁力が増大し、半硬
質磁性材料としての性質が現れることを見いだし、本発
明を想到するにいたった。
【００２１】本発明は、Ｆｅ100-x-yＢxＲyの組成式、
Ｆｅ100-x-yＢxＲyＭzの組成式、または（Ｆｅ1-mＣ
ｏm）100-x-yＢxＲyＭzの組成式の何れかによって表さ
れた磁性材料である。ここで、Ｆｅは鉄、Ｃｏはコバル
ト、Ｂはボロン、ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、お
よびＳｍからなる群から選択された少なくとも１種の希
土類元素、ＭはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、およびＰｂからなる群から
選択された少なくとも１種の元素であり、前記組成式中
のｘ、ｙ、ｚ、およびｍは、７原子％≦ｘ＜１５原子
％、０．５原子％≦ｙ≦４原子％、０．１原子％≦ｚ≦
７原子％、および０．００１≦ｍ≦０．５の関係を満足
する。
Ｆｅ100-x-yＢxＲyＭzの組成式、または（Ｆｅ1-mＣ
ｏm）100-x-yＢxＲyＭzの組成式の何れかによって表さ
れた磁性材料である。ここで、Ｆｅは鉄、Ｃｏはコバル
ト、Ｂはボロン、ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、お
よびＳｍからなる群から選択された少なくとも１種の希
土類元素、ＭはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、およびＰｂからなる群から
選択された少なくとも１種の元素であり、前記組成式中
のｘ、ｙ、ｚ、およびｍは、７原子％≦ｘ＜１５原子
％、０．５原子％≦ｙ≦４原子％、０．１原子％≦ｚ≦
７原子％、および０．００１≦ｍ≦０．５の関係を満足
する。
【００２２】本発明による磁性材料は、上記組成の合金
溶湯をメルトクエンチング（melt-quenching）法によっ
て急冷し、アモルファス相を含む急冷凝固合金を形成し
た後、この急冷凝固合金を加熱することによって平均結
晶粒径が１００ｎｍ以下である微結晶を構成相中に形成
した半硬質（セミハード）のナノ結晶磁性材料である。
溶湯をメルトクエンチング（melt-quenching）法によっ
て急冷し、アモルファス相を含む急冷凝固合金を形成し
た後、この急冷凝固合金を加熱することによって平均結
晶粒径が１００ｎｍ以下である微結晶を構成相中に形成
した半硬質（セミハード）のナノ結晶磁性材料である。
【００２３】アモルファス相のままでは磁化が低く（Ｂ
ｓ＝１Ｔ）、加熱に対する磁気特性の安定性も低いの
で、平均結晶粒径が１００ｎｍ以下の微結晶相は、α−
Ｆｅ微結晶を主として含む以外に、他の鉄系化合物微結
晶を含んでいてもよい。結晶相を構成する微結晶の平均
粒径が１００ｎｍを超えると、Ｈcjが５０ｋＡ／ｍより
大きくなり、また角形比が０．７を下回ってしまうた
め、微結晶の平均粒径は１００ｎｍを超えないようにす
る必要がある。一方、微結晶の平均粒径は小さいほど好
ましいが、平均結晶粒径が１ｎｍ以下の結晶相を再現性
良く形成することは工業的に難しい。
ｓ＝１Ｔ）、加熱に対する磁気特性の安定性も低いの
で、平均結晶粒径が１００ｎｍ以下の微結晶相は、α−
Ｆｅ微結晶を主として含む以外に、他の鉄系化合物微結
晶を含んでいてもよい。結晶相を構成する微結晶の平均
粒径が１００ｎｍを超えると、Ｈcjが５０ｋＡ／ｍより
大きくなり、また角形比が０．７を下回ってしまうた
め、微結晶の平均粒径は１００ｎｍを超えないようにす
る必要がある。一方、微結晶の平均粒径は小さいほど好
ましいが、平均結晶粒径が１ｎｍ以下の結晶相を再現性
良く形成することは工業的に難しい。
【００２４】本発明の半硬質磁性材料は、１００ｎｍ以
下の微細なα−Ｆｅ結晶が分散し、交換相互作用を通じ
て各α−Ｆｅ微結晶が磁気的に相互結合している状態に
ある。適切な量のボロンおよび希土類元素を添加したこ
とによって、急冷凝固合金のアモルファス生産能を高め
ることができ、熱処理によって上記結晶組織の形成を実
現可能ならしめている。また、希土類元素の添加によっ
て結晶化後の保磁力が増大したが、これは急冷凝固後の
非晶質性を高める目的で添加した希土類元素が結果的に
磁歪を大きくしたためではないかと推察される。
下の微細なα−Ｆｅ結晶が分散し、交換相互作用を通じ
て各α−Ｆｅ微結晶が磁気的に相互結合している状態に
ある。適切な量のボロンおよび希土類元素を添加したこ
とによって、急冷凝固合金のアモルファス生産能を高め
ることができ、熱処理によって上記結晶組織の形成を実
現可能ならしめている。また、希土類元素の添加によっ
て結晶化後の保磁力が増大したが、これは急冷凝固後の
非晶質性を高める目的で添加した希土類元素が結果的に
磁歪を大きくしたためではないかと推察される。
【００２５】本発明の半硬質磁性材料は、飽和磁束密度
Ｂsが１．４Ｔ以上と高い値を示しながら、固有保磁力
Ｈcjが１ｋＡ／ｍ≦Ｈcj＜５０ｋＡ／ｍの範囲内にあ
り、しかも角形比Ｂr／Ｂsが０．７以上という角形ヒス
テリシス特性を発揮する。また、透磁率は２以上であ
る。 ［組成限定理由］ボロン（Ｂ）の含有量が７原子％未満
では、液体急冷法によって溶湯合金を急冷してもアモル
ファス組織が得られず、１５原子％以上になると飽和磁
束密度Ｂ sが１．４Ｔを下回る。このためボロン組成比
ｘは、７原子％≦ｘ＜１５原子％を満足する必要があ
り、８原子％≦ｘ≦１２原子％を満足することが好まし
い。
Ｂsが１．４Ｔ以上と高い値を示しながら、固有保磁力
Ｈcjが１ｋＡ／ｍ≦Ｈcj＜５０ｋＡ／ｍの範囲内にあ
り、しかも角形比Ｂr／Ｂsが０．７以上という角形ヒス
テリシス特性を発揮する。また、透磁率は２以上であ
る。 ［組成限定理由］ボロン（Ｂ）の含有量が７原子％未満
では、液体急冷法によって溶湯合金を急冷してもアモル
ファス組織が得られず、１５原子％以上になると飽和磁
束密度Ｂ sが１．４Ｔを下回る。このためボロン組成比
ｘは、７原子％≦ｘ＜１５原子％を満足する必要があ
り、８原子％≦ｘ≦１２原子％を満足することが好まし
い。
【００２６】希土類元素Ｒの含有量が０．５原子％未満
では、液体急冷法によって溶湯合金を急冷してもアモル
ファス相を含む急冷凝固合金が得られず、４原子％を超
えると、結晶化した後、１．４Ｔ以上の飽和磁束密度Ｂ
sを得ることができない。このため、希土類元素Ｒの組
成比ｙは、０．５原子％≦ｙ≦４原子％を満足する必要
があり、１．０原子％≦ｙ≦４原子％を満足することが
好ましい。なお、用いる希土類元素として、周期律表の
Ｇｄよりも重い重希土類金属を排除している理由は、重
希土類元素の磁気モーメントとＦｅおよびＣｏの磁気モ
ーメントが反平行であり、磁化が互いに打ち消されて高
磁束密度が得られないためである。
では、液体急冷法によって溶湯合金を急冷してもアモル
ファス相を含む急冷凝固合金が得られず、４原子％を超
えると、結晶化した後、１．４Ｔ以上の飽和磁束密度Ｂ
sを得ることができない。このため、希土類元素Ｒの組
成比ｙは、０．５原子％≦ｙ≦４原子％を満足する必要
があり、１．０原子％≦ｙ≦４原子％を満足することが
好ましい。なお、用いる希土類元素として、周期律表の
Ｇｄよりも重い重希土類金属を排除している理由は、重
希土類元素の磁気モーメントとＦｅおよびＣｏの磁気モ
ーメントが反平行であり、磁化が互いに打ち消されて高
磁束密度が得られないためである。
【００２７】元素Ｍの添加は、角形比Ｂr／Ｂsの向上、
および最適な磁気特性を発揮し得る使用温度範囲の拡大
などの効果をもたらす。元素Ｍの含有量が０．１原子％
未満では、このような効果が充分に発揮されず、７原子
％を超えると飽和磁束密度Ｂ sが低下しだす。このた
め、添加元素Ｍの組成比ｚは、０．１原子％≦ｚ≦７原
子％を満足する必要があり、０．５原子％≦ｚ≦５原子
％を満足することが好ましい。
および最適な磁気特性を発揮し得る使用温度範囲の拡大
などの効果をもたらす。元素Ｍの含有量が０．１原子％
未満では、このような効果が充分に発揮されず、７原子
％を超えると飽和磁束密度Ｂ sが低下しだす。このた
め、添加元素Ｍの組成比ｚは、０．１原子％≦ｚ≦７原
子％を満足する必要があり、０．５原子％≦ｚ≦５原子
％を満足することが好ましい。
【００２８】コバルト（Ｃｏ）は、Ｆｅの一部と置換さ
れることによって角形比を向上させる効果を発揮する。
このため、角形比を特に高めたい場合にＣｏを添加する
ことが好ましい。しかし、Ｆｅに対するＣｏ置換量が
０．１％未満では、このような効果は充分に発揮され
ず、また５０％を超えると１．４Ｔ以上の飽和磁束密度
Ｂ sを得ることができない。従って、Ｃｏ置換量ｍは、
０．００１≦ｍ≦０．５である必要があり、０．００５
≦ｍ≦０．１とすることが好ましい。
れることによって角形比を向上させる効果を発揮する。
このため、角形比を特に高めたい場合にＣｏを添加する
ことが好ましい。しかし、Ｆｅに対するＣｏ置換量が
０．１％未満では、このような効果は充分に発揮され
ず、また５０％を超えると１．４Ｔ以上の飽和磁束密度
Ｂ sを得ることができない。従って、Ｃｏ置換量ｍは、
０．００１≦ｍ≦０．５である必要があり、０．００５
≦ｍ≦０．１とすることが好ましい。
【００２９】なお、Ｆｅは上記元素の含有残余を占めて
いる。
いる。
【００３０】次に、本発明による半硬質磁性材料の製造
方法の実施形態を説明する。
方法の実施形態を説明する。
【００３１】まず、前述の組成式で表現される諸成分を
組成式に示される組成比で含む原料を用意し、この原料
を加熱し溶融することによって合金溶湯を作製する。
組成式に示される組成比で含む原料を用意し、この原料
を加熱し溶融することによって合金溶湯を作製する。
【００３２】この合金溶湯をメルトクエンチング法によ
って超急冷し、アモルファス相を含む急冷凝固合金を形
成する。このとき、メルトクエンチング法としては、回
転ロール法、ガスアトマイズ法、回転ロール法とガスア
トマイズ法とを組み合わせて行う方法の何れかを用いる
ことが好ましい。
って超急冷し、アモルファス相を含む急冷凝固合金を形
成する。このとき、メルトクエンチング法としては、回
転ロール法、ガスアトマイズ法、回転ロール法とガスア
トマイズ法とを組み合わせて行う方法の何れかを用いる
ことが好ましい。
【００３３】超急冷工程の後、急冷凝固合金に対する熱
処理を行うことによって平均結晶粒径が１００ｎｍ以下
である微結晶を構成相中に生成する。この熱処理は、４
００℃〜７００℃、より好ましくは５００℃〜７００℃
の温度で３０秒以上加熱することが好ましい。このよう
な条件で熱処理を行えば、主にα−Ｆｅ微結晶から構成
される微結晶をその平均結晶粒径が１００ｎｍ以下にな
るように形成することができる。好ましい熱処理時間は
熱処理温度に依存して異なるが、例えば６００℃で熱処
理する場合、５分〜３０分程度の加熱を行うことが好ま
しい。
処理を行うことによって平均結晶粒径が１００ｎｍ以下
である微結晶を構成相中に生成する。この熱処理は、４
００℃〜７００℃、より好ましくは５００℃〜７００℃
の温度で３０秒以上加熱することが好ましい。このよう
な条件で熱処理を行えば、主にα−Ｆｅ微結晶から構成
される微結晶をその平均結晶粒径が１００ｎｍ以下にな
るように形成することができる。好ましい熱処理時間は
熱処理温度に依存して異なるが、例えば６００℃で熱処
理する場合、５分〜３０分程度の加熱を行うことが好ま
しい。
【００３４】ここに説明した製造方法によれば、飽和磁
束密度Ｂsが１．４Ｔ以上と高い値を示しながら、固有
保磁力Ｈcjが１ｋＡ／ｍ≦Ｈcj＜５０ｋＡ／ｍの範囲内
にあり、しかも角形比Ｂr／Ｂsが０．７以上という着磁
性に優れた半硬質磁性材料を再現性良く製造することが
できる。 （実施例）以下、本発明による半硬質磁性材料の実施例
を説明する。
束密度Ｂsが１．４Ｔ以上と高い値を示しながら、固有
保磁力Ｈcjが１ｋＡ／ｍ≦Ｈcj＜５０ｋＡ／ｍの範囲内
にあり、しかも角形比Ｂr／Ｂsが０．７以上という着磁
性に優れた半硬質磁性材料を再現性良く製造することが
できる。 （実施例）以下、本発明による半硬質磁性材料の実施例
を説明する。
【００３５】実施例Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１１の各々につい
て、純度９９．５％以上のＦｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｂ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、およびＮｂをその総量が３０グラムとなるよ
うに秤量し、石英るつぼ内に投入した。各実施例Ｎｏ．
１〜Ｎｏ．１１の組成は表１に示す通りとした。石英る
つぼは、底部に直径０．８ｍｍのオリフィスを有してい
るため、上記原料は石英るつぼ内で溶解された後、合金
溶湯となってオリフィスから下方に滴下することにな
る。原料の溶解は、圧力が１．３３ｋＰａのアルゴン雰
囲気下において高周波加熱法を用いて行った。本実施例
では、溶解温度を１３００℃に設定した。
て、純度９９．５％以上のＦｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｂ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、およびＮｂをその総量が３０グラムとなるよ
うに秤量し、石英るつぼ内に投入した。各実施例Ｎｏ．
１〜Ｎｏ．１１の組成は表１に示す通りとした。石英る
つぼは、底部に直径０．８ｍｍのオリフィスを有してい
るため、上記原料は石英るつぼ内で溶解された後、合金
溶湯となってオリフィスから下方に滴下することにな
る。原料の溶解は、圧力が１．３３ｋＰａのアルゴン雰
囲気下において高周波加熱法を用いて行った。本実施例
では、溶解温度を１３００℃に設定した。
【００３６】合金溶湯の湯面を２６．７ｋＰａで加圧す
ることによって、オリフィスの下方０．７ｍｍの位置に
ある銅製ロールの外周面に対し溶湯を噴出させた。ロー
ルは、その外周面の温度が室温程度に維持されるように
内部で冷却されながら高速で回転する。このため、オリ
フィスから滴下した合金溶湯はロール周面に接触して熱
を奪われつつ、周速度方向に飛ばされることになる。合
金溶湯はオリフィスを介して連続的にロール周面上に滴
下されるため、急冷によって凝固した合金は薄帯状に長
く延びたリボン（幅：１〜２ｍｍ、厚さ：１０〜２０μ
ｍ）の形態を持つことになる。
ることによって、オリフィスの下方０．７ｍｍの位置に
ある銅製ロールの外周面に対し溶湯を噴出させた。ロー
ルは、その外周面の温度が室温程度に維持されるように
内部で冷却されながら高速で回転する。このため、オリ
フィスから滴下した合金溶湯はロール周面に接触して熱
を奪われつつ、周速度方向に飛ばされることになる。合
金溶湯はオリフィスを介して連続的にロール周面上に滴
下されるため、急冷によって凝固した合金は薄帯状に長
く延びたリボン（幅：１〜２ｍｍ、厚さ：１０〜２０μ
ｍ）の形態を持つことになる。
【００３７】本実施例で採用する片ロール法の場合、冷
却速度はロール周速度および単位時間当たりの溶湯流下
量によって規定される。なお、流下量はオリフィス径
（断面積）と溶湯圧力とに依存し、実施例ではオリフィ
スは径０．８ｍｍ、溶湯噴射圧は２６．７Ｐａとし、流
下レートは約０．６ｋｇ／ｍｉｎであった。本実施例で
はロール周速度Ｖｓを４０ｍ／秒に設定した。本発明の
半硬質磁性材料を製造するには、合金溶湯を急冷する際
の冷却速度が重要なパラメータとなる。アモルファス相
を含む急冷凝固合金とするためには、冷却速度は１０4
℃／ｓｅｃ以上であることが好ましく、この範囲の冷却
速度を達成するには、ロール周速度を２０ｍ／ｓｅｃ以
上に設定することが好ましい。
却速度はロール周速度および単位時間当たりの溶湯流下
量によって規定される。なお、流下量はオリフィス径
（断面積）と溶湯圧力とに依存し、実施例ではオリフィ
スは径０．８ｍｍ、溶湯噴射圧は２６．７Ｐａとし、流
下レートは約０．６ｋｇ／ｍｉｎであった。本実施例で
はロール周速度Ｖｓを４０ｍ／秒に設定した。本発明の
半硬質磁性材料を製造するには、合金溶湯を急冷する際
の冷却速度が重要なパラメータとなる。アモルファス相
を含む急冷凝固合金とするためには、冷却速度は１０4
℃／ｓｅｃ以上であることが好ましく、この範囲の冷却
速度を達成するには、ロール周速度を２０ｍ／ｓｅｃ以
上に設定することが好ましい。
【００３８】こうして得た急冷合金の薄帯に対し、Ｃｕ
Ｋαの特性Ｘ線による分析を行った。その結果、合金薄
帯がアモルファス状態、または、わずかにα−Ｆｅを含
むアモルファス状態にあることが確認された。本実施例
では、構成相が全体の９０体積％以上のアモルファス相
を含んでいた。
Ｋαの特性Ｘ線による分析を行った。その結果、合金薄
帯がアモルファス状態、または、わずかにα−Ｆｅを含
むアモルファス状態にあることが確認された。本実施例
では、構成相が全体の９０体積％以上のアモルファス相
を含んでいた。
【００３９】この急冷薄帯に対し、表１に示す温度での
熱処理をアルゴン雰囲気中にて１０分間行い、結晶化を
実行した。この熱処理後、室温まで冷却した薄帯から幅
１〜２ｍｍ、厚さ１０〜２０μｍ、長さ３〜５ｍｍの試
料を作製し、各試料に対する磁気特性の測定をＶＳＭに
よって行った。表２は、測定結果を示している。
熱処理をアルゴン雰囲気中にて１０分間行い、結晶化を
実行した。この熱処理後、室温まで冷却した薄帯から幅
１〜２ｍｍ、厚さ１０〜２０μｍ、長さ３〜５ｍｍの試
料を作製し、各試料に対する磁気特性の測定をＶＳＭに
よって行った。表２は、測定結果を示している。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【表２】 表１において、例えば「Ｒ」と表示している欄の「Ｌａ
3」は希土類元素としてＬａを３原子％添加したことを
示しており、「Ｌａ3＋Ｃｅ1」は希土類元素としてＬａ
を３原子％、Ｃｅを１原子％添加したことを示してい
る。
3」は希土類元素としてＬａを３原子％添加したことを
示しており、「Ｌａ3＋Ｃｅ1」は希土類元素としてＬａ
を３原子％、Ｃｅを１原子％添加したことを示してい
る。
【００４２】表２からわかるように、実施例Ｎｏ．１〜
Ｎｏ．１１はいずれも１．４Ｔ以上の飽和磁束密度Ｂs
と０．７以上の角形比Ｂr／Ｂsを示し、固有保磁力Ｈcj
も１ｋＡ／ｍ≦Ｈcj＜５０ｋＡ／ｍの範囲内にあった。
Ｎｏ．１１はいずれも１．４Ｔ以上の飽和磁束密度Ｂs
と０．７以上の角形比Ｂr／Ｂsを示し、固有保磁力Ｈcj
も１ｋＡ／ｍ≦Ｈcj＜５０ｋＡ／ｍの範囲内にあった。
【００４３】図１（ａ）および（ｂ）は、実施例Ｎｏ．
１、Ｎｏ．７、およびＮｏ．９について、それぞれ、熱
処理温度と磁気特性（ＢsおよびＨcj）との関係を示し
ている。図１（ｂ）から、ＣｕやＮｂの添加によって固
有保磁力Ｈcjの増加が抑制されることがわかる。これ
は、ＣｕやＮｂが熱処理による結晶成長を抑制し、結晶
粒径を小さくするためである。
１、Ｎｏ．７、およびＮｏ．９について、それぞれ、熱
処理温度と磁気特性（ＢsおよびＨcj）との関係を示し
ている。図１（ｂ）から、ＣｕやＮｂの添加によって固
有保磁力Ｈcjの増加が抑制されることがわかる。これ
は、ＣｕやＮｂが熱処理による結晶成長を抑制し、結晶
粒径を小さくするためである。
【００４４】図２（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、実
施例Ｎｏ．１およびＮｏ．９について、Ｘ線回折パター
ンの熱処理温度依存性を示している。グラフ中の黒丸は
α−Ｆｅ結晶の回折ピークを示している。図２（ａ）お
よび（ｂ）から、熱処理前（as-spun）にはほとんどア
モルファス状態にあった合金中に熱処理によってα−Ｆ
ｅ結晶相が成長してゆくことがわかる。また、熱処理後
の結晶相の結晶粒径を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によ
って分析したところ、平均結晶粒径は何れの試料につい
ても３０ｎｍ以下であった。
施例Ｎｏ．１およびＮｏ．９について、Ｘ線回折パター
ンの熱処理温度依存性を示している。グラフ中の黒丸は
α−Ｆｅ結晶の回折ピークを示している。図２（ａ）お
よび（ｂ）から、熱処理前（as-spun）にはほとんどア
モルファス状態にあった合金中に熱処理によってα−Ｆ
ｅ結晶相が成長してゆくことがわかる。また、熱処理後
の結晶相の結晶粒径を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によ
って分析したところ、平均結晶粒径は何れの試料につい
ても３０ｎｍ以下であった。
【００４５】上記実施例では、急冷凝固合金としてアモ
ルファス相が９０体積％を占める半硬質磁性材料合金を
作製した後、熱処理によって結晶化を実行したが、本発
明の半硬質磁性材料は、冷却速度の調節によって、溶湯
合金を急冷凝固させただけでも作製することが可能であ
る。その場合、急冷凝固合金中に既にα−Ｆｅ微結晶が
存在しており、その後の熱処理は必ずしも必要ない。
ルファス相が９０体積％を占める半硬質磁性材料合金を
作製した後、熱処理によって結晶化を実行したが、本発
明の半硬質磁性材料は、冷却速度の調節によって、溶湯
合金を急冷凝固させただけでも作製することが可能であ
る。その場合、急冷凝固合金中に既にα−Ｆｅ微結晶が
存在しており、その後の熱処理は必ずしも必要ない。
【００４６】ただし、いったんアモルファス相の多い状
態の急冷凝固合金を作製した後、熱処理を行うことによ
って所望の結晶組織を形成する方法の方が安定した特性
の半硬質磁性材料を製造できるため好ましいと考えられ
る。［ヒステリシスカップリング装置］以下、図３〜図
５を参照しながら、本発明によるヒステリシスカップリ
ング装置の実施形態を説明する。
態の急冷凝固合金を作製した後、熱処理を行うことによ
って所望の結晶組織を形成する方法の方が安定した特性
の半硬質磁性材料を製造できるため好ましいと考えられ
る。［ヒステリシスカップリング装置］以下、図３〜図
５を参照しながら、本発明によるヒステリシスカップリ
ング装置の実施形態を説明する。
【００４７】本実施形態にかかるヒステリシスカップリ
ング装置１０は、図３（ａ）および（ｂ）に示すよう
に、中空円筒状ケース１２と中空円筒状のシャフト１４
とを備えており、ケース１２の内周面およびシャフト１
４の外周面には、それぞれ、中空円筒状の半硬質磁性部
材１６および中空円筒状の永久磁石１８が固着されてい
る。この半硬質磁性部材１６は、本発明による半硬質磁
性材料から形成される。
ング装置１０は、図３（ａ）および（ｂ）に示すよう
に、中空円筒状ケース１２と中空円筒状のシャフト１４
とを備えており、ケース１２の内周面およびシャフト１
４の外周面には、それぞれ、中空円筒状の半硬質磁性部
材１６および中空円筒状の永久磁石１８が固着されてい
る。この半硬質磁性部材１６は、本発明による半硬質磁
性材料から形成される。
【００４８】シャフト１４は、その半硬質磁性部材１６
が永久磁石１８とギャップＧを介して対向するようにケ
ース１２内に挿入され、軸受けフランジ２０によって支
持されている。軸受けフランジ２０は溶接などによって
ケース１２に一端に装着される。ケース１２の他端には
凸部２２ａおよび２２ｂが形成されており、凸部２２ａ
および２２ｂは図３（ａ）において不図示の装置に連結
される。
が永久磁石１８とギャップＧを介して対向するようにケ
ース１２内に挿入され、軸受けフランジ２０によって支
持されている。軸受けフランジ２０は溶接などによって
ケース１２に一端に装着される。ケース１２の他端には
凸部２２ａおよび２２ｂが形成されており、凸部２２ａ
および２２ｂは図３（ａ）において不図示の装置に連結
される。
【００４９】半硬質磁性部材１６と永久磁石１８との間
には上述のようにギャップＧが存在するが、ケース１２
とシャフト１４とは共通の軸を中心に回転自在に配置さ
れているため、半硬質磁性部材１６と永久磁石１８との
間に働く磁力を介してケース１２とシャフト１４との間
でトルク伝達を行うことができる。
には上述のようにギャップＧが存在するが、ケース１２
とシャフト１４とは共通の軸を中心に回転自在に配置さ
れているため、半硬質磁性部材１６と永久磁石１８との
間に働く磁力を介してケース１２とシャフト１４との間
でトルク伝達を行うことができる。
【００５０】図４は、上記ヒステリシスカップリング装
置１０をトルクリミッタとして備えた複写機等の給紙機
構１００を示している。この給紙機構１００を例にとっ
て、ヒステリシスカップリング装置１０の動作を説明す
る。
置１０をトルクリミッタとして備えた複写機等の給紙機
構１００を示している。この給紙機構１００を例にとっ
て、ヒステリシスカップリング装置１０の動作を説明す
る。
【００５１】図４の給紙機構１００において、ヒステリ
シスカップリング装置１０は凸部２２ａおよび２２ｂを
介して摩擦ローラ２８に接続され、摩擦ローラ２８は給
紙ローラ３０に対して所定圧力で押しつけられる。ヒス
テリシスカップリング装置１０のシャフト１４にはプー
リ３２およびモータ３４が連結されるとともに、給紙ロ
ーラ３０にはプーリ３６が連結されている。この例で
は、プーリ３２および３６にベルトが装着されている
が、ベルト３８の代わりにギアなどの動力伝達手段を用
いても良い。
シスカップリング装置１０は凸部２２ａおよび２２ｂを
介して摩擦ローラ２８に接続され、摩擦ローラ２８は給
紙ローラ３０に対して所定圧力で押しつけられる。ヒス
テリシスカップリング装置１０のシャフト１４にはプー
リ３２およびモータ３４が連結されるとともに、給紙ロ
ーラ３０にはプーリ３６が連結されている。この例で
は、プーリ３２および３６にベルトが装着されている
が、ベルト３８の代わりにギアなどの動力伝達手段を用
いても良い。
【００５２】モータ３４の生成したトルクはヒステリシ
スカップリング装置１０を介して摩擦ローラ２８に伝え
られ、用紙を戻す方向Ｅに一定のトルクが常に与えられ
る。給紙ローラ３０と摩擦ローラ２８との間に２枚の用
紙４０ａおよび４０ｂが案内された場合（重送時）、摩
擦ローラ２８は矢印Ｄ１で示す方向に回転し、それによ
って２枚目の用紙４０ｂを１枚目の用紙４０ａとは分離
して矢印Ｅの方向に戻そうとする。このとき、ヒステリ
シスカップリング装置１０のケース１２およびシャフト
１４は、図５（ａ）の矢印で示すように同方向に回転す
る。
スカップリング装置１０を介して摩擦ローラ２８に伝え
られ、用紙を戻す方向Ｅに一定のトルクが常に与えられ
る。給紙ローラ３０と摩擦ローラ２８との間に２枚の用
紙４０ａおよび４０ｂが案内された場合（重送時）、摩
擦ローラ２８は矢印Ｄ１で示す方向に回転し、それによ
って２枚目の用紙４０ｂを１枚目の用紙４０ａとは分離
して矢印Ｅの方向に戻そうとする。このとき、ヒステリ
シスカップリング装置１０のケース１２およびシャフト
１４は、図５（ａ）の矢印で示すように同方向に回転す
る。
【００５３】一方、給紙ローラ３０と摩擦ローラ２８と
が一枚の用紙４０を挟んで接しているとき（通常の給紙
時）は、摩擦ローラ２８が給紙ローラ３０と一緒に用紙
を送り出す方向に回転する。このとき、ケース１２は、
図５（ｂ）に示すように、シャフト１４とは反対方向に
回転する。
が一枚の用紙４０を挟んで接しているとき（通常の給紙
時）は、摩擦ローラ２８が給紙ローラ３０と一緒に用紙
を送り出す方向に回転する。このとき、ケース１２は、
図５（ｂ）に示すように、シャフト１４とは反対方向に
回転する。
【００５４】このようにして用紙を一枚ずつ確実に送り
出すには、ヒステリシスカップリング装置１０が摩擦ロ
ーラ２８に伝達するトルクを用紙間の摩擦力よりも大き
くし、かつ、給紙ローラ３０の回転トルクよりも小さく
する必要がある。もし、ヒステリシスカップリング装置
１０によって摩擦ローラ２８に伝達されるトルクが用紙
間の摩擦力よりも小さいと、重送時に用紙４０ｂを矢印
Ｅ方向に押し戻すことができない。逆に、ヒステリシス
カップリング装置１０によって摩擦ローラ２８に伝達さ
れるトルクが給紙ローラ３０の回転トルクよりも大きい
と、通常給紙時に用紙を矢印Ｅの方向に押し戻してしま
うことになる。
出すには、ヒステリシスカップリング装置１０が摩擦ロ
ーラ２８に伝達するトルクを用紙間の摩擦力よりも大き
くし、かつ、給紙ローラ３０の回転トルクよりも小さく
する必要がある。もし、ヒステリシスカップリング装置
１０によって摩擦ローラ２８に伝達されるトルクが用紙
間の摩擦力よりも小さいと、重送時に用紙４０ｂを矢印
Ｅ方向に押し戻すことができない。逆に、ヒステリシス
カップリング装置１０によって摩擦ローラ２８に伝達さ
れるトルクが給紙ローラ３０の回転トルクよりも大きい
と、通常給紙時に用紙を矢印Ｅの方向に押し戻してしま
うことになる。
【００５５】このような性能を有するヒステリシスカッ
プリング装置１０を製造するには、安定したヒステリシ
ス特性を発揮する半硬質磁性材料が必要であり、また、
その飽和磁束密度を大きくすることによって、小型化し
ても所望の大きさのトルクを伝達することができるよう
になる。本実施形態によれば、飽和磁束密度の高い半硬
質磁性材料を用いてため、ヒステリシスカップリング装
置１０を小型化・軽量化し、その結果、給紙機構そのも
のを小型化することが可能になる。
プリング装置１０を製造するには、安定したヒステリシ
ス特性を発揮する半硬質磁性材料が必要であり、また、
その飽和磁束密度を大きくすることによって、小型化し
ても所望の大きさのトルクを伝達することができるよう
になる。本実施形態によれば、飽和磁束密度の高い半硬
質磁性材料を用いてため、ヒステリシスカップリング装
置１０を小型化・軽量化し、その結果、給紙機構そのも
のを小型化することが可能になる。
【００５６】次に、図６を参照しながら、本発明による
ヒステリシスカップリング装置の他の実施形態を説明す
る。
ヒステリシスカップリング装置の他の実施形態を説明す
る。
【００５７】このヒステリシスカップリング装置は、回
転自在に支持された円盤状の永久磁石６０と、同じよう
に回転自在に支持された円盤状の半硬質磁性部材６２と
を備えている。半硬質磁性部材６２の回転軸は永久磁石
６０の回転軸と一致し、半硬質磁性部材６２と永久磁石
６０とは僅かのギャップを介して相対向している。
転自在に支持された円盤状の永久磁石６０と、同じよう
に回転自在に支持された円盤状の半硬質磁性部材６２と
を備えている。半硬質磁性部材６２の回転軸は永久磁石
６０の回転軸と一致し、半硬質磁性部材６２と永久磁石
６０とは僅かのギャップを介して相対向している。
【００５８】永久磁石６０と半硬質磁性部材６２との間
で磁力を介したトルク伝達が行われる点は、前述の実施
形態と同様であるが、半硬質磁性部材６２が永久磁石６
０に対して回転軸に平行な方向に距離を置いて配置され
ている点で前述の実施形態と異なっている。このように
トルクを伝達するために求められる永久磁石と半硬質磁
性部材との配置関係は自由度が高く、図示したものに限
定されない。
で磁力を介したトルク伝達が行われる点は、前述の実施
形態と同様であるが、半硬質磁性部材６２が永久磁石６
０に対して回転軸に平行な方向に距離を置いて配置され
ている点で前述の実施形態と異なっている。このように
トルクを伝達するために求められる永久磁石と半硬質磁
性部材との配置関係は自由度が高く、図示したものに限
定されない。
【００５９】図６に示す構成の場合でも、用いる半硬質
磁性部材の飽和磁束密度が従来よりも向上しているた
め、大きなトルク伝達が可能になる。このため、必要な
トルク伝達特性を維持しながら永久磁石および半硬質磁
性部材を小さくすることができ、ヒステリシスカップリ
ング装置を小型化・軽量化することが可能になる。
磁性部材の飽和磁束密度が従来よりも向上しているた
め、大きなトルク伝達が可能になる。このため、必要な
トルク伝達特性を維持しながら永久磁石および半硬質磁
性部材を小さくすることができ、ヒステリシスカップリ
ング装置を小型化・軽量化することが可能になる。
【００６０】なお、本発明の半硬質磁性材料の用途は、
ヒステリシスカップリング装置に限られるものではな
く、各種リレー、スイッチ、半固定メモリ、ヒステリシ
スモータ等他の種々の装置に適用可能である。
ヒステリシスカップリング装置に限られるものではな
く、各種リレー、スイッチ、半固定メモリ、ヒステリシ
スモータ等他の種々の装置に適用可能である。
【００６１】
【発明の効果】本発明によれば、従来の半硬質磁性材料
によっては得られなかった高い残留磁束密度Ｂrを示す
ヒステリシス特性が得られるため、ヒステリシスモータ
やヒステリシスカップリング装置等の小型化・軽量化が
可能になる。
によっては得られなかった高い残留磁束密度Ｂrを示す
ヒステリシス特性が得られるため、ヒステリシスモータ
やヒステリシスカップリング装置等の小型化・軽量化が
可能になる。
【図１】（ａ）は、本発明の実施例について、熱処理温
度と飽和磁束密度（Ｂs）との関係を示すグラフであ
り、（ｂ）は、熱処理温度と保磁力（Ｈcj）との関係を
示しを示すグラフである。
度と飽和磁束密度（Ｂs）との関係を示すグラフであ
り、（ｂ）は、熱処理温度と保磁力（Ｈcj）との関係を
示しを示すグラフである。
【図２】（ａ）および（ｂ）は、いずれも、本発明の実
施例について、Ｘ線回折パターンの熱処理温度依存性を
示すグラフである。
施例について、Ｘ線回折パターンの熱処理温度依存性を
示すグラフである。
【図３】（ａ）は、本発明によるヒステリシスカップリ
ング装置の実施形態（トルクリミッタ）を示す軸方向断
面図であり、（ｂ）は、その軸方向に垂直な断面図であ
る。
ング装置の実施形態（トルクリミッタ）を示す軸方向断
面図であり、（ｂ）は、その軸方向に垂直な断面図であ
る。
【図４】本発明の実施形態にかかるヒステリシスカップ
リング装置を備えた給紙機構の斜視図である。
リング装置を備えた給紙機構の斜視図である。
【図５】（ａ）は、図４に示すヒステリシスカップリン
グ装置の重送時の動作状態を示す主要部断面図であり、
（ｂ）は通常給紙時の動作状態を示す主要部断面図であ
る。
グ装置の重送時の動作状態を示す主要部断面図であり、
（ｂ）は通常給紙時の動作状態を示す主要部断面図であ
る。
【図６】本発明によるヒステリシスカップリング装置の
他の実施形態を示す構成図である。
他の実施形態を示す構成図である。
１２ 中空円筒状ケース １４ シャフト １６ 半硬質磁性部材 １８ 永久磁石 ２０ 軸受けフランジ ３２ プーリ ３４ モータ ３６ プーリ １００ 複写機の給紙機構
Claims (13)
- 【請求項１】 Ｆｅ100-x-yＢxＲy（Ｆｅは鉄、Ｂはボ
ロン、ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、およびＳｍか
らなる群から選択された少なくとも１種の希土類元素）
の組成式で表される半硬質磁性材料であって、 前記組成式中のｘおよびｙが、 ７原子％≦ｘ＜１５原子％、および０．５原子％≦ｙ≦
４原子％の関係を満足し、かつ構成相として、平均結晶
粒径が１００ｎｍ以下であるα−Ｆｅ微結晶を含んでい
ることを特徴とする半硬質磁性材料。 - 【請求項２】 Ｆｅ100-x-yＢxＲyＭz（Ｆｅは鉄、Ｂは
ボロン、ＲはＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、およびＳｍ
からなる群から選択された少なくとも１種の希土類元
素、ＭはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、およびＰｂからなる群から選択さ
れた少なくとも１種の元素）の組成式で表される半硬質
磁性材料であって、 前記組成式中のｘ、ｙ、およびｚが、 ７原子％≦ｘ＜１５原子％、 ０．５原子％≦ｙ≦４原子％、および０．１原子％≦ｚ
≦７原子％の関係を満足し、かつ構成相として、平均結
晶粒径が１００ｎｍ以下であるα−Ｆｅ微結晶を含んで
いることを特徴とする半硬質磁性材料。 - 【請求項３】 （Ｆｅ1-mＣｏm）100-x-yＢxＲyＭz（Ｆ
ｅは鉄、Ｃｏはコバルト、Ｂはボロン、ＲはＹ、Ｌａ、
Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、およびＳｍからなる群から選択され
た少なくとも１種の希土類元素、ＭはＡｌ、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、およ
びＰｂからなる群から選択された少なくとも１種の元
素）の組成式で表される半硬質磁性材料であって、 前記組成式中のｘ、ｙ、ｚ、およびｍが、 ７原子％≦ｘ＜１５原子％、 ０．５原子％≦ｙ≦４原子％、 ０．１原子％≦ｚ≦７原子％、および０．００１≦ｍ≦
０．５の関係を満足し、かつ構成相として、平均結晶粒
径が１００ｎｍ以下であるα−Ｆｅ微結晶を含んでいる
ことを特徴とする半硬質磁性材料。 - 【請求項４】 前記構成相中にはα−Ｆｅ微結晶以外の
鉄系強磁性相が存在し、その平均結晶粒径が１００ｎｍ
以下であることを特徴とする請求項１から３の何れかひ
とつに記載の半硬質磁性材料。 - 【請求項５】 飽和磁束密度Ｂsが１．４Ｔ以上、固有
保磁力Ｈcjが１ｋＡ／ｍ≦Ｈcj＜５０ｋＡ／ｍの範囲
内、飽和磁束密度Ｂsに対する残留磁束密度Ｂrの比であ
る角形比（Ｂr／Ｂs）が０．７以上である請求項１から
４の何れかひとつに記載の半硬質磁性材料。 - 【請求項６】 Ｆｅ100-x-yＢxＲyの組成式、Ｆｅ
100-x-yＢxＲyＭzの組成式、または（Ｆｅ1-mＣｏm）
100-x-yＢxＲyＭzの組成式の何れかによって表され（Ｆ
ｅは鉄、Ｃｏはコバルト、Ｂはボロン、ＲはＹ、Ｌａ、
Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、およびＳｍからなる群から選択され
た少なくとも１種の希土類元素、ＭはＡｌ、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、およ
びＰｂからなる群から選択された少なくとも１種の元
素）、前記組成式中のｘ、ｙ、ｚ、およびｍが、７原子
％≦ｘ＜１５原子％、０．５原子％≦ｙ≦４原子％、
０．１原子％≦ｚ≦７原子％、および０．００１≦ｍ≦
０．５の関係を満足する合金溶湯を形成する工程と、前
記合金溶湯をメルトクエンチング法によって急冷し、ア
モルファス相を含む急冷凝固合金を形成する急冷工程と
を包含する半硬質磁性材料用合金の製造方法。 - 【請求項７】 Ｆｅ100-x-yＢxＲyの組成式、Ｆｅ
100-x-yＢxＲyＭzの組成式、または（Ｆｅ1-mＣｏm）
100-x-yＢxＲyＭzの組成式の何れかによって表され（Ｆ
ｅは鉄、Ｃｏはコバルト、Ｂはボロン、ＲはＹ、Ｌａ、
Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、およびＳｍからなる群から選択され
た少なくとも１種の希土類元素、ＭはＡｌ、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、およ
びＰｂからなる群から選択された少なくとも１種の元
素）、前記組成式中のｘ、ｙ、ｚ、およびｍが、７原子
％≦ｘ＜１５原子％、０．５原子％≦ｙ≦４原子％、
０．１原子％≦ｚ≦７原子％、および０．００１≦ｍ≦
０．５の関係を満足する合金溶湯を形成する工程と、 前記合金溶湯をメルトクエンチング法によって急冷し、
アモルファス相を含む急冷凝固合金を形成する急冷工程
と、 前記急冷凝固合金を加熱することによって、平均結晶粒
径が１００ｎｍ以下である微結晶を構成相中に生成する
熱処理工程とを包含する半硬質磁性材料の製造方法。 - 【請求項８】 前記微結晶が主にα−Ｆｅ微結晶から構
成されることを特徴とする請求項７に記載の半硬質磁性
材料の製造方法。 - 【請求項９】 前記熱処理工程において、加熱温度を４
００℃以上７００℃以下に設定し、加熱時間を３０秒以
上にすることを特徴とする請求項７または８に記載の半
硬質磁性材料の製造方法。 - 【請求項１０】 前記メルトクエンチング法として、回
転ロール法、ガスアトマイズ法、回転ロール法とガスア
トマイズ法を組み合わせた液体急冷法の何れかを用いる
ことを特徴とする請求項７から９の何れかひとつに記載
の半硬質磁性材料の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項６に記載の製造方法によって製
造された半硬質磁性材料用合金を加熱し、それによって
半硬質磁性材料を製造することを特徴とする半硬質磁性
材料の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項７から１１の何れかひとつに記
載された製造方法によって製造した半硬質磁性材料から
形成され、回転可能に支持された第１の部材と、 永久磁石材料から形成され、前記第１の部材に対して間
隙をおいて回転可能に支持された第２の部材とを備え、
前記第１の部材と前記第２の部材との間で磁力を介して
トルク伝達を行い得るヒステリシスカップリング装置。 - 【請求項１３】Ｆｅ100-x-yＢxＲy、Ｆｅ100-x-yＢxＲy
Ｍz、または（Ｆｅ1-mＣｏm）100-x-yＢxＲyＭzの組成
式（Ｆｅは鉄、Ｃｏはコバルト、Ｂはボロン、ＲはＹ、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、およびＳｍからなる群から選
択された少なくとも１種の希土類元素、ＭはＡｌ、Ｓ
ｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ａ
ｕ、およびＰｂからなる群から選択された少なくとも１
種の元素である）で表現され、 前記組成式中のｘ、ｙ、ｚ、およびｍが、 ７原子％≦ｘ＜１５原子％、 ０．５原子％≦ｙ≦４原子％、 ０．１原子％≦ｚ≦７原子％、および０．００１≦ｍ≦
０．５の関係を満足することを特徴とする半硬質磁性材
料用合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11054200A JP2000252107A (ja) | 1999-03-02 | 1999-03-02 | 高磁束密度の半硬質磁性材料およびその製造方法、ならびにヒステリシスカップリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11054200A JP2000252107A (ja) | 1999-03-02 | 1999-03-02 | 高磁束密度の半硬質磁性材料およびその製造方法、ならびにヒステリシスカップリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000252107A true JP2000252107A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=12963916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11054200A Pending JP2000252107A (ja) | 1999-03-02 | 1999-03-02 | 高磁束密度の半硬質磁性材料およびその製造方法、ならびにヒステリシスカップリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000252107A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008041916A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Meiji Univ | 半硬質磁性粉および半硬質ボンド磁石 |
| JP2010056418A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Meiji Univ | 半硬質ボンド磁石 |
| US7771546B2 (en) | 2007-03-30 | 2010-08-10 | Hitachi Metals, Ltd. | Semi-hard magnetic material, bias material for magnetic marker, magnetic marker and production method of bias material for magnetic marker |
| WO2010089652A1 (en) | 2009-02-04 | 2010-08-12 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for production of ndfebga magnet and ndfebga magnet material |
| WO2010106407A1 (en) | 2009-03-17 | 2010-09-23 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | METHOD FOR PRODUCTION OF NdFeBCu MAGNET AND NdFeBCu MAGNET MATERIAL |
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| US11309485B2 (en) * | 2018-03-26 | 2022-04-19 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Magnetostrictive material and magnetostriction type device using the same |
-
1999
- 1999-03-02 JP JP11054200A patent/JP2000252107A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE112010000778T5 (de) | 2009-02-04 | 2012-07-26 | Toyota Jidosha K.K. | Verfahren zur Herstellung eines NdFeBGa-Magneten und NdFeBGa-Magnetmaterial |
| WO2010106407A1 (en) | 2009-03-17 | 2010-09-23 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | METHOD FOR PRODUCTION OF NdFeBCu MAGNET AND NdFeBCu MAGNET MATERIAL |
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