JP2000243780A - ワイヤボンダ - Google Patents

ワイヤボンダ

Info

Publication number
JP2000243780A
JP2000243780A JP4670999A JP4670999A JP2000243780A JP 2000243780 A JP2000243780 A JP 2000243780A JP 4670999 A JP4670999 A JP 4670999A JP 4670999 A JP4670999 A JP 4670999A JP 2000243780 A JP2000243780 A JP 2000243780A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
island
lead
wire
semiconductor pellet
fixing means
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4670999A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Fukushima
宏 福嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to JP4670999A priority Critical patent/JP2000243780A/ja
Publication of JP2000243780A publication Critical patent/JP2000243780A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/787—Means for aligning
    • H01L2224/78703—Mechanical holding means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 リードフレームが小型化され半導体ペレット
をマウントしたアイランド上の余白部分が狭くなるとア
イランドを押圧して支持部材に密着させることが困難と
なり、ワイヤボンディング強度が低下するという問題が
あった。 【解決手段】 半導体ペレット４を固定したアイランド
２と一端がアイランド２近傍に配置されたリード３とを
連結一体化したリードフレーム１のアイランド２とリー
ド３中間部を支持部材５上に押圧固定し位置決めする固
定手段７、１０と、半導体ペレット４上の電極とリード
３とをワイヤ９を介して電気的に接続するボンディング
ツール８とを備えたワイヤボンダにおいて、上記固定手
段１０は、少なくともアイランド２を押圧固定する部分
が弾性部材１２よりなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造装
置に関し、特に半導体ペレットとリードとを電気的に接
続するワイヤボンダに関する。
【０００２】
【従来の技術】小型の半導体装置は一般的に半導体ペレ
ットをマウントするアイランドと一端をアイランドの近
傍に配置したリードとを連結一体化したリードフレーム
を用いて製造される。即ち、リードフレームのアイラン
ドに半導体ペレットを接着し、半導体ペレット上の電極
とリードとを電気的に接続して半導体ペレットを含むリ
ードフレーム上の主要部分を樹脂にて被覆し、樹脂から
露呈したリードフレームの不要部分を切断除去して個々
の半導体装置に分離し製造される。ここで半導体ペレッ
トとリードの電気的接続には金やアルミニウムなどの金
属ワイヤが用いられるが、小型で小電力、小電流の半導
体装置では細線化が可能な金ワイヤを超音波ボンディン
グしている。このような装置の一例を図６から説明す
る。図において、１はリードフレームで、アイランド２
の近傍に複数のリード３ａ、３ｂが配置されている。こ
のリードのうち一本のリード３ａはアイランド２と電気
的、機械的に接続され、リード３ａ、３ｂを含む図外の
リードは図示省略するが中間部及び外端部が連結条によ
って連結され一体化されている。４はアイランド２に接
着された半導体ペレットで、接着材として半田や樹脂系
接着剤、ベース樹脂に導電性微粒子を分散させた導電性
樹脂接着剤などが用いられる。５はリードフレーム１を
ガイドするガイドレールで、リードフレーム１を間欠送
りする送り機構（図示せず）が付設され、必要に応じて
リードフレーム１を加熱するヒータが埋設されている。
６、７はガイドレール４上で停止したリードフレーム１
の定位置にあるアイランド２とリード３をそれぞれガイ
ドレール４に押圧して位置決め固定するフレーム固定手
段で、図示例ではアイランド２の外端と半導体ペレット
４の間に位置するアイランド２表面及びリード３ｂのワ
イヤボンディング予定部近傍にそれぞれ当接する金属レ
バーが用いられている。８は金属ワイヤ９を挿通したキ
ャピラリ（ボンディングツール）で、図示省略するが超
音波振動を伝達するホーンの一端部に固定され、上下動
及び水平動する。金属ワイヤ９は小電流の半導体装置で
は小径の金線が用いられる。この装置の動作を以下に説
明する。先ずガイドレール５上の定位置にあるアイラン
ド２とリード３をフレーム固定手段６、７で固定する。
次にキャピラリ８下端から突出させたワイヤ９の先端を
放電や水素炎により溶融して金ボール９ａを形成する。
そしてキャピラリ８を半導体ペレット４上の電極（図示
せず）上に移動させ降下させて、キャピラリ８の下端で
金ボール９ａを電極に押し付け、超音波振動を付与しつ
つ加圧してワイヤ９の先端をボンディングする。そして
キャピラリ８を上昇させワイヤ９を繰出しつつリード３
ｂ上に移動させて、ワイヤ９の中間部をキャピラリ８の
下端で超音波振動を付与しつつ加圧してボンディングし
このボンディング部分より外方でワイヤ９を切断し、一
組みの電極、リード間のボンディングを完了する。そし
て上記動作を半導体ペレット４上の他の電極と他のリー
ドに対して繰り返し、一つの半導体ペレット４に対する
ワイヤボンディングが完了すると、フレーム固定手段
６、７を解放してリードフレームを間欠送りし、上記動
作を繰り返す。ここでキャピラリ８でワイヤ９を加圧し
超音波振動を付与するとワイヤ９と電極またはリードの
接触界面で摩擦を生じワイヤ９が接続されるが、ワイヤ
９と電極またはリードとの間で滑りを生じるとワイヤ９
の接続が不完全になるため、フレーム固定手段６でアイ
ランド２をガイドレール５に押し付けて半導体ペレット
４上の電極を固定し、フレーム固定手段７でリード３ｂ
のボンディング予定部近傍をガイドレール５に押し付け
てリード３ｂを固定し、ボンディングを良好にしてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ビデオカメ
ラなどの可搬型電子回路装置は小型で軽量であることが
要求され、これに組み込まれる半導体装置を含む電子部
品も小型化が要求されている。そのため、半導体ペレッ
ト４の外径寸法を可及的に縮小するとともにこれに対応
するリードフレーム１を小型化している。この結果、ア
イランド２上の余白部分が縮径されフレーム固定手段６
のアイランド２と当接する部分も縮径せざるを得ない。
ところが、フレーム固定手段６の先端部を径小化すると
アイランド２を局部的に加圧することになり、リードフ
レーム１とガイドレール５の接触部分も局部的となるた
め、半導体ペレット４が超音波振動するとアイランド２
がガイドレール５上で滑り、半導体ペレット４上の電極
とワイヤ９との間でも滑りを生じボンディング強度が低
下するという問題があった。また、フレーム固定手段６
と半導体ペレット４の間の余裕も取れないため、半導体
ペレット４が位置ずれしてマウントされていると、フレ
ーム固定手段６が接触し、半導体ペレット４を傷つけた
り、半導体ペレット４の破損した欠片がリードフレーム
１上の不所望部分に付着し短絡や耐電圧を低下させるな
ど不具合を生じることがあった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題の解決
を目的として提案されたもので、リードフレームの半導
体ペレットを固定したアイランドと一端がアイランド近
傍に配置されたリードの中間部をそれぞれ固定手段で支
持部材上に押圧固定し位置決めし、ボンディングツール
を用いて半導体ペレット上の電極とリードとをワイヤを
介して電気的に接続するワイヤボンダの、上記固定手段
の少なくともアイランドを押圧固定する部分を弾性部材
で構成したことを特徴とするワイヤボンダを提供する。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明によるワイヤボンダは、リ
ードフレームをガイドレールに固定するフレーム固定手
段の内、アイランドを固定するフレーム固定手段に特徴
を有するものであるが、このフレーム固定手段を弾性部
材で構成することによりその一部を半導体ペレットの表
面に当接させることができる。また本発明によるフレー
ム固定手段は、支持部材上の所定高さ位置上方で上下動
する可動ブロックと、支持部材と可動ブロックの間に挿
入され高圧ガスが注入されて膨張しアイランドを押圧固
定する中空の弾性部材から構成することができる。
【０００６】
【実施例】以下に本発明の実施例を図１及び図２から説
明する。図において、図６と同一物には同一符号を付し
重複する説明を省略する。図中相異するのは、リードフ
レーム１のアイランド２を固定するフレーム固定手段１
０のみである。このフレーム固定手段１０はレバーを形
成する水平なアーム１１の先端に凹部１１ａを形成し、
この凹部１１ａに耐熱性、耐摩耗性に富み弾性を有する
樹脂からなる直方体状の弾性部材１２をねじ１３で固定
している。この弾性部材１２の下面１２ａ角部がアイラ
ンド２の端部を加圧する。これにより、アイランド２の
端部と半導体ペレット４の間の余白部分が狭くてもこの
余白部分いっぱいにフレーム固定手段１０の角部１２ａ
を面接触させて密着させることができるため、アイラン
ド２の端部を確実に固定することができる。この弾性部
材１２は下端面１２ａを平坦に形成するだけでなく、図
３に示すように、下端の中間部に巾０．２ｍｍ、深さ
０．５ｍｍ程度のスリット１２ｂを形成してもよい。こ
のスリット１２ｂの形成位置と巾、深さを調整すること
により弾性部材１２のアイランド２と当接する部分の硬
度を調整できアイランド２の固定を最良に設定できる。
またこの弾性部材１２は平坦な下端面１２ａでアイラン
ド２を加圧するだけでなく、図４に示すように、下端面
１２ａと側壁１２ｃの隣接部分を面取りしてこの面取り
部分１２ｄをアイランド２の端部角部に当接させてもよ
い。さらには、アーム１１を図５に示すように、支持部
材５上の所定高さ位置上方で上下動する可動ブロック１
４に置き換え、支持部材５と可動ブロック１４の間に、
内部が中空で、高圧ガスが注入されて前端部下面が膨出
する弾性部材１５を挿入してフレーム固定手段を構成す
ることが出来る。この装置では、可動ブロック１４によ
って弾性部材１５をアイランド２に押し付け、この状態
で弾性部材１５の内部に高圧ガスを供給することにより
弾性部材１５のアイランド２押圧部分１５ａを膨出させ
てアイランド２と支持部材５の密着性を向上できる。本
発明によるフレーム固定手段は、弾性部材によって構成
され、アイランド２上で滑りにくく半導体ペレット４と
の間の余白部分が狭くても確実にアイランド２と係合で
き、面接触させることができるため係合面積も広くでき
るから、アイランドを縮径し半導体ペレットとの間の余
白部分が狭い場合でも確実にアイランドを支持部材に密
着でき、良好なボンディングができる。また弾性部材は
圧着するだけで水平面方向の移動がないから半導体ペレ
ットの一部にも当接させても損傷させることがなく、ア
イランド上の余白部分がない状態でもアイランドを確実
に固定することが出来る。
【０００７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、リードフ
レームの小型化によりワイヤボンディング時にアイラン
ドを支持部材に押圧して固定するためのフレーム固定手
段を当接し得る面積が狭くても確実に固定することが出
来、良好なボンディングができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例を示す側断面図
【図２】 図１装置の平面図
【図３】 本発明によるフレーム固定手段の変形例を示
す要部側断面図
【図４】 本発明によるフレーム固定手段の変形例を示
す要部側断面図
【図５】 本発明の他の実施例を示す要部側断面図
【図６】 従来のワイヤボンダを示す側断面図
【符号の説明】
１ リードフレーム ２ アイランド ３ リード ４ 半導体ペレット ５ 支持部材 ７ 固定手段 ８ ボンディングツール ９ ワイヤ １０ フレーム固定手段 １２ 弾性部材

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体ペレットを固定したアイランドと一
    端がアイランド近傍に配置されたリードとを連結一体化
    したリードフレームのアイランドとリード中間部を支持
    部材上に押圧固定し位置決めする固定手段と、半導体ペ
    レット上の電極とリードとをワイヤを介して電気的に接
    続するボンディングツールとを備えたワイヤボンダにお
    いて、 上記固定手段は、少なくともアイランドを押圧固定する
    部分が弾性部材よりなることを特徴とするワイヤボン
    ダ。
  2. 【請求項２】アイランドを押圧固定する弾性部材の一部
    を半導体ペレットの表面に当接させることを特徴とする
    請求項１に記載のワイヤボンダ。
  3. 【請求項３】固定手段は、 支持部材上の所定高さ位置上方で上下動する可動ブロッ
    クと、支持部材と可動ブロックの間に挿入され高圧ガス
    が注入されて膨張しアイランドを押圧固定する中空の弾
    性部材からなることを特徴とする請求項１に記載のワイ
    ヤボンダ。
JP4670999A 1999-02-24 1999-02-24 ワイヤボンダ Pending JP2000243780A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4670999A JP2000243780A (ja) 1999-02-24 1999-02-24 ワイヤボンダ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4670999A JP2000243780A (ja) 1999-02-24 1999-02-24 ワイヤボンダ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000243780A true JP2000243780A (ja) 2000-09-08

Family

ID=12754897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4670999A Pending JP2000243780A (ja) 1999-02-24 1999-02-24 ワイヤボンダ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000243780A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011030368A1 (ja) * 2009-09-08 2011-03-17 パナソニック株式会社 半導体装置とその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011030368A1 (ja) * 2009-09-08 2011-03-17 パナソニック株式会社 半導体装置とその製造方法
JPWO2011030368A1 (ja) * 2009-09-08 2013-02-04 パナソニック株式会社 半導体装置とその製造方法
US8378467B2 (en) 2009-09-08 2013-02-19 Panasonic Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP5553766B2 (ja) * 2009-09-08 2014-07-16 パナソニック株式会社 半導体装置とその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100376336B1 (ko) 반도체 장치 및 그의 제조 방법
JP3455626B2 (ja) 半導体装置の製造方法および製造装置
KR100734269B1 (ko) 와이어 본딩 장치
JP2000243780A (ja) ワイヤボンダ
JP3384762B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3322642B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0530058B2 (ja)
KR100752664B1 (ko) 와이어 루프를 갖는 반도체 디바이스, 그 형성 방법 및와이어 루프를 형성하기 위한 와이어 본딩 장치
JP2527531B2 (ja) ワイヤボンディング装置
KR100771893B1 (ko) 와이어 본딩 방법
JP3202193B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPH10199913A (ja) ワイヤボンディング方法
JP2848344B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JPS6178128A (ja) 半導体装置およびその製造において用いるボンデイングツ−ル
JPH1154541A (ja) ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置
JPH10242195A (ja) 半導体装置及びワイヤボンダ
JP4004237B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR100685869B1 (ko) 범핑과 압착을 동시에 행하는 와이어본더
JP2002093846A (ja) ワイヤボンディング装置
JPH11251501A (ja) 電子部品および電子部品の製造装置
JP2002164379A (ja) ワイヤボンディング装置及び方法、及び半導体装置
JPH09330944A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH05243234A (ja) Ｔａｂ式半導体装置及びその製造装置
JPH0778843A (ja) ワイヤボンディング装置
JPH02122530A (ja) ワイヤボンディング方法