JP2000235933A - 誘電体粉末及びその製造方法並びにコンデンサ付き回路基板 - Google Patents
誘電体粉末及びその製造方法並びにコンデンサ付き回路基板Info
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- JP2000235933A JP2000235933A JP11038235A JP3823599A JP2000235933A JP 2000235933 A JP2000235933 A JP 2000235933A JP 11038235 A JP11038235 A JP 11038235A JP 3823599 A JP3823599 A JP 3823599A JP 2000235933 A JP2000235933 A JP 2000235933A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電層の厚みを変えることなく、静電容量を
高めることができる誘電体粉末及びその製造方法並びに
該誘電体粉末を用いたコンデンサ付き回路基板を提供す
る 【解決手段】 チタン，チタン合金またはチタン化合物
の導電性粉末１１ａの表面上に無電解式の水熱合成法に
よりＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 からなる強誘電体膜１１ｂを
形成して誘電体粉末１１を作る。誘電体粉末１１とバイ
ンダ１３とを含む誘電体ペーストを下部電極３ａに塗布
して誘電層７を形成する。
高めることができる誘電体粉末及びその製造方法並びに
該誘電体粉末を用いたコンデンサ付き回路基板を提供す
る 【解決手段】 チタン，チタン合金またはチタン化合物
の導電性粉末１１ａの表面上に無電解式の水熱合成法に
よりＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 からなる強誘電体膜１１ｂを
形成して誘電体粉末１１を作る。誘電体粉末１１とバイ
ンダ１３とを含む誘電体ペーストを下部電極３ａに塗布
して誘電層７を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体粉末及びそ
の製造方法並びに該誘電体粉末を用いたコンデンサ付き
回路基板に関するものである。
の製造方法並びに該誘電体粉末を用いたコンデンサ付き
回路基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】導電性を持たないチタン酸バリウム等か
らなる誘電体粉末を用いて厚みの薄い誘電層を形成する
コンデンサ付き回路基板が知られている。この種のコン
デンサ付き回路基板は、誘電体粉末とバインダとを混練
した誘電体ペーストを基板上の電極に塗布して誘電層を
形成する。
らなる誘電体粉末を用いて厚みの薄い誘電層を形成する
コンデンサ付き回路基板が知られている。この種のコン
デンサ付き回路基板は、誘電体粉末とバインダとを混練
した誘電体ペーストを基板上の電極に塗布して誘電層を
形成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなコンデンサ
付き回路基板において静電容量を高めるには、誘電層の
厚みを薄くすることが考えられる。しかしながら、従来
のコンデンサ付き回路基板では、誘電層の厚みが誘電体
粉末の径寸法の数倍しかなく、誘電層の厚みを薄くして
誘電率を高めるには限界があった。
付き回路基板において静電容量を高めるには、誘電層の
厚みを薄くすることが考えられる。しかしながら、従来
のコンデンサ付き回路基板では、誘電層の厚みが誘電体
粉末の径寸法の数倍しかなく、誘電層の厚みを薄くして
誘電率を高めるには限界があった。
【０００４】本発明の目的は、誘電層の厚みを変えるこ
となく、静電容量を高めることができる誘電体粉末及び
その製造方法並びに該誘電体粉末を用いたコンデンサ付
き回路基板を提供することにある。
となく、静電容量を高めることができる誘電体粉末及び
その製造方法並びに該誘電体粉末を用いたコンデンサ付
き回路基板を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体粉末は、
少なくとも表面部がチタン，チタン合金またはチタン化
合物によって形成された導電性粉末の表面上に水熱合成
法により形成された強誘電体膜を備えている。
少なくとも表面部がチタン，チタン合金またはチタン化
合物によって形成された導電性粉末の表面上に水熱合成
法により形成された強誘電体膜を備えている。
【０００６】コンデンサの静電容量（Ｃ）と、誘電層の
厚み（ｔ）とは、Ｃ＝８．８８５４×１０-12 εγＳ／
ｔの式に表すように反比例の関係を有している。そのた
め、前述したように、誘電層の厚みを薄くすると、コン
デンサの静電容量を高めることができる。本発明の誘電
体粉末を用いてコンデンサ付き回路基板を形成すると、
誘電層の厚み中に占める誘電物質のみに形成された誘電
部分の厚みは、誘電体粉末中の強誘電体膜の厚みが加算
されたものとなる。そのため、誘電層の実質的な誘電部
分の厚みｔを小さくして、コンデンサの静電容量Ｃを高
めることができる。特に本発明では、導電性粉末の表面
上に水熱合成法により強誘電体膜を形成するので、低コ
ストで強誘電体膜を形成でき、強誘電体膜を導電性粉末
の表面上に強固に結着できる。
厚み（ｔ）とは、Ｃ＝８．８８５４×１０-12 εγＳ／
ｔの式に表すように反比例の関係を有している。そのた
め、前述したように、誘電層の厚みを薄くすると、コン
デンサの静電容量を高めることができる。本発明の誘電
体粉末を用いてコンデンサ付き回路基板を形成すると、
誘電層の厚み中に占める誘電物質のみに形成された誘電
部分の厚みは、誘電体粉末中の強誘電体膜の厚みが加算
されたものとなる。そのため、誘電層の実質的な誘電部
分の厚みｔを小さくして、コンデンサの静電容量Ｃを高
めることができる。特に本発明では、導電性粉末の表面
上に水熱合成法により強誘電体膜を形成するので、低コ
ストで強誘電体膜を形成でき、強誘電体膜を導電性粉末
の表面上に強固に結着できる。
【０００７】導電性粉末は、ウイスカ状または球状若し
くは粒状のものを用いることができる。球状または粒状
の導電性粉末は、チタン、もしくはＴｉＮ，ＴｉＨまた
はＴｉＣからなるチタン化合物により形成されたものが
知られている。
くは粒状のものを用いることができる。球状または粒状
の導電性粉末は、チタン、もしくはＴｉＮ，ＴｉＨまた
はＴｉＣからなるチタン化合物により形成されたものが
知られている。
【０００８】強誘電体膜としては、チタン酸ジルコン酸
鉛［Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 ］、チタン酸ストロンチウム
［ＳｒＴｉＯ3 ］、チタン酸バリウム［ＢａＴｉＯ3 ］
等により形成することができる。特にチタン酸ジルコン
酸鉛［Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3］は、強誘電体膜の被形成
部材に通電を行わない無電解式の水熱合成法により強誘
電体膜を形成するので、強誘電体膜を簡単に形成でき
る。
鉛［Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 ］、チタン酸ストロンチウム
［ＳｒＴｉＯ3 ］、チタン酸バリウム［ＢａＴｉＯ3 ］
等により形成することができる。特にチタン酸ジルコン
酸鉛［Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3］は、強誘電体膜の被形成
部材に通電を行わない無電解式の水熱合成法により強誘
電体膜を形成するので、強誘電体膜を簡単に形成でき
る。
【０００９】このような誘電体粉末は、例えば、少なく
とも表面部がチタン，チタン合金またはチタン化合物を
主成分とする導電性粉末の表面上に無電解式の水熱合成
法によりＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 からなる強誘電体膜を形
成して作る。
とも表面部がチタン，チタン合金またはチタン化合物を
主成分とする導電性粉末の表面上に無電解式の水熱合成
法によりＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 からなる強誘電体膜を形
成して作る。
【００１０】本発明の誘電体粉末を用いるコンデンサ付
き回路基板は、誘電体粉末とバインダとを含む誘電体ペ
ーストを基板上の電極に塗布して誘電層を形成して構成
する。
き回路基板は、誘電体粉末とバインダとを含む誘電体ペ
ーストを基板上の電極に塗布して誘電層を形成して構成
する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の実施の形
態の誘電体粉末を用いたコンデンサ付き回路基板の断面
図である。本図に示すように、コンデンサ付き回路基板
は、絶縁性基板１上に銅箔の回路パターン３及びコンデ
ンサ５が形成されて構成されている。絶縁性基板１は、
ガラス、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド、
ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリフェニレンオ
キサイド（ＰＰＯ）等で形成されている。回路パターン
３は、絶縁性基板１の上に銅箔が積層された銅張積層板
の銅箔をエッチングすることにより形成されている。コ
ンデンサ５は、回路パターン３に含まれる下部電極３ａ
と誘電層７と上部電極９とを有している。
を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の実施の形
態の誘電体粉末を用いたコンデンサ付き回路基板の断面
図である。本図に示すように、コンデンサ付き回路基板
は、絶縁性基板１上に銅箔の回路パターン３及びコンデ
ンサ５が形成されて構成されている。絶縁性基板１は、
ガラス、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド、
ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリフェニレンオ
キサイド（ＰＰＯ）等で形成されている。回路パターン
３は、絶縁性基板１の上に銅箔が積層された銅張積層板
の銅箔をエッチングすることにより形成されている。コ
ンデンサ５は、回路パターン３に含まれる下部電極３ａ
と誘電層７と上部電極９とを有している。
【００１２】誘電層７は、下部電極３ａの上に形成され
ており、図２の部分拡大図に示すように、誘電体粉末１
１…と、フェノール樹脂等からなるバインダ１３とを含
む誘電体ペーストが下部電極３ａに塗布されて形成され
ている。誘電体粉末１１は、チタン，チタン合金、また
はＴｉＮ，ＴｉＣ，ＴｉＨ等のチタン化合物によって形
成された平均径１０μｍの球状または粒状の導電性粉末
１１ａの表面上に水熱合成法により形成された平均厚み
２μｍのペロブスカイト型のチタン酸ジルコン酸鉛［Ｐ
ｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 ］（ＰＺＴ）の強誘電体膜１１ｂを
備えた構造を有している。この誘電層７は、厚みが約３
０μｍである。水熱合成法による誘電層７の形成方法は
後に詳しく説明する。なお、本例では、回路パターン３
に含まれる下部電極３ａを除く所定位置にソルダーレジ
スト１３が印刷により形成されており、誘電層７の周縁
部からソルダーレジスト１３に亘ってショート防止レジ
スト１５が印刷により形成されている。
ており、図２の部分拡大図に示すように、誘電体粉末１
１…と、フェノール樹脂等からなるバインダ１３とを含
む誘電体ペーストが下部電極３ａに塗布されて形成され
ている。誘電体粉末１１は、チタン，チタン合金、また
はＴｉＮ，ＴｉＣ，ＴｉＨ等のチタン化合物によって形
成された平均径１０μｍの球状または粒状の導電性粉末
１１ａの表面上に水熱合成法により形成された平均厚み
２μｍのペロブスカイト型のチタン酸ジルコン酸鉛［Ｐ
ｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 ］（ＰＺＴ）の強誘電体膜１１ｂを
備えた構造を有している。この誘電層７は、厚みが約３
０μｍである。水熱合成法による誘電層７の形成方法は
後に詳しく説明する。なお、本例では、回路パターン３
に含まれる下部電極３ａを除く所定位置にソルダーレジ
スト１３が印刷により形成されており、誘電層７の周縁
部からソルダーレジスト１３に亘ってショート防止レジ
スト１５が印刷により形成されている。
【００１３】上部電極９は、誘電層７上から回路パター
ン３に含まれる接続用電極３ｂに亘って形成されてい
る。この上部電極９は、銀・パラジウム合金、ニッケ
ル、銅等の導電性ペーストを用いて形成されている。ま
た、本例では、上部電極９，ショート防止レジスト１５
等全体を覆うように樹脂のオーバーコート１９が形成さ
れいる。
ン３に含まれる接続用電極３ｂに亘って形成されてい
る。この上部電極９は、銀・パラジウム合金、ニッケ
ル、銅等の導電性ペーストを用いて形成されている。ま
た、本例では、上部電極９，ショート防止レジスト１５
等全体を覆うように樹脂のオーバーコート１９が形成さ
れいる。
【００１４】本例のコンデンサ付き回路基板は、次のよ
うにして製造した。最初に、誘電体ペーストを作った。
まず、チタン、もしくはＴｉＮ，ＴｉＣ，ＴｉＨ等のチ
タン化合物によって形成された平均粒径１０μｍの導電
性粉末１１ａを、Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 １６ｍｍｏｌ／ｌ、
ＺｒＯＣｌ2 ８ｍｍｏｌ／ｌ、ＴｉＣｌ4 ０．０８ｍｍ
ｏｌ／ｌ及びＫＯＨ０．３ｍｏｌ／ｌの強アルカリの混
合水溶液中に浸漬する。そして、１８０℃、１０気圧中
で１２時間の無電解式の水熱処理を行い、導電性粉末１
１ａの表面上にＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 の結晶核を生成し
た。次にＰｂ（ＮＯ3 ）2 １６ｍｍｏｌ／ｌ、ＺｒＯＣ
ｌ2 ８．３２ｍｍｏｌ／ｌ、ＴｉＣｌ4７．６８ｍｍｏ
ｌ／ｌ及びＫＯＨ２．２４ｍｏｌ／ｌの強アルカリの混
合水溶液（溶液合計６４０ｍｌ）中に結晶核を生成した
導電性粉末１１ａを浸漬し、１６０℃中で１０時間の無
電解式の水熱処理を行ってＫを含有する平均厚み２μｍ
のＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 の膜からなる強誘電体膜１１ｂ
を形成した。その後、純水中で３分間の超音波洗浄を２
回行ってから、１ｍｏｌ／ｌの酢酸水溶液中で３分間の
超音波洗浄を２回行い、更に純水中で３分間の超音波洗
浄を２回行った。次にこれを１００℃で１２時間の乾燥
を行い強誘電体膜１１ｂを備えた誘電体粉末１１を作っ
た。次に誘電体粉末１１と、該誘電体粉末１１に対して
４５重量％のフェノール樹脂からなるバインダ１３とブ
チルカルビトールからなる溶媒とを混練して誘電体ペー
ストを作った。
うにして製造した。最初に、誘電体ペーストを作った。
まず、チタン、もしくはＴｉＮ，ＴｉＣ，ＴｉＨ等のチ
タン化合物によって形成された平均粒径１０μｍの導電
性粉末１１ａを、Ｐｂ（ＮＯ3 ）2 １６ｍｍｏｌ／ｌ、
ＺｒＯＣｌ2 ８ｍｍｏｌ／ｌ、ＴｉＣｌ4 ０．０８ｍｍ
ｏｌ／ｌ及びＫＯＨ０．３ｍｏｌ／ｌの強アルカリの混
合水溶液中に浸漬する。そして、１８０℃、１０気圧中
で１２時間の無電解式の水熱処理を行い、導電性粉末１
１ａの表面上にＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 の結晶核を生成し
た。次にＰｂ（ＮＯ3 ）2 １６ｍｍｏｌ／ｌ、ＺｒＯＣ
ｌ2 ８．３２ｍｍｏｌ／ｌ、ＴｉＣｌ4７．６８ｍｍｏ
ｌ／ｌ及びＫＯＨ２．２４ｍｏｌ／ｌの強アルカリの混
合水溶液（溶液合計６４０ｍｌ）中に結晶核を生成した
導電性粉末１１ａを浸漬し、１６０℃中で１０時間の無
電解式の水熱処理を行ってＫを含有する平均厚み２μｍ
のＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 の膜からなる強誘電体膜１１ｂ
を形成した。その後、純水中で３分間の超音波洗浄を２
回行ってから、１ｍｏｌ／ｌの酢酸水溶液中で３分間の
超音波洗浄を２回行い、更に純水中で３分間の超音波洗
浄を２回行った。次にこれを１００℃で１２時間の乾燥
を行い強誘電体膜１１ｂを備えた誘電体粉末１１を作っ
た。次に誘電体粉末１１と、該誘電体粉末１１に対して
４５重量％のフェノール樹脂からなるバインダ１３とブ
チルカルビトールからなる溶媒とを混練して誘電体ペー
ストを作った。
【００１５】次に、絶縁性基板１の上に銅箔が積層され
た銅張積層板の銅箔をエッチングして回路パターン３を
形成する。そして、回路パターン３に含まれる下部電極
３ａを除く所定位置にソルダーレジスト１３を塗布す
る。次に、下部電極３ａの表面をソフトエッチングして
から、前述の誘電体ペーストを下部電極３ａの表面上に
塗布する。次に誘電体ペーストを約１５０℃で加熱して
硬化させて誘電層７を形成する。なお、誘電層７は必要
に応じて加熱中に厚み方向に加圧したり、硬化後に表面
を薄く研磨除去してもよい。
た銅張積層板の銅箔をエッチングして回路パターン３を
形成する。そして、回路パターン３に含まれる下部電極
３ａを除く所定位置にソルダーレジスト１３を塗布す
る。次に、下部電極３ａの表面をソフトエッチングして
から、前述の誘電体ペーストを下部電極３ａの表面上に
塗布する。次に誘電体ペーストを約１５０℃で加熱して
硬化させて誘電層７を形成する。なお、誘電層７は必要
に応じて加熱中に厚み方向に加圧したり、硬化後に表面
を薄く研磨除去してもよい。
【００１６】次に、誘電層７の周縁部にショート防止レ
ジスト１５を印刷し焼き付ける。次に、誘電層７上から
回路パターン３に含まれる接続用電極３ｂに亘って銀・
パラジウム合金、ニッケル、銅等の導電性ペーストを印
刷して上部電極９を形成する。この上部電極９は、スパ
ッタリングにより薄膜で形成することもできる。この場
合、銅、パラジウム、白金等を用いて形成する。次に、
上部電極９，ショート防止レジスト１５等全体を覆うよ
うに樹脂のオーバーコート１９を印刷して焼き付けて、
コンデンサ付き回路基板を完成する。
ジスト１５を印刷し焼き付ける。次に、誘電層７上から
回路パターン３に含まれる接続用電極３ｂに亘って銀・
パラジウム合金、ニッケル、銅等の導電性ペーストを印
刷して上部電極９を形成する。この上部電極９は、スパ
ッタリングにより薄膜で形成することもできる。この場
合、銅、パラジウム、白金等を用いて形成する。次に、
上部電極９，ショート防止レジスト１５等全体を覆うよ
うに樹脂のオーバーコート１９を印刷して焼き付けて、
コンデンサ付き回路基板を完成する。
【００１７】次に、平均粒子径１４μｍのチタン酸バリ
ウムからなる誘電体粉末を用い、その他は本実施例と同
じ条件で比較例のコンデンサ付き回路基板を作り、各コ
ンデンサ付き回路基板の単位面積あたりの静電容量及び
１ｋＨｚでのｔａｎδを測定した。表１はその測定結果
を示している。
ウムからなる誘電体粉末を用い、その他は本実施例と同
じ条件で比較例のコンデンサ付き回路基板を作り、各コ
ンデンサ付き回路基板の単位面積あたりの静電容量及び
１ｋＨｚでのｔａｎδを測定した。表１はその測定結果
を示している。
【００１８】
【表１】 表１より、本実施例のコンデンサ付き回路基板は、比較
例のコンデンサ付き回路基板に比べてｔａｎδを大きく
することなく、単位面積あたりの静電容量を３倍にでき
るのが分る。これは、比較例のコンデンサ付き回路基板
の誘電層においては、誘電部分の厚みが、誘電層そのも
のの寸法になるのに対して、本例のコンデンサ付き回路
基板の誘電層７においては、導電性粉末１１ａからなる
導電部の寸法（ｒ1 ＋ｒ2 ）を除いた部分、即ち強誘電
体膜の厚みを加算した寸法（ｔ1＋ｔ2 ＋ｔ3 ＋ｔ4 ）
が誘電物質に形成された部分の厚みとなるため、誘電層
の実質的な誘電部分の厚みを小さくできるからである。
例のコンデンサ付き回路基板に比べてｔａｎδを大きく
することなく、単位面積あたりの静電容量を３倍にでき
るのが分る。これは、比較例のコンデンサ付き回路基板
の誘電層においては、誘電部分の厚みが、誘電層そのも
のの寸法になるのに対して、本例のコンデンサ付き回路
基板の誘電層７においては、導電性粉末１１ａからなる
導電部の寸法（ｒ1 ＋ｒ2 ）を除いた部分、即ち強誘電
体膜の厚みを加算した寸法（ｔ1＋ｔ2 ＋ｔ3 ＋ｔ4 ）
が誘電物質に形成された部分の厚みとなるため、誘電層
の実質的な誘電部分の厚みを小さくできるからである。
【００１９】なお、上記例では、誘電体粉末１１の導電
性粉末１１ａとして、球状または粒状の導電性粉末を用
いたが、図３の断面図に示すように、ウイスカ状の導電
性粉末２１ａ等の他の形状のものを用いることができ
る。また、このような誘電体粉末２１と、球状または粒
状の導電性粉末１１ａを有する誘電体粉末１１とを混合
して用いても構わない。
性粉末１１ａとして、球状または粒状の導電性粉末を用
いたが、図３の断面図に示すように、ウイスカ状の導電
性粉末２１ａ等の他の形状のものを用いることができ
る。また、このような誘電体粉末２１と、球状または粒
状の導電性粉末１１ａを有する誘電体粉末１１とを混合
して用いても構わない。
【００２０】また、上記例では、誘電体粉末１１の強誘
電体膜１１ｂを形成する際に用いるＰｂ化合物，Ｚｒ化
合物，Ｔｉ化合物として無機化合物を用いたが、これら
の化合物として有機化合物を用いても構わない。
電体膜１１ｂを形成する際に用いるＰｂ化合物，Ｚｒ化
合物，Ｔｉ化合物として無機化合物を用いたが、これら
の化合物として有機化合物を用いても構わない。
【００２１】また、上記例では、チタン酸ジルコン酸鉛
［Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 ］（ＰＺＴ）により強誘電体膜
を形成したが、チタン酸ストロンチウム［ＳｒＴｉ
Ｏ3 ］（ＳＴＯ）、チタン酸バリウム［ＢａＴｉＯ3 ］
（ＢＴＯ）等によっても強誘電体膜を形成できる。
［Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 ］（ＰＺＴ）により強誘電体膜
を形成したが、チタン酸ストロンチウム［ＳｒＴｉ
Ｏ3 ］（ＳＴＯ）、チタン酸バリウム［ＢａＴｉＯ3 ］
（ＢＴＯ）等によっても強誘電体膜を形成できる。
【００２２】
【発明の効果】本発明の誘電体粉末を用いてコンデンサ
付き回路基板を形成すると、誘電層の厚み中に占める誘
電物質のみに形成された部分の厚みは、誘電体粉末中の
強誘電体膜の厚みが加算されたものとなる。そのため、
誘電層の実質的な誘電部分の厚みを小さくして、コンデ
ンサの静電容量を高めることができる。特に本発明で
は、導電性粉末の表面上に水熱合成法により強誘電体膜
を形成するので、低コストで強誘電体膜を形成でき、強
誘電体膜を導電性粉末の表面上に強固に結着できる。
付き回路基板を形成すると、誘電層の厚み中に占める誘
電物質のみに形成された部分の厚みは、誘電体粉末中の
強誘電体膜の厚みが加算されたものとなる。そのため、
誘電層の実質的な誘電部分の厚みを小さくして、コンデ
ンサの静電容量を高めることができる。特に本発明で
は、導電性粉末の表面上に水熱合成法により強誘電体膜
を形成するので、低コストで強誘電体膜を形成でき、強
誘電体膜を導電性粉末の表面上に強固に結着できる。
【図１】本発明の実施の形態の誘電体粉末を用いたコン
デンサ付き回路基板の断面図である。
デンサ付き回路基板の断面図である。
【図２】図１の部分断面図である。
【図３】他の実施の形態の誘電体粉末の断面図である。
３ａ 下部電極 ７ 誘電層 ９ 上部電極 １１ 誘電体粉末 １１ａ 導電性粉末 １１ｂ 強誘電体膜 １３ バインダ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若林 守光 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 (72)発明者 嘉藤 雅記 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 (72)発明者 西田 明生 山口県宇部市大字小串1978番地の５ 宇部 興産株式会社宇部研究所内 (72)発明者 橋本 和生 山口県宇部市大字小串1978番地の５ 宇部 興産株式会社宇部研究所内 Ｆターム(参考） 4K018 AA06 BC21 BC23 BC28 5E001 AB06 AE00 AE03 AH00 AH01 AJ02 5E082 AB03 BC39 EE03 EE04 EE23 EE26 EE35 FF05 FF14 FG04 FG22 FG26 FG34 FG41 FG46 KK01 5G301 AA21 CA02 CA25 CA28 CE01 5G303 AA01 AB05 BA03 CA01 CB25 CB35 CB39 DA02 DA05
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも表面部がチタン，チタン合金
またはチタン化合物によって形成された導電性粉末の表
面上に水熱合成法により形成された強誘電体膜を備えて
いることを特徴とする誘電体粉末。 - 【請求項２】 前記導電性粉末がウイスカ状または球状
若しくは粒状であることを特徴とする請求項１に記載の
誘電体粉末。 - 【請求項３】 前記強誘電体膜がＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3
からなることを特徴とする請求項１に記載の誘電体粉
末。 - 【請求項４】 前記チタン合金が、ＴｉＮ，ＴｉＨまた
はＴｉＣであることを特徴とする請求項１に記載の誘電
体粉末。 - 【請求項５】 少なくとも表面部がチタン，チタン合金
またはチタン化合物を主成分とする導電性粉末の表面上
に無電解式の水熱合成法によりＰｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 か
らなる強誘電体膜を形成して作ることを特徴とする誘電
体粉末の製造方法。 - 【請求項６】 誘電体粉末とバインダとを含む誘電体ペ
ーストが基板上の電極に塗布されて形成された誘電層を
有するコンデンサ付き回路基板において、 前記誘電体粉末が、少なくとも表面部がチタン，チタン
合金またはチタン化合物によって形成された導電性粉末
の表面上に水熱合成法により形成された強誘電体膜を備
えていることを特徴とするコンデンサ付き回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11038235A JP2000235933A (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | 誘電体粉末及びその製造方法並びにコンデンサ付き回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11038235A JP2000235933A (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | 誘電体粉末及びその製造方法並びにコンデンサ付き回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000235933A true JP2000235933A (ja) | 2000-08-29 |
Family
ID=12519646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11038235A Pending JP2000235933A (ja) | 1999-02-17 | 1999-02-17 | 誘電体粉末及びその製造方法並びにコンデンサ付き回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000235933A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002061765A1 (fr) * | 2001-01-29 | 2002-08-08 | Jsr Corporation | Particule composite pour dielectriques, particule de resine composite ultra-microparticulaire, composition pour realiser des dielectriques et leur utilisation |
| JP2005203699A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子部品内蔵基板の製造方法 |
| JP2010123631A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Fujitsu Ltd | 構造体、キャパシタ、及びキャパシタの製造方法 |
-
1999
- 1999-02-17 JP JP11038235A patent/JP2000235933A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2002061765A1 (fr) * | 2001-01-29 | 2002-08-08 | Jsr Corporation | Particule composite pour dielectriques, particule de resine composite ultra-microparticulaire, composition pour realiser des dielectriques et leur utilisation |
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