JP2000235988A - 金型及びその金型によって封止された半導体装置 - Google Patents
金型及びその金型によって封止された半導体装置Info
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- JP2000235988A JP2000235988A JP11038086A JP3808699A JP2000235988A JP 2000235988 A JP2000235988 A JP 2000235988A JP 11038086 A JP11038086 A JP 11038086A JP 3808699 A JP3808699 A JP 3808699A JP 2000235988 A JP2000235988 A JP 2000235988A
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- Pending
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子の樹脂封止で、成形樹脂３の投下
効率のよい金型と、その金型を用いて封止した半導体装
置。 【解決手段】 半導体素子を封止するトランスファー成
形装置の金型で、ゲート５と最初のキャビティ６との間
には第1ゲート８を設け、かつ、隣接する各キャビティ
６の間には素子間平行スルーゲート９を設ける金型。こ
の金型を用いて樹脂封止する半導体装置。
効率のよい金型と、その金型を用いて封止した半導体装
置。 【解決手段】 半導体素子を封止するトランスファー成
形装置の金型で、ゲート５と最初のキャビティ６との間
には第1ゲート８を設け、かつ、隣接する各キャビティ
６の間には素子間平行スルーゲート９を設ける金型。こ
の金型を用いて樹脂封止する半導体装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体デバイスの樹
脂封止に用いる金型と、その金型を用いて封止された半
導体装置に関する。
脂封止に用いる金型と、その金型を用いて封止された半
導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の封止方法には大きく分ける
と、気密封止と非気密封止に分けられる。気密封止はシ
ーム溶接、抵抗溶接、レーザ溶接、ソルダ封止や低融点
ガラス封止等である。また、非気密封止はトランスファ
ー成形、ポッティング、キャスティングやパウダーコー
ト等である。
と、気密封止と非気密封止に分けられる。気密封止はシ
ーム溶接、抵抗溶接、レーザ溶接、ソルダ封止や低融点
ガラス封止等である。また、非気密封止はトランスファ
ー成形、ポッティング、キャスティングやパウダーコー
ト等である。
【０００３】このうち、トランスファー成形はＩＣ全般
に適用できること、２〜３分の工程で行える１ショット
当たりで３００個程度のＩＣの大量生産が可能であるこ
とや、低価格である事等の理由により広く採用されてい
る。
に適用できること、２〜３分の工程で行える１ショット
当たりで３００個程度のＩＣの大量生産が可能であるこ
とや、低価格である事等の理由により広く採用されてい
る。
【０００４】このトランスファー成形は、樹脂の粉体を
タブレット状にプリフォームした成形材料を低圧トラン
スファ成形機のポット内に投入して加熱／溶融化させ、
プランジャーによりトランスファー圧力を掛け、その後
に配置されたランナー部を移送し更には各キャビティ毎
に対し垂直方向に設けたゲート部を経てあらかじめ金型
内に載置された半導体素子（マウントしたリードフレー
ム）を成形部にて樹脂封止するものである。
タブレット状にプリフォームした成形材料を低圧トラン
スファ成形機のポット内に投入して加熱／溶融化させ、
プランジャーによりトランスファー圧力を掛け、その後
に配置されたランナー部を移送し更には各キャビティ毎
に対し垂直方向に設けたゲート部を経てあらかじめ金型
内に載置された半導体素子（マウントしたリードフレー
ム）を成形部にて樹脂封止するものである。
【０００５】成形部の金型構造について図３を参照して
説明すると、図３は金型の斜視図で、金型にはリードフ
レーム２１に搭載された図示しない半導体素子の封止個
所に対応してキャビティ２２がそれぞれリードフレーム
２１の長手方向に沿って区画して形成されている。
説明すると、図３は金型の斜視図で、金型にはリードフ
レーム２１に搭載された図示しない半導体素子の封止個
所に対応してキャビティ２２がそれぞれリードフレーム
２１の長手方向に沿って区画して形成されている。
【０００６】また、各キャビティ２２にはそれぞれ成形
部２５が設けられている方向に対して直角方向にゲート
２３が形成されている。さらに、このゲート２３のキャ
ビティ２２との反対側には、各ゲート２３に接続してラ
ンナー２４が設けられている。
部２５が設けられている方向に対して直角方向にゲート
２３が形成されている。さらに、このゲート２３のキャ
ビティ２２との反対側には、各ゲート２３に接続してラ
ンナー２４が設けられている。
【０００７】したがって、図示しない成形装置から流動
してきた成形樹脂はランナー２４から各ゲート２３を経
由して、成形部２５に導入されてキャビティ２２内にセ
ットされているリードフレーム２１に搭載された半導体
素子のそれぞれの所定個所を樹脂封止する。
してきた成形樹脂はランナー２４から各ゲート２３を経
由して、成形部２５に導入されてキャビティ２２内にセ
ットされているリードフレーム２１に搭載された半導体
素子のそれぞれの所定個所を樹脂封止する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような金型構造では、キャビティへの成形樹脂の充填に
各半導体素子毎に対し垂直方向に設けたゲートと、この
ゲートに連結するランナー部を必要とするため、キャビ
ティに使用する樹脂量が金型投入時の樹脂量に対して極
めて少ない。
ような金型構造では、キャビティへの成形樹脂の充填に
各半導体素子毎に対し垂直方向に設けたゲートと、この
ゲートに連結するランナー部を必要とするため、キャビ
ティに使用する樹脂量が金型投入時の樹脂量に対して極
めて少ない。
【０００９】つまり、成形樹脂の投下効率が極めて低
く、また、キャビティ毎にゲートとランナーを配設する
必要があるので、金型部品点数の増加や加工コストが上
昇してしまうという問題点が存在している。
く、また、キャビティ毎にゲートとランナーを配設する
必要があるので、金型部品点数の増加や加工コストが上
昇してしまうという問題点が存在している。
【００１０】本発明はこれらの事情に基づいた成された
もので、半導体素子の樹脂封止で、成形樹脂の投下効率
のよい金型と、その金型を用いて封止した半導体装置を
提供することを目的としている。
もので、半導体素子の樹脂封止で、成形樹脂の投下効率
のよい金型と、その金型を用いて封止した半導体装置を
提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ポット
内の成形樹脂をランナーを介して第1のゲートからキャ
ビティに流入させ、前記キャビティ内にセットされてい
るリードフレームに搭載されている半導体素子を封止す
るトランスファー成形装置の金型において、前記第1の
ゲートとこの第1のゲートに最初に接続するキャビティ
との間には第２のゲートが設けられ、かつ、隣接する各
キャビティの間には素子間平行スルーゲートが設けられ
ていることを特徴とする金型である。
内の成形樹脂をランナーを介して第1のゲートからキャ
ビティに流入させ、前記キャビティ内にセットされてい
るリードフレームに搭載されている半導体素子を封止す
るトランスファー成形装置の金型において、前記第1の
ゲートとこの第1のゲートに最初に接続するキャビティ
との間には第２のゲートが設けられ、かつ、隣接する各
キャビティの間には素子間平行スルーゲートが設けられ
ていることを特徴とする金型である。
【００１２】また本発明によれば、前記第２ゲートと前
記素子間平行スルーゲートは、各前記キャビティの中心
線に沿って設けられていることを特徴とする金型であ
る。
記素子間平行スルーゲートは、各前記キャビティの中心
線に沿って設けられていることを特徴とする金型であ
る。
【００１３】また本発明によれば、前記第２ゲートと前
記素子間平行スルーゲートの深さは、各前記キャビティ
の深さよりも浅く設定されていることを特徴とする金型
である。
記素子間平行スルーゲートの深さは、各前記キャビティ
の深さよりも浅く設定されていることを特徴とする金型
である。
【００１４】また本発明によれば、上記に記載された金
型を用いて封止された半導体装置である。
型を用いて封止された半導体装置である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下本発明のトランスファー成型
用の金型の一実施の形態を図面を参照して説明する。
用の金型の一実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１６】図１はトランスファー成形装置の模式図で
ある。図示しない駆動機構によって作動するプランジャ
ー１がポット２内に設けられている。ポット２内のプラ
ンジャー１の作動面側にはタブレット状の成形樹脂３が
収納されている。
ある。図示しない駆動機構によって作動するプランジャ
ー１がポット２内に設けられている。ポット２内のプラ
ンジャー１の作動面側にはタブレット状の成形樹脂３が
収納されている。
【００１７】この成形樹脂３は、以下のような特性が要
求される。（１）型離れ、流動性、硬化時間、低成形性
等の加工成形性がよいこと。（２）半導体素子への悪影
響を及ぼす可動性イオンがないこと。（３）樹脂自体の
吸湿性、透湿性が小さいこと。（４）リードフレームと
の接着強度が強く、この境界面からの耐浸水性に優れて
いること。（５）熱膨張係数がリードフレーム金属のそ
れに近く、熱変形が温度が高いこと。（６）熱伝導率が
高いこと。（７）誘電率、誘電正接が小さいこと。
（８）耐燃性を有していること。等であるが、全てを満
足する樹脂はなかなか存在せず、特に、（３）（４）の
項目に問題のあるものが多く、通常、使用されている樹
脂は、シリコンとエポキシの場合が多い。
求される。（１）型離れ、流動性、硬化時間、低成形性
等の加工成形性がよいこと。（２）半導体素子への悪影
響を及ぼす可動性イオンがないこと。（３）樹脂自体の
吸湿性、透湿性が小さいこと。（４）リードフレームと
の接着強度が強く、この境界面からの耐浸水性に優れて
いること。（５）熱膨張係数がリードフレーム金属のそ
れに近く、熱変形が温度が高いこと。（６）熱伝導率が
高いこと。（７）誘電率、誘電正接が小さいこと。
（８）耐燃性を有していること。等であるが、全てを満
足する樹脂はなかなか存在せず、特に、（３）（４）の
項目に問題のあるものが多く、通常、使用されている樹
脂は、シリコンとエポキシの場合が多い。
【００１８】ポット２は先端部にはランナー４の入口が
連接して形成されている。ランナー４の出口側にはゲー
ト５を介してキャビティ６が形成されている。このキャ
ビティ６の中には半導体素子を搭載したリードフレーム
７がセットされている。
連接して形成されている。ランナー４の出口側にはゲー
ト５を介してキャビティ６が形成されている。このキャ
ビティ６の中には半導体素子を搭載したリードフレーム
７がセットされている。
【００１９】図２はキャビティ周辺の金型の斜視図であ
る。すなわち、封止するリードフレーム７の各半導体素
子に対応してそれぞれキャビティ６が形成されている。
また、ランナー４の出口に設けられたゲート５に最初に
接続しているキャビティ６の接続部には、ゲート８が設
けられている。さらにこの最初のキャビティ６と次のキ
ャビティ６との間にはキャビティ６間を連通する素子間
スルーゲート９が形成されている。同様に隣接するキャ
ビティ６間には全てに素子間平行スルーゲート９が形成
されている。これらのゲート８と各素子間平行スルーゲ
ート９は、各キャビティ６の中心線に沿って設けられて
いる。また、これらのゲート８と各素子間平行スルーゲ
ート９の深さは、各キャビティ６の深さよりも浅く設定
されている。
る。すなわち、封止するリードフレーム７の各半導体素
子に対応してそれぞれキャビティ６が形成されている。
また、ランナー４の出口に設けられたゲート５に最初に
接続しているキャビティ６の接続部には、ゲート８が設
けられている。さらにこの最初のキャビティ６と次のキ
ャビティ６との間にはキャビティ６間を連通する素子間
スルーゲート９が形成されている。同様に隣接するキャ
ビティ６間には全てに素子間平行スルーゲート９が形成
されている。これらのゲート８と各素子間平行スルーゲ
ート９は、各キャビティ６の中心線に沿って設けられて
いる。また、これらのゲート８と各素子間平行スルーゲ
ート９の深さは、各キャビティ６の深さよりも浅く設定
されている。
【００２０】このような構成により、ポット２内の成形
樹脂３は図示しない加熱装置により加熱されプランジャ
ー１によって加圧されると、ランナー４内を流動してゲ
ート５を経由してゲート８を通過して最初に接続するキ
ャビティ６内に流入する。さらにプランジャー１が成形
樹脂３を加圧すると、成形樹脂３は素子間平行スルーゲ
ート９を経由して次のキャビティ６内に流入する。以下
同様に、順次、次々に各キャビティ６内に成形樹脂３が
流入充填してリードフレーム７に搭載された半導体素子
を封止する。
樹脂３は図示しない加熱装置により加熱されプランジャ
ー１によって加圧されると、ランナー４内を流動してゲ
ート５を経由してゲート８を通過して最初に接続するキ
ャビティ６内に流入する。さらにプランジャー１が成形
樹脂３を加圧すると、成形樹脂３は素子間平行スルーゲ
ート９を経由して次のキャビティ６内に流入する。以下
同様に、順次、次々に各キャビティ６内に成形樹脂３が
流入充填してリードフレーム７に搭載された半導体素子
を封止する。
【００２１】表１に本実施の形態による金型と従来の金
型の実際の成形による成形効果の対比を示す。
型の実際の成形による成形効果の対比を示す。
【表１】 本発明の金型では樹脂効率を従来の金型と比較して１０
％の向上化を可能にした。さらに、本発明の金型では、
樹脂効率向上分での製品取り扱い数の増加として、同一
樹脂にて製品取り扱い数が現状の７２０素子／１ｓｈｏ
ｔから、２４０素子増の1成形９６０素子の成形が可能
になった。
％の向上化を可能にした。さらに、本発明の金型では、
樹脂効率向上分での製品取り扱い数の増加として、同一
樹脂にて製品取り扱い数が現状の７２０素子／１ｓｈｏ
ｔから、２４０素子増の1成形９６０素子の成形が可能
になった。
【００２２】したがって、本発明の金型では、成形樹脂
３の流動性考慮にてリードフレーム７に対し平行で、各
キャビティ６間毎に素子間平行スルーゲート９を配置
し、キャビティ６間を成形樹脂３が流動するようにし、
成形樹脂３による成形と移送を繰り返す機構を設けたの
で、成形樹脂３の投下効率にが極めて高い樹脂封止が可
能となった。
３の流動性考慮にてリードフレーム７に対し平行で、各
キャビティ６間毎に素子間平行スルーゲート９を配置
し、キャビティ６間を成形樹脂３が流動するようにし、
成形樹脂３による成形と移送を繰り返す機構を設けたの
で、成形樹脂３の投下効率にが極めて高い樹脂封止が可
能となった。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、半導体デバイスのトラ
ンスファー成形による封止用金型において、従来の各半
導体素子毎に配置していたランナー及びゲートが不要と
なり安価な金型が得られ、また、成形に必要な成形樹脂
は最小限に抑制するころができるので、成形樹脂の投下
効率の向上に大幅な効果を得ることが可能になった。
ンスファー成形による封止用金型において、従来の各半
導体素子毎に配置していたランナー及びゲートが不要と
なり安価な金型が得られ、また、成形に必要な成形樹脂
は最小限に抑制するころができるので、成形樹脂の投下
効率の向上に大幅な効果を得ることが可能になった。
【図１】トランスファー成形装置の模式図。
【図２】本発明の実施の形態を示すキャビティ周辺の金
型の斜視図。
型の斜視図。
【図３】従来の実施の形態を示すキャビティ周辺の金型
の斜視図。
の斜視図。
１…プランジャー、２…ポット、３…成形樹脂、４、２
４…ランナー、５、８、２３…ゲート、６、２２…キャ
ビティ、７、２１…リードフレーム、９…素子間平行ス
ルーゲート
４…ランナー、５、８、２３…ゲート、６、２２…キャ
ビティ、７、２１…リードフレーム、９…素子間平行ス
ルーゲート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F202 AA39 AC01 AD19 AH33 CA12 CB01 CB12 CK06 CK15 4F206 AA39 AC01 AD19 AH37 JA02 JB17 JQ81 5F061 AA01 BA01 CA21 DA03 DA04 DA05 DA06
Claims (4)
- 【請求項１】 ポット内の成形樹脂をランナーを介して
第1のゲートからキャビティに流入させ、前記キャビテ
ィ内にセットされているリードフレームに搭載されてい
る半導体素子を封止するトランスファー成形装置の金型
において、 前記第1のゲートとこの第1のゲートに最初に接続するキ
ャビティとの間には第２のゲートが設けられ、かつ、隣
接する各キャビティの間には素子間平行スルーゲートが
設けられていることを特徴とする金型。 - 【請求項２】 前記第２ゲートと前記素子間平行スルー
ゲートは、各前記キャビティの中心線に沿って設けられ
ていることを特徴とする請求項１記載の金型。 - 【請求項３】 前記第２ゲートと前記素子間平行スルー
ゲートの深さは、各前記キャビティの深さよりも浅く設
定されていることを特徴とする請求項１記載の金型。 - 【請求項４】 請求項１乃至３に記載された金型を用い
て封止された半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11038086A JP2000235988A (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | 金型及びその金型によって封止された半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11038086A JP2000235988A (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | 金型及びその金型によって封止された半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000235988A true JP2000235988A (ja) | 2000-08-29 |
Family
ID=12515676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11038086A Pending JP2000235988A (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | 金型及びその金型によって封止された半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000235988A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014132688A (ja) * | 2014-03-25 | 2014-07-17 | Apic Yamada Corp | Ｌｅｄパッケージ用基板、ｌｅｄパッケージ用基板の製造方法、及び、ｌｅｄパッケージの製造方法 |
-
1999
- 1999-02-17 JP JP11038086A patent/JP2000235988A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014132688A (ja) * | 2014-03-25 | 2014-07-17 | Apic Yamada Corp | Ｌｅｄパッケージ用基板、ｌｅｄパッケージ用基板の製造方法、及び、ｌｅｄパッケージの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20031215 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040106 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040304 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040615 |