JP2000251681A

JP2000251681A - 電子源基板、画像表示装置、電子源基板の製造方法及び記憶媒体

Info

Publication number: JP2000251681A
Application number: JP4902899A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Toshima; 博彰戸島
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-02-25
Filing date: 1999-02-25
Publication date: 2000-09-14

Abstract

(57)【要約】【課題】表面伝導型電子放出素子を用いた電子源基板
を歩留まり良く製造できるようにする。【解決手段】所定パターンの導体層と層間絶縁層とを
多層に形成してなる電子源基板を製造する際に、上記所
定パターンの導体層の上側に所定パターンの層間絶縁層
を形成する前に、上記所定パターンの導体層が形成され
ていない部分を第１層間絶縁層で埋め、その後で上記所
定パターンの導体層と上記第１層間絶縁層の上側に第２
層間絶縁層を形成するようにすることにより、第１導体
層の厚さによる段差を軽減して、第２層間絶縁層を印刷
する時の基板とスクリーン版との間の空隙をせばめてペ
ーストのダレを軽減できるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子源基板、画像表
示装置、電子源基板の製造方法及び記憶媒体に関し、特
に、表面伝導型電子放出素子を２次元平面上に複数個配
設した電子源基板及びそれを用いた画像表示装置並びに
電子源基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子放出素子としては、熱電子源
と冷陰極電子源の２種類が知られている。冷陰極電子源
には、電界放出型（以下、ＥＦと記す）、金属／絶縁層
／金属（以下、ＭＩＭと記す）や表面伝導型電子放出素
子等がある。

【０００３】上記ＥＦ型の例としては、W.P.Dyke&W.W.D
olan,"Fieldemission",Advance inElectron Physics,8,
89,(1956)等が知られている。また、ＭＩＭ型の例とし
ては、C.A.Mead,"Tunnel-emissionamplifier,J,Appl.Ph
ys,32,646(1961)等が知られている。

【０００４】表面伝導型電子放出素子の例としては、M.
I.Elinson,Radio Eng.Electron Phys.,10,(1965)等があ
る。上記表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成され
た小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことによ
り、電子放出が生ずる現象を利用するものである。

【０００５】この表面伝導型電子放出素子としては、上
記Elinson等によるＳｎＯ₂薄膜を用いたもの、Ａｕ薄
膜によるもの[G.Dittmer:"Thin Solid Films",9,317(19
72)],Ｉｎ₂Ｏ₃／ＳｎＯ₂薄膜によるもの[M.Hartwell
and C.G.Fonstad:"IEEE Trans .ED.Conf.",519,(197
5)]、カーボン薄膜によるもの[荒木久他：真空、第
２６巻、第１号、２２ページ（１９８３）]等が報告さ
れている。

【０００６】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な素子構成として、上述のM.Hartwellの素子構成を図１
４に示す。この図１４において、９０１は絶縁性基板で
ある。また、９０２は電子放出部形成用薄膜で、スパッ
タリングで形成されたＨ型形状の金属酸化物等からな
り、後述のフォーミングと呼ばれる通電処理により電子
放出部９０５が形成される。

【０００７】従来、これらの表面伝導型電子放出素子に
おいては、電子放出を行う前に電子放出部形成用薄膜９
０２を予めフォーミングと呼ばれる通電処理によって電
子放出部９０５を形成するのが一般的であった。

【０００８】すなわち、フォーミングとは、前記電子放
出部形成用薄膜９０２の両端に電圧を印加し、電子放出
部形成用薄膜を局所的に破壊、変形もしくは変質せし
め、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部９０５を形
成することである。なお、電子放出部９０５は電子放出
部形成用薄膜９０２の一部に亀裂が発生し、その亀裂付
近から電子放出が行われる場合もある。

【０００９】図１５に従来法による電子源基板の製造方
法の工程フローを示す。図１５において、１は電子放出
近傍電極部、２は第１導体層、５３は層間絶縁層、５４
は第２導体層、５５は電子放出部形成用膜である。

【００１０】従来法の場合、層間絶縁層５３の形成は、
連続した凹型部分をもつパターンを第１導体層２の上に
直接、印刷する方法を実施している。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上述の方法でも、電子
源基板を製造することはできるが、スクリーン印刷は、
基板とスクリーンとの間隔をある一定距離に保ち、ペー
ストがスクリーンメッシュを通過して基板に塗布する方
式である。

【００１２】そのため、印刷時に基板とスクリーンが密
着していない場合、印刷回数を重ねると、必然的にスク
リーンメッシュの裏側にペーストがある程度回り込み、
残りがスクリーンメッシュ裏に付着する。

【００１３】この残りのペーストが、連続印刷を実施す
る場合、次の基板に加算されて印刷され、ダレ等のパタ
ーン乱れの原因となる。ダレが大きくなってくると、コ
ンタクト部分がつぶれてしまうので、歩留まり低下の原
因となっていた。

【００１４】本発明は、上記問題を解決し、表面伝導型
電子放出素子を用いた電子源基板を歩留まり良く製造で
きるようにすることを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の電子源基板の製
造方法は、所定パターンの導体層と層間絶縁層とを多層
に形成してなる電子源基板を製造する方法において、上
記所定パターンの導体層の上側に所定パターンの層間絶
縁層を形成する前に、上記所定パターンの導体層が形成
されていない部分を埋めるようにして第１層間絶縁層を
形成し、次いで、上記所定パターンの導体層と上記第１
層間絶縁層の上側に第２層間絶縁層を形成することを特
徴としている。また、本発明の電子源基板の製造方法の
他の特徴とするところは、上記所定パターンの導体層
は、マトリックス上に複数配設された表面伝導型電子放
出素子の電極を構成する電子放出部近傍電極であること
を特徴としている。また、本発明の電子源基板の製造方
法のその他の特徴とするところは、上記所定パターンの
導体層は、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣ
ＶＤ法、厚膜印刷法の何れかにより形成されることを特
徴としている。また、本発明の電子源基板の製造方法の
その他の特徴とするところは、上記所定パターンの層間
絶縁層は、スクリーン印刷法によって形成されることを
特徴としている。また、本発明の電子源基板の製造方法
のその他の特徴とするところは、複数の第１導体層と、
上記複数の第１導体層と交差する複数の第２導体層と、
各々が上記複数の第１導体層の各々と上記第２導体層の
各々とが交差する位置に配設され両配線に接続された複
数の冷陰極電子放出素子とを絶縁性基板上に備える電子
源基板を製造する方法において、上記絶縁性基板上に、
左右非等長である複数の一対の対向電極を形成する工程
と、上記左右非等長である複数の一対の対向電極上で、
次工程で形成する複数の隣り合った第１導体層の間に相
当する位置に、上記複数の一対の対向電極の長い側の電
極を覆わぬように第１層間絶縁層を形成する工程と、上
記複数の一対の対向電極の短い側の電極と接触させて上
記複数の第１層間絶縁層の間に複数の第１導体層を形成
する工程と、上記複数の第１層間絶縁層の上に、上記複
数の一対の対向電極の短い側及び長い側の電極を覆わな
いように連続した凹字型の第２層間絶縁層を、少なくと
も一層形成する工程と、上記第１及び第２層間絶縁層を
介して、同一列の上記複数の一対の対向電極の長い側の
電極と接触させて且つ上記複数の第１導体層と交差させ
て上記複数の第２導体層を形成する工程と、上記対向電
極間に電子放出部を形成する工程とを順次行うことを特
徴としている。また、本発明の電子源基板の製造方法の
その他の特徴とするところは、絶縁性基板上に、複数の
第１導体層と、上記複数の第１導体層と交差する複数の
第２導体層と、各々が上記複数の第１導体層の各々と上
記第２導体層の各々とが交差する位置に配設され両配線
に接続された複数の冷陰極電子放出素子とを備える電子
源基板を製造する方法において、上記絶縁性基板上に、
左右非等長である複数の一対の対向電極を形成する工程
と、上記複数の一対の対向電極の短い側の電極と接触さ
せて上記複数の第１導体層を形成する工程と、上記複数
の隣り合った第１導体層の間で、且つ、上記複数の一対
の対向電極の長い側の電極を覆わぬように上記複数の第
２導体層との交差部下層に島状の第１層間絶縁層を形成
する工程と、上記複数の第１層間絶縁層の上に、上記複
数の一対の対向電極の短い側及び長い側の電極を覆わな
いように連続した凹字型の第２層間絶縁層を、少なくと
も一層形成する工程と、上記第１及び第２層間絶縁層を
介して、同一列の上記複数の一対の対向電極の長い側の
電極と接触させて且つ上記複数の第１導体層と交差させ
て上記複数の第２導体層を形成する工程と、上記一対の
対向電極間に電子放出部を形成する工程とを行うことを
特徴としている。また、本発明の電子源基板の製造方法
のその他の特徴とするところは、複数の第１導体層と、
上記複数の第１導体層と交差する複数の第２導体層と、
各々が上記複数の第１導体層の各々と上記第２導体層の
各々とが交差する位置に配設され両配線に接続された複
数の冷陰極電子放出素子とを絶縁性基板上に備える電子
源基板を製造する方法において、上記絶縁性基板上に、
左右非等長である複数の一対の対向電極を形成する工程
と、上記複数の一対の対向電極の短い側の電極と接触さ
せて上記複数の第１導体層を形成する工程と、上記複数
の第１導体層の一部を覆い、且つ上記複数の一対の対向
電極を覆わないように上記複数の第２導体層との交差部
に線状の第１層間絶縁層を形成する工程と、上記複数の
第１層間絶縁層の上に、上記複数の一対の対向電極の短
い側及び長い側の電極を覆わないように連続した凹字型
の第２層間絶縁層を、少なくとも一層形成する工程と、
上記第１及び第２層間絶縁層を介して、同一列の上記複
数の一対の対向電極の長い側の電極と接触させて且つ上
記複数の第１導体層と交差させて上記複数の第２導体層
を形成する工程と、上記一対の対向電極間に電子放出部
を形成する工程とを順次行うことを特徴としている。ま
た、本発明の電子源基板の製造方法のその他の特徴とす
るところは、上記電子放出部を形成する工程は、電子放
出部形成用薄膜を形成する工程と、上記電子放出部形成
用薄膜に通電処理を施す工程とからなることを特徴とし
ている。

【００１６】本発明の電子源基板は、所定パターンの導
体層と層間絶縁層とを多層に形成してなる電子源基板に
おいて、上記所定パターンの導体層の上側に所定パター
ンの層間絶縁層を形成する前に、上記所定パターンの導
体層が形成されていない部分を埋める第１層間絶縁層が
形成され、その上側に第２層間絶縁層が形成されている
ことを特徴としている。また、本発明の電子源基板の他
の特徴とするところは、上記所定パターンの導体層は、
マトリックス上に複数配設された表面伝導型電子放出素
子の電極を構成する電子放出部近傍電極であることを特
徴としている。また、本発明の電子源基板のその他の特
徴とするところは、上記所定パターンの導体層は、真空
蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、厚膜印
刷法の何れかにより形成されることを特徴としている。
また、本発明の電子源基板のその他の特徴とするところ
は、上記所定パターンの層間絶縁層はスクリーン印刷法
を適用して形成されることを特徴としている。

【００１７】本発明の画像表示装置は、所定パターンの
導体層と層間絶縁層とを多層に形成してなる電子源基板
を有する画像表示装置において、上記所定パターンの導
体層の上側に所定パターンの層間絶縁層を形成する前
に、上記所定パターンの導体層が形成されていない部分
を埋める第１層間絶縁層が形成され、その上側に第２層
間絶縁層が形成されている電子源基板と、上記電子源基
板に対向する位置に配設され、電子の照射により可視光
を発する蛍光体とを備えることを特徴としている。ま
た、本発明の画像表示装置の他の特徴とするところは、
上記所定パターンの導体層は、マトリックス上に複数配
設された表面伝導型電子放出素子の電極を構成する電子
放出部近傍電極であることを特徴としている。また、本
発明の画像表示装置のその他の特徴とするところは、上
記所定パターンの導体層は、真空蒸着法、スパッタリン
グ法、プラズマＣＶＤ法、厚膜印刷法の何れかにより形
成されることを特徴としている。また、本発明の画像表
示装置のその他の特徴とするところは、上記所定パター
ンの層間絶縁層はスクリーン印刷法を適用して形成され
ることを特徴としている。

【００１８】本発明の記憶媒体は、上記電子源基板の製
造方法の手順をコンピュータに実行させるためのプログ
ラムをコンピュータから読み出し可能に格納したことを
特徴としている。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を説
明する。図１に、本発明の実施の形態による画像表示装
置で用いられる、冷陰極電子ビーム源である表面伝導型
電子放出素子を用いた電子源基板の構成図を示す。ま
た、図２に、本発明による電子源基板の製造方法の工程
を示す。

【００２０】図１及び図２中、１は電子放出部近傍の電
極部分、２は第１導体層、３は第１導体層２の間に形成
する第１層間絶縁層、４は連続凹字形状の第２層間絶縁
層、５は第２導体層、６は電子放出部形成用の膜であ
る。

【００２１】以下、図２の工程フロー図を参照して本実
施の形態による電子源基板の製造方法を詳細に説明す
る。まず、あらかじめ洗浄された基板に、左右非等長構
造をもった電子放出部近傍電極１を形成する（図２
（ａ））。電子放出部近傍電極１は、電子放出部薄膜６
と第１導体層２、５とのオーム性接触を良好にするため
に設けられるものである。

【００２２】通常、電子放出部薄膜６は、配線用の導体
層と比べて著しく薄い膜であるために「ヌレ性」、「膜
厚保持性」等の問題を回避するために設けているもので
ある。配線用の導体層（第１導体層）２、５を、例えば
スパッタリング法により薄膜にて構成する場合は、電子
放出部近傍電極１を必ずしも設ける必要はなく、配線導
体（第１導体層）と同時に形成することが可能である。

【００２３】電子放出部近傍電極１の形成方法として
は、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法
等の真空系を用いる方法や、溶媒に金属成分及びガラス
成分を混合した厚膜ペーストを印刷、焼成することによ
り形成する厚膜印刷法がある。

【００２４】まず、本発明の特徴である、第１層間絶縁
層３を形成する（図２（ｂ））。第１層間絶縁層３は、
第１導体層２の間に相当する位置に、複数の一対の対向
電極の長い側の電極を覆わぬように形成する。

【００２５】この構成により、上記複数の第１層間絶縁
層３の上に、上記複数の一対の対向電極の短い側及び長
い側の電極を覆わないように連続した凹字型の第２層間
絶縁層４を形成する際、第１導体層２の厚さによる段差
が低減されることにより、第２層間絶縁層４のダレ、等
のパターン乱れが軽減され、良好な、絶縁層パターンの
形成が可能となり、層間絶縁膜の凹部分（コンタクト部
分）の接続信頼性向上がはかられる。

【００２６】また、基板とスクリーン版との間の空隙が
せばめられることにより、版裏へのペーストの回り込み
が軽減され、連続印刷性が向上する。第１層間絶縁層３
及び第２層間絶縁層４の構成材料としては、絶縁性を保
てるものであればよい。たとえば、金属成分を含有しな
い厚膜ペーストである。

【００２７】次に、第１導体層２を形成する（図２
（ｃ））。第１導体層２の形成方法には、電子放出部近
傍電極１の形成方法と同様の形成方法が適用可能である
が、第１導体層２の場合には、電子放出部近傍電極１と
は異なり、膜厚は厚い方が電気抵抗を低減でき有利であ
る。そこで、厚膜印刷法をもちいるのが有利である。も
ちろん、薄膜配線の適用も可能であるが、膜厚を厚くす
るには成膜に多大な時間が必要である。

【００２８】次に、第２層間絶縁層４を形成する（図２
（ｄ））。第２絶縁層の材料は、第１層間絶縁層の材料
と同等でよい。第２絶縁層のパターンは、従来のパター
ン（凹形状）をそのまま用いることが可能である。この
場合でも、上述の様に、第１層間絶縁層を前もって形成
してある効果により、連続した凹字型の第２層間絶縁層
４を形成する際、第１導体層の厚さによる段差が低減さ
れることにより、第２層間絶縁層４のダレ、等のパター
ン乱れが軽減され、良好な、絶縁層パターンの形成が可
能となり、層間絶縁膜の凹部分（コンタクト部分）の接
続信頼性向上がはかられる。

【００２９】次に、第２導体層５を形成する（図２
（ｅ））。形成方法は第１導体層２と同様の方法が適用
可能である。

【００３０】最後に、電子放出部形成用の薄膜６を形成
して冷陰極電子ビーム源用の素子（１素子分）が完成す
る（図２（ｆ））。電子放出部薄膜６の成膜方法および
電子放出部分（表面伝導型電子放出素子）の形成方法
は、従来の方法をそのまま適用することが可能である
（後述）。

【００３１】図２では、１素子部分のみを図示したが、
これを複数個、同時に形成するようにすることで、単純
マトリクス構成の電子源基板の構成が完成する。表面伝
導型電子放出素子の代表的な構成、製造方法および特性
については、たとえば特開平２−５６８２２号公報に開
示されている。

【００３２】以下に、本実施の形態にかかわる表面伝導
型電子放出素子の基本的な構成と製造方法および特性に
ついて概説する。図３は、本実施の形態にかかわる典型
的な電子放出素子の構成を示す図面である。図３におい
て、３１は絶縁性基板、３５と３６は素子電極、３４は
電子放出部形成用薄膜、３３は電子放出部である。

【００３３】本実施の形態における、電子放出部３３を
含む電子放出部形成用薄膜３４のうち電子放出部３３と
しては、粒径が数ｎｍの電気伝導性粒子からなり、電子
放出部３３を含む電子放出部形成用薄膜用薄膜３４のう
ち、電子放出部３３以外の部分は、微粒子膜よりなる。

【００３４】なお、ここで述べる微粒子膜とは、複数の
微粒子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒
子が個々に分散した状態のみならず、微粒子が互いに隣
接あるいは重なり合った状態（島状も含む）の膜をさ
す。電子放出部を含む電子放出部形成用薄膜３４の構成
原紙又は分子の具体例としては、Ｐｄ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｐｂ等の金属、ＰｄＯ、ＳｎＯ₂、Ｉｎ
₃Ｏ₃、ＰｂＯ、Ｓｂ₂Ｏ₃等の酸化物、ＨｆＢ₂、Ｚ
ｒＢ₂、ＬａＢ₆、ＣｅＢ₆、ＹＢ₄、ＧｄＢ₄等のホ
ウ化物、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、ＳｉＣ、Ｗ
Ｃ等の炭化物、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ等の窒化物、Ｓ
ｉ、Ｇｅ等の半導体、さらにはカーボン、ＡｇＭｇ、Ｎ
ｉＣｕ、ＰｂＳｎ等である。

【００３５】また、電子放出部形成用薄膜３４の形成方
法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、化学的気
相成長法、分散塗布法、ディッピング法、スピナー法等
がある。

【００３６】電子放出部形成用薄膜放出部３３を有する
電子放出部形成用薄膜放出素子の形成方法としては様々
な方法が考えられるが、その一例を図４に示す。３４は
電子放出部形成用薄膜である。

【００３７】以下、図３、図４および図５を参照しつ
つ、素子の形成方法を説明する。以下の説明は、単一の
素子の形成方法を説明したものであるが、既述の本発明
の実施の形態による新規な電子源基板の製造方法にも適
用されるものである。

【００３８】（１）絶縁性基板３１を洗剤、純水および
有機溶剤により十分に洗浄後、真空蒸着技術、フォトリ
ソグラフィー技術により上記絶縁性基板１の面上に素子
電極３５、３６を形成する（図４（ａ））。

【００３９】素子電極３５、３６の材料としては電気伝
導性を有するものであれば、どのようなものであっても
かまわないが、たとえばニッケル金属があげられる。素
子電極３５、３６の寸法については、例えば、素子電極
間隔Ｌは２μｍ、素子電極長さＷは３００μｍ、素子電
極３５、３６の膜厚ｄは１００ｎｍである。

【００４０】素子電極（電子放出部近傍電極）３５、３
６の形成方法として、厚膜印刷法を用いても一向にさし
つかえない。印刷法の場合の材料としては有機金属ペー
スト（ＭＯＤ）等がある。

【００４１】（２）絶縁性基板３１上に設けられた素子
電極３５と３６との間に、素子電極３５と３６を形成し
た絶縁性基板３１上に有機金属溶液を塗布して放置する
ことにより、有機金属薄膜を形成する。尚、有機金属溶
液とは、上記Ｐｄ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃ
ｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ等の金属
を主元素とする有機化合物の溶液である。この後、有機
金属薄膜を加熱焼成処理してリフトオフ、エッチング等
によりパターニングし、電子放出部形成用薄膜３４を形
成する（図４（ｂ））。

【００４２】（３）続いて、フォーミングとよばれる通
電処理により素子電極３５、３６間に電圧を印加するこ
とにより、電子放出部形成用薄膜３４の部分に構造の変
化した電子放出部３３が形成される（図４（ｃ））。

【００４３】この通電処理により電子放出部形成用薄膜
３４を局所的に破壊、変形もしくは変質させ、構造が変
化した部位を電子放出部３３と呼ぶ。先に説明したよう
に、電子放出部３３は金属微粒子で構成されている事が
観察された。フォーミング処理中の電圧波形を図５に示
す。

【００４４】図５中、Ｔ１およびＴ２はそれぞれ電圧波
形のパルス幅とパルス間隔であり、Ｔ１を１マイクロ秒
〜１０ミリ秒、Ｔ２を１０マイクロ秒〜１００ミリ秒、
三角波の（フォーミング時のピーク電圧）は４Ｖから１
０Ｖ程度とし、フォーミング処理は真空雰囲気下で数十
秒間で適宜設定した。

【００４５】以上説明したように、本実施の形態におい
ては電子放出部を形成する際に、素子の電極間の三角波
パルスを印加してフォーミング処理を行っているが、素
子の電極間に印加する波形は三角波に限定することはな
く、矩形波など所望の波形を用いてもよく、その波高値
およびパルス幅、パルス間隔等についても上述の値に限
るものではなく、電子放出部が良好に形成されれば所望
の値を選択することができる。

【００４６】上記の素子構成をもち上記の製造方法によ
って作製された本実施の形態にかかわる電子放出素子の
基本特性について、図６及び図７を参照して説明する。
図６は、図３で示した構成を有する素子の電子放出特性
を測定するための測定評価装置の概略構成図である。

【００４７】図６において、３１は絶縁性基板、３５、
３６は素子電極、３４は電子放出部形成用薄膜、３３は
電子放出部を示している。また、６１は素子に素子電圧
Ｖｆを印加するための電源、６０は素子電極３５、３６
間の電子放出部３３を含む電子放出部形成用薄膜３４を
流れる素子電流Ｉｆをを測定するための電流計、６４は
素子の電子放出部より放出される放出電流Ｉｅを捕捉す
るためのアノード電極、６３はアノード電極６４に電圧
を印加するための高圧電源、６２は素子の電子放出部３
３より放出される放出電流Ｉｅを測定するための電流計
である。

【００４８】電子放出素子の上記素子電流Ｉｆ、放出電
流Ｉｅの測定にあたっては、素子電極３５、３６に電源
６１と電流計６０とを接続し、上記電子放出素子の上方
に電源６３と電流計６２を接続したアノード電極６４を
配置している。

【００４９】また、電子放出素子及びアノード電極６４
は真空装置６５内に設置され、その真空装置には排気ポ
ンプ６６及び真空計等の真空装置に必要な機器が具備さ
れており、所望の真空下にて本素子の測定評価を行える
ようになっている。なお、アノード電極６４の電圧は１
〜１０ｋＶ、アノード電極６４と電子放出素子との距離
Ｈは３〜８ｍｍの範囲で測定した。

【００５０】図６に示した測定評価装置により測定され
た放出電流Ｉｅ及び素子電流Ｉｆと素子電圧Ｖｆの関係
の典型的な例を図７に示す。なお、図７は任意単位で示
されており、放出電流Ｉｅは素子電流Ｉｆのおよそ1000
分の１程度である。図７からも明らかなように、本実施
の形態の電子放出素子は放出電流Ｉｅに対して３つの特
性を有する。

【００５１】第１に、本素子はある電圧（閾値電圧とよ
ぶ、図７中のＶｔｈ）以上の素子電圧を印加すると、急
激に放出電流Ｉｅが増加し、一方、閾値電圧以下では放
出電流Ｉｅがほとんど検出されない。すなわち、放出電
流Ｉｅに対する明確な閾値電圧Ｖｔｈを持った非線形素
子である。

【００５２】第２に、放出電流Ｉｅが素子電圧Ｖｆに依
存するため、放出電流Ｉｅが素子電圧Ｖｆで制御でき
る。第３に、アノード電極６４に捕捉される電荷量は、
素子電圧Ｖｆを印加する時間により制御できる。

【００５３】以上のような特性を有するため、本発明に
かかわる電子放出素子は、多方面への応用が期待され
る。また、素子電流Ｉｆは素子電圧Ｖｆに対して単調増
加する（ＭＩ）特性の例を示したが、ｋのほかにも、素
子電流Ｉｆが素子電圧Ｖｆに対して電圧制御型負性抵抗
（ＶＣＮＲ）特性を示す場合もある。この場合も電子放
出素子は上述した３つの特性を有する。

【００５４】なお、予め電導性微粒子を分散して構成し
た表面伝導型電子放出素子においては、上記本実施の形
態の基本的な素子構成の、基本的な製造方法の一部を変
更しても構成できる。

【００５５】また、本実施の形態による電子源基板が適
用されるカラー画像表示装置の代表的な構成としては、
まず、図８に示すように上記特開平２−５６８２２号公
報に開示された製造方法により作製される電子放出素子
を複数個、基板１０１上に形成する。

【００５６】上記基板１０１をリアプレート１０２上に
固定した後、基板１０１の５ｍｍ上方にフェースプレー
ト１１０（ガラス基板１０７の内面に蛍光体膜１０８と
メタルバック１０９が形成されて構成される）を支持枠
１０３を介して配置し、フェースプレート１１０、支持
枠１０３、リアプレート１０２の接合部にフリットガラ
スを塗布し、大気中もしくは窒素雰囲気中にて400℃乃
至500℃で１０分間以上焼成することで封着した。ま
た、リアプレート１０２への基板１０１０の固定もフリ
ットガラスにて行った。

【００５７】図８において、３３は電子放出部、１０
５、１０６は夫々Ｘ方向及びＹ方向の素子電極である。
なお、ここではフェースプレート１１０、支持枠１０
３、リアプレート１０２で外囲器１１１を構成したが、
リアプレート１０２は主に基板１０１の強度を補強する
目的で設けられるため、基板１０１自体で十分な強度を
もつ場合には、別体のリアプレート１０２は不要であ
り、基板１０１に直接、支持枠１０３を封着し、フェー
スプレート１１０、支持枠１０３、基板１０１にて外囲
器１１１を構成する。また、蛍光体膜１０８の内面側に
は通常メタルバック１０９が設けられる。

【００５８】メタルバック１０９を設置する目的は、蛍
光体のうち内面側への光をフェースプレート１１０側へ
鏡面反射する事により輝度を向上すること、電子ビーム
加速電圧を印加するための電極として作用させること、
外囲器内で発生した負イオンの衝突によるダメージから
の蛍光体を保護することなどである。

【００５９】メタルバック１０９は、蛍光体膜作成後、
蛍光体膜の内面の平滑処理（通常フィルミングとよばれ
る）を行い、その後Alを真空蒸着することで作成する。
更に、フェースプレート１１０の蛍光体膜１０８の電気
電導性を高めるため、蛍光体膜１０８の外面側に透明電
極（図示せず）が設けられる場合もある。

【００６０】上述の封着を行う際、カラー画像表示装置
の場合には、各色に対応する蛍光体と電子放出素子との
位置合わせを十分に行う必要がある。このようにして作
成されるガラス容器内の雰囲気を十分に行う必要があ
る。

【００６１】このようにして作成されるガラス容器内の
雰囲気を排気管（図示せず）を通じて真空ポンプにて排
気し、十分な真空度に達した後、容器外端子Ｄ０ｘ１〜
Ｄ０ｘｍとＤ０ｙ１からＤｏｙｎを通じ素子電極１０
５、１０６間に電圧を印加し上述のフォーミング処理を
実施して、電子放出部３３を形成し電子放出素子を作成
する。

【００６２】最後に、１０−６Ｔｏｒｒ程度の真空度に
て、排気管を熱して溶着し外囲器の封止を行い完成す
る。さらに、封止後に真空度を維持するために、ゲッタ
ー処理なる工程を実施する。

【００６３】これは、封止を行う直前あるいは封止後
に、抵抗加熱あるいは高周波加熱とにより、画像表示装
置の所定の位置（図示せず）に配設されたゲッターを加
熱してゲッター蒸着膜を形成する処理である。ゲッター
としては、通常、Ｂａ等が主成分であり、上記蒸着膜の
吸着作用により真空度を維持するものである。

【００６４】以上のような製造方法により構成される画
像表示装置において、各電子放出素子には容器外端子Ｄ
０ｘ１〜Ｄ０ｘｍ乃至Ｄ０ｙ１〜Ｄ０ｙｎを通じて電圧
を印加することにより電子放出させる。

【００６５】すなわち、走査線に対応する容器外端子Ｄ
０ｘ１〜Ｄ０ｘｍには画像信号の１水平期間づつ順次電
圧が印加され、容器外端子Ｄ０ｙ１〜Ｄ０ｙｎには水平
期間に選択された走査線の画像信号の強度に応じた信号
電圧が印加される。

【００６６】したがって、選択された容器外端子Ｄ０ｘ
ｉ（１≦ｉ≦ｍ）に接続される各電子放出素子の両端に
画像信号の強度に応じた電圧が印加され、画像信号の強
度に応じた電子が放出される。なお、容器外端子Ｄ０ｘ
１〜Ｄ０ｘｍと容器外端子Ｄ０ｙ１〜Ｄ０ｙｎとは逆で
あってもよい。

【００６７】また、高圧端子Ｈｖを通じメタルバック１
０９または透明電極に数ｋＶ以上の高圧を印加し電子ビ
ームを加速して蛍光体膜１０８に衝突させて蛍光体を励
起・発光させることにより画像が形成される。もちろ
ん、これらの構成は画像表示装置を作成する上で必要な
構成の概略であり、各部材の材料等は上述の内容に限る
ものではない。

【００６８】蛍光体膜１０８は、モノクローム表示の場
合には蛍光体のみからなるが、カラー表示の場合は、図
９に示すように、蛍光体の配列によりブラックストライ
プあるいはブラックマトリクスと呼ばれる黒色部材１２
と蛍光体１３とで構成される。

【００６９】黒色部材１２を設ける目的は、カラー表示
の場合に煮強うとなる３原色蛍光体の、各蛍光体１３の
塗り分け部分を黒くすることで混色等を目立たなくする
こと、蛍光体膜１０８における外光反射によるコントラ
ストの低下を抑制することである。上記黒色材料として
は、通常、黒鉛を主成分とするものが多いが、電気伝導
性があり、光の透過及び反射が少ない材料であれば、こ
れに限るものではない。

【００７０】ガラス基板１０７に蛍光体を塗布する方法
としては、モノクロームの場合には沈殿法、印刷法等が
ある。カラーでは、スラリー法等がある。もちろん、カ
ラーにおいて印刷法を用いることも可能である。

【００７１】次に、実施例を示して、電子源基板、特に
表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置における
電子源基板の本発明による製造方法について説明する。

【００７２】〔実施例１〕第１の実施例を、図１０及び
図１１を参照して説明する。図１１は構成図、図１０は
作製プロセスを説明する工程図である。まず、洗浄され
たガラス基板（ここでは、ソーダライムガラス基板を使
用）に、電子放出部近傍電極１を形成する。本実施例で
は、膜の成膜方法としては、スクリーン印刷法を使用し
た。

【００７３】ここで使用した厚膜ペースト材料は、ＭＯ
Ｄペーストで、金属成分はＰｔである。印刷の方法はス
クリーン印刷法である。印刷の後、７０℃で１０分乾燥
し、次に、本焼を実施する。焼成温度は550℃で、ピー
ク保持時間は８分である。印刷、焼成後の膜厚は、〜
０．３μｍであった。電子放出部近傍電極１のパターン
は、左右非等長なパターンである。

【００７４】次に、第１層間絶縁層３を形成する。ペー
スト材料はＰｂＯを主成分としてガラスバインダーと樹
脂を混合したペーストである。焼成温度は480℃で、ピ
ーク保持時間は１０分である。

【００７５】印刷、焼成後の膜厚は〜３０μｍであっ
た。本実施例は、第１層間絶縁層のパターンを、上記複
数の隣り合った第１導体層の間で、且つ、上記複数の一
対の対向電極の長い側の電極を覆わぬように上記複数の
第２導体層５との交差部近傍に島状とした例である。

【００７６】次に、第１導体層２を形成する。形成方法
は厚膜スクリーン印刷法を用いた。ペースト材料はＡｇ
を主成分として、ＰｂＯ、ガラスバインダーと樹脂を混
合したペーストである。焼成温度は480℃で、ピーク保
持時間は１０分である。印刷、焼成後の膜厚は〜１０μ
ｍであった。

【００７７】次に、上記複数の第１層間絶縁層の上に、
上記複数の一対の対向電極の短い側及び長い側の電極を
覆わないように連続した凹字型の第２層間絶縁層４を、
少なくとも一層形成する。

【００７８】この構成で左右非等長な電子放出部近傍電
極１と第２導体層５との電気的接続を取ることが可能と
なる。また、通常、第１層間絶縁層３及び第２層間絶縁
層４は、上下層間の絶縁性を十分確保するために、印
刷、焼成を総計で最低３回実施する。厚膜ペーストによ
り形成される膜は通常ポーラスな膜である。

【００７９】このため、１回印刷、焼成後、再度印刷を
実施し、１回目の膜のポーラス状態を埋めこむようにし
て２回目、３回目の膜を印刷、焼成する。これにより、
絶縁性が十分確保されることになる。本実施例もこれに
従った。印刷層数は、絶縁性を考慮して増減される。

【００８０】最後に、第２導体層５を形成する。形成方
法は厚膜スクリーン印刷法を用いた。以上で、マトリク
ス配線の部分が完成する。もちろん、ペースト材料、印
刷方法等は、上述したものに限るものではない。

【００８１】配線完成後、電子放出部薄膜６を形成す
る。まず、上記印刷方法で形成された電子放出部への通
電用電極１の上層に有機パラジウム（ＣＣＰ４２３０、
奥野製薬工業（株）製）をスピンナーにより回転塗布
後、300℃で１０分間の加熱処理を実施しＰｄからなる
電子放出部薄膜６を形成する。

【００８２】このようにして形成された電子放出部薄膜
６は、Ｐｄを主元素とする微粒子から構成され、その膜
厚は１０ｎｍ、シート抵抗値は５×１０の４乗Ω／□で
あった。

【００８３】シート抵抗値は長さと幅が等しい導体の単
位長さ換算の抵抗値として定義される。なお、ここで述
べる微粒子膜としては複数の微粒子が集合した膜であ
り、その微細構造としては微粒子が個々に分散配置した
状態のみならず、微粒子が互いに隣接、あるいは、重な
り合った状態（島状も含む）の膜をもさし、その粒径と
は、上記状態で粒子形状が認識可能な微粒子についての
径をいう。

【００８４】このパラジウム膜をフォトリソグラフィー
法を用いて、パターニングすることによりフォーミング
前までの素子の製造工程が完了する。フォーミング方法
は、従来の方法を導入する事が可能であり、本実施例で
は、以下の条件とした（図５参照）。

【００８５】図５中、Ｔ１及びＴ２は電圧波形のパルス
幅とパルス間隔であり、本実施例ではＴ１を１ミリ秒、
Ｔ２を１０ミリ秒とし、三角波の波高値（フォーミング
時のピーク電圧）は１４Ｖとし、フォーミング処理は約
１×１０−６乗Ｔｏｒｒの真空雰囲気下で６０秒間実施
した。このようにして作製された電子放出部は、パラジ
ウム元素を主成分とする微粒子が分散配置された状態と
なり、その微粒子の平均粒径は３ｎｍであった。

【００８６】次に、すべての表面伝導型電子放出素子の
フォーミングが終了後、１×１０−６Ｔｏｒｒ程度の真
空度で排気管（図示せず）をガスバーナーで熱して溶着
し外囲器の封止を行った。

【００８７】最後に、封止後の真空度を維持するため
に、ゲッター処理を実施する。これは、封止を行う直前
に高周波加熱等の加熱法により、画像表示装置内の所定
の位置（図示せず）に配置されたゲッターを加熱し、蒸
着膜を形成する処理である。ゲッターはＢａ等を主成分
とするものである。

【００８８】以上のようにして完成した本発明の画像表
示装置において、各電子放出素子には、容器外端子Ｄ０
ｘ１乃至Ｄ０ｘｍ、Ｄ０ｙ１乃至Ｄ０ｙｎを通じて、走
査信号及び偏重信号を信号発生手段（図示せず）によ
り、それぞれ印加することにより、電子放出させ、高圧
端子Ｈｖを通じて、メタルバック膜に数ｋＶの高圧を印
加し、電子ビームを加速して蛍光体膜に衝突、励起、発
光させることで画像を表示させる。

【００８９】〔実施例２〕次に、図１２を参照しつつ第
２の実施例を説明する。図１２は工程フロー図である。
まず、洗浄されたガラス基板（ここでは、ソーダライム
ガラス基板を使用）に、電子放出部近傍電極１を形成す
る。本実施例では、膜の成膜方法としては、スクリーン
印刷法を使用した。

【００９０】ここで使用した厚膜ペースト材料は、ＭＯ
Ｄペーストで、金属成分はＰｔである。印刷の方法はス
クリーン印刷法である。印刷の後、７０℃で３０分乾燥
し、次に本焼を実施する。焼成温度は550℃で、ピーク
保持時間は１０分である。印刷、焼成後の膜厚は、〜
０．３μｍであった。電子放出部近傍電極１のパターン
は、左右非等長なパターンである。

【００９１】また、電子放出部近傍電極１の形成時に、
同時に、外部駆動回路との接続用引き出し電極（図示せ
ず）を形成する。この事により工程が一つ短縮される。

【００９２】次に、第１導体層２を形成する。形成方法
は厚膜スクリーン印刷法を用いた。ペースト材料はＡｇ
を主成分として、ＰｂＯ、ガラスバインダーと樹脂を混
合したペーストである。焼成温度は480℃で、ピーク保
持時間は１０分である。印刷、焼成後の膜厚は〜１０μ
ｍであった。

【００９３】次に、第１層間絶縁層３を形成する。ペー
スト材料はＰｂＯを主成分としてガラスバインダーと樹
脂を混合したペーストである。焼成温度は480℃で、ピ
ーク保持時間は１０分である。印刷、焼成後の膜厚は〜
３０μｍであった。本実施例では、第１層間絶縁層のパ
ターンを、上記複数の第１導体層の一部を覆い、且つ上
記複数の一対の対向電極を覆わないように上記複数の第
２導体層５との交差部下層に線状として形成した例であ
る。

【００９４】本実施例のパターンは、線上パターンであ
るため、スクリーン版の作製も、実施例１のスクリーン
版に比べれば技術的に容易である。これ以降の工程は、
第１の実施例と同様にして作製した。

【００９５】〔実施例３〕次に、図１３を参照しつつ第
３の実施例を説明する。図１３は、本実施例の工程フロ
ー図である。まず、洗浄されたガラス基板（ここでは、
ソーダライムガラス基板を使用）に、電子放出部近傍電
極１を形成する。本実施例では、膜の成膜方法として
は、スパッタリングを用い」、素子電極として薄膜を使
用した。ここで使用した薄膜ターゲット材料の成分はＰ
ｔである。

【００９６】Ｐｔ膜を成膜後、フォトリソ工程を用い
て、パターニング作業を実施し、所定のパターンを形成
した。電子放出部近傍電極１のパターン形状は、左右非
等長なパターンである。

【００９７】次に、第１導体層２を形成する。形成方法
は、厚膜スクリーン印刷法を用いた。ペースト材料はＡ
ｇを主成分として、ＰｂＯ、ガラスバインダーと樹脂を
混合したペーストである。焼成温度は480℃で、ピーク
保持時間は１０分である。印刷、焼成後の膜厚は〜１０
μｍであった。

【００９８】次に、第１層間絶縁層３を形成する。ペー
スト材料はＰｂＯを主成分としてガラスバインダーと樹
脂を混合したペーストである。焼成温度は480℃で、ピ
ーク保持時間は１０分である。印刷、焼成後の膜厚は〜
１０μｍであった。本実施例では、第１層間絶縁層のパ
ターンを、上記複数の隣り合う第１導体層２の間の位
置、且つ上記複数の一対の対向電極を覆わないように、
島状として形成した例である。これ以降の工程は、第２
の実施例と同様にして作製した。

【００９９】（本発明の他の実施形態）本発明は複数の
機器（例えば、ホストコンピュータ、インタフェース機
器、リーダ、プリンタ等）から構成されるシステムに適
用しても１つの機器からなる装置に適用しても良い。

【０１００】また、上述した実施形態の機能を実現する
ように各種のデバイスを動作させるように、上記各種デ
バイスと接続された装置あるいはシステム内のコンピュ
ータに対し、上記実施形態の機能を実現するためのソフ
トウェアのプログラムコードを供給し、そのシステムあ
るいは装置のコンピュータ（ＣＰＵあるいはＭＰＵ）に
格納されたプログラムに従って上記各種デバイスを動作
させることによって実施したものも、本発明の範疇に含
まれる。

【０１０１】また、この場合、上記ソフトウェアのプロ
グラムコード自体が上述した実施形態の機能を実現する
ことになり、そのプログラムコード自体、及びそのプロ
グラムコードをコンピュータに供給するための手段、例
えばかかるプログラムコードを格納した記憶媒体は本発
明を構成する。かかるプログラムコードを記憶する記憶
媒体としては、例えばフロッピーディスク、ハードディ
スク、光ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、磁
気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ等を用いる
ことができる。

【０１０２】また、コンピュータが供給されたプログラ
ムコードを実行することにより、上述の実施形態の機能
が実現されるだけでなく、そのプログラムコードがコン
ピュータにおいて稼働しているＯＳ（オペレーティング
システム）あるいは他のアプリケーションソフト等の共
同して上述の実施形態の機能が実現される場合にもかか
るプログラムコードは本発明の実施形態に含まれること
は言うまでもない。

【０１０３】さらに、供給されたプログラムコードがコ
ンピュータの機能拡張ボードやコンピュータに接続され
た機能拡張ユニットに備わるメモリに格納された後、そ
のプログラムコードの指示に基づいてその機能拡張ボー
ドや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の
一部または全部を行い、その処理によって上述した実施
形態の機能が実現される場合にも本発明に含まれること
は言うまでもない。

【０１０４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
単純マトリクス構成の配線構造（マトリクス配線）にお
いて、所定パターンの第１導体層間に、島状、線状もし
くは凹形状の第１層間絶縁層を形成するようにしたの
で、第１導体層の厚さによる段差を軽減することができ
る。これにより、第２層間絶縁層を印刷する時の、基板
とスクリーン版との間の空隙をせばめて、第２層間絶縁
層を印刷する時のペーストのダレを軽減することができ
る。また、基板とスクリーン版との間の空隙がせばめる
ことができるので、版裏へのペーストの回り込みを軽減
することができる。これにより、連続印刷性を向上させ
ることができ、高歩留まりで信頼性の高い電子源基板の
作製が可能となる。また、本発明は、画像表示装置の中
でも、表面伝導型電子放出素子を用いた単純マトリクス
方式の画像表示装置において、特に、厚膜印刷法を用い
た製造方法において、優れた効果を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態による電子源基板の表面伝
導型電子放出素子部分の斜視図である。

【図２】本発明の実施の形態による電子源基板の製造方
法の工程フローを示す工程図である。

【図３】表面伝導型電子放出素子の典型的な構成を示す
図である。

【図４】表面伝導型電子放出素子の作製方法のプロセス
工程を示す図である。

【図５】本実施の形態によるフォーミングの典型的な波
形を示す図である。

【図６】素子の駆動回路構成例を示す図である。

【図７】本発明の実施の形態による表面伝導型電子放出
素子の典型的な特性を示す図である。

【図８】本発明の実施の形態による画像表示装置の斜視
図である。

【図９】図８の蛍光体膜１０８のパターン図である。

【図１０】本発明の実施の形態及び実施例１による電子
源基板の製造方法の工程フローを示す工程図である。

【図１１】本発明の実施例１による電子源基板の表面伝
導型電子放出素子部分の図である。

【図１２】本発明の実施例２による電子源基板の表面伝
導型電子放出素子部分の斜視図である。

【図１３】本発明の実施例３による電子源基板の製造方
法の工程フローを示す工程図である。

【図１４】従来例による表面伝導型電子放出素子の平面
図である。

【図１５】従来例による電子源基板上の冷陰極電子ビー
ム源用の素子の平面図である。

【符号の説明】

１電子放出部近傍電極２第１導体層３第１層間絶縁層４第２層間絶縁層５第２導体層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定パターンの導体層と層間絶縁層とを
多層に形成してなる電子源基板を製造する方法におい
て、上記所定パターンの導体層の上側に所定パターンの層間
絶縁層を形成する前に、上記所定パターンの導体層が形
成されていない部分を埋めるようにして第１層間絶縁層
を形成し、次いで、上記所定パターンの導体層と上記第
１層間絶縁層の上側に第２層間絶縁層を形成することを
特徴とする電子源基板の製造方法。
【請求項２】上記所定パターンの導体層は、マトリッ
クス上に複数配設された表面伝導型電子放出素子の電極
を構成する電子放出部近傍電極であることを特徴とする
請求項１に記載の電子源基板の製造方法。
【請求項３】上記所定パターンの導体層は、真空蒸着
法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、厚膜印刷法
の何れかにより形成されることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載の電子源基板の製造方法。
【請求項４】上記所定パターンの層間絶縁層は、スク
リーン印刷法によって形成されることを特徴とする請求
項１〜３の何れか１項に記載の電子源基板の製造方法。
【請求項５】複数の第１導体層と、上記複数の第１導
体層と交差する複数の第２導体層と、各々が上記複数の
第１導体層の各々と上記第２導体層の各々とが交差する
位置に配設され両配線に接続された複数の冷陰極電子放
出素子とを絶縁性基板上に備える電子源基板を製造する
方法において、上記絶縁性基板上に、左右非等長である複数の一対の対
向電極を形成する工程と、上記左右非等長である複数の一対の対向電極上で、次工
程で形成する複数の隣り合った第１導体層の間に相当す
る位置に、上記複数の一対の対向電極の長い側の電極を
覆わぬように第１層間絶縁層を形成する工程と、上記複数の一対の対向電極の短い側の電極と接触させて
上記複数の第１層間絶縁層の間に複数の第１導体層を形
成する工程と、上記複数の第１層間絶縁層の上に、上記複数の一対の対
向電極の短い側及び長い側の電極を覆わないように連続
した凹字型の第２層間絶縁層を、少なくとも一層形成す
る工程と、上記第１及び第２層間絶縁層を介して、同一列の上記複
数の一対の対向電極の長い側の電極と接触させて且つ上
記複数の第１導体層と交差させて上記複数の第２導体層
を形成する工程と、上記対向電極間に電子放出部を形成する工程とを順次行
うことを特徴とする電子源基板の製造方法。
【請求項６】絶縁性基板上に、複数の第１導体層と、
上記複数の第１導体層と交差する複数の第２導体層と、
各々が上記複数の第１導体層の各々と上記第２導体層の
各々とが交差する位置に配設され両配線に接続された複
数の冷陰極電子放出素子とを備える電子源基板を製造す
る方法において、上記絶縁性基板上に、左右非等長である複数の一対の対
向電極を形成する工程と、上記複数の一対の対向電極の短い側の電極と接触させて
上記複数の第１導体層を形成する工程と、上記複数の隣り合った第１導体層の間で、且つ、上記複
数の一対の対向電極の長い側の電極を覆わぬように上記
複数の第２導体層との交差部下層に島状の第１層間絶縁
層を形成する工程と、上記複数の第１層間絶縁層の上に、上記複数の一対の対
向電極の短い側及び長い側の電極を覆わないように連続
した凹字型の第２層間絶縁層を、少なくとも一層形成す
る工程と、上記、第１及び第２層間絶縁層を介して、同一列の上記
複数の一対の対向電極の長い側の電極と接触させて且つ
上記複数の第１導体層と交差させて上記複数の第２導体
層を形成する工程と、上記一対の対向電極間に電子放出部を形成する工程とを
行うことを特徴とする電子源基板の製造方法。
【請求項７】複数の第１導体層と、上記複数の第１導
体層と交差する複数の第２導体層と、各々が上記複数の
第１導体層の各々と上記第２導体層の各々とが交差する
位置に配設され両配線に接続された複数の冷陰極電子放
出素子とを絶縁性基板上に備える電子源基板を製造する
方法において、上記絶縁性基板上に、左右非等長である複数の一対の対
向電極を形成する工程と、上記複数の一対の対向電極の短い側の電極と接触させて
上記複数の第１導体層を形成する工程と、上記複数の第１導体層の一部を覆い、且つ上記複数の一
対の対向電極を覆わないように上記複数の第２導体層と
の交差部に線状の第１層間絶縁層を形成する工程と、上記複数の第１層間絶縁層の上に、上記複数の一対の対
向電極の短い側及び長い側の電極を覆わないように連続
した凹字型の第２層間絶縁層を、少なくとも一層形成す
る工程と、上記第１及び第２層間絶縁層を介して、同一列の上記複
数の一対の対向電極の長い側の電極と接触させて且つ上
記複数の第１導体層と交差させて上記複数の第２導体層
を形成する工程と、上記一対の対向電極間に電子放出部を形成する工程とを
順次行うことを特徴とする電子源基板の製造方法。
【請求項８】上記電子放出部を形成する工程は、電子
放出部形成用薄膜を形成する工程と、上記電子放出部形
成用薄膜に通電処理を施す工程とからなることを特徴と
する請求項１〜７の何れか１項に記載の電子源基板の製
造方法。
【請求項９】所定パターンの導体層と層間絶縁層とを
多層に形成してなる電子源基板において、上記所定パターンの導体層の上側に所定パターンの層間
絶縁層を形成する前に、上記所定パターンの導体層が形
成されていない部分を埋める第１層間絶縁層が形成さ
れ、その上側に第２層間絶縁層が形成されていることを
特徴とする電子源基板。
【請求項１０】上記所定パターンの導体層は、マトリ
ックス上に複数配設された表面伝導型電子放出素子の電
極を構成する電子放出部近傍電極であることを特徴とす
る請求項９に記載の電子源基板。
【請求項１１】上記所定パターンの導体層は、真空蒸
着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、厚膜印刷
法の何れかにより形成されることを特徴とする請求項９
または１０に記載の電子源基板。
【請求項１２】上記所定パターンの層間絶縁層はスク
リーン印刷法を適用して形成されることを特徴とする請
求項９〜１１の何れか１項に記載の電子源基板。
【請求項１３】所定パターンの導体層と層間絶縁層と
を多層に形成してなる電子源基板を有する画像表示装置
において、上記所定パターンの導体層の上側に所定パターンの層間
絶縁層を形成する前に、上記所定パターンの導体層が形
成されていない部分を埋める第１層間絶縁層が形成さ
れ、その上側に第２層間絶縁層が形成されている電子源
基板と、上記電子源基板に対向する位置に配設され、電
子の照射により可視光を発する蛍光体とを備えることを
特徴とする画像表示装置。
【請求項１４】上記所定パターンの導体層は、マトリ
ックス上に複数配設された表面伝導型電子放出素子の電
極を構成する電子放出部近傍電極であることを特徴とす
る請求項１３に記載の画像表示装置。
【請求項１５】上記所定パターンの導体層は、真空蒸
着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、厚膜印刷
法の何れかにより形成されることを特徴とする請求項１
３または１４に記載の画像表示装置。
【請求項１６】上記所定パターンの層間絶縁層はスク
リーン印刷法を適用して形成されることを特徴とする請
求項１３〜１５の何れか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１７】請求項１〜８の何れか１項に記載の電
子源基板の製造方法の手順をコンピュータに実行させる
ためのプログラムをコンピュータから読み出し可能に格
納したことを特徴とする記憶媒体。