JP2000223727A - 薄膜太陽電池とその製造方法 - Google Patents

薄膜太陽電池とその製造方法

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JP2000223727A
JP2000223727A JP11019306A JP1930699A JP2000223727A JP 2000223727 A JP2000223727 A JP 2000223727A JP 11019306 A JP11019306 A JP 11019306A JP 1930699 A JP1930699 A JP 1930699A JP 2000223727 A JP2000223727 A JP 2000223727A
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electrode layer
connection
photoelectric conversion
solar cell
hole
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敏夫 ▲浜▼
Toshio Hama
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Fuji Electric Co Ltd
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    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0468PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising specific means for obtaining partial light transmission through the module, e.g. partially transparent thin film solar modules for windows
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄膜太陽電池を窓などに貼り付けて使用した
場合に、窓からの外界透視機能を失うことなく、かつ、
薄膜自体の強度が搬送上,加工上、実用的に問題となら
ない光透過型の薄膜太陽電池とその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 電気的接続用の接続孔18および集電孔
17以外に,光透過用の孔19を複数個設けるものと
し、接続孔18,集電孔17および光透過用の孔19の
総面積の、基板11の面積に対する割合が20〜30%
であるものとする。前記光透過用の孔は、機械的打ち抜
き加工や、YAGレーザまたはエキシマレーザのマルチ
ビーム加工により形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、可撓性基板を用
いた光透過型の薄膜太陽電池の構成およびその製造方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、環境保護の立場から、クリーンな
エネルギーの研究開発が進められている。中でも、太陽
電池はその資源(太陽光)が無限であること、無公害で
あることから注目を集めている。
【0003】薄膜太陽電池は、薄型で軽量、製造コスト
の安さ、大面積化が容易であることなどから、今後の太
陽電池の主流となると考えられ、電力供給用以外に、建
物の屋根や窓などにとりつけて利用される業務用,一般
住宅用にも需要が広がってきている。窓用には一般に、
光透過型の薄膜太陽電池が用いられる。
【0004】従来の薄膜太陽電池はガラス基板を用いて
いたが、軽量化、施工性、量産性においてプラスチック
フィルムおよび金属フィルムを用いたフレキシブルタイ
プの太陽電池の研究開発がすすめられている。このフレ
キシブル性を生かし、ロールツーロール方式の製造方法
により大量生産が可能となった。
【0005】上記の薄膜太陽電池は、フレキシブルな電
気絶縁性フィルム基板上に第1電極(以下、下電極とも
いう)、薄膜半導体層からなる光電変換層および第2電
極(以下、透明電極ともいう)が積層されてなる光電変
換素子(またはセル)が複数形成されている。ある光電
変換素子の第1電極と隣接する光電変換素子の第2電極
を電気的に接続することを繰り返すことにより、最初の
光電変換素子の第1電極と最後の光電変換素子の第2電
極とに必要な電圧を出力させることができる。例えば、
インバータにより交流化し商用電力源として交流100
Vを得るためには、薄膜太陽電池の出力電圧は100V
以上が望ましく、実際には数10個以上の素子が直列接
続される。
【0006】このような光電変換素子とその直列接続
は、電極層と光電変換層の成膜と各層のパターニングお
よびそれらの組み合わせ手順により形成される。少数の
光電変換素子を直列接続した薄膜太陽電池により従来技
術を説明する(特願平9−37207号参照)。
【0007】図8は、上記特許出願明細書に記載された
薄膜太陽電池の一例を示し、(a)は平面図、(b)は
(a)における線ABCDおよびBQCに沿っての断面
図であり、(c)は(a)におけるEE断面図を示す。
【0008】電気絶縁性でフレキシブルな樹脂からなる
長尺のフィルム基板上に、順次、第1電極層、光電変換
層、第2電極層が積層され、フィルム基板の反対側(裏
面)には第3電極層、第4電極層が積層され、裏面電極
が形成されている。光電変換層は例えばアモルファスシ
リコンのpin接合である。フィルム基板用材料として
は、ポリイミドのフィルムが用いられている。
【0009】製造工程の概要につき以下に説明する。
【0010】先ず、フィルム基板にパンチを用いて、接
続孔h1を開け、基板の片側(表側とする)に第1電極
層として、スパッタにより銀を成膜し、これと反対の面
(裏側とする)には、第3電極層として、同じく銀電極
を成膜する。接続孔h1の内壁で第1電極層と第3電極
層とは重なり、導通する。
【0011】成膜後、表側では、第1電極層を所定の形
状にレーザ加工して、下電極l1〜l6をパターニング
する。下電極l1〜l6の隣接部は一本の分離線g2
を、二列の直列接続の光電変換素子間および周縁導電部
fとの分離のためには二本の分離線g2を形成し、下電
極l1〜l6は分離線により囲まれるようにする。再度
パンチを用いて、集電孔h2を開けた後、表側に、光電
変換層pとしてa-Si層をプラズマCVDにより成膜す
る。マスクを用いて幅W2の成膜とし、レーザ加工によ
り二列素子の間だけに第1電極層と同じ分離線を形成す
る。
【0012】さらに第2電極層として表側に透明電極層
(ITO層)を成膜する。但し、二つの素子列の間とこ
れに平行な基板の両側端部にはマスクを掛け接続孔h1
には成膜しないようにし、素子部のみに成膜する。次い
で裏面全面に第4電極層として銀電極を成膜する。第4
電極の成膜により、集電孔h2の内壁で第2電極と第4
電極とが重なり、導通する。表側では、レーザ加工によ
り下電極と同じパターンの分離線を入れ、個別の第2電
極u1〜u6を形成し、裏側では第3電極と第4電極と
を同時にレーザ加工し、接続電極e12〜e56、およ
び電力取り出し電極o1,o2を個別化し、基板の周縁
部では表側の分離線g3と重なるように分離線g2を形
成し、隣接電極間には一本の分離線を形成する。
【0013】全ての薄膜太陽電池素子を一括して囲う周
縁、および二列の直列接続太陽電池素子の隣接する境界
には(周縁導電部fの内側)分離線g3がある。分離線
g3の中にはどの層も無い。裏側では、全ての電極を一
括して囲う周縁、および二列の直列接続電極の隣接する
境界には(周縁導電部fの内側)分離線g2がある。分
離線g2の中にはどの層も無い。
【0014】こうして、電力取り出し電極o1−集電孔
h2−上電極u1、光電変換層、下電極l1−接続孔h
1−接続電極e12−上電極u2、光電変換層、下電極
l2−接続電極e23−・・・−上電極u6、光電変換
層、下電極l6−接続孔h1−電力取出し電極o2の順
の光電変換素子の直列接続が完成する。
【0015】なお、第3電極層と第4電極層は電気的に
は同一の電位であるので、以下の説明においては説明の
便宜上、併せて一層の接続電極層として扱うこともあ
る。
【0016】さらに続いて、前述の薄膜太陽電池の構造
と製造方法に関し、この発明の説明の便宜上、この発明
に関係の深い部分に限定かつ簡略化して、以下に述べ
る。
【0017】図6は、プラスチックフィルムを基板とし
た可撓性薄膜太陽電池の斜視図を示す。基板61の表面
に形成した単位光電変換素子62および基板61の裏面
に形成した接続電極層63はそれぞれ複数の単位ユニッ
トに完全に分離され、それぞれの分離位置をずらして形
成されている。このため、素子62のアモルファス半導
体部分である光電変換層65で発生した電流は、まず透
明電極層66に集められ、次に該透明電極層領域に形成
された集電孔67(h2)を介して背面の接続電極層6
3に通じ、さらに該接続電極層領域で素子の透明電極層
領域の外側に形成された直列接続用の接続孔68(h
1)を介して上記素子と隣り合う素子の透明電極層領域
の外側に延びている下電極層64に達し、両素子の直列
接続が行われている。
【0018】上記薄膜太陽電池の簡略化した製造工程を
図7(a)から(g)に示す。プラスチックフィルム71
を基板として(工程(a))、これに接続孔78を形成
し(工程(b))、基板の両面に第1電極層(下電極)
74および第3電極層(接続電極の一部)73を形成
(工程(c))した後、接続孔78と所定の距離離れた
位置に集電孔77を形成する(工程(d))。次に、第
1電極層74の上に、光電変換層となる半導体層75お
よび第2電極層である透明電極層76を順次形成すると
ともに(工程(e))および工程(f))、第3電極層7
3の上に第4電極層(接続電極層)79を形成する(工
程(g))。この後、レーザビームを用いて、基板71
の両側の薄膜を分離加工して図6に示すような直列接続
構造を形成する。
【0019】なお、図7においては、集電孔h2内にお
ける透明電極層76と第4電極層79との接続をそれぞ
れの層を重ねて2層で図示しているが、前記図8におい
ては、電気的に一層として扱い、1層で図示している。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
薄膜太陽電池においては、発電の有効面積を十分に確保
する観点から、直径0.5〜2mmの集電孔および接続
孔を用いた場合の孔の総面積の基板面積に対する割合を
約3%程度としている。これらの孔により、光はある程
度透過するが、この薄膜太陽電池を窓などに貼り付けて
使用した場合、太陽電池を通して外界をみることはでき
ず、窓の基本機能の一部である外界透視機能が失われる
という問題があった。
【0021】また一方、接続孔、集電孔を単純に増やす
と薄膜基材自体の強度が低下し、搬送上あるいは直列接
続構造形成の精度確保の点で問題が生じる。
【0022】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、本発明の課題は、薄膜太陽電
池を窓などに貼り付けて使用した場合に、窓からの外界
透視機能を失うことなく、かつ、薄膜自体の強度が実用
上問題とならない薄膜太陽電池とその製造方法を提供す
ることにある。
【0023】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
め、請求項1の発明は、電気絶縁性可撓性基板の表面に
金属電極である下電極層,光電変換層,透明電極層を順
次積層してなる光電変換部と、前記基板の裏面に形成し
た接続電極層とを備え、前記光電変換部および接続電極
層は互いに位置をずらして単位部分に分離してなり、前
記透明電極層形成領域外に形成した電気的直列接続用の
接続孔および前記透明電極層形成領域内に形成した集電
孔を介して,前記表面上の互いに分離された隣合う単位
光電変換部分を電気的に直列に接続してなる薄膜太陽電
池において、前記接続孔および集電孔以外に,前記基板
と光電変換部と接続電極部とを貫通する光透過用の孔を
複数個設けるものとする。ここで、前記接続孔,集電孔
および光透過用の孔の総面積の基板面積に対する割合が
20〜30%であるものとする(請求項2)。
【0024】上記により、窓からの外界透視機能と薄膜
自体の実用上十分な強度を確保した薄膜太陽電池を得る
ことができる。
【0025】また、上記のものにおいて、接続孔および
集電孔の内少なくとも集電孔は、その孔の径と配設ピッ
チとを光透過用の孔と整合させて,光透過用の孔の配設
パターンの一部をなすように設けてなるものとする(請
求項3)。これにより、美観的に優れたものが得られ
る。
【0026】さらに、薄膜太陽電池の少なくともいずれ
か一方の面に、透明の絶縁膜を被覆するものとすること
(請求項4)により、薄膜の強度を向上することができ
る。
【0027】請求項5の発明は、前記薄膜太陽電池の製
造方法に関し、電気絶縁性可撓性基板の表面に金属電極
である下電極層,光電変換層,透明電極層を順次積層し
て光電変換部を形成し、前記基板の裏面に接続電極層を
形成し、前記光電変換部および接続電極層は互いに位置
をずらして単位部分に分離加工し、前記下電極層形成前
に前記透明電極層形成領域外に形成する電気的直列接続
用の接続孔および前記下電極層形成後に前記透明電極層
形成領域内に形成する集電孔を介して,前記表面上の互
いに分離された隣合う単位光電変換部分を電気的に直列
に接続するようにした薄膜太陽電池の製造方法におい
て、前記分離加工後に,前記基板と光電変換部と接続電
極部とを貫通する光透過用の孔を複数個形成することと
する。
【0028】前記光透過用の孔は、機械的打ち抜き加工
にる方法(請求項6)や、YAGレーザまたはエキシマ
レーザのマルチビーム加工による方法(請求項7)によ
り形成できる。
【0029】
【発明の実施の形態】図面に基づき、本発明の実施の形
態について以下に述べる。
【0030】図1は本発明の実施例に関し、薄膜太陽電
池を表面からみた図を概念的に示した図である。網かけ
をした円で示す孔17および18は、それぞれ集電孔お
よび接続孔を示し、白抜きの円で示す孔19は、光透過
用の孔を示す。集電孔17は、光透過用の孔19の孔パ
ターンと同様のパターンとしている。この実施例におい
ては、集電孔17,接続孔18および光透過用の孔19
の総面積の基板11の面積に対する割合は28%であ
る。
【0031】図2は、上記薄膜太陽電池の製造工程の実
施例を図7と同様にして示す図である。基板21として
は膜厚30〜50μmのポリイミドを用いた((a)工
程)。プラスチックフィルム基板としては、アラミド、
PEN(ポリエチレンナフタレート),PES(ポリエ
ーテルサルフォン),PET(ポリエチレンテレフタレ
ート)などを用いてもよい。コアに巻かれたプラスチッ
ク基板21にはロールツーロール方式パンチ装置により
複数の直径0.5〜2mmの接続孔28を形成する
((b)工程)。
【0032】次に、このプラスチック基板をロールツー
ロール方式電極形成装置に装着し、一面に第1電極層2
4およびその反対面に第3電極層23を数百nm厚で形成
する((c)工程)。電極材料にはAgを用いたが,A
lなどの金属材料、ITO,ZnOなどの透明導電膜、
およびその複合膜などを用いてもよい。次に、ロールツ
ーロール方式パンチ装置により接続孔28と所定の距離
離れた位置に直径0.5〜2mmの集電孔27を形成す
る((d)工程)。上記のように、接続孔28、第1電
極層24および第3電極層23、集電孔27が形成され
たプラスチック基板をステッピングロール方式薄膜形成
装置に装着し、第1電極層24の上に、半導体光電変換
膜25、透明導電膜26を順次積層して太陽電池部分2
2を形成する((e),(f)工程)。このとき、接続
孔28には膜が形成されないようにする。
【0033】さらに、ステッピングロール方式薄膜形成
装置内にて連続して半導体光電変換膜25、透明導電膜
26を順次積層した面とは反対の面に第4電極層29を
最終的に形成する((g)工程)。次に、YAGレーザ
により、所定のパターンで太陽電池部分22およびその
反対面の第3電極層23および第4電極層29の分離加
工を行う。このとき、太陽電池部分22を分離する位置
と裏面の電極層23,29を分離する位置をずらすこと
により、集電用孔および直列接続孔を介して一面上で互
いに絶縁分離された単位太陽電池が直列に接続される。
【0034】接続孔および集電孔の基板面積に対する割
合は約3%でありかつ孔の分布が所定の位置であるた
め、光透過性は低い。そこで、前述のようにプラスチッ
ク基板上に直列接続された太陽電池構造を形成した後、
機械的打ち抜き方式を用いてプラスチック基板21を貫
通する直径1mm〜2mmの光透過用の孔29を、基板
面積に対し他の孔も含めた総孔面積が20%〜30%と
なるように形成した。この貫通孔29は単に第2電極層
26,光電変換層25,第1電極層24,基板21,第
3電極層23および第4電極層29を貫通するものであ
り、この工程以前に形成した電気的接続に影響するもの
ではない。
【0035】ところで、外界透視機能につき種々検討し
た結果、薄膜太陽電池を通して反対側が見えるために
は、開口部面積は少なくとも20%以上が必要であっ
た。一方、太陽電池の電気的接続を行うための孔開けの
精度確保の面からは、開口部面積の割合は35%が限度
であった。
【0036】また、薄膜太陽電池の強度向上の観点か
ら、一つのロールから基材を巻きだして機械的打ち抜き
法により貫通孔を形成後、他のロールより巻きだしたE
VA(エチレン−酢酸ビニル共重合体)を太陽電池素子
表面側に重ねロールラミネート法により溶融固着した。
EVAは、透明であって光透過機能を損なうことはな
い。これをロールに巻き取ることにより、基材の機械的
強度を向上し、かつ、次工程での取り扱いにも問題はな
かった。
【0037】さらに、視覚上での違和感がないように、
かつ意匠的に美観を確保するために、電気的接続に用い
る孔パターンは全体的には透過用孔パターンに包含され
るものとした。接続孔および集電孔の内少なくとも集電
孔は、その孔の径と配設ピッチとを光透過用の孔と整合
させて,光透過用の孔の配設パターンの一部をなすよう
に設けることが望ましい。
【0038】図3は透明電極領域での孔開けパターンの
一部を概念的に示す図で、電気的接続に用いる孔の開口
面積率が3%の場合である。電気的接続に用いる孔パタ
ーン31は全体的には光透過用の孔パターン32に包含
されている。
【0039】図4は、電気的接続に用いる孔の開口面積
を約6%とした場合のパターンを、図5は、開口面積を
約9%とした場合のパターンを示す。
【0040】次に、レーザビームによる薄膜分離加工後
の貫通孔形成にマルチビーム化したYAGレーザ及びエ
キシマレーザを用いた実施例について、以下に述べる。
波長1.06μmのYAGレーザについては、ビーム出
力2.5mJ/パルス以上で、1000〜2000パル
ス、波長0.53μmのYAGレーザについては、ビー
ム出力0.4mJ/パルス以上で、1000〜2000
パルスで良好な加工状態が得られた。KrFエキシマレ
ーザ(波長0.248μm)では、ビーム出力165m
J/パルス以上で、180〜400パルスで良好な加工
状態が得られた。
【0041】
【発明の効果】この発明によれば前述のように、光透過
型薄膜太陽電池において、電気的接続孔および集電孔以
外に,光透過用の孔を複数個設けるものとし、接続孔,
集電孔および光透過用の孔の総面積の基板面積に対する
割合が20〜30%であるものとしたので、薄膜太陽電
池を窓などに貼り付けて使用した場合に、窓からの外界
透視機能を失うことなく、かつ、薄膜自体の強度が実用
上問題とならない薄膜太陽電池を提供することができ
る。
【0042】また、接続孔および集電孔の内少なくとも
集電孔は、その孔の径と配設ピッチとを光透過用の孔と
整合させて,光透過用の孔の配設パターンの一部をなす
ように設けてなるものとすることにより、美観的に優れ
たものが得られ、さらに、薄膜太陽電池の少なくともい
ずれか一方の面に、透明の絶縁膜を被覆するものとする
ことにより、薄膜の強度を向上することができる。
【0043】さらに、前記光透過用の孔は、機械的打ち
抜き加工や、YAGレーザまたはエキシマレーザのマル
チビーム加工により容易かつ高品質に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に関し、薄膜太陽電池の表面を
概念的に示した図である。
【図2】本発明の製造工程の一例を示す図である。
【図3】図3は透明電極領域での孔開けパターンの一部
を概念的に示す図で、開口面積率3%の場合を示す図で
ある。
【図4】図3と同様の図で、開口面積率6%の場合を示
す図である。
【図5】図3と同様の図で、開口面積率9%の場合を示
す図である。
【図6】薄膜太陽電池の斜視図を示す図である。
【図7】薄膜太陽電池の従来の製造工程の一例を示す図
である。
【図8】薄膜太陽電池の従来の構成および製造方法の一
例を、図7より詳細に示す図である。
【符号の説明】
11、61:基板、14,64:下電極層、16,6
6:透明電極層、17,27,31,41,51,6
7,h2:集電孔、18,28,68,h1:接続孔、
19,30,32,42,52:光透過用の孔、62:
光電変換素子、63:接続電極層。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電気絶縁性可撓性基板の表面に金属電極
    である下電極層,光電変換層,透明電極層を順次積層し
    てなる光電変換部と、前記基板の裏面に形成した接続電
    極層とを備え、前記光電変換部および接続電極層は互い
    に位置をずらして単位部分に分離してなり、前記透明電
    極層形成領域外に形成した電気的直列接続用の接続孔お
    よび前記透明電極層形成領域内に形成した集電孔を介し
    て,前記表面上の互いに分離された隣合う単位光電変換
    部分を電気的に直列に接続してなる薄膜太陽電池におい
    て、前記接続孔および集電孔以外に,前記基板と光電変
    換部と接続電極部とを貫通する光透過用の孔を複数個設
    けたことを特徴とする薄膜太陽電池。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のものにおいて、接続孔,
    集電孔および光透過用の孔の総面積の基板面積に対する
    割合が20〜30%であることを特徴とする薄膜太陽電
    池。
  3. 【請求項3】 請求項1または2に記載のものにおい
    て、接続孔および集電孔の内少なくとも集電孔は、その
    孔の径と配設ピッチとを光透過用の孔と整合させて,光
    透過用の孔の配設パターンの一部をなすように設けてな
    ることを特徴とする薄膜太陽電池。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし3に記載のいずれかのも
    のにおいて、薄膜太陽電池の少なくともいずれか一方の
    面に、透明の絶縁膜を被覆したことを特徴とする薄膜太
    陽電池。
  5. 【請求項5】 電気絶縁性可撓性基板の表面に金属電極
    である下電極層,光電変換層,透明電極層を順次積層し
    て光電変換部を形成し、前記基板の裏面に接続電極層を
    形成し、前記光電変換部および接続電極層は互いに位置
    をずらして単位部分に分離加工し、前記下電極層形成前
    に前記透明電極層形成領域外に形成する電気的直列接続
    用の接続孔および前記下電極層形成後に前記透明電極層
    形成領域内に形成する集電孔を介して,前記表面上の互
    いに分離された隣合う単位光電変換部分を電気的に直列
    に接続するようにした薄膜太陽電池の製造方法におい
    て、前記分離加工後に,前記基板と光電変換部と接続電
    極部とを貫通する光透過用の孔を複数個形成することを
    特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
  6. 【請求項6】 請求項5記載の製造方法において、光透
    過用の孔は、機械的打ち抜き加工により形成することを
    特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
  7. 【請求項7】 請求項5記載の製造方法において、光透
    過用の孔は、YAGレーザまたはエキシマレーザのマル
    チビーム加工により形成することを特徴とする薄膜太陽
    電池の製造方法。
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