JP2000223722A - Ｍｉｓ型可変容量コンデンサおよびそれを用いた温度補償型発振器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＭＩＳ型可変容量コンデンサにおいて、電圧
変化に対する容量値変化の追従性を良好にし、コンデン
サとして利用できる電圧の範囲を拡大する。 【解決手段】 Ｎ型半導体基板１５上に絶縁膜２３と導
電膜２１を順次形成して「導電膜−絶縁膜−半導体」か
らなるコンデンサ構造とし、導電膜２１を端子１９に接
続する。Ｎ型半導体基板１５上に導電膜２１で覆われる
被覆領域１５ａに接するように、不純物濃度の高い高濃
度Ｐ型領域１３を設け、さらに、半導体側の電極を引き
出すための高濃度Ｎ型領域１１を設けて高濃度Ｐ型領域
１３と接続し、端子１７を設ける。端子１７，１９間に
印加する電圧Ｖｉによって容量値が速やかに変化する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板上に
形成するＭＩＳ型可変容量コンデンサおよびそれを用い
た温度補償型発振器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＭＩＳ型可変容量コンデンサは、印加す
る直流電圧に応じてその容量が変化するので、従来から
電圧制御型発振器の発振周波数の制御に用いられてい
る。また、ＭＯＳ型集積回路と構造が類似していること
から、ＭＯＳ型集積回路への集積が極めて容易であり、
ＭＯＳ型集積回路を形成する半導体基板上に設ける容量
素子としても用いられている。

【０００３】さらに、ＭＩＳ型可変容量コンデンサは、
半導体のＰＮ接合における空乏層容量の電圧依存性を利
用した可変容量ダイオード（バリキャップ）と比較する
と、低い電圧における狭い電圧範囲内で大きな容量変化
が得られるので、低電圧でも発振周波数の調整幅を広く
とることができる利点がある。

【０００４】ここで、従来のＭＩＳ型可変容量コンデン
サの一例を図１２によって簡単に説明する。このＭＩＳ
型可変容量コンデンサは、Ｎ型の半導体基板９１上に絶
縁膜８９と導電膜８７とを順次重ねて形成するととも
に、半導体基板９１の絶縁膜８９で被覆される被覆領域
９１ａに接するように、半導体基板９１よりも不純物濃
度の高い高濃度Ｎ型領域８３を設けている。

【０００５】このＭＩＳ型可変容量コンデンサは、導電
膜８７から導電膜側電極の端子８５を、高濃度Ｎ型領域
８３から半導体側電極の端子８１をそれぞれ引き出し、
導電膜−絶縁膜−半導体からなる可変容量コンデンサを
構成している。この端子８１と端子８５の間に印加する
電圧Ｖｉによって、このＭＩＳ型可変容量コンデンサの
容量値が変化する。

【０００６】例えば図１４に示すように、端子８１，８
５間に印加する電圧Ｖｉを電圧値Ｖａ（端子８１に対し
て端子８５側が負電圧）から電圧値Ｖｂ（端子８１に対
して端子８５側が正電圧）へと上昇させていくと（途中
の電圧値Ｖｃでマイナスからプラスに変化している）、
図１２に示したＭＩＳ型可変容量コンデンサの容量値が
曲線８０で示すように増加していく。図１４において、
横軸は端子８１，８５間に印加する電圧Ｖｉの電圧値、
縦軸は容量値を示している。この容量値の変化は、図１
２に示した半導体基板９１の被覆領域９１ａにおける次
のような作用によってもたらされる。

【０００７】まず、電圧値が低いＶａの状態では、図１
２に示すように、被覆領域９１ａの表面付近に少数キャ
リアである正孔が誘起されることによって反転層９２が
形成され、その下側に空乏層９４が形成される。この状
態から電圧値を上昇させていくと、それに応じて空乏層
９４の厚さが次第に減少していく。その反転層９２は導
電性を有するが、空乏層９４は絶縁層となる。

【０００８】この場合、被覆領域９１ａに絶縁性の空乏
層９４が存在することになるため、ＭＩＳ型可変容量コ
ンデンサは、導電膜８７と反転層９２とによって絶縁膜
８９を挟んで構成されるコンデンサと、反転層９２と半
導体基板９１の空乏層９４の下側の部分とによって空乏
層９４を挟んで構成されるコンデンサとを直列に接続し
た状態になる。したがって、その容量値は各コンデンサ
の直列合成容量値となる。

【０００９】そして、印加電圧Ｖｉの増加に伴って空乏
層９４の厚みが減少すると、その空乏層９４を挟んで構
成されるコンデンサの容量が増加するため、ＭＩＳ型可
変容量コンデンサの容量も図１４に示したように増加す
ることになる。

【００１０】ところが、印可電圧Ｖｉがさらに上昇して
図１４に示す電圧値Ｖｂに達すると、図１３に示すよう
に空乏層９４が消滅し、被覆領域９１ａの表面部分に電
子が誘起された蓄積層９５が形成される。この蓄積層９
５は導電性を有するので、絶縁性の空乏層９４が消滅し
てしまえば、ＭＩＳ型可変容量コンデンサの容量値は、
膜厚が変化しない絶縁膜８９を挟んで構成されるコンデ
ンサの容量値と等しくなるため、Ｖｂ以上の電圧では一
定の容量値になる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】このように、ＭＩＳ型
可変容量コンデンサは、印加する電圧値がある範囲内で
は、電圧の変化に対して容量が変化する性質を有する
が、電圧の変化に対する容量変化の追従性が悪く、端子
８１，８５間に印加する電圧を図１４における電圧値Ｖ
ｂから電圧値Ｖａへ減少させる方向に瞬間的に変化させ
ると、容量値の変化がこれに追従できず、電圧が変化し
た後、ゆっくり容量値が変化するという欠点があった。

【００１２】これは、印加電圧を減少させていく、被覆
領域９１ａの表面付近に正孔が誘起されて反転層９２が
形成されることになるが、正孔はＮ型の半導体基板９１
内では少数キャリアであるためにその供給が緩慢であ
り、少数キャリア濃度が熱平衡状態に達するまでに時間
を要するためであると考えられる。また、少数キャリア
濃度が熱平衡状態に達するまでの間は、空乏層９２の厚
さが変化するため、ＭＩＳ型可変容量コンデンサの容量
も変化する。

【００１３】したがって、このような従来のＭＩＳ型可
変容量コンデンサを、電圧制御型発振器における発振回
路の周波数制御に使用すると、制御電圧の変化に容量値
の変化が追従しないため、制御電圧の変化に対して発振
周波数の変化が遅れてしまうことになり、電圧制御型発
振器の周波数追従性に重大な障害となるという問題があ
った。

【００１４】また、このようなＭＩＳ型可変容量コンデ
ンサは、反転層９２が形成された後に空乏層９４が生じ
て容量値が大きく減少するので、これを増幅器の位相補
償用などの通常のコンデンサとして使用すると、反転層
が形成される低い電圧の範囲ではコンデンサとしての作
用が弱まり、必要とする容量が得られなくなるので、使
用可能な電圧の範囲が所定値以上の範囲に制限されると
いう問題もある。

【００１５】この発明は、ＭＩＳ型可変容量コンデンサ
におけるこれらの問題を解決するためになされたもので
あり、印加される電圧の変化に対する容量変化の追従性
をよくすることを第１の目的とする。また、反転層が形
成される電圧の範囲内での容量値の落ち込みを少なく
し、コンデンサとして有効に利用できる電圧の範囲を拡
大することを第２の目的とする。 さらに、温度変化に
対する発振周波数の補償制御を応答性よく行うことがで
きる温度補償型発振器を提供することを第３の目的とす
る。

【００１６】

【課題を解決するための手段】この発明は上記第１及び
第２の目的を達成するため、第１導電型の半導体と、該
第１導電型の半導体上に形成した絶縁膜と、該絶縁膜上
に形成した導電膜とで構成する導電膜−絶縁膜−半導体
からなるコンデンサ構造を有し、第１導電型の半導体
に、導電膜で覆われる被覆領域に接するように第２導電
型の領域を設けたＭＩＳ型可変容量コンデンサを提供す
る。

【００１７】このＭＩＳ型可変容量コンデンサは、第１
導電型の半導体に少数キャリアを供給するための第２導
電型の領域を設けたため、印加電圧を高い状態から急に
低下させた時にも少数キャリアが迅速に供給され、反転
層と空乏層が形成されて速やかに熱平衡状態に達する。
したがって、電圧変化に対する容量変化の追従性が大幅
に向上し、上記第１の目的を達成できる。また、上記Ｍ
ＩＳ型可変容量コンデンサにおいて、第１導電型の半導
体と第２導電型の領域とを予め相互に電気的に接続して
おけば、すぐに使用できる。

【００１８】さらに、このＭＩＳ型可変容量コンデンサ
の場合は、印加電圧が低く反転層が充分に形成された状
態では、この反転層が反対の導電型の導電性のある領域
となり、第２導電型の領域が、導電膜と反転層によって
絶縁膜を挟んで構成されるコンデンサの反転層側の電極
引出部の役目をなす。その容量値は、印加電圧が充分高
く空乏層が消滅したときの状態と同様であり、絶縁膜を
挟んで構成されるコンデンサの容量値と等しく、一定値
となる。

【００１９】したがって、印加電圧が低い範囲でもコン
デンサとしての一定の容量値が得られるから、従来のＭ
ＩＳ型可変容量コンデンサに比べて、コンデンサとして
有効に利用できる電圧範囲が広くなり、上記第２の目的
も達成できる。

【００２０】このＭＩＳ型可変容量コンデンサは、第１
導電型の半導体をＮ型半導体基板とし、第２導電型の領
域をＰ型領域とすることができる。あるいは、第１導電
型の半導体をＰ型半導体基板とし、第２導電型の領域を
Ｎ型領域とすることもできる。さらに、第１導電型の半
導体に、前記第２導電型の領域に接することなく該半導
体よりも不純物濃度が高い第１導電型の領域を設けれ
ば、その第１導電型の領域を半導体側の電極引出部とす
ることができるので便利である。

【００２１】この発明はまた、第１導電型の半導体に設
けた第２導電型の領域と、該第２導電型の領域上に形成
した絶縁膜と、該絶縁膜上に形成した導電膜とで構成す
る導電膜−絶縁膜−半導体からなるコンデンサ構造を有
し、第２導電型の領域内に、該領域よりも不純物濃度が
高い第２導電型の領域を設けるとともに、導電膜で覆わ
れる被覆領域に接するように第１導電型の領域を設けた
ＭＩＳ型可変容量素子を、複数個並列に接続してＭＩＳ
型可変容量コンデンサを構成する。

【００２２】そして、上記複数個のＭＩＳ型可変容量素
子のうち、１個または複数個のＭＩＳ型可変容量素子の
導電膜を、他のＭＩＳ型可変容量素子の第２導電型の領
域内にそれぞれ設けた第２導電型の領域および第１導電
型の領域に接続するとともに、上記１個または複数個の
ＭＩＳ型可変容量素子の第２導電型の領域内にそれぞれ
設けた第２導電型の領域および第１導電型の領域を、上
記他のＭＩＳ型可変容量素子の導電膜にそれぞれ接続す
る。

【００２３】このように構成したＭＩＳ型可変容量コン
デンサは、複数のＭＩＳ型可変容量素子が互いに逆極性
の電圧が印加されるように並列接続されるので、その一
方と他方のＭＩＳ型可変容量素子の電圧変化に対する容
量変化特性が対称的になり、それらの合成容量が低下す
る電圧の範囲および低下量が更に小さくなる。したがっ
て、上記第２の目的を一層効果的に達成することができ
る。

【００２４】さらに、上記と同様なＭＩＳ型可変容量素
子を複数個並列に接続してＭＩＳ型可変容量素子群と
し、そのＭＩＳ型可変容量素子群を複数群形成してＭＩ
Ｓ型可変容量コンデンサを構成するようにしてもよい。

【００２５】その場合には、上記複数群のＭＩＳ型可変
容量素子群のうち、１群または複数群のＭＩＳ型可変容
量素子群を構成する各ＭＩＳ型可変容量素子の導電膜
を、他のＭＩＳ型可変容量素子群を構成する各ＭＩＳ型
可変容量素子の第２導電型の領域内にそれぞれ設けた第
２導電型の領域および第１導電型の領域に接続するとと
もに、上記１群または複数群のＭＩＳ型可変容量素子群
を構成する各ＭＩＳ型可変容量素子の第２導電型の領域
内にそれぞれ設けた第２導電型の領域および第１導電型
の領域を、上記他のＭＩＳ型可変容量素子群を構成する
各ＭＩＳ型可変容量素子の導電膜にそれぞれ接続する。

【００２６】ＭＩＳ型可変容量コンデンサをこのように
構成すれば、互いに逆の極性の電圧が印加されるように
並列接続されるＭＩＳ型可変容量素子の数が多くなるの
で、ＭＩＳ型可変容量コンデンサとしての合成容量が低
下する電圧の範囲およびその低下量が一層小さくなり、
上記第２の目的をさらに効果的に達成することができ
る。

【００２７】この発明はさらに、前述した第３の目的を
達成するため、発振回路と、該発振回路の温度を検出す
る温度検出回路と、該回路による検出温度に応じた信号
を入力して制御電圧を発生する制御電圧発生回路と、該
回路からの制御電圧に応じて容量が変化する電圧可変型
可変容量コンデンサを有し、上記発振回路による発振周
波数を制御する周波数調整回路とを備えた温度補償型発
振器において、その周波数調整回路の電圧可変型可変容
量コンデンサを、前述したこの発明によるＭＩＳ型可変
容量コンデンサとする。

【００２８】すなわち、上記電圧可変型可変容量コンデ
ンサを、第１導電型の半導体と、該第１導電型の半導体
上に形成した絶縁膜と、該絶縁膜上に形成した導電膜と
で構成する導電膜−絶縁膜−半導体からなるコンデンサ
構造を有し、その第１導電型の半導体に、上記導電膜で
覆われる被覆領域に接するように第２導電型の領域を設
けたものとする。

【００２９】この温度補償型発振器によれば、発振回路
の温度が変化してその温度特性によって発振周波数が変
化すると、温度検出回路がその温度変化を検知してその
検知温度に応じた信号を制御電圧発生回路へ入力させ、
制御電圧発生回路がその信号に応じて制御電圧を発生
し、それを周波数調整回路の電圧可変型可変容量コンデ
ンサに印加する。それによって、該コンデンサの容量が
制御電圧に迅速に応答して変化し、発振回路の発振周波
数を温度変化による周波数変化を補償するように速やか
に制御する。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を用いて説明する。はじめに、この発明によるＭＩＳ
型可変容量コンデンサの第１の実施形態について説明す
る。

【００３１】［第１の実施形態］図１は、この発明によ
るＭＩＳ型可変容量コンデンサの第１の実施形態の構成
を示す模式的な断面図である。但し、図示の都合上半導
体基板にはハッチングを施していない。他の断面図にお
いても同様である。このＭＩＳ型可変容量コンデンサ
は、第１導電型の半導体であるＮ型半導体基板１５の上
面に、絶縁膜２３と導電膜２１とを順次重ねて形成した
「導電膜−絶縁膜−半導体」からなるコンデンサ構造を
有している。

【００３２】そして、Ｎ型半導体基板１５の導電膜２１
で覆われる被覆領域１５ａの一方の端部付近に、そのＮ
型半導体基板１５よりも不純物濃度が高い高濃度Ｎ型領
域１１（図１にＮ+ で示す）を設けるとともに、被覆領
域１５ａの他方の端部に接するように、第２導電型であ
るＰ型で不純物濃度が高い高濃度Ｐ型領域１３（図１に
Ｐ+ で示す）を設けている。

【００３３】このＭＩＳ型可変容量コンデンサは、図２
に示すように、導電膜２１から導電膜側電極の端子１９
を、高濃度Ｎ型領域１１から半導体側電極をそれぞれ引
き出し、さらに、高濃度Ｎ型領域１１（Ｎ型半導体基板
１５側に設けた電極であればよい）と高濃度Ｐ型領域１
３とを相互に電気的に接続する。

【００３４】次に、図２〜図４および図８を用いて、こ
の第１の実施形態のＭＩＳ型可変容量コンデンサの動作
および作用について説明する。このＭＩＳ型可変容量コ
ンデンサの半導体側電極の端子１７と導電膜側電極の端
子１９との間に、図２に示すように電圧Ｖｉを印加し、
その電圧Ｖｉを図８に示す電圧値Ｖ１（端子１７に対し
て端子１９側が負電圧）から電圧値Ｖ４（端子１７に対
して端子１９側が正電圧）へと上昇させた場合、このＭ
ＩＳ型可変容量コンデンサの端子１７，１９間の容量値
は、例えば図８に曲線２０で示すように変化する。

【００３５】すなわち、このＭＩＳ型可変容量コンデン
サの容量は、印加電圧Ｖｉが電圧値がＶ２になるまで一
定値を示した後に急激に減少し、電圧値がＶ３になった
ところで極小値を示した後、電圧値がＶ４になるまでの
間に急激に立ち上がるほぼＶ字状の特性曲線を示し、電
圧値がＶ４以上になると、一定の容量値を示す。なお、
図８において、横軸は端子１７，１９間の印加電圧の電
圧値、縦軸は端子１７，１９間の容量値を示す。この実
施形態のＭＩＳ型可変容量コンデンサにおけるこのよう
な容量値の変化は、半導体基板１５の被覆領域１５ａに
おける次のような作用によってもたらされる。

【００３６】印加電圧Ｖｉが低い負の電圧値Ｖ１の状態
の場合、図２に示すように被覆領域１５ａの表面付近
に、少数キャリアである正孔が多数誘起されて多数キャ
リアである電子よりも相対的に多くなり、Ｐ型半導体の
ようになっている。このため、表面付近には、Ｎ型半導
体基板１５と導電型が反対の反転層２４が形成され、そ
の下側に空乏層２５が形成される。

【００３７】そして、印加電圧Ｖｉが電圧値Ｖ２より低
い状態では、反転層２４に存在する正孔の濃度が高いた
め、反転層２４が導電性のある電極と等価なものとな
る。そのため、導電膜２１とこの反転層２４によって絶
縁膜２３を挟んでコンデンサを構成し、高濃度Ｐ型領域
１３が、そのコンデンサの反転層側の電極引出部の役目
をなすので、このＭＩＳ型可変容量コンデンサは、電圧
可変型可変容量コンデンサとなり、その容量値は、上記
絶縁膜２３を挟むコンデンサの容量値と等しく、図８に
示すように一定値となる。このとき、空乏層２５が形成
されているが、反転層２４と高濃度Ｐ型領域１３及び高
濃度Ｎ型領域１１とが導通状態になっているため、その
空乏層２５を挟むコンデンサは構成されない。

【００３８】次に、印加電圧Ｖｉが図８に示す電圧値Ｖ
２より上昇すると、次第に導電膜２１側に電子が引き寄
せられ、それと同時に正孔が追い出されるようになるた
め、反転層２４における正孔の濃度が相対的に減少す
る。すると、反転層２４が導電性のある電極と等価とな
ものとして作用する状態から脱して、次第にこの反転層
２４と半導体基板１５とによって空乏層２５を挟んでコ
ンデンサが形成されるようになる。

【００３９】このとき、絶縁膜２３を挟んで構成される
コンデンサをＣa とし、空乏層２５を挟んで構成される
コンデンサをＣb とすると、このＭＩＳ型可変容量コン
デンサは、図４に示すようにコンデンサＣa とコンデン
サＣb を直列に接続した等価回路で表せるようになる。
したがって、このＭＩＳ型可変容量コンデンサの容量値
は、コンデンサＣa とコンデンサＣb の直列合成容量値
になるため、コンデンサＣb の影響により、急峻に減少
することになる。

【００４０】そして、その容量値は、印加電圧Ｖｉが図
８に示す電圧値Ｖ３になったときに極小値をとり、さら
に端子１９側が正の電圧で増加していくと、容量値が急
激に増加していく。この過程の作用は、次の通りであ
る。コンデンサＣb は、空乏層２５を挟んで構成される
コンデンサに相当するが、この空乏層２５の厚みが印加
電圧Ｖｉを上昇させてゆく過程で次第に減少していくた
め、電圧に対する可変容量コンデンサとなる。これは、
コンデンサＣb の容量値が空乏層２５の厚みの逆数に比
例するため、電圧値の上昇に対応して空乏層２５の厚み
が減少すると、それに応じて容量が増加することによる
ものである。

【００４１】このとき、ＭＩＳ型可変容量コンデンサ
は、コンデンサＣa とコンデンサＣbを直列に接続した
コンデンサと等価なものとして機能するため、コンデン
サＣbの容量値が増加することにともなって、その直列
合成容量値も増加するので、電圧の上昇とともにＭＩＳ
型可変容量コンデンサの容量値が増加することになる。

【００４２】ところが、印加電圧Ｖｉが図８に示す電圧
値Ｖ４に達すると、空乏層２５自体が消滅するため、コ
ンデンサＣb の影響がなくなってしまう。それととも
に、図３に示すように、正電圧が印加されている導電膜
２１側に半導体基板１５内の多数の電子が引き寄せられ
ることによって、被覆領域１５ａの表面付近に蓄積層２
７が形成される。この蓄積層２７が導電性を有する電極
と等価になり、高濃度Ｎ型領域１１と導通状態になる。
したがって、印加電圧Ｖｉが電圧値Ｖ４以上の状態で
は、このＭＩＳ型可変容量コンデンサの容量値は、導電
膜２１と蓄積層２７とによって絶縁膜２３を挟んで構成
されるコンデンサＣａの容量値と等しく、一定の値とな
る。

【００４３】このＭＩＳ型可変容量コンデンサは、端子
１７，１９間に印加される電圧Ｖｉの変化に対して容量
値が上述のように変化するが、印加電圧Ｖｉをゆっくり
変化させた場合はもとより、急速に変化させた場合で
も、その変化に追従して迅速に容量値が変化する。

【００４４】従来のＭＩＳ型可変容量コンデンサの場合
は、印加電圧を急激に減少させると、この電圧の急激な
変化に少数キャリアである正孔の供給が追従できず、容
量の変化が電圧の変化に追従し得ないという欠点があっ
た。

【００４５】しかし、この発明のＭＩＳ型可変容量コン
デンサの場合は、被覆領域１５ａに接するように高濃度
Ｐ型領域１３を設けているため、正孔の供給が高濃度Ｐ
型領域１３から速やかになされる。したがって、印加電
圧に応じた数の正孔が瞬時に供給され、反転層２４にお
ける正孔の濃度は、ごく短時間の間に熱平衡状態に到達
し、空乏層２５の厚さも速やかに一定値に達する。これ
により、この発明によるＭＩＳ型可変容量コンデンサの
容量値は、印加電圧Ｖｉの急激な変化にも遅れることな
く追従して変化する。この動作は、印加電圧Ｖｉを電圧
値Ｖ４から、それより低いいかなる電圧値へ瞬間的に変
化させた場合も全く同様である。

【００４６】また、従来のＭＩＳ型可変容量コンデンサ
場合は、反転層が形成される電圧印加状態では空乏層の
存在によって容量値の低下を余儀なくされていたが、こ
の実施形態のＭＩＳ型可変容量コンデンサの場合は、高
濃度Ｐ型領域１３と高濃度Ｎ型領域１１とを接続して半
導体側電極の端子１７に接続しているため、反転層２４
が導電性のある電極と等価なものとして作用する状態に
なると、空乏層を挟むコンデンサが構成されなくなり、
その存在による容量値の低下を避けられる。従って、容
量値が一定値を示す電圧の範囲がそれだけ拡大すること
になる。

【００４７】なお、この第１の実施形態のＭＩＳ型可変
容量コンデンサには、Ｎ型の半導体基板１５の被覆領域
１５ａの一端に高濃度Ｎ型領域１１を設け、これを半導
体側電極の引出部とすることによって抵抗を少なくして
いるが、この高濃度Ｎ型領域１１は、高濃度Ｐ型領域１
３に接しないようにすれば、半導体基板１５のどこに設
けてもよく、半導体側電極の引出部として都合のよい位
置に設ければよい。また、半導体基板１５の裏面などに
面積の広い金属膜を形成して半導体側電極とするような
場合には、この高濃度Ｎ型領域１１を省略することがで
きる。

【００４８】また、コンデンサを構成する半導体をＰ型
の半導体基板にして、半導体側電極の引出部とする領域
を高濃度Ｐ型領域にし、少数キャリアを供給するための
領域を高濃度Ｎ型領域にしてもよい。少数キャリアを供
給するための領域は、コンデンサを構成する半導体とは
逆の導電型であって、不純物濃度が高い方が望ましい
が、高濃度領域であることは必須ではなく、反転層が形
成されるときにコンデンサを構成する半導体の少数キャ
リアを充分に供給できればよい。

【００４９】［第２の実施形態］次に、この発明による
ＭＩＳ型可変容量コンデンサの第２の実施形態につい
て、図５，図６，および図９によって説明する。図５は
そのＭＩＳ型可変容量コンデンサの構成を示す模式的な
断面図である。

【００５０】このＭＩＳ型可変容量コンデンサは、図５
に示すように、第１導電型の半導体であるＮ型半導体基
板１５に第２導電型の領域であるＰ型領域（Ｐウエル）
３７，３８を間隔を置いて設け、そのＰ型領域３７，３
８のそれぞれに、前述した第１の実施形態のＭＩＳ型可
変容量コンデンサとは各半導体領域の導電型が逆になっ
ている２個のＭＩＳ型可変容量素子５７、５９を形成
し、そのＭＩＳ型可変容量素子５７，５９の極性を互い
に逆転させて並列に接続した構造になっている。

【００５１】一方のＭＩＳ型可変容量素子５７は、第２
導電型であるＰ型領域３７の上面に絶縁膜５５と導電膜
５３を順次形成して、「導電膜−絶縁膜−半導体」から
なるコンデンサ構造を有している。そして、Ｐ型領域３
７の導電膜５３で覆われる被覆領域３７ａの一端部に接
するように、不純物濃度が高い第１導電型の高濃度Ｎ型
領域３９を設けて少数キャリアの供給部とし、被覆領域
３８ａの他端部側に、Ｐ型領域３７より不純物濃度が高
い第２導電型の高濃度Ｐ型領域３１を設けて、半導体側
電極の引出部としている。

【００５２】他方のＭＩＳ型可変容量素子５９は、第２
導電型であるＰ型領域３８の上面に絶縁膜５６と導電膜
５４を順次形成して、「導電膜−絶縁膜−半導体」から
なるコンデンサ構造を有している。そして、Ｐ型領域３
８の導電膜５４で覆われる被覆領域３８ａの一端部に接
するように、不純物濃度が高い第１導電型の高濃度Ｎ型
領域４１を設けて少数キャリアの供給部とし、被覆領域
３７ａの他端部側に、Ｐ型領域３８より不純物濃度が高
い第２導電型の高濃度Ｐ型領域４９を設けて、半導体側
電極の引出部としている。

【００５３】そして、このＭＩＳ型可変容量素子５７と
５９とは、次のようにして極性を互いに逆転させて並列
に接続する。すなわち、ＭＩＳ型可変容量素子５７の導
電膜５３を、ＭＩＳ型可変容量素子５９のＰ型領域３７
内にそれぞれ設けた高濃度Ｎ型領域４１および高濃度Ｐ
型領域４９に配線５１ａによって接続するとともに、そ
の配線５１ａを端子５１に接続する。

【００５４】また、ＭＩＳ型可変容量素子５７のＰ型領
域３７内にそれぞれ設けた高濃度Ｎ型領域３９および高
濃度Ｐ型領域３１を、ＭＩＳ型可変容量素子５９の導電
膜５４に配線５８ａによって接続するとともに、その配
線５８ａを端子５８に接続する。

【００５５】この実施形態におけるＭＩＳ型可変容量コ
ンデンサは、第１の実施形態におけるＭＩＳ型可変容量
コンデンサと同等の作用効果を有するＭＩＳ型可変容量
素子５７と、ＭＩＳ型可変容量素子５９とを互いに極性
を逆転させて並列に接続して構成されている。そのた
め、図６に示すように、端子５１と端子５８の間に電圧
Ｖｉを印加したとき、ＭＩＳ型可変容量素子５７と５９
の導電膜５３，５４側と半導体（Ｐ型領域３７，３８）
側の各電極に加わる電圧の極性が互いに逆になる。

【００５６】そして、各ＭＩＳ型可変容量素子５７，５
９とも、空乏層が形成されたときに、絶縁膜５５又は５
６を挟んで構成されるコンデンサと、空乏層を挟んで構
成されるコンデンサを直列に接続したものと等価にな
る。そこで、ＭＩＳ型可変容量素子５７，５９の絶縁膜
５５、５６を挟んで構成される各コンデンサをそれぞれ
Ｃa1，Ｃa2とし、Ｐ型領域３７，３８の表面付近に形成
される反転層の下側に形成される空乏層を挟んで構成さ
れるコンデンサをＣb1，Ｃb2とすると、このＭＩＳ型可
変容量コンデンサは、図７に示す等価回路を構成するコ
ンデンサと等価となる。

【００５７】そして、図９を参照してこのＭＩＳ型可変
容量コンデンサの端子５１と端子５８の間に電圧Ｖｉを
印加したときの作用を説明する。

【００５８】印加電圧Ｖｉが図９に示す電圧値Ｖ１（端
子５１に対しては負電圧で、端子５８に対しては正電
圧）のときは、図６に示すように、ＭＩＳ型可変容量素
子５７のＰ型領域３７における被覆領域３７ａの表面付
近には、多数キャリアである正孔が誘起されることによ
って蓄積層３３が形成され、ＭＩＳ型可変容量素子５９
のＰ型領域３８における被覆領域３８ａの表面付近に
は、少数キャリアである電子が誘起されることによって
反転層４３と空乏層４７が形成される。

【００５９】これに対して、印加電圧Ｖｉが図９に示す
電圧値Ｖ４（端子５１に対しては正電圧で、端子５８に
対しては負電圧）のときは、ＭＩＳ型可変容量素子５７
の状態は、印加電圧Ｖｉが電圧値Ｖ１のときのＭＩＳ型
可変容量素子５９の状態と同じになり、一方、ＭＩＳ型
可変容量素子５９の状態は、印加電圧Ｖｉが電圧値Ｖ１
のときのＭＩＳ型可変容量コンデンサ５７の状態と同じ
になる。

【００６０】したがって、図９に示すように、印加電圧
Ｖｉを電圧値Ｖ１から電圧値Ｖ４まで変化させると、Ｍ
ＩＳ型可変容量素子５７の容量値は２点鎖線の曲線７１
で示すように変化し、ＭＩＳ型可変容量素子５９の容量
値は破線の曲線７３で示すように変化する。そして、両
曲線７１と７２は電圧値Ｖ１とＶ４の中間値を通る直線
７４に対して対称な形となる。

【００６１】このＭＩＳ型可変容量コンデンサは、図７
に示すように、ＭＩＳ型可変容量素子５７とＭＩＳ型可
変容量素子５９を並列に接続したものであるから、その
容量値は並列合成容量値、すなわち各ＭＩＳ型可変容量
素子５７と５９の容量値を加算した値となる。

【００６２】したがって、この実施形態のＭＩＳ型可変
容量コンデンサの容量値は、図９に実線の曲線７５で示
すように変化し、一定の容量値が大きくなるばかりか、
容量値が低下する電圧の範囲が狭くなり、且つその低下
量も少なくなる。これにより、増幅器の位相補償等の通
常のコンデンサとして使用する場合に、より好ましいコ
ンデンサとなる。

【００６３】このＭＩＳ型可変容量コンデンサによって
も、印加電圧Ｖｉに応じて容量値が変化する電圧範囲に
おいては、その応答性が極めて良好なことは、第１の実
施形態の場合と同様である。

【００６４】上述の例では、一対のＭＩＳ型可変容量素
子を極性を反対にして並列に接続してＭＩＳ型可変容量
コンデンサを構成したが、ＭＩＳ型可変容量コンデンサ
を構成するＭＩＳ型可変容量素子の数は複数であれば何
個でもよい。その複数のＭＩＳ型可変容量素子を、１個
又は複数個ずつの２グループに分けて（両グループのＭ
ＩＳ型可変容量素子の数は同じでなくてもよい）、その
グループを構成するＭＩＳ型可変容量素子間でそれぞれ
図５に示したように接続してもよい。

【００６５】［第３の実施形態］次に、この発明による
ＭＩＳ型可変容量コンデンサの第３の実施形態について
図１０によって説明する。図１０は、そのＭＩＳ型可変
容量コンデンサの構成を示す模式的な断面図である。

【００６６】このＭＩＳ型可変容量コンデンサは、図１
０に示すように、第１導電型の半導体であるＮ型半導体
基板１５に、第１のＭＩＳ型可変容量素子群６２と第２
のＭＩＳ型可変容量素子群６５とを形成している。

【００６７】第１のＭＩＳ型可変容量素子群６２は、２
つのＭＩＳ型可変容量素子５７１と５７２を並列に接続
した構成を有し、第２のＭＩＳ型可変容量素子群６５
は、２つのＭＩＳ型可変容量素子５９１と５９２とを並
列に接続した構成を有している。なお、ＭＩＳ型可変容
量素子５７１と５７２は、図５，図６に示したＭＩＳ型
可変容量素子５７と同一の構造であり、ＭＩＳ型可変容
量素子５９１と５９２は、同じくＭＩＳ型可変容量素子
５９と同一の構造である。

【００６８】すなわち、Ｎ型の半導体基板１５に形成し
た４個のＰ型領域３７１，３７２，３８１，３８２上
に、それぞれ絶縁膜５５１，５５２，５６１，５６２
と、導電膜５３１，５３２，５４１，５４２を重ねて形
成して「導電膜−絶縁膜−半導体」のコンデンサ構造を
形成している。

【００６９】そして、図１０に示すように、第１のＭＩ
Ｓ型可変容量素子群６２を構成する２個のＭＩＳ型可変
容量素子５７１と５７２の各導電膜５３１と５３２は、
配線６１ａによって互いに接続するとともに端子６１に
接続しており、且つ第２のＭＩＳ型可変容量素子群６５
を構成するＭＩＳ型可変容量素子５９１と５９２の各高
濃度Ｐ型領域４９１，４９２および高濃度Ｎ型領域４１
１，４１２に接続されている。

【００７０】また、ＭＩＳ型可変容量素子５７１と５７
２の各高濃度Ｐ型領域３９１，３９２および高濃度Ｎ型
領域３１１，３１２は、互いに接続されて、ＭＩＳ型可
変容量素子５９１，５９２の各導電膜５４１と５４２に
配線６８ａによって接続されている。なお、配線６８ａ
は、端子６８に接続されている。

【００７１】この接続によって、第１のＭＩＳ型可変容
量素子群６２の各ＭＩＳ型可変容量素子５７１，５７２
と、第２のＭＩＳ型可変容量素子群６５の各ＭＩＳ型可
変容量素子５９１，５９２とは、互いに極性を逆にして
並列に接続されたことになる。そして、端子６１と６８
の間に電圧を印加して使用すると次のようになる。

【００７２】この場合、第１のＭＩＳ型可変容量素子群
６２は、第２の実施形態のＭＩＳ型可変容量素子５７と
同一の構造を備えた２つのＭＩＳ型可変容量素子５７１
と５７２とを並列に接続した構成を有するため、ＭＩＳ
型可変容量素子５７を２つ並列に接続したものと等価と
なり、容量値は２倍になるが、その印加電圧に対する容
量値の変化はＭＩＳ型可変容量素子５７と同じ特性を示
す。

【００７３】また、第２のＭＩＳ型可変容量素子群６５
は、第２の実施形態のＭＩＳ型可変容量素子５９と同一
の構造を備えた２つのＭＩＳ型可変容量素子５９１と５
９２とを並列に接続した構成を有するから、ＭＩＳ型可
変容量素子５９を２つ並列に接続したものと等価とな
り、容量値は２倍になるが、その印加電圧に対する容量
値の変化はＭＩＳ型可変容量素子５９と同じ特性を示
す。したがって、この第２の実施形態のＭＩＳ型可変容
量コンデンサは、第２の実施形態におけるＭＩＳ型可変
容量コンデンサと容量値が２倍になるだけで同じ特性を
示す。

【００７４】なお、この実施形態においても、各ＭＩＳ
型可変容量素子群を構成するＭＩＳ型可変容量素子の数
は２個以上であればよく、ＭＩＳ型可変容量素子群の数
も複数であればよい。その複数のＭＩＳ型可変容量素子
を、１群又は複数群ずつの２グループに分けて（両グル
ープのＭＩＳ型可変容量素子群の数は同じでなくてもよ
い）、そのグループを構成するＭＩＳ型可変容量素子群
の間でそれぞれ図１０に示したように接続すればよい。

【００７５】また、上述した第２及び第３の実施形態に
おいては、コンデンサを構成する半導体領域を、Ｎ型の
半導体基板に形成したＰ型領域にしたが、Ｐ型の半導体
基板に形成したＮ型領域にしてもよい。さらに、上述の
各実施形態では、半導体の第１の導電型をＮ型とし、第
２の導電型をＰ型として説明したが、逆に第１の導電型
をＰ型とし、第２の導電型をＮ型としてもよい。

【００７６】［温度補償型発振器］次に、この発明によ
る温度補償型発振器の実施形態について図１１によって
説明する。図１１はその温度補償型発振器の構成を示す
ブロック回路図である。この温度補償型発振器は、温度
検出回路１０１と、制御電圧発生回路１０３と、周波数
調整回路１０７と、発振回路１１１と、抵抗１１９，１
２１とから構成されている。

【００７７】発振回路１１１は、水晶振動子１１３とイ
ンバーター１１７および帰還抵抗１１５によって構成さ
れている水晶発振回路である。周波数調整回路１０７
は、２個の電圧可変型可変容量コンデンサ１０５，１０
９からなり、そのコンデンサ１０５，１０９を発振回路
１１１の水晶振動子１１３の両端とアース間にそれぞれ
接続している。この電圧可変型可変容量コンデンサ１０
５，１０９は、図１，図２によって説明したようなこの
発明によるＭＩＳ型可変容量コンデンサである。

【００７８】すなわち、この電圧可変型可変容量コンデ
ンサ１０５，１０９は、第１導電型の半導体上に絶縁膜
と導電膜とを順次重ねて形成した「導電膜−絶縁膜−半
導体」からなるコンデンサ構造を有し、その第１導電型
の半導体に、その導電膜で覆われる被覆領域に接するよ
うに第２導電型の領域を設けたものである。

【００７９】温度検出回路１０１は、発振回路１１１の
温度を検出してその検出温度に応じた信号を出力する。
制御電圧発生回路１０３は、温度検出回路１０１からの
信号を入力して制御電圧を発生し、抵抗１１９，１２１
を介して、周波数調整回路１０７の各電圧可変型可変容
量コンデンサ１０５，１０９にその制御電圧を印加し
て、その各容量値を制御する。

【００８０】なお、抵抗素子１１９，１２１は、制御電
圧発生回路１０３の浮遊容量が、周波数調整回路１０７
を構成する電圧可変型可変容量コンデンサ１０５，１０
９へ容量的な影響を及ぼすのを遮断するために設けたも
のである。

【００８１】この温度補償型発振器によれば、発振回路
１１１の温度が変化して水晶振動子１１３等の温度特性
によって発振周波数が変化すると、温度検出回路１０１
がその温度変化を検知してその検知温度に応じた信号を
制御電圧発生回路１０３へ入力し、制御電圧発生回路１
０３がその入力信号に応じて制御電圧を発生し、それを
抵抗１１９，１２１を介して周波数調整回路１０７の電
圧可変型可変容量コンデンサ１０５，１０９に印加す
る。それによって、該コンデンサ１０５，１０９の容量
が制御電圧に迅速に応答して変化し、温度変化による周
波数変化を補償するように発振回路１１１の発振周波数
を速やかに制御する。

【００８２】こうして発振回路１１１は、周囲温度の変
化にかかわらず常に一定の周波数で発振することがで
き、応答性のよい温度補償がなされることになる。な
お、発振回路は水晶発振回路に限るものではない。

【００８３】

【発明の効果】以上のように、この発明におけるＭＩＳ
型可変容量コンデンサは、第１導電型の半導体基板上に
少数キャリアの供給源となる第二導電型の領域を形成し
たことによって、少数キャリアの供給が加速ないし補強
されるので、反転層の形成が早まり、電圧変化に対する
容量変化の追従性を大幅に改善することができる。

【００８４】また、第２導電型の領域を第１導電型の半
導体基板に相互に電気的に接続していることによって空
乏層の存在による容量の落ち込みを防ぎ、容量値が一定
となる範囲を拡大することができる。このため、この発
明におけるＭＩＳ型可変容量コンデンサは、増幅器の位
相補償用等の通常の固定容量のコンデンサとしても使用
しやすくなる。

【００８５】そして、電圧可変型可変容量コンデンサと
して、この発明によるＭＩＳ型可変容量コンデンサを備
えた周波数調整回路を有する温度補償型発振器は、温度
変化に応じた制御電圧の変化に対してコンデンサの容量
がすばやく追従して変化し、発振回路の発振周波数を制
御するため、温度変化にかかわらず常に一定の周波数で
発振することができ、応答性のよい温度補償がなされ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明によるＭＩＳ型可変容量コンデンサの
第１の実施形態の構成を示す模式的な断面図である。

【図２】同じく、そのＭＩＳ型可変容量コンデンサの印
加電圧が低い場合の動作を説明するための模式的な断面
図である。

【図３】同じく、そのＭＩＳ型可変容量コンデンサの印
加電圧が高い場合の動作を説明するための模式的な断面
図である。

【図４】同じく、そのＭＩＳ型可変容量コンデンサの等
価回路図である。

【図５】この発明によるＭＩＳ型可変容量コンデンサの
第２の実施形態の構成を示す模式的な断面図である。

【図６】同じく、そのＭＩＳ型可変容量コンデンサの動
作を説明するための模式的な断面図である。

【図７】同じく、そのＭＩＳ型可変容量コンデンサの等
価回路図である。

【図８】この発明の第１の実施形態のＭＩＳ型可変容量
コンデンサの印加電圧と容量値との関係を示す線図であ
る。

【図９】この発明の第２の実施形態のＭＩＳ型可変容量
コンデンサの印加電圧と容量値との関係を示す線図であ
る。

【図１０】この発明によるＭＩＳ型可変容量コンデンサ
の第３の実施形態の構成を示す模式的な断面図である。

【図１１】この発明による温度補償型発振器の一実施形
態の構成を示すブロック回路図である。

【図１２】従来のＭＩＳ型可変容量コンデンサの構成を
示す模式的な断面図である。

【図１３】同じく、そのＭＩＳ型可変容量コンデンサの
動作を説明するための模式的な断面図である。

【図１４】同じく、そのＭＩＳ型可変容量コンデンサの
印加電圧と容量値との関係を示す線図である。

【符号の説明】

１１，３９，４１，３９１，３９２，４１１，４１２：
高濃度Ｎ型領域 １３，３１，４９，３１１，３１２，４９１，４９２：
高濃度Ｐ型領域 １５：Ｎ型半導体基板 ２１，５３，５４，５３１，５３２，５４１，５４２：
導電膜 ２３，５５，５６，５５１，５５２，５６１，５６２：
絶縁膜 １５ａ，３７ａ，３８ａ：被覆領域 １７，１９，５１，５８，６１，６８：端子 ３７，３８，３７１．３７２，３８１，３８２：Ｐ型領
域 ５７，５９，５７１，５７２，５９１，５９２：ＭＩＳ
型可変容量素子 ６２，６５：ＭＩＳ型可変容量素子群

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F038 AC03 AC05 BH16 DF01 DF14 EZ20 5J079 AA04 BA02 BA47 CB01 DA14 FA05 FA15 FA17 FA21 FB03 GA04 GA09

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１導電型の半導体と、該第１導電型の
   半導体上に形成した絶縁膜と、該絶縁膜上に形成した導
   電膜とで構成する導電膜−絶縁膜−半導体からなるコン
   デンサ構造を有し、 前記第１導電型の半導体に、前記導電膜で覆われる被覆
   領域に接するように第２導電型の領域を設けたことを特
   徴とするＭＩＳ型可変容量コンデンサ。
2. 【請求項２】 前記第１導電型の半導体と前記第２導電
   型の領域とを相互に電気的に接続している請求項１に記
   載のＭＩＳ型可変容量コンデンサ。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載のＭＩＳ型可変容
   量コンデンサにおいて、前記第１導電型の半導体がＮ型
   半導体基板であり、前記第２導電型の領域がＰ型領域で
   あるＭＩＳ型可変容量コンデンサ。
4. 【請求項４】 請求項１又は２に記載のＭＩＳ型可変容
   量コンデンサにおいて、前記第１導電型の半導体がＰ型
   半導体基板であり、前記第２導電型の領域がＮ型領域で
   あるＭＩＳ型可変容量コンデンサ。
5. 【請求項５】 前記第１導電型の半導体に、前記第２導
   電型の領域に接することなく該半導体よりも不純物濃度
   が高い第１導電型の領域を設けた請求項１乃至４のいず
   れか一項に記載のＭＩＳ型可変容量コンデンサ。
6. 【請求項６】 第１導電型の半導体に設けた第２導電型
   の領域と、該第２導電型の領域上に形成した絶縁膜と、
   該絶縁膜上に形成した導電膜とで構成する導電膜−絶縁
   膜−半導体からなるコンデンサ構造を有し、前記第２導
   電型の領域内に、該領域よりも不純物濃度が高い第２導
   電型の領域を設けるとともに、前記導電膜で覆われる被
   覆領域に接するように第１導電型の領域を設けたＭＩＳ
   型可変容量素子を、複数個並列に接続してなるＭＩＳ型
   可変容量コンデンサであって、 前記複数個のＭＩＳ型可変容量素子のうち、１個または
   複数個のＭＩＳ型可変容量素子の前記導電膜を、他のＭ
   ＩＳ型可変容量素子の前記第２導電型の領域内にそれぞ
   れ設けた前記第２導電型の領域および第１導電型の領域
   に接続するとともに、 前記１個または複数個のＭＩＳ型可変容量素子の前記第
   ２導電型の領域内にそれぞれ設けた前記第２導電型の領
   域および第１導電型の領域を、前記他のＭＩＳ型可変容
   量素子の前記導電膜にそれぞれ接続してなることを特徴
   とするＭＩＳ型可変容量コンデンサ。
7. 【請求項７】 第１導電型の半導体に設けた第２導電型
   の領域と、該第２導電型の領域上に形成した絶縁膜と、
   該絶縁膜上に形成した導電膜とで構成する導電膜−絶縁
   膜−半導体からなるコンデンサ構造を有し、前記第２導
   電型の領域内に、該領域よりも不純物濃度が高い第２導
   電型の領域を設けるとともに、前記導電膜で覆われる被
   覆領域に接するように第１導電型の領域を設けたＭＩＳ
   型可変容量素子を複数個並列に接続してなるＭＩＳ型可
   変容量素子群を複数群形成したＭＩＳ型可変容量コンデ
   ンサであって、 前記複数群のＭＩＳ型可変容量素子群のうち、１群また
   は複数群のＭＩＳ型可変容量素子群を構成する各ＭＩＳ
   型可変容量素子の前記導電膜を、他のＭＩＳ型可変容量
   素子群を構成する各ＭＩＳ型可変容量素子の前記第２導
   電型の領域内にそれぞれ設けた前記第２導電型の領域お
   よび第１導電型の領域に接続するとともに、 前記１群または複数群のＭＩＳ型可変容量素子群を構成
   する各ＭＩＳ型可変容量素子の前記第２導電型の領域内
   にそれぞれ設けた前記第２導電型の領域および第１導電
   型の領域を、前記他のＭＩＳ型可変容量素子群を構成す
   る各ＭＩＳ型可変容量素子の前記導電膜にそれぞれ接続
   してなることを特徴とするＭＩＳ型可変容量コンデン
   サ。
8. 【請求項８】 発振回路と、該発振回路の温度を検出す
   る温度検出回路と、該回路による検出温度に応じた信号
   を入力して制御電圧を発生する制御電圧発生回路と、該
   回路からの制御電圧に応じて容量が変化する電圧可変型
   可変容量コンデンサを有し、前記発振回路による発振周
   波数を制御する周波数調整回路とを備えた温度補償型発
   振器であって、 前記周波数調整回路の電圧可変型可変容量コンデンサ
   が、 第１導電型の半導体と、該第１導電型の半導体上に形成
   した絶縁膜と、該絶縁膜上に形成した導電膜とで構成す
   る導電膜−絶縁膜−半導体からなるコンデンサ構造を有
   し、前記第１導電型の半導体に、前記導電膜で覆われる
   被覆領域に接するように第２導電型の領域を設けてなる
   ＭＩＳ型可変容量コンデンサであることを特徴とする温
   度補償型発振器。
9. 【請求項９】 前記ＭＩＳ型可変容量コンデンサの前記
   第１導電型の半導体と前記第２導電型の領域とを相互に
   電気的に接続している請求項８に記載の温度補償型発振
   器。
10. 【請求項１０】 請求項８又は９に記載の温度補償型発
    振器において、前記ＭＩＳ型可変容量コンデンサの前記
    第１導電型の半導体がＮ型半導体基板であり、前記第２
    導電型の領域がＰ型領域である温度補償型発振器。
11. 【請求項１１】 請求項８又は９に記載の温度補償型発
    振器において、前記ＭＩＳ型可変容量コンデンサの前記
    第１導電型の半導体がＰ型半導体基板であり、前記第２
    導電型の領域がＮ型領域である温度補償型発振器。
12. 【請求項１２】 前記ＭＩＳ型可変容量コンデンサの前
    記第１導電型の半導体に、前記第２導電型の領域に接す
    ることなく該半導体よりも不純物濃度が高い第１導電型
    の領域を設けたことを特徴とする請求項８乃至１１のい
    ずれか一項に記載の温度補償型発振器。