JP2000223491A - Ｃｕ薄膜形成法 - Google Patents
Ｃｕ薄膜形成法Info
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- JP2000223491A JP2000223491A JP11022017A JP2201799A JP2000223491A JP 2000223491 A JP2000223491 A JP 2000223491A JP 11022017 A JP11022017 A JP 11022017A JP 2201799 A JP2201799 A JP 2201799A JP 2000223491 A JP2000223491 A JP 2000223491A
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- Prevention Of Electric Corrosion (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダマシンプロセスにおけるＣＭＰ処理を
容易にするための方法を提供すること。 【解決手段】 スパッタ法、メッキ法、ＣＶＤ法等によ
り配線溝、ビアホール、コンタクトホール等の凹部にＣ
ｕを埋め込んだ後の凹凸を有する半導体基板上に、Ｃｕ
微粒子を有機溶媒に分散させたＣｕ分散液を塗布し、塗
布膜の形成された基板を、塗布膜中の有機物質を蒸発お
よび燃焼せしめるために焼成し、次いで該焼成により生
じたＣｕＯを還元して、犠牲層としてＣｕ薄膜を形成す
ることからなる。
容易にするための方法を提供すること。 【解決手段】 スパッタ法、メッキ法、ＣＶＤ法等によ
り配線溝、ビアホール、コンタクトホール等の凹部にＣ
ｕを埋め込んだ後の凹凸を有する半導体基板上に、Ｃｕ
微粒子を有機溶媒に分散させたＣｕ分散液を塗布し、塗
布膜の形成された基板を、塗布膜中の有機物質を蒸発お
よび燃焼せしめるために焼成し、次いで該焼成により生
じたＣｕＯを還元して、犠牲層としてＣｕ薄膜を形成す
ることからなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ等のＩＣ製
造の際に、半導体基板上へスパッタ法、メッキ法、ＣＶ
Ｄ法等によりＣｕを埋め込んだ後、波状の、すなわち凹
凸を有する基板表面を平坦化し、ＣＭＰ処理を行いやす
くするためにＣｕ犠牲層を形成する方法に関するもので
ある。
造の際に、半導体基板上へスパッタ法、メッキ法、ＣＶ
Ｄ法等によりＣｕを埋め込んだ後、波状の、すなわち凹
凸を有する基板表面を平坦化し、ＣＭＰ処理を行いやす
くするためにＣｕ犠牲層を形成する方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体産業におけるＬＳＩの高集
積化および高速化により、半導体基板の配線の微細化と
多層化が進んでいる。そのために配線ピッチが狭まり、
配線間容量や配線遅延によるＬＳＩの性能低下が起こ
る。これを防ぐために、抵抗率の低い配線材料と誘電率
の低い層間絶縁膜を用いる必要にせまられ、配線材料と
して、従来のＡｌ合金等の代わりに抵抗率の低い、か
つ、エレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性の高いＣ
ｕを使用する動きが活発になってきている。Ｃｕ成膜技
術としてはスパッタ法、メッキ法、ＣＶＤ法等があり、
配線溝、ビアホール、コンタクトホール等にＣｕを堆積
させ、埋め込む方法が開発されている。そして、配線溝
やホール等を完全に埋め込んだ後、ＣＭＰ処理を行い基
板表面を平坦化する方法を繰り返すダマシンプロセスも
開発されている。
積化および高速化により、半導体基板の配線の微細化と
多層化が進んでいる。そのために配線ピッチが狭まり、
配線間容量や配線遅延によるＬＳＩの性能低下が起こ
る。これを防ぐために、抵抗率の低い配線材料と誘電率
の低い層間絶縁膜を用いる必要にせまられ、配線材料と
して、従来のＡｌ合金等の代わりに抵抗率の低い、か
つ、エレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性の高いＣ
ｕを使用する動きが活発になってきている。Ｃｕ成膜技
術としてはスパッタ法、メッキ法、ＣＶＤ法等があり、
配線溝、ビアホール、コンタクトホール等にＣｕを堆積
させ、埋め込む方法が開発されている。そして、配線溝
やホール等を完全に埋め込んだ後、ＣＭＰ処理を行い基
板表面を平坦化する方法を繰り返すダマシンプロセスも
開発されている。
【０００３】このダマシンプロセスとしては、例えば、
Ｃｕ配線形成に際し、基板上に形成されたシリコン酸化
物（ＳｉＯ2）絶縁膜中に配線溝を形成し、次いで絶縁
膜中へのＣｕの拡散を防止するためにバリアメタル（Ｔ
ｉＮ、ＴａＮ、ＷＮ等）膜をスパッタ法、メッキ法また
はＣＶＤ法にて形成し、その後、ＣＶＤ−Ｃｕ薄膜を形
成するか、またはスパッタ−Ｃｕ薄膜を形成するか、ま
たはメッキ法によりＣｕ薄膜を形成するかして、配線溝
を埋め込んだ後、不必要な部分をＣＭＰ研磨除去し、配
線溝中にＣｕのみを残して、配線を形成する方法が用い
られていた。このＣＭＰに用いられる研磨液は、研磨微
粉と酸化剤と化学的エッチング溶剤とから構成されてお
り、この研磨液を用いると、まず酸化剤がＣｕ表面を酸
化して、機械的に脆いＣｕＯの層を形成し、研磨微粉が
このＣｕＯ層を機械的に研磨し、研磨された表面や研磨
屑を該溶媒がエッチングし、滑らかな表面が実現される
と考えられている。
Ｃｕ配線形成に際し、基板上に形成されたシリコン酸化
物（ＳｉＯ2）絶縁膜中に配線溝を形成し、次いで絶縁
膜中へのＣｕの拡散を防止するためにバリアメタル（Ｔ
ｉＮ、ＴａＮ、ＷＮ等）膜をスパッタ法、メッキ法また
はＣＶＤ法にて形成し、その後、ＣＶＤ−Ｃｕ薄膜を形
成するか、またはスパッタ−Ｃｕ薄膜を形成するか、ま
たはメッキ法によりＣｕ薄膜を形成するかして、配線溝
を埋め込んだ後、不必要な部分をＣＭＰ研磨除去し、配
線溝中にＣｕのみを残して、配線を形成する方法が用い
られていた。このＣＭＰに用いられる研磨液は、研磨微
粉と酸化剤と化学的エッチング溶剤とから構成されてお
り、この研磨液を用いると、まず酸化剤がＣｕ表面を酸
化して、機械的に脆いＣｕＯの層を形成し、研磨微粉が
このＣｕＯ層を機械的に研磨し、研磨された表面や研磨
屑を該溶媒がエッチングし、滑らかな表面が実現される
と考えられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スパッ
タ法、メッキ法、ＣＶＤ法により、配線溝やホール等に
Ｃｕの埋め込みを行うと、基板表面にＣｕが堆積し、表
面が凹凸状になる（図１(Ａ)）。図１中、１は基板上に
形成された絶縁膜、２はバリアメタル膜、３はＣｕ膜を
示す。ＣＭＰ処理を行うためには、基板表面に凹凸が存
在することは望ましくない。なぜなら、ＣＭＰ処理の際
に基板表面から研磨を行うので、凹凸があると、凹部は
化学的エッチング剤に長時間曝されるので、その部分の
表面荒れが大きくなって、均一なＣＭＰ研磨ができなく
なるからであり（図１(Ｂ)）、また、凸部の頂上を研磨
するときに何もない部分も研磨していることになり、無
駄な作業をせざるを得ないからである。その結果、配線
の寿命や信頼性低下の原因ともなる。そのため、ＣＭＰ
処理する際の基板表面は平坦であることが求められてい
る。本発明は、このような従来技術の問題点を解決する
ためになされたものであり、凹凸を持つ基板表面を平坦
化し（図２）、ＣＭＰ処理を容易にするために、犠牲層
としてＣｕ薄膜を形成する方法を提供することを課題と
する。図２中、４は犠牲層を示す。
タ法、メッキ法、ＣＶＤ法により、配線溝やホール等に
Ｃｕの埋め込みを行うと、基板表面にＣｕが堆積し、表
面が凹凸状になる（図１(Ａ)）。図１中、１は基板上に
形成された絶縁膜、２はバリアメタル膜、３はＣｕ膜を
示す。ＣＭＰ処理を行うためには、基板表面に凹凸が存
在することは望ましくない。なぜなら、ＣＭＰ処理の際
に基板表面から研磨を行うので、凹凸があると、凹部は
化学的エッチング剤に長時間曝されるので、その部分の
表面荒れが大きくなって、均一なＣＭＰ研磨ができなく
なるからであり（図１(Ｂ)）、また、凸部の頂上を研磨
するときに何もない部分も研磨していることになり、無
駄な作業をせざるを得ないからである。その結果、配線
の寿命や信頼性低下の原因ともなる。そのため、ＣＭＰ
処理する際の基板表面は平坦であることが求められてい
る。本発明は、このような従来技術の問題点を解決する
ためになされたものであり、凹凸を持つ基板表面を平坦
化し（図２）、ＣＭＰ処理を容易にするために、犠牲層
としてＣｕ薄膜を形成する方法を提供することを課題と
する。図２中、４は犠牲層を示す。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のＣｕ薄膜形成法
は、スパッタ法、メッキ法、ＣＶＤ法等により配線溝、
ビアホール、コンタクトホール等の凹部にＣｕを埋め込
んだ後の凹凸を有する半導体基板上に、犠牲層としてＣ
ｕ薄膜を形成して、該基板表面を平坦化し、表面荒れの
ない表面での容易なＣＭＰ処理を実現するものである。
は、スパッタ法、メッキ法、ＣＶＤ法等により配線溝、
ビアホール、コンタクトホール等の凹部にＣｕを埋め込
んだ後の凹凸を有する半導体基板上に、犠牲層としてＣ
ｕ薄膜を形成して、該基板表面を平坦化し、表面荒れの
ない表面での容易なＣＭＰ処理を実現するものである。
【０００６】このＣｕ薄膜形成法は、上記のようにＣｕ
の埋め込みを行った後の半導体基板上にＣｕ微粒子を有
機溶媒に分散させたＣｕ分散液を塗布し（分散液のレベ
リング現象により表面が平坦化する）、その後塗布膜中
の有機物質（有機溶媒および残留有機成分）を蒸発およ
び燃焼させるために焼成し、該焼成により生じたＣｕＯ
を還元して、Ｃｕ犠牲層を形成することからなる。前記
焼成を、真空雰囲気中、例えば１０-2Ｔｏｒｒ以下、ま
たは大気中、または該真空雰囲気中と大気中との二段階
で行うことが望ましく、通常、１００〜４５０℃で１〜
３０分間行われる。焼成温度が１００℃未満だと有機物
質が充分に蒸発、燃焼されず、また、４５０℃を超える
と半導体素子に熱的ダメージを与えるという問題があ
る。前記還元は、真空雰囲気中、またはほぼ４％以下の
水素を含んだ不活性ガス雰囲気中、または１００％水素
雰囲気中で行うことが望ましく、通常、２００〜４５０
℃で１〜６０分間行われる。不活性ガス雰囲気中の水素
濃度に関しては、水素の爆発限界がほぼ４％であること
から、安全のために４％以下に希釈したガスとしてあ
る。還元温度が２００℃未満だと還元が充分に行われな
いため、膜中に部分的にＣｕＯが存在してしまい、４５
０℃を超えると半導体素子に熱的ダメージを与えるとい
う問題がある。このような焼成−還元のプロセスを行う
ことで、Ｃｕ犠牲層が形成できる。
の埋め込みを行った後の半導体基板上にＣｕ微粒子を有
機溶媒に分散させたＣｕ分散液を塗布し（分散液のレベ
リング現象により表面が平坦化する）、その後塗布膜中
の有機物質（有機溶媒および残留有機成分）を蒸発およ
び燃焼させるために焼成し、該焼成により生じたＣｕＯ
を還元して、Ｃｕ犠牲層を形成することからなる。前記
焼成を、真空雰囲気中、例えば１０-2Ｔｏｒｒ以下、ま
たは大気中、または該真空雰囲気中と大気中との二段階
で行うことが望ましく、通常、１００〜４５０℃で１〜
３０分間行われる。焼成温度が１００℃未満だと有機物
質が充分に蒸発、燃焼されず、また、４５０℃を超える
と半導体素子に熱的ダメージを与えるという問題があ
る。前記還元は、真空雰囲気中、またはほぼ４％以下の
水素を含んだ不活性ガス雰囲気中、または１００％水素
雰囲気中で行うことが望ましく、通常、２００〜４５０
℃で１〜６０分間行われる。不活性ガス雰囲気中の水素
濃度に関しては、水素の爆発限界がほぼ４％であること
から、安全のために４％以下に希釈したガスとしてあ
る。還元温度が２００℃未満だと還元が充分に行われな
いため、膜中に部分的にＣｕＯが存在してしまい、４５
０℃を超えると半導体素子に熱的ダメージを与えるとい
う問題がある。このような焼成−還元のプロセスを行う
ことで、Ｃｕ犠牲層が形成できる。
【０００７】前記Ｃｕ微粒子の平均粒径は、該埋め込み
後の基板表面の凹部を充たすためには、できるだけ小さ
い方がよく、本発明で使用する分散液は、好ましくは
０．１μｍ以下のＣｕ微粒子を有機溶媒に分散させたＣ
ｕ分散液である。平均粒径が０．１μｍを超えると基板
表面の凹部に入り込みにくくなるからである。本発明で
は、前処理として、配線溝、ビアホール、コンタクトホ
ール等の凹部の内表面を含む基板表面に、指向性スパッ
タのようなスパッタによりＴｉＮ，Ｔａ、ＴａＮ、ＷＮ
等で、またはＣＶＤでバリアメタル膜を形成することが
できる。
後の基板表面の凹部を充たすためには、できるだけ小さ
い方がよく、本発明で使用する分散液は、好ましくは
０．１μｍ以下のＣｕ微粒子を有機溶媒に分散させたＣ
ｕ分散液である。平均粒径が０．１μｍを超えると基板
表面の凹部に入り込みにくくなるからである。本発明で
は、前処理として、配線溝、ビアホール、コンタクトホ
ール等の凹部の内表面を含む基板表面に、指向性スパッ
タのようなスパッタによりＴｉＮ，Ｔａ、ＴａＮ、ＷＮ
等で、またはＣＶＤでバリアメタル膜を形成することが
できる。
【０００８】本発明で用いることのできるＣｕ分散液
は、例えば半導体基板上にＣｕ犠牲層を形成する際の乾
燥・焼成工程で蒸発、燃焼するような有機溶媒、好まし
くは１００℃以上で蒸発する有機溶媒と、平均粒径０．
１μｍ以下のＣｕ微粒子とを混合してなるものが望まし
く、該微粒子の表面が該有機溶媒で覆われて個々に独立
して分散している粘度が１００ｃＰ以下の分散液である
ことが望ましい。また、前記微粒子の濃度は、５〜７０
ｗｔ％、好ましくは１５〜５０ｗｔ％である。本発明で
は、Ｃｕ微粒子は、該分散液の形態で、配線溝等の埋め
込みを行った後の半導体基板上の凹部に対して何らの問
題もなく入り込むので、基板表面が平坦化され、そし
て、所定の雰囲気中、所定の温度・時間で加熱すること
により、該分散液の分散媒等が蒸発され、Ｃｕ等の金属
微粒子同士が融着して基板表面が凹凸のない状態にな
り、次のＣＭＰ処理を容易に行うことができるようにな
る。
は、例えば半導体基板上にＣｕ犠牲層を形成する際の乾
燥・焼成工程で蒸発、燃焼するような有機溶媒、好まし
くは１００℃以上で蒸発する有機溶媒と、平均粒径０．
１μｍ以下のＣｕ微粒子とを混合してなるものが望まし
く、該微粒子の表面が該有機溶媒で覆われて個々に独立
して分散している粘度が１００ｃＰ以下の分散液である
ことが望ましい。また、前記微粒子の濃度は、５〜７０
ｗｔ％、好ましくは１５〜５０ｗｔ％である。本発明で
は、Ｃｕ微粒子は、該分散液の形態で、配線溝等の埋め
込みを行った後の半導体基板上の凹部に対して何らの問
題もなく入り込むので、基板表面が平坦化され、そし
て、所定の雰囲気中、所定の温度・時間で加熱すること
により、該分散液の分散媒等が蒸発され、Ｃｕ等の金属
微粒子同士が融着して基板表面が凹凸のない状態にな
り、次のＣＭＰ処理を容易に行うことができるようにな
る。
【０００９】本発明において犠牲層形成前に配線溝等へ
埋め込まれるＣｕには、Ｃｕ金属元素以外にＣｕへの溶
解度が低く、かつ半導体基板の基材と反応しやすい金属
又はこれらの金属を含む化合物を少なくとも一種含有し
ていてもよく、これにより基材との接着性が向上されう
る。このＣｕ金属元素以外の具体的な例としては、例え
ば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｂ、Ｔａ、Ｎｂ及びＶから選ばれれる
金属又はこれら金属を含む化合物が挙げられる。この場
合、犠牲層は、上記埋め込まれる金属材料と同様の組成
を有するＣｕ金属含有微粒子からなる分散液を用いて形
成することが望ましい。
埋め込まれるＣｕには、Ｃｕ金属元素以外にＣｕへの溶
解度が低く、かつ半導体基板の基材と反応しやすい金属
又はこれらの金属を含む化合物を少なくとも一種含有し
ていてもよく、これにより基材との接着性が向上されう
る。このＣｕ金属元素以外の具体的な例としては、例え
ば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｂ、Ｔａ、Ｎｂ及びＶから選ばれれる
金属又はこれら金属を含む化合物が挙げられる。この場
合、犠牲層は、上記埋め込まれる金属材料と同様の組成
を有するＣｕ金属含有微粒子からなる分散液を用いて形
成することが望ましい。
【００１０】
【実施例】次に、実施例により本発明を説明するが、本
発明はこれらの例によって何ら限定されるものではな
い。 実施例１ Ｓｉ基板上に形成したＳｉＯ2絶縁膜に０．３〜５μｍ
の配線溝と０．１５〜２μｍのビアホール、コンタクト
ホールが設けられた基板を用い、該配線溝およびホール
を含む基板表面にスパッタにより、ＴｉＮのバリアメタ
ル膜を厚さ７０ｎｍで形成し、次いでスパッタ法、メッ
キ法、またはＣＶＤ法により配線溝等にＣｕを埋め込ん
だ後の表面が凹凸を有する基板を以下のように処理し
た。上記基板をスピンコーターにセットして、１０００
ｒｐｍで回転させ、その上方からＣｕ微粒子を有機溶媒
に分散させたＣｕ分散液（真空冶金株式会社製、パーフ
ェクトカッパー（商品名））を滴下し、２０００ｒｐｍ
でスピンコートした。基板表面に液膜のある状態の基板
を１０Ｐａの真空雰囲気中、３５０℃で１分間加熱して
有機溶媒および残留有機成分を蒸発、燃焼させた。次
に、１×１０-6Ｐａの真空雰囲気中、４００℃で３０分
間加熱して、前記燃焼により一部のＣｕがＣｕＯになっ
てしまったものをＣｕに還元した。こうしてＣｕ微粒子
が融着し、基板表面を平坦化するＣｕ犠牲層を形成でき
た。Ｃｕ犠牲層を設けることにより、その後の、砥粒に
Ａｌ2Ｏ3、酸化剤にＫＩＯ3を用いるＣＭＰ処理を容易
に行うことができた。 実施例２ 実施例１のように配線溝等にＣｕを埋め込んだ後の基板
をスピンコーターにセットして、１０００ｒｐｍで回転
させ、その上方から実施例１のＣｕ分散液を滴下し、２
０００ｒｐｍでスピンコートした。基板表面に液膜のあ
る状態の基板を１０Ｐａの真空雰囲気中、３５０℃で１
分間加熱し、続けて大気中、３００℃で３分間加熱して
有機溶媒および残留有機成分を蒸発、燃焼させた。次
に、４％程の水素を含んだ不活性ガス雰囲気中、２５０
℃で３０分間加熱して、前記燃焼により一部のＣｕがＣ
ｕＯになってしまったものをＣｕに還元した。こうして
Ｃｕ微粒子が融着し、基板表面を平坦化するＣｕ犠牲層
を形成できた。Ｃｕ犠牲層を設けることにより、その後
の、砥粒にＡｌ2Ｏ3、酸化剤にＫＩＯ3を用いるＣＭＰ
処理を容易に行うことができた。
発明はこれらの例によって何ら限定されるものではな
い。 実施例１ Ｓｉ基板上に形成したＳｉＯ2絶縁膜に０．３〜５μｍ
の配線溝と０．１５〜２μｍのビアホール、コンタクト
ホールが設けられた基板を用い、該配線溝およびホール
を含む基板表面にスパッタにより、ＴｉＮのバリアメタ
ル膜を厚さ７０ｎｍで形成し、次いでスパッタ法、メッ
キ法、またはＣＶＤ法により配線溝等にＣｕを埋め込ん
だ後の表面が凹凸を有する基板を以下のように処理し
た。上記基板をスピンコーターにセットして、１０００
ｒｐｍで回転させ、その上方からＣｕ微粒子を有機溶媒
に分散させたＣｕ分散液（真空冶金株式会社製、パーフ
ェクトカッパー（商品名））を滴下し、２０００ｒｐｍ
でスピンコートした。基板表面に液膜のある状態の基板
を１０Ｐａの真空雰囲気中、３５０℃で１分間加熱して
有機溶媒および残留有機成分を蒸発、燃焼させた。次
に、１×１０-6Ｐａの真空雰囲気中、４００℃で３０分
間加熱して、前記燃焼により一部のＣｕがＣｕＯになっ
てしまったものをＣｕに還元した。こうしてＣｕ微粒子
が融着し、基板表面を平坦化するＣｕ犠牲層を形成でき
た。Ｃｕ犠牲層を設けることにより、その後の、砥粒に
Ａｌ2Ｏ3、酸化剤にＫＩＯ3を用いるＣＭＰ処理を容易
に行うことができた。 実施例２ 実施例１のように配線溝等にＣｕを埋め込んだ後の基板
をスピンコーターにセットして、１０００ｒｐｍで回転
させ、その上方から実施例１のＣｕ分散液を滴下し、２
０００ｒｐｍでスピンコートした。基板表面に液膜のあ
る状態の基板を１０Ｐａの真空雰囲気中、３５０℃で１
分間加熱し、続けて大気中、３００℃で３分間加熱して
有機溶媒および残留有機成分を蒸発、燃焼させた。次
に、４％程の水素を含んだ不活性ガス雰囲気中、２５０
℃で３０分間加熱して、前記燃焼により一部のＣｕがＣ
ｕＯになってしまったものをＣｕに還元した。こうして
Ｃｕ微粒子が融着し、基板表面を平坦化するＣｕ犠牲層
を形成できた。Ｃｕ犠牲層を設けることにより、その後
の、砥粒にＡｌ2Ｏ3、酸化剤にＫＩＯ3を用いるＣＭＰ
処理を容易に行うことができた。
【００１１】
【発明の効果】本発明により犠牲層としてＣｕ薄膜を形
成することにより、スパッタ法、メッキ法、ＣＶＤ等に
よりＣｕの埋め込みを行った後の基板表面（凹凸を有す
る）を平坦化できるため、その後のＣＭＰ処理が容易に
なる。
成することにより、スパッタ法、メッキ法、ＣＶＤ等に
よりＣｕの埋め込みを行った後の基板表面（凹凸を有す
る）を平坦化できるため、その後のＣＭＰ処理が容易に
なる。
【図１】（Ａ）スパッタ法、メッキ法、ＣＶＤ法により
Ｃｕの埋め込みを行った基板の模式的断面図。（Ｂ）Ｃ
ｕの埋め込みを行った後にＣＭＰ処理した基板の模式的
断面図。
Ｃｕの埋め込みを行った基板の模式的断面図。（Ｂ）Ｃ
ｕの埋め込みを行った後にＣＭＰ処理した基板の模式的
断面図。
【図２】本発明の方法により犠牲層としてのＣｕ薄膜を
形成した基板の模式的断面図。
形成した基板の模式的断面図。
１ 絶縁膜 ２ バリアメタル
膜 ３ Ｃｕ膜 ４ 犠牲層
膜 ３ Ｃｕ膜 ４ 犠牲層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山川 洋幸 茨城県つくば市東光台５−９−７ 日本真 空技術株式会社筑波超材料研究所内 Ｆターム(参考） 4K044 AA11 BA02 BA06 BA10 BA12 BA13 BB02 CA13 CA14 CA18 CA22 CA62 4K060 AA10 BA12 BA33 DA01 EA20 EB04 5F033 HH11 HH33 JJ11 JJ33 MM01 MM12 MM13 NN06 NN07 PP06 PP15 PP26 PP27 PP28 QQ48 WW01 WW03 WW04 XX01
Claims (5)
- 【請求項１】 配線溝、ビアホール、コンタクトホール
の凹部にＣｕを埋め込んだ後の凹凸を有する半導体基板
上に、犠牲層としてＣｕ薄膜を形成して、該基板表面を
平坦化し、ＣＭＰ処理を行いやすくすることを特徴とす
るＣｕ薄膜形成法。 - 【請求項２】 前記Ｃｕ埋め込み後の半導体基板上に、
Ｃｕ微粒子を有機溶媒に分散させたＣｕ分散液を塗布
し、塗布膜の形成された基板を焼成して塗布膜中の有機
物質を蒸発および燃焼せしめ、次いで該焼成により生じ
たＣｕＯを還元することにより、前記Ｃｕ薄膜を形成す
ることを特徴とする請求項１記載のＣｕ薄膜形成法。 - 【請求項３】 前記焼成を、真空雰囲気中、または大気
中、または真空雰囲気中と大気中との二段階で、１００
〜４５０℃で行うことを特徴とする請求項２記載のＣｕ
薄膜形成法。 - 【請求項４】 前記還元を、４％以下の水素を含んだ不
活性ガス雰囲気中、または水素雰囲気中、または真空雰
囲気中で、２００〜４５０℃で行うことを特徴とする請
求項２または３記載のＣｕ薄膜形成法。 - 【請求項５】 前記Ｃｕ微粒子が０．１μｍ以下の平均
粒径を有するものであることを特徴とする請求項２〜４
のいずれかに記載のＣｕ薄膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11022017A JP2000223491A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | Ｃｕ薄膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11022017A JP2000223491A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | Ｃｕ薄膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223491A true JP2000223491A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=12071231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11022017A Withdrawn JP2000223491A (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | Ｃｕ薄膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000223491A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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