JP2000232260A

JP2000232260A - 配線基板、スティフナ及びこれらの製造方法

Info

Publication number: JP2000232260A
Application number: JP11031319A
Authority: JP
Inventors: Koju Ogawa; 幸樹小川
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 1999-02-09
Filing date: 1999-02-09
Publication date: 2000-08-22

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】コンデンサを備えながらも、スティフナや配
線基板の剛性を低下させることのない構造をもち、安価
な配線基板、スティフナおよびその製造方法を提供す
る。【解決手段】本発明の配線基板１００は、樹脂絶縁層
１０１Ａ，１０１Ｂ等を備える配線基板本体１１０と、
この配線基板本体１１０に固着され、これを補強するス
ティフナ１２０を備える。このスティフナ１２０は、銅
板からなるスティフナ本体１２１のうち、配線基板本体
１１０と固着する側の固着側表面１２１Ｓにスティフナ
本体１２１と第２電極層１２４とが誘電体層１２２を挟
んで対向する層状コンデンサ１２５を形成してなる。ス
ティフナ本体１２１と接続する第１電極層１２３及び第
２電極層１２４は、導電樹脂体１４３，１４４を介して
配線基板本体１１０の第１接続パッド１０３及び第２接
続パッド１０４と接続し、さらに配線層１０２と接続す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、スティフナを備え
ると共にコンデンサを備える配線基板やスティフナ、及
びこれらの製造方法に関し、特に、剛性が高い配線基
板、スティフナ、およびこれらの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、樹脂製ビルドアップ多層配線基
板など、樹脂を含む絶縁層を備える配線基板では、配線
基板自身の剛性が不足し、外部応力や温度変化あるいは
熱衝撃などによって大きく変形し、搭載したＩＣチップ
などの電子部品が剥がれたり、割れる等の破壊を生じた
りすることがある。そこで、配線基板全体の剛性を高め
るため、熱膨張係数の近似した金属板（例えば銅板）等
からなるスティフナを配線基板本体に固着することが行
われている。

【０００３】一方、ＩＣチップの高速化に伴い、電源に
侵入するノイズを低減させるため、デカップリングコン
デンサとして、ＩＣチップの他、チップコンデンサを配
線基板本体に搭載することが行われている。

【０００４】このため、スティフナを固着した配線基板
本体にチップコンデンサを搭載するためには、例えば、
図１５に示す配線基板１０のようにスティフナに貫通孔
を形成する。即ち、この配線基板１０では、内部に配線
層２，２が形成された配線基板本体１の表面（図中上
面）１Ａに、銅板からなるスティフナ３が接着層４を介
して固着されている。また、この表面１Ａには、ハンダ
バンプ５を介して、ＩＣチップＣＨが接続搭載されてい
る。このスティフナ３は、このＩＣチップＣＨのまわり
を取り囲むように、略中央に貫通孔３Ｈが形成された平
面視ロ字型のリング状とされている。さらに、本配線基
板１０のスティフナ３にはコンデンサ搭載用貫通孔（以
下、単に貫通孔ともいう）３Ｊが多数（図１５では２
つ）穿孔され、その貫通孔３Ｊ内に露出する表面１Ａに
形成したパッド６，６には、それぞれチップコンデンサ
ＣＣがハンダＳＬを用いてハンダ付け搭載されている。
なお、配線基板本体１の裏面（図中下面）１Ｂには、マ
ザーボード等との接続のためのパッド７，７が多数形成
されている。これにより、スティフナ３を備え、かつチ
ップコンデンサＣＣをも搭載した配線基板とすることが
できる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この配
線基板１０のように、スティフナ３にチップコンデンサ
ＣＣを搭載するための貫通孔３Ｊを形成することは、ス
ティフナ３自身の持つ剛性を低下させることになり、従
って、このスティフナ３を固着した配線基板１０の剛性
をも低下させることになる。しかも、この貫通孔３Ｊ
は、チップコンデンサＣＣの寸法よりもかなり大きくす
る必要がある。図１５に示すように、パッド６，６への
ハンダ付けのスペースを確保する必要があり、ハンダ付
けの際、チップコンデンサの位置ズレを防止するための
図示しないセット治具又はその一部）を貫通孔３Ｊ内に
収める必要があるからである。このため、スティフナ３
の剛性は、貫通孔３Ｊの形成により大きく低下する場合
がある。

【０００６】このような場合には、スティフナ３を備え
ながらも、配線基板１０の剛性が低くなるので、配線基
板１０が外部応力や温度変化あるいは熱衝撃などによっ
て容易に変形することになり、ＩＣチップＣＨの剥離や
破壊などの不具合が生じる危険性が高くなり、配線基板
１０の信頼性が大きく低下することとなる。

【０００７】一方、コンデンサをも内蔵した配線基板本
体を製作し、スティフナを固着するようにすれば、ステ
ィフナにコンデンサ搭載用貫通孔を形成する必要が無く
なる。しかし、静電容量を向上させるために薄い誘電体
層を形成したコンデンサは、ショートの発生や絶縁抵抗
の低下が生じやすく歩留まりが低いので、配線基板本体
自身にコンデンサを内蔵させた場合には、コンデンサの
不具合によって配線基板本体全体を廃棄する事態とな
り、配線基板本体の歩留まりを低下させる。しかも、一
般に絶縁層や配線層の形成には工数が掛かるので、付加
価値の高い配線基板本体を廃棄すると、損失金額が過大
となる。本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもの
であって、コンデンサを備えながらも、スティフナや配
線基板の剛性を低下させることのない構造をもち、安価
な配線基板、スティフナおよびその製造方法を提供する
ことを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】そしてそ
の解決手段は、樹脂を含む絶縁層を備える配線基板本体
と、上記配線基板本体に固着され、この配線基板本体を
補強するスティフナであって、スティフナ本体のうち、
上記配線基板本体と固着する側の固着側表面に層状コン
デンサを形成してなるスティフナと、を備えることを特
徴とする配線基板である。

【０００９】本発明の配線基板によれば、スティフナ本
体の固着側表面に層状コンデンサを形成してなるスティ
フナを配線基板本体に固着させている。従って、コンデ
ンサ搭載用貫通孔を形成したスティフナを配線基板本体
に固着し、この貫通孔内に露出する配線基板本体にチッ
プコンデンサを搭載する従来の場合のように、スティフ
ナにチップコンデンサ搭載のためのコンデンサ搭載用貫
通孔を形成する必要がない。また、スティフナ本体に形
成されたコンデンサは、層状コンデンサであるため、こ
の層状コンデンサがスティフナ本体の固着側表面にある
ことによって配線基板の剛性は低下しない。このため、
コンデンサ搭載用貫通孔を形成しない分スティフナ自身
の剛性が向上し、配線基板全体の剛性が向上する。この
剛性の向上により、配線基板の外力や温度変化、熱衝撃
などによる変形が抑制され、配線基板の信頼性を向上さ
せることができる。なお、スティフナ本体に形成される
層状コンデンサは、固着側表面の少なくとも一部に形成
されていれば良いが、全面に形成されている場合には、
比較的大きな静電容量を確保できるのでより好ましい。

【００１０】ここで、スティフナ本体としては、配線基
板本体の熱膨張率や、要求される剛性を勘案して、材質
や寸法を決定すればよいが、例えば、銅、アルミニウ
ム、４２合金、コバール等の金属板を用いることができ
る。また、耐食性等を考慮して、表面にＮｉメッキと金
メッキを施すなど、メッキやアルマイト処理等の各種の
処理を施したものを用いても良い。

【００１１】さらに、上記配線基板であって、対向して
前記層状コンデンサを構成する２つの電極が、いずれも
前記配線基板本体の表面のうち前記スティフナを固着さ
せるスティフナ固着領域内で前記配線基板本体に形成さ
れた配線層と電気的に接続されていることを特徴とする
配線基板とすると良い。

【００１２】このようにすると、スティフナ固着領域内
で層状コンデンサの２つの電極が配線層と電気的に接続
されているので、電極を配線層とをワイヤやハンダ等で
接続するためのスペースを別途設ける必要が無く、ステ
ィフナさらには配線基板全体を小型化することができ
る。また、ワイヤボンディングやハンダ付けの工数を無
くすことができる。

【００１３】さらに、上記配線基板であって、前記電極
と配線層とは、前記配線基板本体表面とスティフナのう
ち前記配線基板本体への固着面との間に介在させた導電
性樹脂により電気的に接続していることを特徴とする配
線基板とするのが好ましい。このように導電性樹脂によ
って接続させると、接着剤によってスティフナを配線基
板本体に固着すると同時に接続させることができるの
で、容易でかつ確実に接続させることができ、安価で信
頼性の高い配線基板とすることができる。

【００１４】さらに他の解決手段は、樹脂を含む絶縁層
を備える配線基板本体と、上記配線基板本体を補強する
スティフナと、上記配線基板本体と上記スティフナとの
間に介在する層状コンデンサと、を備えることを特徴と
する配線基板である。

【００１５】本発明の配線基板によれば、配線基板本体
とスティフナとの間に層状コンデンサを介在させたの
で、コンデンサ搭載用貫通孔を形成したスティフナを配
線基板本体に固着し、この貫通孔内に露出する配線基板
本体にチップコンデンサを搭載する従来の場合のよう
に、スティフナにコンデンサ搭載貫通孔を形成する必要
がない。また、スティフナと配線基板本体との間に介在
するコンデンサは、層状コンデンサであるため、この層
状コンデンサが介在することによって配線基板の剛性は
低下しない。従って、貫通孔を形成しない分スティフナ
自身の剛性が向上し、配線基板全体の剛性が向上する。
剛性の向上により、配線基板の外力や温度変化、熱衝撃
などによる変形が抑制され、配線基板の信頼性を向上さ
せることができる。なお、スティフナと配線基板本体の
間に介在する層状コンデンサは、両者間の少なくとも一
部に形成されていれば良いが、全面に形成されている場
合には、比較的大きな静電容量を確保できるのでより好
ましい。

【００１６】さらに、上記配線基板であって、対向して
前記層状コンデンサを構成する２つの電極が、いずれも
前記配線基板本体の表面のうち前記層状コンデンサを固
着させるコンデンサ固着領域内で前記配線基板本体に形
成された配線層と電気的に接続されていることを特徴と
する配線基板とすると良い。

【００１７】このようにすると、コンデンサ固着領域内
で２つの電極が配線層と電気的に接続されているので、
電極を配線層と接続するためのワイヤやハンダ等で接続
するためのスペースを別途設ける必要が無く、配線基板
を小型化することができる。またワイヤボンディングや
ハンダ付けの工数を無くすことができる。

【００１８】さらに、上記配線基板であって、前記電極
と配線層とは、前記配線基板本体表面と層状コンデンサ
のうち前記配線基板本体への固着面との間に介在させた
導電性樹脂により接続されていることを特徴とする配線
基板とするのが好ましい。このように導電性樹脂によっ
て接続させると、接着剤によって層状コンデンサ、ある
いは層状コンデンサ及びスティフナを配線基板本体に固
着すると同時に接続させることができるので、容易かつ
確実に接続させることができ、安価で信頼性の高い配線
基板とすることができる。

【００１９】さらに他の解決手段は、配線基板本体に固
着して上記配線基板本体を補強するスティフナであっ
て、スティフナ本体のうち、上記配線基板本体と固着す
る側の固着側表面に層状コンデンサを形成してなること
を特徴とするスティフナである。

【００２０】配線基板本体に層状コンデンサを内蔵させ
る場合には、ショートなどの不具合が生じやすいコンデ
ンサによって配線基板本体の歩留まりが低下する恐れが
ある。しかも、配線基板本体は、多数の絶縁層や配線層
などを多くの工程を経て製作されることが多いため、付
加価値が高く、歩留まりの低下による損失額も大きくな
る。これに対し、本発明のスティフナはスティフナ本体
の固着側表面に層状コンデンサを形成してなる。スティ
フナ本体は、金属板からなるなど配線基板本体に比して
付加価値が低いため、スティフナ本体に形成した層状コ
ンデンサの不具合によって歩留まりが低下しても、損失
金額が比較的小さくて済み、結局配線基板全体で見ると
安価な配線基板とすることが出来るようになる。また、
スティフナ本体は金属板からなるなど構造が簡単である
ため、層状コンデンサの製造も容易である。

【００２１】さらに、上記スティフナであって、対向し
て前記層状コンデンサを形成する２つの電極は、いずれ
も前記配線基板本体に固着される固着面まで電気的に引
き出されていることを特徴とするスティフナとすると良
い。

【００２２】このようにすると、２つの電極がいずれも
固着面まで電気的に引き出されているので、このスティ
フナを配線基板本体に固着させたときに、配線基板本体
の表面のうちスティフナを固着させるスティフナ固着領
域内で配線基板本体に形成された配線層と接続させるこ
とができる。このため、電極を配線層と接続するための
ワイヤやハンダ等で接続するためのスペースを別途設け
る必要が無く、スティフナさらには配線基板を小型化
し、さらにはワイヤボンディングやハンダ付けの工数を
無くすことができる。

【００２３】さらに他の解決手段は、金属からなるステ
ィフナ本体のうち、配線基板本体と固着する側の固着側
表面に誘電体層を形成する誘電体層形成工程と、少なく
とも上記誘電体層の表面に、上記誘電体層の側面を経由
して上記スティフナ本体と接続する第１電極層と上記表
面の大部分を覆う第２電極層とを形成する電極層形成工
程と、を備えることを特徴とするスティフナの製造方法
である。

【００２４】本発明のスティフナの製造方法によれば、
スティフナ本体の固着側表面に誘電体層を形成し、誘電
体層の表面に第１，第２電極層を形成する。これによ
り、スティフナ本体と第２電極層とが誘電体層を挟んで
対向して層状コンデンサを構成し、しかも、誘電体層表
面には、第２電極層のほかスティフナ本体と接続する第
１電極層が形成されるので、この第１，第２電極層によ
って配線基板本体に形成した配線層と接続させることが
できる。また、スティフナ本体を層状コンデンサを構成
する一方の電極として用い、スティフナ本体上に層状コ
ンデンサを直接形成したので、安価に層状コンデンサを
形成することができる。

【００２５】さらに他の解決手段は、配線基板本体とス
ティフナとの間にそれぞれ接着剤層を介して層状コンデ
ンサを固着し、両者間に介在させることを特徴とする配
線基板の製造方法である。

【００２６】本発明の配線基板の製造方法によれば、層
状コンデンサを配線基板本体とスティフナとの間に挟ん
で固着するので、予めショート等の不具合の有無をチェ
ックし特性良好な層状コンデンサのみを挟むことができ
るから、層状コンデンサのショートによる配線基板本体
やスティフナの廃棄をすることがなくなり、損失金額を
抑制することができ、結局安価に配線基板を製造するこ
とができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】（実施形態１）次いで、第１の実
施の形態について、図１〜図３を参照しつつ説明する。
図１に示す本実施形態の配線基板１００は、方形板状の
配線基板本体１１０と、この表面（図中上面）１１０Ａ
のうち周縁近傍略ロ字状のスティフナ固着領域１１０Ａ
Ｓに固着されたスティフナ１２０とを有する。このうち
配線基板本体１１０は、詳細には図示しないが、金属コ
ア基板の上下に、エポキシ樹脂を含む材質からなる樹脂
絶縁層が複数層積層され、この樹脂絶縁層の層間あるい
は樹脂絶縁層を貫通して形成されたＣｕからなる配線層
１０２，１０２を備える。

【００２８】また、スティフナ固着領域１１０ＡＳに
は、Ｎｉ及びＡｕメッキが施されたＣｕからなり、後述
する層状コンデンサ１２５の第１電極層１２３及び第２
電極層１２４とそれぞれ接続させるための第１接続パッ
ド１０３および第２接続パッド１０４が形成され、上記
した配線層１０２，１０２とそれぞれ接続している。さ
らに、表面１１０Ａの略中央部には、破線で示すＩＣチ
ップＣＨをフリップチップ法により接続するための、ハ
ンダバンプ１０５，１０５が多数形成されており、これ
らのハンダバンプ１０５も、配線層１０２に接続してお
り、第１接続パッド１０３とハンダバンプ１０５のうち
の一部、及び第２接続パッド１０４とハンダバンプ１０
５のうちの一部とは、いずれも配線層１０２で互いに接
続されている。また、裏面１１０Ｂには、Ｎｉ及びＡｕ
メッキが施されたＣｕからなり、配線基板１００（配線
基板本体１１０）をマザーボード等他の配線基板に搭載
接続するためのＬＧＡパッド１０６，１０６が多数形成
されている。このＬＧＡパッド１０６も配線層１０２と
接続している。

【００２９】スティフナ１２０は、略ロ字状銅板からな
り、配線基板本体１１０の剛性を補強するためのスティ
フナ本体１２１と、このスティフナ本体１２１の固着側
表面（図中下面）１２１Ｓに形成され、高誘電率（比誘
電率εｒ＝約１８０００）のＢａＴｉＯ₃粉末を６０vol
％混入させた誘電体層１２２とを備える。さらに、ステ
ィフナ本体１２１を覆い、誘電体層１２２の側面を経由
して誘電体層１２２の表面（図中下面）１２２Ｓまで延
在する第１電極層１２３と、誘電体層１２２の表面１２
２Ｓの大部分を覆う第２電極層１２４とを備える。第１
電極層１２３及び第２電極層１２４は、いずれもＮｉ及
びＡｕメッキが施されたＣｕからなる。容易に理解でき
るように、このスティフナ１２０のうち、スティフナ本
体１２１と第２電極層１２４とは、誘電体層１２２を挟
んで対向して層状コンデンサ１２５をなし、スティフナ
本体１２１の電位は、第１電極層１２３によって誘電体
層１２２の表面（固着面）１２２Ｓ上に電気的に引き出
されている。

【００３０】さらに、スティフナ１２０はエポキシ樹脂
からなる接着層１４１によって配線基板本体１１０のス
ティフナ固着領域１１０ＡＳに固着されている。また、
第１電極層１２３と第１接続パッド１０３、及び第２電
極層１２４と第２接続パッド１０４とは、それぞれＡｇ
−Ｃｕ系導電性樹脂からなる導電樹脂体１４３，１４４
で電気的に導通して接続されており、配線層１０２を通
じて、ハンダバンプ１０５の一部とも接続している。

【００３１】従って、スティフナ１２０を配線基板本体
１１０に固着した配線基板１００では、スティフナ１２
０（スティフナ本体１２１）によって配線基板本体１１
０の剛性が補強されると共に、層状コンデンサ１２５を
備えることになる。このため、本実施形態の配線基板１
００においては、スティフナ１２０（スティフナ本体１
２１）にチップコンデンサを搭載するためのコンデンサ
搭載用貫通孔を形成する必要がなく、従って、スティフ
ナ１２０（スティフナ本体１２１）の剛性が高い。さら
に、ＩＣチップＣＨのごく近くに層状コンデンサ１２５
を内蔵しているので、この層状コンデンサ１２５によっ
て効率よくノイズを除去することができる。

【００３２】次いで、図２を参照しつつ本実施形態のス
ティフナ１２０の製造方法について説明する。まず略ロ
字状銅板からなるスティフナ本体１２１を用意し、その
うち固着側表面（図中下面）１２１Ｓに、ＢａＴｉＯ₃
粉末を混入させたエポキシ樹脂ペーストを塗布し、加熱
により硬化させて、誘電体層１２２を形成する（図２
（ａ）参照）。なお、図２においては、簡単化のため、
スティフナ本体等の断面のみ示す。また、スティフナ本
体１２１の固着側表面１２１Ｓにエポキシ樹脂ペースト
を塗布する前に、黒化処理、針状メッキ形成、蟻酸等に
よるエッチング粗化など公知の手法により、スティフナ
本体１２１のうち少なくとも固着側表面１２１Ｓを粗化
しておくと、スティフナ本体１２１と誘電体層１２２と
を強固に密着させることができるので好ましい。また、
ＢａＴｉＯ₃粉末を混入させたエポキシ樹脂ペーストを
固着側表面に直接塗布せず、予めフィルム状の半硬化エ
ポキシ樹脂シートに成形しておき、このシートを固着側
表面１２１Ｓに被着し、その後硬化させても良い。

【００３３】次いで、セミアディティブ法を用いて第１
電極層１２３及び第２電極層１２４を形成する。即ち、
無電解ニッケルメッキを施して、図２（ｂ）に示すよう
に、スティフナ本体１２１及び誘電体層１２２の全面に
厚さ２μｍの無電解Ｎｉメッキ層ＭＬを形成し、さらに
誘電体表面（図中下面）１２２Ｓ側の無電解Ｎｉメッキ
層ＭＬ上（図中下側）に、所定形状のメッキレジストＲ
を形成する。

【００３４】さらに図２（ｃ）に示すように、上記した
無電解Ｎｉメッキ層ＭＬを共通電極として電解Ｎｉメッ
キ（厚さ８μｍ）及び電解Ａｕメッキ（厚さ２μｍ）を
施して、Ｎｉ−Ａｕメッキ層ＭＥを形成する。その後
は、メッキレジストＲを除去し、不要な無電解Ｎｉメッ
キ層ＭＬをソフトエッチングにより除去して、それぞれ
無電解Ｎｉメッキ層ＭＬとＮｉ−Ａｕメッキ層ＭＥとか
らなる第１電極層１２３と第２電極層１２４とを分離
し、図２（ｄ）に示すスティフナ１２０を完成させる。

【００３５】このスティフナ１２０は、前記したよう
に、誘電体層１２２をスティフナ本体１２１と誘電体層
表面１２２Ｓの大部分を覆う第２電極層１２４とで挟ん
だ構成の層状コンデンサ１２５を備えている。また、層
状コンデンサ１２５の一方の電極としての役割も果たす
スティフナ本体１２１は、第１電極層１２３によって、
誘電体層１２２の側面１２２Ｔを経由して表面１２２Ｓ
まで電気的に引き出されている。従って前記したよう
に、このスティフナ１２０は、配線基板本体１１０の表
面１１０Ａのうちスティフナ固着領域１１０ＡＳ内で、
配線基板本体１１０の配線層１０２との接続が可能とな
っている。また、スティフナ１２０の状態で、層状コン
デンサ１２５の性能をチェックをする、即ち、ショート
の有無や、絶縁抵抗値、静電容量値等が所定規格値の範
囲内にあるか否かを確認することができる。これによ
り、層状コンデンサ１２５の不具合なスティフナ１２０
は除去することができる。

【００３６】次いで、このスティフナ１２０を配線基板
本体１１０に固着する方法について、図３を参照して説
明する。まず、配線基板本体１１０のうち表面１１０
Ａ、さらに具体的にはその周縁のスティフナ固着領域１
１０ＡＳに形成された第１接続パッド１０３及び第２接
続パッド１０４に、Ａｇ−Ｃｕ系導電性樹脂ペーストを
塗布し、未硬化導電樹脂体１４３Ｒ，１４４Ｒをそれぞ
れ形成しておく。さらに、第１接続パッド１０３及び第
２接続パッド１０４にそれぞれ対応する位置に貫通孔１
４１ＲＨ及び切り欠き１４１ＲＫを形成した半硬化エポ
キシ樹脂からなる接着シート１４１Ｒを介して、配線基
板本体１１０とスティフナ１２０とを重ねる。

【００３７】その後は、真空熱プレスによって加圧しな
がら加熱して、接着シート１４１Ｒ及び未硬化導電樹脂
体１４３Ｒ，１４４Ｒを硬化させ、層状コンデンサ１２
５を備えるスティフナ１２０を配線基板本体１１０に固
着させて、図１に示す配線基板１００を完成させる。こ
れにより、層状コンデンサ１２５の一方の電極をなすス
ティフナ本体１２１は、第１電極層１２３、導電樹脂体
１４３、第１接続パッド１０３を通じて配線基板本体１
１０の配線層１０２と接続する。また同様に、層状コン
デンサ１２５の第２電極層１２４は、導電樹脂体１４
４、第２接続パッド１０４を通じて配線基板本体１１０
の配線層１０２と接続する。つまり、層状コンデンサ１
２５も配線基板本体１１０の配線層１０２，１０２と電
気的に接続する。

【００３８】なお、配線基板本体１１０は、公知の手法
により形成すれば良く、例えば、金属板や樹脂とガラス
繊維の複合材などからなるコア基板の上下に、フォトリ
ソグラフィやレーザ光線等の周知のビア形成方法、セミ
アディティブ法やフルアディティブ法、サブトラクティ
ブ法等の周知の配線形成方法を用いて樹脂絶縁層及び配
線層を交互に積層してビルドアップ配線基板本体を形成
するなどの手法が挙げられる。本実施形態の配線基板本
体１１０も、公知の手法によって形成されたものであ
り、前記したように、多数のエポキシ樹脂を含む樹脂絶
縁層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ，１０１Ｄ等を備
え、内部には、Ｃｕからなり、樹脂絶縁層の層間に形成
されあるいは樹脂絶縁層を貫通する配線層１０２，１０
２を備えている（図１，図３参照）。また、配線基板本
体１１０の表面１１０Ａには、第１接続パッド１０３、
第２接続パッド１０４の他、略中央部に多数のハンダバ
ンプ１０５を、また、裏面１１０Ｂには、ＬＧＡパッド
１０６を備えており、これらはいずれも配線層１０２と
接続している。なお、図３においては、樹脂絶縁層１０
１Ａ等の記載は省略した。

【００３９】上記した配線基板１００の製造方法の説明
から容易に理解できるように、本実施形態では、スティ
フナ本体１２１を用いて層状コンデンサ１２５を備える
スティフナ１２０を形成し、このスティフナ１２０を配
線基板本体１１０と接着して、層状コンデンサ１２５を
内蔵し、スティフナ本体１２１により剛性も向上させた
配線基板１００を形成している。このように層状コンデ
ンサ１２５を備えるスティフナ１２０を形成すると、シ
ョートなどの不具合が生じやすく歩留まりの低い層状コ
ンデンサ１２５を、配線基板本体１１０と接着させる前
に検査することができる。

【００４０】従って、ショート不良、絶縁抵抗不良や静
電容量不良などの不具合のある層状コンデンサ１２５を
持つスティフナ１２０を固着前に予め除去できるので、
スティフナ１２０よりも付加価値の高い配線基板本体１
１０と接着した後に、層状コンデンサ１２５のショート
等の不具合によって配線基板１００全体が廃棄される危
険性を大幅に低減させることができる。つまり、層状コ
ンデンサ１２５に不具合が発見されても比較的安価なス
ティフナ１２０の廃棄で済むので、たとえスティフナ１
２０の歩留まりが低下しても、配線基板１００の製造に
おける全体の損失を、配線基板本体に層状コンデンサを
内蔵させた場合に比して、大幅に低減させることができ
る。

【００４１】また本実施形態では、スティフナ１２０の
配線基板本体１１０との固着と同時に、スティフナ１２
０に形成された層状コンデンサ１２５の２つの電極（ス
ティフナ本体１２１（第１電極層１２３）及び第２電極
層１２４）を、第１接続パッド１０３及び第２接続パッ
ド１０４を通じて配線層１０２に接続している。このた
め、スティフナ１２０（スティフナ本体１２１）に従来
のようなコンデンサ搭載用貫通孔を形成する必要がない
上、後にチップコンデンサをハンダ付けによって搭載す
る必要もない。従って、層状コンデンサ１２５を備える
配線基板１００を容易かつ安価に製造することができ
る。しかも、層状コンデンサ１２５をワイヤボンディン
グやハンダ付け等の手段によって別途接続する必要もな
いので、接続のためのスペースをとっておく必要もな
く、配線基板の寸法を小型化することができる。また、
ワイヤボンディング等の工数も不要である。

【００４２】（実施形態２）次いで、第２の実施の形態
について、図４〜図６に基づいて説明する。本実施形態
２の配線基板２００は、主として、スティフナ２２０に
形成された層状コンデンサ２２５の構造、製造方法、及
び配線基板本体表面２１０Ａのスティフナ固着領域２１
０ＡＳに層状コンデンサ２２５との接続のため接続ハン
ダバンプ２０３，２０４を備える点で上記実施形態１と
異なる。従って、異なる部分を中心に説明し、同様な部
分の説明は省略又は簡略化する。

【００４３】図４に断面の左側略半分についての様子を
示す本実施形態の配線基板２００は、実施形態１と同様
に、方形板状の配線基板本体２１０とこの表面（図中上
面）２１０Ａのうち周縁近傍略ロ字状のスティフナ固着
領域２１０ＡＳに固着されたスティフナ２２０とを有す
る。このうち配線基板本体２１０は、スティフナ固着領
域２１０ＡＳに、略半球状で９０Ｐｂ−１０Ｓｎの高温
ハンダからなり、後述する層状コンデンサ２２５の第１
電極層２２３及び第２電極層２２４とそれぞれ接続させ
るための第１接続ハンダバンプ２０３および第２接続ハ
ンダバンプ２０４が形成され、これらが配線層１０２，
１０２とそれぞれ接続している点で上記実施形態１と異
なる。なお、この配線基板本体２１０のうち、他の部分
については実施形態１と同様であるので説明を省略す
る。

【００４４】スティフナ２２０は、実施形態１と同様
に、略ロ字状銅板からなり、配線基板本体２１０の剛性
を補強するためのスティフナ本体２２１と、このスティ
フナ本体２２１の固着側表面（図中下面）２２１Ｓに形
成され、ＢａＴｉＯ₃粉末を６０vol％混入させた誘電体
層２２２とを備える。さらに、誘電体層２２２の表面
（図中下面）２２２Ｓには、第１電極層２２３と表面２
２２Ｓの大部分を覆う第２電極層２２４とを備える。容
易に理解できるように、このスティフナ２２０のうち、
スティフナ本体２２１、誘電体層２２２、及び第２電極
層２２４は、層状コンデンサ２２５をなし、スティフナ
本体２２１は、誘電体層２２２を貫通するビア導体２２
６を通じて第１電極層２２３によって誘電体層２２２の
表面２２２Ｓ上に電気的に引き出されている。この第１
電極層２２３、第２電極層２２４、及びビア導体２２６
は、いずれも銅粉末を導体とした導電性樹脂からなる。

【００４５】さらに、スティフナ２２０はエポキシ樹脂
からなる接着層２４１によって配線基板本体２１０のス
ティフナ固着領域２１０ＡＳに固着されている。また、
第１電極層２２３と第１接続ハンダバンプ２０３、及び
第２電極層２２４と第２接続ハンダバンプ２０４とは、
それぞれ実施形態１と同様な導電性樹脂からなる導電樹
脂体２４３，２４４で電気的に導通して接続されてお
り、配線層１０２を通じて、ハンダバンプ１０５の一部
とも接続している。

【００４６】従って、実施形態１と同様に、スティフナ
２２０を配線基板本体２１０に固着した配線基板２００
でも、スティフナ２２０（スティフナ本体２２１）によ
って配線基板本体２１０の剛性が補強されると共に、層
状コンデンサ２２５を備えることになる。このため、ス
ティフナ２２０（スティフナ本体２２１）にチップコン
デンサを搭載するためのコンデンサ搭載用貫通孔を形成
する必要がなく、従って、スティフナ２２０（スティフ
ナ本体２２１）の剛性が高い。さらに、ＩＣチップのご
く近くに層状コンデンサ２２５を内蔵しているので、こ
の層状コンデンサ２２５によって効率よくノイズを除去
することができる。

【００４７】次いで、図５を参照しつつ本実施形態のス
ティフナ２２０の製造方法について説明する。まず、ポ
リイミドからなる樹脂フィルムＲＦの表面（図中上面）
ＲＦＳに、実施形態１と同様にＢａＴｉＯ₃粉末を混入
させたエポキシ樹脂ペーストを塗布し、加熱して半硬化
状態の半硬化誘電体層２２２Ｒを形成する（図５（ａ）
参照）。なお、図５においては、前述の図２と同様に簡
単化のため、スティフナ本体等の断面のみ示す。

【００４８】次いで、図５（ｂ）に示すように、パンチ
ング、ドリリング、あるいは、レーザ打ち抜きにより、
半硬化誘電体層２２２Ｒ及び樹脂フィルムＲＦを平面視
略ロ字状に成形して貫通孔Ｈを形成し、さらにビアホー
ルＶＨを穿孔する。これにより半硬化誘電体層２２２Ｒ
にも、貫通孔２２２ＲＨが穿孔される。

【００４９】さらに図５（ｃ）に示すように、ビアホー
ルＶＨ内に銅粉末を導体とした導電性樹脂ペーストを充
填し、さらに、半硬化誘電体層２２２Ｒの表面（図中上
面）２２２ＲＳに導電性樹脂ペーストを塗布し、これら
を半硬化させて半硬化ビア導体２２６Ｒ、半硬化第１電
極層２２３Ｒ、及び半硬化第２電極層２２４Ｒを形成す
る。半硬化第１電極層２２３Ｒは、半硬化ビア導体２２
６Ｒと導通するように形成され、一方、半硬化第２電極
層２２４Ｒは、半硬化誘電体層２２２Ｒの表面２２２Ｒ
Ｓの大部分を覆うように形成される。

【００５０】その後、スティフナ本体２２１と貼り合わ
せる。スティフナ本体２２１は、厚さ０．７ｍｍの略ロ
字状銅板からなり、その表面は、いずれの面も公知の黒
化処理によって粗化されている。このスティフナ本体２
２１の固着側表面（図中上面）２２１Ｓと、樹脂フィル
ムＲＦを剥がして露出させた半硬化誘電体層２２２Ｒの
裏面２２２ＲＢとを重ねて加熱圧着し、半硬化誘電体層
２２２Ｒ等を硬化させる。これにより図５（ｄ）に示す
ように、スティフナ本体２２１の固着側表面２２１Ｓに
誘電体層２２２が被着され、その表面２２２Ｓには、ビ
ア導体２２６でスティフナ本体２２１と接続された第１
電極層２２３及び第２電極層２２４が形成されたスティ
フナ２２０が完成する。

【００５１】このスティフナ２２０は、誘電体層２２２
をスティフナ本体２２１と誘電体層表面２２２Ｓの大部
分を覆う第２電極層２２４とで挟んだ構成の層状コンデ
ンサ２２５を備えている。また、層状コンデンサ２２５
の一方の電極としての役割も果たすスティフナ本体２２
１は、ビア導体２２６によって、誘電体層２２２の表面
２２２Ｓ上の第１電極層２２３まで電気的に引き出され
ている。従って、実施形態１と同様に、このスティフナ
２２０も、配線基板本体２１０の表面２１０Ａのうちス
ティフナ固着領域２１０ＡＳ内で、配線基板本体２１０
の配線層１０２との接続が可能となっている。また、ス
ティフナ１２０の状態で、層状コンデンサ２２５の性能
をチェックをすることができる。これにより、層状コン
デンサ２２５の不具合なスティフナ２２０は除去するこ
とができる。

【００５２】次いで、このスティフナ２２０を配線基板
本体２１０に固着する方法について、図６を参照して説
明する。まず、スティフナ２２０の第１電極層２２３上
及び第２電極層２２４の所定接続部位上に、実施形態１
と同様にＡｇ−Ｃｕ系導電性樹脂ペーストを塗布し、未
硬化導電樹脂体２４３Ｒ，２４４Ｒをそれぞれ形成して
おく。さらに、第１接続ハンダバンプ２０３及び第２接
続ハンダバンプ２０４にそれぞれ対応する位置に貫通孔
２４１ＲＨを形成した半硬化エポキシ樹脂からなる接着
シート２４１Ｒを介して、配線基板本体２１０とスティ
フナ２２０とを重ねる。

【００５３】その後は、真空熱プレスによって加圧しな
がら加熱して、接着シート２４１Ｒ及び未硬化導電樹脂
体２４３Ｒ，２４４Ｒを硬化させ、層状コンデンサ２２
５を備えるスティフナ２２０を配線基板本体２１０に固
着させて、図４に示す配線基板２００を完成させる。こ
れにより、層状コンデンサ２２５の一方の電極をなすス
ティフナ本体２２１は、ビア導体２２６，第１電極層２
２３、導電樹脂体２４３、第１接続ハンダバンプ２０３
を通じて配線基板本体２１０の配線層１０２と接続す
る。また同様に、層状コンデンサ２２５の第２電極層２
２４は、導電樹脂体２４４、第２接続ハンダバンプ２０
４を通じて配線基板本体２１０の配線層１０２と接続す
る。つまり、層状コンデンサ２２５も配線基板本体２１
０の配線層１０２，１０２と電気的に接続する。

【００５４】なお、配線基板本体２１０は、実施形態１
と同様に、公知の手法により形成して形成すれば良い。
本実施形態の配線基板本体２１０は、実施形態１と同様
にして形成されたものであり、配線基板本体１１０では
第１接続パッド１０３及び第２接続パッド１０４を備え
ていたのに対し、第１接続ハンダバンプ２０３及び第２
接続ハンダバンプ２０４を備える点で異なるものであ
る。従って、同様な部材には、同じ番号を付してある。

【００５５】上記した配線基板２００の製造方法の説明
から容易に理解できるように、本実施形態では、スティ
フナ本体２２１を用いて層状コンデンサ２２５を備える
スティフナ２２０を形成し、このスティフナ２２０を配
線基板本体２１０と接着して、層状コンデンサ２２５を
内蔵し、スティフナ本体２２１により剛性も向上させた
配線基板２００を形成している。このような層状コンデ
ンサ２２５を備えるスティフナ２２０を形成すると、不
具合が生じやすい層状コンデンサ２２５を、配線基板本
体２１０と接着させる前に検査することができる。従っ
て、不具合のある層状コンデンサ２２５を持つスティフ
ナ２２０を固着前に除去できるので、スティフナ１２０
よりも付加価値の高い配線基板本体２１０と接着した後
に、層状コンデンサ２２５の不具合によって配線基板２
００全体が廃棄される危険性を大幅に低減させることが
できる。つまり、配線基板本体に層状コンデンサを内蔵
させた場合に比して、配線基板の製造における損失を大
幅に低減させることができる。

【００５６】また本実施形態では、スティフナ２２０を
配線基板本体２１０に固着させると同時に、スティフナ
２２０に形成された層状コンデンサ２２５の２つの電極
（スティフナ本体２２１及び第２電極層２２４）を、第
１接続ハンダバンプ２０３及び第２接続ハンダバンプ２
０４を通じて配線層１０２に接続している。このため、
スティフナに従来のようなコンデンサ搭載用貫通孔を形
成する必要がない上、後にチップコンデンサをハンダ付
けによって搭載する必要もない。従って、層状コンデン
サ２２５を備える配線基板２００を容易かつ安価に製造
することができる。しかも、層状コンデンサ２２５の接
続のためのスペースをとっておく必要もなく、配線基板
の寸法を小型化することができる。また、接続のための
別途の工数も不要である。

【００５７】その上、本実施形態２では、配線基板本体
２１０と層状コンデンサ２２５との接続のため、略半球
状の第１接続ハンダバンプ２０３，第２接続ハンダバン
プ２０４を形成している。このハンダバンプ２０３，２
０４は、上記実施形態１における第１接続パッド１０３
や第２接続パッド２０４に比して高さを高くすることが
でき、接続ハンダバンプ２０３，２０４自身が第１電極
層２２３や第２電極層２２４に近づくため、より確実に
両者間を接続させることができる。しかも略半球状であ
るので、固着時に導電樹脂体２４３，２４４を接続ハン
ダバンプ２０３，２０４の頂部で押圧する状態となるの
で、さらに接続が確実に行える。

【００５８】（変形例１）次いで、上記実施形態２の変
形例を図７を参照して説明する。上記実施形態２では、
スティフナ２２０に形成した層状コンデンサ２２５は、
１層の誘電体層２２２のみを備えていたが、さらに静電
容量の大きな層状コンデンサを所望する場合には、以下
のようにすると良い。即ち、図７（ａ）に示すように、
図５（ａ）〜（ｃ）を参照して説明したのと同様にし
て、第２樹脂フィルムＲＦ２の表面ＲＦ２Ｓ上に、半硬
化第２誘電体層２２７Ｒを形成する。さらに、銅粉末を
導体とした導電性樹脂ペーストを用いて、半硬化第２誘
電体層２２７Ｒを貫通する半硬化第３ビア導体２３０Ｒ
及び半硬化第４ビア導体２３１Ｒを、また、半硬化第２
誘電体層２２７Ｒの表面（図中上面）２２７ＲＳに半硬
化第３電極層２２８Ｒ及び半硬化第４電極層２２９Ｒを
形成する。このうち半硬化第３電極層２２８Ｒは、後述
するように、スティフナ２４０に備えられた層状コンデ
ンサ２３２において、第２電極層２２４に対向し、かつ
半硬化第２誘電体層２２７Ｒの大部分を覆うように形成
されている。

【００５９】その後、スティフナ本体２２１の固着側表
面２２１Ｓ上に、樹脂フィルムＲＦを剥がして裏面２２
２ＲＢを露出させた半硬化誘電体層２２２Ｒ（図５
（ｃ）参照）を重ね、さらに、第２樹脂フィルムＲＦ２
を剥がして裏面２２７ＲＢを露出させた半硬化第２誘電
体層２２７Ｒ（図７（ａ）参照）を重ねて、真空熱プレ
スによって加熱硬化させる。これにより、図７（ｂ）に
示すように、スティフナ本体２２１の固着側表面２２１
Ｓに、誘電体層２２２、第１，第２電極層２０３，２０
４，第２誘電体層２２７及び第３，第４電極層２２８，
２２９が順に積層される。ビア導体２２６、第１電極層
２２３及び第３ビア導体２３０によってスティフナ本体
２２１が第３電極層２２８に接続され、第２ビア導体２
３１によって第２電極層２２４が第４電極層２２９に接
続される。

【００６０】このようにして形成されたスティフナ２４
０は、第２電極層２２４とスティフナ本体２２１及び第
３電極層２２８とが、誘電体層２２２及び第２誘電体層
２２７を介して対向する配置となり、２層の誘電体層を
持つ層状コンデンサ２３２を構成する。また、スティフ
ナ本体２２１は、ビア導体２２６、第１電極層２２３、
第３ビア導体２３０を通じて、第２誘電体層２２７の表
面２２７Ｓ上の第３電極層２２８まで電気的に引き出さ
れている。同様に、第２電極層２２４は、第４ビア導体
２３１を通じて表面２２７Ｓ上の第４電極層２２９まで
電気的に引き出されている。従って、この層状コンデン
サ２３２を備えるスティフナ２４０を、実施形態２にお
けるスティフナ２２０と同様にして配線基板本体２１０
に固着することで、スティフナ２４０によって補強さ
れ、しかも、より大きな静電容量を持つ層状コンデンサ
２３２を内蔵した配線基板を形成することができる。

【００６１】（実施形態３）次いで、第３の実施の形態
について、図８〜図１０に基づいて説明する。上記実施
形態１，２においては、スティフナ本体１２１，２２１
が層状コンデンサの一方の電極としての役割も有してい
た。これに対し、本実施形態３の配線基板３００では、
層状コンデンサ３３０にスティフナ３２０とは絶縁され
たベース電極層３３１を備える点が主に異なる。従っ
て、異なる部分を中心に説明し、同様な部分の説明は省
略又は簡略化する。

【００６２】図８に断面の左側略半分についての様子を
示す本実施形態の配線基板３００は、実施形態１、２と
同様の方形板状の配線基板本体３１０と、この表面（図
中上面）３１０Ａのうち周縁近傍略ロ字状の層状コンデ
ンサ固着領域３１０ＡＣに固着された層状コンデンサ３
３０と、さらに層状コンデンサ３３０の図中上方に固着
されたスティフナ３２０とを有する。このうち配線基板
本体３１０は、スティフナ固着領域ではなく層状コンデ
ンサ固着領域３１０ＡＣにであるが、上記実施形態１と
同様に、層状コンデンサ３３０の第１電極層３３３及び
第２電極層３３４をそれぞれ接続させるための第１接続
パッド３０３および第２接続パッド３０４が形成されて
いる。また、これらが配線層１０２，１０２とそれぞれ
接続している点でも上記実施形態１に記載した配線基板
本体１１０と類似したものである。なお、この配線基板
本体３１０のうち、他の部分については実施形態１と同
様であるので説明を省略する。

【００６３】スティフナ３２０は、実施形態１，２にお
けるスティフナ本体に相当し、略ロ字状銅板からなり、
配線基板本体３１０の剛性を補強するためのものであ
る。一方、スティフナ３２０と配線基板本体３１０との
間に介在する層状コンデンサ３３０は、このスティフナ
３２０の固着側表面（図中下面）３２０Ｓに接着層３４
１によって、また、配線基板本体３１０の層状コンデン
サ固着領域３１０ＡＣに接着層３４２によって接着され
ている。この層状コンデンサ３３０は、接着層３４２に
接着されたベース電極層３３１、ＢａＴｉＯ₃粉末を６
０vol％混入させた誘電体層３３２、及び誘電体層３３
２の表面（図中下面）３３２Ｓに形成された第１電極層
３３３及び第２電極層３３４を備える。この第２電極層
３３４は、ベース電極層３３１と誘電体層３３２を挟ん
で対向し、表面３３２Ｓの大部分を覆っている。また、
ベース電極層３３１は、誘電体層３３２を貫通するビア
導体３３６によって第１電極層３３３と接続されて、誘
電体層３３２の表面３３２Ｓ上に電気的に引き出されて
いる。この第１電極層３３３、第２電極層３３４、及び
ビア導体３３６は、いずれも銅粉末を導体とした導電性
樹脂からなる。

【００６４】また、層状コンデンサ３３０の第１電極層
３３３と配線基板本体３１０の第１接続パッド３０３、
及び第２電極層３３４と第２接続パッド３０４とは、そ
れぞれ実施形態１と同様な導電性樹脂からなる導電樹脂
体３４３，３４４で電気的に導通して接続されている。
従って、配線層１０２を通じて、ハンダバンプ１０５の
一部とも接続している。このようにして本実施形態の配
線基板３００は、スティフナ３２０によって配線基板本
体３１０の剛性が補強されると共に、層状コンデンサ３
３０を備える。このため、スティフナ３２０にチップコ
ンデンサを搭載するためのコンデンサ搭載用貫通孔を形
成する必要がなく、従って、スティフナ３２０の剛性が
高い。さらに、ＩＣチップのごく近くに層状コンデンサ
３３０を内蔵しているので、この層状コンデンサ３３０
によって効率よくノイズを除去することができる。

【００６５】次いで、図９を参照しつつ本実施形態の層
状コンデンサ３３０の製造方法について説明する。ま
ず、図９（ａ）に示すように、表面を黒化処理により粗
化した厚さ１８μｍの銅箔３３１Ｆの表面（図中上面）
３３１ＦＳに、実施形態１と同様にＢａＴｉＯ₃粉末を
混入させたエポキシ樹脂ペーストを塗布し、加熱して半
硬化状態の半硬化誘電体層３３２Ｒを形成する。さら
に、補強して取り扱いを容易にするため、粘着材を塗布
したポリエチレンからなる樹脂フィルムＲＦ３を銅箔３
３１Ｆの裏面（図中下面）３３１ＦＢに貼り付ける。な
お、図９においては、前述の図８と同様に簡単化のた
め、層状コンデンサ等の断面のみを示す。

【００６６】次いで、図９（ｂ）に示すように、パンチ
ング、ドリリング、あるいは、レーザ打ち抜きにより、
半硬化誘電体層３３２Ｒ、銅箔３３１Ｆ（ベース電極層
３３１）及び樹脂フィルムＲＦ３に平面視略ロ字状に打
ち抜いて貫通孔Ｈを形成し、さらにビアホールＶＨを穿
孔する。

【００６７】さらに図９（ｃ）に示すように、ビアホー
ルＶＨ内に導電性樹脂ペーストを充填し、さらに、半硬
化誘電体層３３２Ｒの表面（図中上面）３３２ＲＳに銅
粉末を導体とした導電性樹脂ペーストを塗布し、これら
を半硬化させて半硬化ビア導体３３６Ｒ、半硬化第１電
極層３３３Ｒ、及び半硬化第２電極層３３４Ｒを形成す
る。半硬化第１電極層３３３Ｒは、半硬化ビア導体３３
６Ｒを介してベース電極層３３１と導通するように形成
され、一方、半硬化第２電極層３３４Ｒは、半硬化誘電
体層３３２Ｒの表面３３２ＲＳの大部分を覆うように形
成される。

【００６８】その後、予め用意してあったスティフナ３
２０と貼り合わせる。スティフナ３２０は、厚さ０．７
ｍｍの略ロ字状銅板からなり、その表面は、いずれの面
も公知の黒化処理によって粗化されている。このスティ
フナ３２０の固着側表面（図中上面）３２０Ｓと、樹脂
フィルムＲＦ３を剥がして露出させたベース電極層３３
１の裏面３３１Ｂとを半硬化エポキシ樹脂からなる接着
シートを介して重ねて加熱し、半硬化誘電体層３３２Ｒ
等を硬化させる。これにより図９（ｄ）に示すように、
ベース電極層３３１と誘電体層表面３３２Ｓの大部分を
覆う第２電極層３３４及び第１電極層３３３との間に誘
電体層３３２が挟まれ、ベース電極層３３１がビア導体
３３６によって第１電極層３３３に接続された、層状コ
ンデンサ３３０が完成する。さらに、この層状コンデン
サ３３０は、接着層３４１によりスティフナ３２０と接
着されて一体の層状コンデンサ付きスティフナ３５０と
なっている。

【００６９】スティフナ３２０は、絶縁性の接着層３４
１によってベース電極層３３１と隔てられているので、
実施形態１，２のスティフナ本体と異なり、スティフナ
３２０は、層状コンデンサ３３０の一方の電極としての
役割は果たさない。なお、層状コンデンサ３３０の一方
の電極であるベース電極層３３１は、ビア導体３３６に
よって、誘電体層３３２の表面３３２Ｓ上の第１電極層
３３３まで電気的に引き出されている。従って、層状コ
ンデンサ３３０は、配線基板本体３１０の表面３１０Ａ
のうち層状コンデンサ固着領域３１０ＡＣ内で、配線基
板本体３１０の配線層１０２との接続が可能となってい
る。また、この層状コンデンサ３３０は、スティフナ３
２０と接着された状態で、その性能をチェックをするこ
とができる。これにより、層状コンデンサ３３０がショ
ート等によって不具合な場合には、層状コンデンサ付き
スティフナ３５０ごと廃棄すればよい。

【００７０】なお、本実施形態では、層状コンデンサ３
３０を形成すると同時に、接着層３４１によってスティ
フナ３２０と接着した。スティフナ３２０と接着せず
に、層状コンデンサ３３０のみを形成することもでき
る。しかし、層状コンデンサ３３０の厚さが薄いので、
外力によって誘電体層３３２に亀裂が生じるなどの危険
性がある。そこで、スティフナ３２０と接着して層状コ
ンデンサ付きスティフナ３５０とすることにより、ハン
ドリングが容易になり、層状コンデンサ３３０の特性を
チェックする際にも、測定によって逆に層状コンデンサ
３３０を破壊する等の危険性を大幅に低減できる。ステ
ィフナ３２０は、銅板であるため、層状コンデンサ３３
０の不具合によって破棄しても、その損害金額は少ない
ため、結局、取り扱い容易となることによる歩留まり向
上や工数低減の利点の方が大きいからである。

【００７１】次いで、この層状コンデンサ付きスティフ
ナ３５０を配線基板本体３１０に固着する方法につい
て、図１０を参照して説明する。まず、配線基板本体３
１０のうち表面３１０Ａの層状コンデンサ固着領域３１
０ＡＣに形成された第１接続パッド３０３及び第２接続
パッド３０４上に、実施形態１と同様の導電性樹脂ペー
ストを塗布し、未硬化導電樹脂体３４３Ｒ，３４４Ｒを
それぞれ形成しておく。さらに、第１接続パッド３０３
及び第２接続パッド３０４にそれぞれ対応する位置に貫
通孔３６２ＲＨを形成した半硬化エポキシ樹脂からなる
接着シート３６２Ｒを介して、配線基板本体３１０と層
状コンデンサ付きスティフナ３５０とを重ねる。

【００７２】その後は、真空熱プレスによって加圧しな
がら加熱して、接着シート３６２Ｒ及び未硬化導電樹脂
体３４３Ｒ，３４４Ｒを硬化させ、層状コンデンサ付き
スティフナ３５０、即ち、層状コンデンサ３３０及びス
ティフナ３２０を配線基板本体３１０に固着させて、図
８に示す配線基板３００を完成させる。これにより、層
状コンデンサ３３０の一方の電極をなすベース電極層３
３１は、ビア導体３３６、第１電極層３３３、導電樹脂
体３４３、第１接続パッド３０３を通じて配線基板本体
３１０の配線層１０２と接続する。また同様に、層状コ
ンデンサ３３０の第２電極層３３４は、導電樹脂体３４
４、第２接続パッド３０４を通じて配線基板本体３１０
の配線層１０２と接続する。つまり、層状コンデンサ３
３０も配線基板本体３１０の配線層１０２，１０２と電
気的に接続される。

【００７３】なお、本実施形態で用いた配線基板本体３
１０は、実施形態１，２と同様に、公知の手法により形
成して形成すれば良い。本実施形態の配線基板本体３１
０は、実施形態１と同様にして形成されたものであり、
配線基板本体３１０では第１接続パッド３０３及び第２
接続パッド３０４が、実施形態１の配線基板本体１１０
と若干異なるものである。従って、同様な部材には、同
じ番号を付してある。

【００７４】上記した配線基板３００の製造方法の説明
から容易に理解できるように、本実施形態では、層状コ
ンデンサ３３０、さらにいえば、層状コンデンサ付きス
ティフナ３５０を形成し、この層状コンデンサ付きステ
ィフナ３５０を配線基板本体３１０と接着して、層状コ
ンデンサ３３０を内蔵し、スティフナ３２０により剛性
も向上させた配線基板３００を形成している。このよう
な層状コンデンサ３３０、あるいは層状コンデンサ付き
スティフナ３５０を形成すると、不具合が生じやすい層
状コンデンサ３３０を、配線基板本体３１０と接着させ
る前に検査することができる。従って、不具合のある層
状コンデンサ３３０を固着前に除去できるので、付加価
値の高い配線基板本体３１０と接着した後に、層状コン
デンサ３３０の不具合によって配線基板３００全体が廃
棄される危険性を大幅に低減させることができる。つま
り、配線基板本体に層状コンデンサを内蔵させた場合に
比して、配線基板の製造における損失を大幅に低減させ
ることができる。

【００７５】また本実施形態では、層状コンデンサ付き
スティフナ３５０を配線基板本体３１０に固着させると
同時に、層状コンデンサ３３０の２つの電極（ベース電
極３３１及び第２電極層３３４）を、第１接続パッド３
０３及び第２接続パッド３０４を通じて配線層１０２に
接続している。このため、スティフナに従来のようなコ
ンデンサ搭載用貫通孔を形成する必要がない上、後にチ
ップコンデンサをハンダ付けによって搭載する必要もな
い。従って、層状コンデンサ３３０を備える配線基板３
００を容易かつ安価に製造することができる。しかも、
層状コンデンサ３３０の接続のためのスペースをとって
おく必要もなく、配線基板の寸法を小型化することがで
きる。また、接続のための別途の工数も不要である。

【００７６】（変形例２）次いで、上記実施形態３の変
形例を図１１を参照して説明する。上記実施形態３で
は、層状コンデンサ３３０は１層の誘電体層３３２のみ
を備えていたが、さらに静電容量の大きな層状コンデン
サを所望する場合には、以下のようにすると良い。即
ち、図１１（ａ）に示すように、実施形態１において図
５（ａ）〜（ｃ）を参照して説明したのと同様にして、
第２樹脂フィルムＲＦ４の表面ＲＦ４Ｓ上に、半硬化第
２誘電体層３３７Ｒを形成する。さらに、銅粉末を導体
とした導電性樹脂ペーストを用いて、半硬化第２誘電体
層３３７Ｒを貫通する半硬化第３ビア導体３４０Ｒ及び
半硬化第４ビア導体３４１Ｒを、また、半硬化第２誘電
体層３３７Ｒの表面（図中上面）３３７ＲＳに半硬化第
３電極層３３８Ｒ及び半硬化第４電極層３３９Ｒを形成
する。このうち半硬化第３電極層３３８Ｒは、後述する
ように、層状コンデンサ３４２において、第２電極層３
３４に対向し、かつ半硬化第２誘電体層３３７Ｒの大部
分を覆うように形成されている。

【００７７】その後、スティフナ３２０の固着側表面３
２０Ｓ上に、半硬化エポキシ樹脂からなる接着シートを
介して、樹脂フィルムＲＦを剥がして裏面３３１Ｂを露
出させたベース電極層３３１（図９（ｃ）参照）を重
ね、さらに、第２樹脂フィルムＲＦ４を剥がして裏面３
３７ＲＢを露出させた半硬化第２誘電体層３３７Ｒ（図
１１（ａ）参照）を重ねて、真空熱プレスによって加熱
硬化させる。これにより、図１１（ｂ）に示すように、
スティフナ３２０の固着側表面３２０Ｓに、接着層３６
１を介して、誘電体層３３２、第１，第２電極層３３
３，３３４，第２誘電体層３３７及び第３，第４電極層
３３８，３３９が順に積層される。ビア導体３３６、第
１電極層３３３及び第３ビア導体３４０によってベース
電極層３３１が第３電極層３３８に接続され、第２ビア
導体３４１によって第２電極層３３４が第４電極層３３
９に接続される。

【００７８】このようにして、第２電極層３３４とベー
ス電極層３３１及び第３電極層３３８とが、誘電体層３
３２及び第２誘電体層３３７を介して対向する配置とな
り、２層の誘電体層を持つ層状コンデンサ３４２が構成
される。また、ベース電極層３３１は、ビア導体３３
６、第１電極層３３３、第３ビア導体３４０を通じて、
第２誘電体層３３７の表面３３７Ｓ上の第３電極層３３
８まで電気的に引き出されている。同様に、第２電極層
３３４は、第４ビア導体３４１を通じて表面３３７Ｓ上
の第４電極層３３９まで電気的に引き出されている。従
って、この層状コンデンサ３４２を備える層状コンデン
サ付きスティフナ３５１を、上記実施形態３における層
状コンデンサ付きスティフナ３５０と同様にして配線基
板本体３１０に固着することで、スティフナ３２０によ
って補強され、しかも、より大きな静電容量を持つ層状
コンデンサ３４２を内蔵した配線基板を形成することが
できる。

【００７９】（実施形態４）さらに、第４の実施の形態
について、図１２〜図１４に基づいて説明する。上記実
施形態１〜３においては、層状コンデンサの第１，第２
電極層やビア導体等を導電性樹脂を塗布あるいは充填し
て形成した。これに対し、本実施形態４の配線基板４０
０では、フォトリソグラフィ技術やメッキ技術等を用い
て形成した層状コンデンサ４３０を備える点、及び層状
コンデンサ４３０と配線基板本体２１０とを、異方性導
電性接着層４４２で接着している点が主に異なる。従っ
て、異なる部分を中心に説明し、同様な部分の説明は省
略又は簡略化する。

【００８０】図１２に断面の左側略半分についての様子
を示す本実施形態の配線基板４００は、実施形態２と同
様の方形板状の配線基板本体２１０と、この表面（図中
上面）２１０Ａのうち周縁近傍略ロ字状の層状コンデン
サ固着領域２１０ＡＣに固着された層状コンデンサ４３
０と、さらに層状コンデンサ４３０の図中上方に固着さ
れたスティフナ３２０とを有する。このうち配線基板本
体２１０は、スティフナ固着領域ではなく層状コンデン
サ固着領域２１０ＡＣにであるが、前記実施形態２と同
様に、層状コンデンサ４３０の第３電極層４３６及び第
４電極層４３７をそれぞれ接続させるための略半球状の
第１接続ハンダバンプ２０３および第２接続ハンダバン
プ２０４が形成されている。また、これらは配線層１０
２，１０２とそれぞれ接続している。なお、この配線基
板本体２１０のうち、他の部分については実施形態２と
同様であるので説明を省略する。

【００８１】スティフナ３２０は、実施形態３と同様の
ものであり、略ロ字状銅板からなり、配線基板本体２１
０の剛性を補強するためのものである。一方、スティフ
ナ３２０と配線基板本体２１０との間に介在する層状コ
ンデンサ４３０は、このスティフナ３２０の固着側表面
（図中下面）３２０Ｓに接着層４４１によって、また、
配線基板本体３１０の層状コンデンサ固着領域３１０Ａ
Ｃに異方性導電性接着層４４２によって接着されてい
る。

【００８２】この層状コンデンサ４３０は、接着層４４
２に接着されたベース電極層４３１、ＢａＴｉＯ₃粉末
を６０vol％混入させた誘電体層４３２、第２誘電体層
４３５、及び誘電体層３３２と第２誘電体層４３５の間
に介在する第１電極層４３３、第２電極層３３４、さら
に２誘電体層４３５の表面（図中下面）４３５Ｓに形成
された第３電極層４３６，第４電極層４３７を備える。
この第２電極層４３４は、ベース電極層４３１と誘電体
層４３２を挟んで対向し、また、第３電極層４３６と第
２誘電体層４３５を挟んで対向して、誘電体層４３２と
第２誘電体層４３５との層間の大部分を占めている。ま
た、第１電極層４３３，第３電極層４３６，第４電極層
４３７は、それぞれ誘電体層４３２または第２誘電体層
４３５を貫通して他の電極層と接続するためのビア部４
３３Ｖ，４３６Ｖ，４３７Ｖを備える。このため、ベー
ス電極層４３１は、誘電体層４３２を貫通するビア部４
３３Ｖによって第１電極層４３３と接続され、さらに、
第２誘電体層４３５を貫通するビア部４３６Ｖによって
第３電極層４３６に接続されて、第２誘電体層４３５の
表面４３５Ｓ上に電気的に引き出されている。また、第
２電極層４３４も、第２誘電体層４３５を貫通するビア
部４３７Ｖによって第７電極層４３７に接続されて、第
２誘電体層４３５の表面４３５Ｓ上に電気的に引き出さ
れている。これらベース電極層４３１、第１電極層４３
３、第２電極層４３４、第３電極層４３６、第４電極層
４３７は、後述するようにいずれも銅からなる。

【００８３】また、層状コンデンサ４３０の第３電極層
４３６と配線基板本体２１０の第１接続ハンダバンプ２
０３、及び第４電極層４３７と第２接続ハンダバンプ２
０４とは、それぞれ異方性導電性接着層４４２によって
電気的に導通して接続されている。この異方性導電性接
着層４４２は、厚さ方向に圧縮されてその厚さが薄くさ
れた部分だけ、厚さ方向に導電性を発現する接着層であ
る。従って、第３電極層４３６及び第４電極層４３７
は、配線層１０２を通じて、ハンダバンプ１０５の一部
とも接続している。このようにして本実施形態の配線基
板４００は、スティフナ３２０によって配線基板本体２
１０の剛性が補強されると共に、層状コンデンサ４３０
を備える。このため、スティフナ３２０にチップコンデ
ンサを搭載するためのコンデンサ搭載用貫通孔を形成す
る必要がなく、従って、スティフナ３２０の剛性が高
い。さらに、ＩＣチップのごく近くに層状コンデンサ４
３０を内蔵しているので、この層状コンデンサ４３０に
よって効率よくノイズを除去することができる。

【００８４】次いで、図１３を参照しつつ本実施形態の
層状コンデンサ４３０の製造方法について説明する。ま
ず、図１３（ａ）に示すように、補強して取り扱いを容
易にするため、粘着材を塗布したポリイミドからなる樹
脂フィルムＲＦ５を、表面を黒化処理により粗化した厚
さ１８μｍの銅箔４３１Ｆの裏面（図中下面）４３１Ｆ
Ｂに貼り付けておく。次いで、ＢａＴｉＯ₃粉末を混入
させた感光性エポキシ樹脂ペーストを銅箔４３１Ｆの表
面４３１ＦＳに塗布し、加熱して半硬化状態の半硬化感
光性誘電体層４３２Ｒを形成する。なお、図１３におい
ては、前述の図１２と同様に簡単化のため、層状コンデ
ンサ等の断面のみを示す。

【００８５】次いで、略ロ字状に打ち抜いて貫通孔Ｈを
形成し、さらに露光・現像を行い、半硬化感光性誘電体
層４３２Ｒにビアホール４３２ＶＨを穿孔して、銅箔４
３１Ｆからなるベース電極層４３１を露出させる。その
後、加熱して、半硬化感光性誘電体層４３２Ｒを硬化さ
せ、図１３（ｂ）に示すように、誘電体層４３２とす
る。

【００８６】さらに図１３（ｃ）に示すように、公知の
セミアディティブ法を用いて無電解銅メッキ及び電解銅
メッキにより、誘電体層４２３の表面４３２Ｓに所定パ
ターンの第１電極層４３３及び第２電極層４３４を形成
する。なお、第１電極層４３３は、誘電体層４２３を貫
通するビアホール４３２ＶＨ内に形成されたビア部４３
３Ｖを備え、このビア部４３３Ｖによって、ベース電極
層４３１と接続している。一方、第２電極層４３４は、
誘電体層４３２の表面４３２Ｓの大部分を覆うように形
成される。

【００８７】さらに図１３（ｄ）に示すように、上記と
同様にして、第２誘電体層４３５を形成し、さらにその
表面４３５Ｓに所定パターンの第３電極層４３６及び第
４電極層４３７を形成して、層状コンデンサ４３０を形
成する。なお、第３電極層４３６は、誘電体層４３２の
表面４３２Ｓの大部分を覆うように形成され、第２誘電
体層４３５を貫通するビア部４３６Ｖを備え、このビア
部４３６Ｖによって、第１電極層４３３、さらにはベー
ス電極層４３１と接続している。一方、第４電極層４３
７は、第２誘電体層４３５を貫通するビア部４３７Ｖを
備え、このビア部４３７Ｖによって、第２電極層４３４
と接続している。

【００８８】その後、この層状コンデンサ４３０を、予
め用意してあったスティフナ３２０と貼り合わせる。ス
ティフナ３２０は、厚さ０．７ｍｍの略ロ字状銅板から
なり、その表面は、いずれの面も公知の黒化処理によっ
て粗化されている。このスティフナ３２０の固着側表面
（図中上面）３２０Ｓと、樹脂フィルムＲＦ５を剥がし
て露出させたベース電極層４３１の裏面４３１Ｂとを、
半硬化エポキシ樹脂からなる接着シートを介して重ねて
加熱して硬化させる。これにより図１３（ｅ）に示すよ
うに、層状コンデンサ４３０は、接着層３４１によりス
ティフナ３２０と接着されて、層状コンデンサ付きステ
ィフナ４５０が完成する。

【００８９】スティフナ３２０は、実施形態３と同様
に、絶縁性の接着層４４１によってベース電極層４３１
と隔てられているので、層状コンデンサ４３０の一方の
電極としての役割は果たさない。なお、層状コンデンサ
４３０の一方の電極であるベース電極層４３１は、第１
電極層４３３によって、誘電体層４３５の表面４３５Ｓ
上の第３電極層４３６まで電気的に引き出されている。
また、第２電極層４３１も、第４電極層４３７によっ
て、誘電体層４３５の表面４３５Ｓ上まで電気的に引き
出されている。従って、層状コンデンサ４３０は、配線
基板本体２１０の表面２１０Ａのうち層状コンデンサ固
着領域２１０ＡＣ内で、配線基板本体２１０の配線層１
０２との接続が可能となっている。また、この層状コン
デンサ４３０は、図１３（ｄ）に示す単独の状態で、あ
るいはスティフナ３２０と接着された図１３（ｅ）に示
す状態で、その性能をチェックをすることができる。こ
れにより、層状コンデンサ４３０がショート等によって
不具合な場合には、層状コンデンサ４３０のみを、ある
いは層状コンデンサ付きスティフナ４５０ごと廃棄すれ
ばよい。

【００９０】なお、本実施形態では、形成した層状コン
デンサ４３０を、配線基板本体２１０を接着する前に接
着層４４１によってスティフナ３２０と接着したが、ス
ティフナ３２０及び配線基板本体２１０と同時に接着す
ることもできる。しかし、層状コンデンサ４３０の厚さ
が薄いので、外力によって誘電体層４３２等に亀裂が生
じるなどの危険性がある。そこで、スティフナ３２０と
接着して層状コンデンサ付きスティフナ４５０とするこ
とにより、ハンドリングが容易になり、層状コンデンサ
４３０の特性をチェックする際にも、測定によって逆に
層状コンデンサ４３０を破壊する等の危険性を大幅に低
減できる。スティフナ３２０は、銅板であるため、層状
コンデンサ４３０の不具合によって破棄しても、その損
害金額は少ないため、結局、取り扱い容易となることに
よる歩留まり向上や工数低減の利点の方が大きいからで
ある。

【００９１】次いで、この層状コンデンサ付きスティフ
ナ４５０を配線基板本体２１０に固着する方法につい
て、図１４を参照して説明する。まず、配線基板本体２
１０のうち表面２１０Ａの層状コンデンサ固着領域２１
０ＡＣに形成された第１接続ハンダバンプ２０３及び第
２接続ハンダバンプ２０４上に、半硬化異方性導電性接
着層４４２を介して層状コンデンサ付きスティフナ４５
０とを重ねる。その後は、真空熱プレスによって加圧し
ながら加熱して、半硬化異方性導電性接着層４４２Ｒを
硬化させて異方性導電性接着層４４２を形成し、層状コ
ンデンサ付きスティフナ４５０、即ち、層状コンデンサ
４３０及びスティフナ３２０を配線基板本体２１０に固
着させて、図１２に示す配線基板４００を完成させる。

【００９２】これにより、層状コンデンサ４３０の一方
の電極をなすベース電極層４３１は、ビア部４３３Ｖ、
第１電極層４３３、ビア部４３６Ｖ、第３電極層４３
６、第１接続ハンダバンプ２０３を通じて配線基板本体
３１０の配線層１０２と接続する。また同様に、層状コ
ンデンサ４３０の第２電極層３３４は、ビア部４３７
Ｖ、第４電極層４３７、第２接続ハンダバンプ２０４を
通じて配線基板本体２１０の配線層１０２と接続する。
つまり、層状コンデンサ４３０も配線基板本体２１０の
配線層１０２，１０２と電気的に接続される。

【００９３】なお、本実施形態で用いた配線基板本体２
１０は、実施形態２と同様に、公知の手法により形成し
て形成すれば良い。本実施形態の配線基板本体２１０
は、実施形態２と同様にして形成されたものであり、従
って、同様な部材には同じ番号を付してある。

【００９４】上記した配線基板３００の製造方法の説明
から容易に理解できるように、本実施形態では、層状コ
ンデンサ４３０、さらにいえば、層状コンデンサ付きス
ティフナ４５０を形成し、この層状コンデンサ付きステ
ィフナ４５０を配線基板本体２１０と接着して、層状コ
ンデンサ４３０を内蔵し、スティフナ３２０により剛性
も向上させた配線基板４００を形成している。このよう
な層状コンデンサ４３０、あるいは層状コンデンサ付き
スティフナ４５０を形成すると、不具合が生じやすい層
状コンデンサ４３０を、配線基板本体２１０と接着させ
る前に検査することができる。従って、不具合のある層
状コンデンサ４３０を固着前に除去できるので、付加価
値の高い配線基板本体２１０と接着した後に、層状コン
デンサ４３０の不具合によって配線基板４００全体が廃
棄される危険性を大幅に低減させることができる。つま
り、配線基板本体に層状コンデンサを内蔵させた場合に
比して、配線基板の製造における損失を大幅に低減させ
ることができる。

【００９５】また本実施形態では、層状コンデンサ付き
スティフナ４５０を配線基板本体２１０に固着させると
同時に、層状コンデンサ４３０の２つの電極（第３電極
層４３６及び第４電極層４３７）を、第１接続ハンダバ
ンプ２０３及び第２接続ハンダバンプ２０４を通じて配
線層１０２に接続している。このため、スティフナに従
来のようなコンデンサ搭載用貫通孔を形成する必要がな
い上、後にチップコンデンサをハンダ付けによって搭載
する必要もない。従って、層状コンデンサ４３０を備え
る配線基板４００を容易かつ安価に製造することができ
る。しかも、層状コンデンサ４３０の接続のためのスペ
ースをとっておく必要もなく、配線基板４００の寸法を
小型化することができる。また、接続のための別途の工
数も不要である。

【００９６】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適
用できることはいうまでもない。例えば、上記実施形態
１，２，３では１層の誘電体層を備え、実施形態４及び
変形例１，２では２層の誘電体層を備えた層状コンデン
サを形成した例を示したが、さらに多数層としても良
い。また、上記実施形態では、誘電体層としてＢａＴｉ
Ｏ₃粉末を混入させたものを用いたが、その他ＰｂＴｉ
Ｏ３，ＰＺｒＯ３，ＳｒＴｉＯ３等、高誘電率物質の粉
末を混入させても良い。また、Ｃｕ，Ｎｉ等の金属粉末
を混入させることにより誘電体層の誘電率を向上させた
ものを用いても良い。また、上記各実施形態では、ステ
ィフナあるいはスティフナ本体の固着側表面とほぼ同面
積の層状コンデンサを形成したが、要求される層状コン
デンサの静電容量等によっては、固着側表面より小さな
面積の層状コンデンサを形成しても良い。

【００９７】さらに、上記実施形態４においては、第１
電極層４３３等をセミアディティブ法により形成した
が、他の手法、例えばフルアディティブ法やサブトラク
ティブ法によって形成しても良い。また、実施形態３，
４では、層状コンデンサ３３０，４３０をスティフナ３
２０に接着し、特性チェック後に配線基板本体３１０，
２１０に接着したが、予め特性をチェックした層状コン
デンサを、接着シートあるいは異方性導電性接着シート
を介してスティフナと配線基板本体とで挟み、加熱圧着
して三者を固着して配線基板を形成しても良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１にかかる配線基板の断面図である。

【図２】実施形態１にかかる層状コンデンサを備えたス
ティフナの製造方法を示す説明図である。

【図３】実施形態１にかかり、層状コンデンサを備える
スティフナを配線基板本体に固着する工程を説明する説
明図である。

【図４】実施形態２にかかる配線基板の部分拡大断面図
である。

【図５】実施形態２にかかる層状コンデンサを備えたス
ティフナの製造方法を示す説明図である。

【図６】実施形態２にかかり、層状コンデンサを備える
スティフナを配線基板本体に固着する工程を説明する説
明図である。

【図７】実施形態２の変形例にかかり、誘電体層及び電
極層を１層ずつ増やした層状コンデンサを備えるスティ
フナの製造方法を説明する説明図である。

【図８】実施形態３にかかり、配線基板本体およびステ
ィフナの間に層状コンデンサを介在させた配線基板の部
分拡大断面図である。

【図９】実施形態３にかかる層状コンデンサの製造方法
を示す説明図である。

【図１０】実施形態３にかかり、層状コンデンサをステ
ィフナと配線基板本体の間に介在させ三者を固着する工
程を説明する説明図である。

【図１１】実施形態３の変形例にかかり、誘電体層及び
電極層を１層ずつ増やした層状コンデンサの製造方法を
説明する説明図である。

【図１２】実施形態４にかかる配線基板の部分拡大断面
図である。

【図１３】実施形態４にかかる層状コンデンサ及び層状
コンデンサを備えるスティフナの製造方法を示す説明図
である。

【図１４】実施形態４にかかり、層状コンデンサを備え
るスティフナを配線基板本体に固着する工程を説明する
説明図である。

【図１５】ＩＣチップ、チップコンデンサを搭載した従
来のスティフナ付き配線基板の断面図である。

【符号の説明】

１００，２００，３００，４００配線基板１１０，２１０，３１０配線基板本
体１１０ＡＳ，２１０ＡＳスティフナ
固着領域２１０ＡＣ，３１０ＡＣ層状コンデ
ンサ固着領域１２０，２２０，３３０，４３０スティフ
ナ１２１，２２１スティフナ
本体１２５，３３０，４３０層状コンデ
ンサ１２２，２２２，３３２，４３２誘電体層２２７，３３７，４３５第２誘電体
層１２３，３３３，４３３第１電極層１２４，３３４，４３４第２電極層２２８，３３８，４３６第３電極層２２９，３３９，４３７第４電極層１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ，１０１Ｄ絶縁層１０２配線層１０３，３０３第１接続パ
ッド１０４，３０４第２接続パ
ッド２０３第１接続ハ
ンダバンプ２０４第２接続ハ
ンダバンプ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4E351 AA03 AA14 BB01 BB03 BB17 BB33 BB35 DD04 DD06 DD19 GG01 GG20 5E001 AA01 AB01 AB06 AC05 AE02 AE03 AF03 AH01 AH03 AH07 AJ01 AJ02 AJ03 AZ01 5E336 BB03 BC34 CC53 EE07 GG16 5E338 AA02 AA03 BB63 BB72 BB75 CD11 CD32 EE26 5E346 AA03 AA12 AA13 AA15 AA43 BB01 BB16 BB20 DD07 FF45 GG40 HH32 HH33

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂を含む絶縁層を備える配線基板本体
と、上記配線基板本体に固着され、この配線基板本体を補強
するスティフナであって、スティフナ本体のうち、上記
配線基板本体と固着する側の固着側表面に層状コンデン
サを備えるスティフナと、を形成してなることを特徴と
する配線基板。
【請求項２】請求項１に記載の配線基板であって、対向して前記層状コンデンサを構成する２つの電極が、
いずれも前記配線基板本体の表面のうち前記スティフナ
を固着させるスティフナ固着領域内で前記配線基板本体
に形成された配線層と電気的に接続されていることを特
徴とする配線基板。
【請求項３】樹脂を含む絶縁層を備える配線基板本体
と、上記配線基板本体を補強するスティフナと、上記配線基板本体と上記スティフナとの間に介在する層
状コンデンサと、を備えることを特徴とする配線基板。
【請求項４】請求項３に記載の配線基板であって、対向して前記層状コンデンサを構成する２つの電極が、
いずれも前記配線基板本体の表面のうち前記層状コンデ
ンサを固着させるコンデンサ固着領域内で前記配線基板
本体に形成された配線層と電気的に接続されていること
を特徴とする配線基板。
【請求項５】配線基板本体に固着して上記配線基板本体
を補強するスティフナであって、スティフナ本体のうち、上記配線基板本体と固着する側
の固着側表面に層状コンデンサを形成してなることを特
徴とするスティフナ。
【請求項６】請求項５に記載のスティフナであって、対向して前記層状コンデンサを形成する２つの電極は、
いずれも前記配線基板本体に固着される固着面まで電気
的に引き出されていることを特徴とするスティフナ。
【請求項７】金属からなるスティフナ本体のうち、配線
基板本体と固着する固着側表面に誘電体層を形成する誘
電体層形成工程と、少なくとも上記誘電体層の表面に、上記誘電体層の側面
を経由して上記スティフナ本体と接続する第１電極層と
上記表面の大部分を覆う第２電極層とを形成する電極層
形成工程と、を備えることを特徴とするスティフナの製
造方法。
【請求項８】配線基板本体とスティフナとの間にそれぞ
れ接着剤層を介して層状コンデンサを固着し、両者間に
介在させることを特徴とする配線基板の製造方法。