JP2000216388A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】 埋め込み絶縁層および、前記埋め込み絶縁層上から一方主面にかけて存在する半導体層を有するSOI基板と、
前記半導体層上に配置されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に配置されているゲート電極とを備え、
前記半導体層は、前記ゲート電極の下の領域に配置されているチャネル領域並びに、当該チャネル領域を挟むように、前記ゲート電極の下の前記領域外に配置されているソース領域およびドレイン領域を含み、
前記チャネル領域は、当該半導体層と前記埋め込み絶縁層との境界かまたはそれよりも深いところに唯一のピークを持った不純物濃度プロファイルを有し、前記不純物濃度プロファイルは前記半導体層の表面から前記ピークにかけて連続的に増加することを特徴とする半導体装置。
【請求項2】 前記半導体層は、1000Å以上であることを特徴とする、請求項1記載の半導体装置。
【請求項3】 埋め込み絶縁層および、前記埋め込み絶縁層上から一方主面にかけて存在する半導体層を有するSOI基板と、
前記半導体層上に配置されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に配置されているゲート電極とを備え、
前記半導体層は、前記ゲート電極の下の領域に配置されて1000Åよりも厚いチャネル領域並びに、当該チャネル領域を挟むように、前記ゲート電極の下の前記領域外に配置されているソース領域およびドレイン領域を含み、
前記チャネル領域は、当該半導体層と前記埋め込み絶縁層との境界近傍に唯一のピークを持った不純物濃度プロファイルを有し、前記不純物濃度プロファイルは前記半導体層の表面から前記ピークにかけて連続的に増加することを特徴とする半導体装置。
【請求項4】 前記半導体装置は、NチャネルMOSトランジスタであることを特徴とする、請求項1から請求項3のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項5】 前記半導体装置は、PチャネルMOSトランジスタであることを特徴とする、請求項1記載の半導体装置。
【請求項6】 前記ソース,ドレイン領域間に位置づけられた前記チャネル領域の実質的全てが前記不純物濃度プロファイルを有する、請求項1ないし請求項5のうち、いずれか1項に記載の半導体装置。
【請求項7】 前記ソース,ドレイン領域間に位置づけられた実質的な前記チャネル領域のみが前記不純物濃度プロファイルを有する、請求項1ないし請求項5のうち、いずれか1項に記載の半導体装置。
【請求項8】 埋め込み絶縁層および、前記埋め込み絶縁層上に形成される半導体層を有するSOI基板と、
前記半導体層上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極と、
前記ゲート電極と対向する側の前記SOI層内に選択的に形成されるソース領域およびドレイン領域と、
前記ソース,ドレイン領域間の領域として規定されるチャネル領域とを備え、
前記ソース,ドレイン領域より内側のチャネル領域部分において、連続的に増加し、前記半導体層と前記埋め込み絶縁層との境界かまたはそれよりも深いところに唯一のピークを持った不純物濃度プロファイルを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項9】 前記チャネル領域を囲む分離膜をさらに備える、請求項1ないし請求項8のうち、いずれか1項に記載の半導体装置。
【請求項10】 前記分離膜はフィールド酸化膜を含む、請求項9記載の半導体装置。
【請求項1】 埋め込み絶縁層および、前記埋め込み絶縁層上から一方主面にかけて存在する半導体層を有するSOI基板と、
前記半導体層上に配置されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に配置されているゲート電極とを備え、
前記半導体層は、前記ゲート電極の下の領域に配置されているチャネル領域並びに、当該チャネル領域を挟むように、前記ゲート電極の下の前記領域外に配置されているソース領域およびドレイン領域を含み、
前記チャネル領域は、当該半導体層と前記埋め込み絶縁層との境界かまたはそれよりも深いところに唯一のピークを持った不純物濃度プロファイルを有し、前記不純物濃度プロファイルは前記半導体層の表面から前記ピークにかけて連続的に増加することを特徴とする半導体装置。
【請求項2】 前記半導体層は、1000Å以上であることを特徴とする、請求項1記載の半導体装置。
【請求項3】 埋め込み絶縁層および、前記埋め込み絶縁層上から一方主面にかけて存在する半導体層を有するSOI基板と、
前記半導体層上に配置されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に配置されているゲート電極とを備え、
前記半導体層は、前記ゲート電極の下の領域に配置されて1000Åよりも厚いチャネル領域並びに、当該チャネル領域を挟むように、前記ゲート電極の下の前記領域外に配置されているソース領域およびドレイン領域を含み、
前記チャネル領域は、当該半導体層と前記埋め込み絶縁層との境界近傍に唯一のピークを持った不純物濃度プロファイルを有し、前記不純物濃度プロファイルは前記半導体層の表面から前記ピークにかけて連続的に増加することを特徴とする半導体装置。
【請求項4】 前記半導体装置は、NチャネルMOSトランジスタであることを特徴とする、請求項1から請求項3のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項5】 前記半導体装置は、PチャネルMOSトランジスタであることを特徴とする、請求項1記載の半導体装置。
【請求項6】 前記ソース,ドレイン領域間に位置づけられた前記チャネル領域の実質的全てが前記不純物濃度プロファイルを有する、請求項1ないし請求項5のうち、いずれか1項に記載の半導体装置。
【請求項7】 前記ソース,ドレイン領域間に位置づけられた実質的な前記チャネル領域のみが前記不純物濃度プロファイルを有する、請求項1ないし請求項5のうち、いずれか1項に記載の半導体装置。
【請求項8】 埋め込み絶縁層および、前記埋め込み絶縁層上に形成される半導体層を有するSOI基板と、
前記半導体層上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極と、
前記ゲート電極と対向する側の前記SOI層内に選択的に形成されるソース領域およびドレイン領域と、
前記ソース,ドレイン領域間の領域として規定されるチャネル領域とを備え、
前記ソース,ドレイン領域より内側のチャネル領域部分において、連続的に増加し、前記半導体層と前記埋め込み絶縁層との境界かまたはそれよりも深いところに唯一のピークを持った不純物濃度プロファイルを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項9】 前記チャネル領域を囲む分離膜をさらに備える、請求項1ないし請求項8のうち、いずれか1項に記載の半導体装置。
【請求項10】 前記分離膜はフィールド酸化膜を含む、請求項9記載の半導体装置。
【0008】
【課題を解決するための手段】
第1の発明に係る半導体装置は、埋め込み絶縁層および、前記埋め込み絶縁層上から一方主面にかけて存在する半導体層を有するSOI基板と、前記半導体層上に配置されているゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配置されているゲート電極とを備え、前記半導体層は、前記ゲート電極の下の領域に配置されているチャネル領域並びに、当該チャネル領域を挟むように、前記ゲート電極の下の前記領域外に配置されているソース領域およびドレイン領域を含み、前記チャネル領域は、当該半導体層と前記埋め込み絶縁層との境界かまたはそれよりも深いところに唯一のピークを持った不純物濃度プロファイルを有し、前記不純物濃度プロファイルは前記半導体層の表面から前記ピークにかけて連続的に増加することを特徴とする。
【課題を解決するための手段】
第1の発明に係る半導体装置は、埋め込み絶縁層および、前記埋め込み絶縁層上から一方主面にかけて存在する半導体層を有するSOI基板と、前記半導体層上に配置されているゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配置されているゲート電極とを備え、前記半導体層は、前記ゲート電極の下の領域に配置されているチャネル領域並びに、当該チャネル領域を挟むように、前記ゲート電極の下の前記領域外に配置されているソース領域およびドレイン領域を含み、前記チャネル領域は、当該半導体層と前記埋め込み絶縁層との境界かまたはそれよりも深いところに唯一のピークを持った不純物濃度プロファイルを有し、前記不純物濃度プロファイルは前記半導体層の表面から前記ピークにかけて連続的に増加することを特徴とする。
第3の発明に係る半導体装置は、埋め込み絶縁層および、前記埋め込み絶縁層上から一方主面にかけて存在する半導体層を有するSOI基板と、前記半導体層上に配置されているゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配置されているゲート電極とを備え、前記半導体層は、前記ゲート電極の下の領域に配置されて1000Åよりも厚いチャネル領域並びに、当該チャネル領域を挟むように、前記ゲート電極の下の前記領域外に配置されているソース領域およびドレイン領域を含み、前記チャネル領域は、当該半導体層と前記埋め込み絶縁層との境界近傍に唯一のピークを持った不純物濃度プロファイルを有し、前記不純物濃度プロファイルは前記半導体層の表面から前記ピークにかけて連続的に増加することを特徴とする。
このようなプロファイルを持つNチャネルMOSトランジスタおよびPチャネルMOSトランジスタの製造方法について説明する。まず、図4に示すようなウェーハ10を準備する。ウェーハ10は、シリコンで構成されていて表面に300Åのシリコン酸化膜13を有し、そのシリコン酸化膜13の下に1000ÅのSOI層12を有し、さらにSOI層12の下に4000Åのシリコン酸化膜11を有する。このシリコン酸化膜11はウェーハ10の内部に形成されており、シリコン酸化膜11の下にはさらにシリコン層14が存在する。次に、リソグラフィを行ってNチャネルMOSトランジスタが形成される領域15にフォトレジストが形成されず、PチャネルMOSトランジスタが形成される領域16にフォトレジスト17が形成される。NチャネルMOSトランジスタのチャネルドーピングのために、この状態のウェーハ10に対しホウ素イオンの注入が行われる。ホウ素イオンは符号18により示された矢印の方向に沿って打ち込まれる。このイオン注入は、加速度電圧35keV、ドーズ量1013cm-2という条件で行われる。このイオン注入の後、フォトレジスト17が除去される。次に、PチャネルMOSトランジスタのチャネルドーピングのために、リソグラフィを行ってNチャネルMOSトランジスタが形成される領域15にフォトレジスト19が形成されるが、PチャネルMOSトランジスタが形成される領域16にはフォトレジストは形成されない。この状態のウェーハ10に対し、リンイオンの注入が符号20により示された矢印の方向に沿って行われる。このイオン注入は、加速度電圧60keV、ドーズ量2.6×1012cm-2という条件で行われる。このイオン注入の後、フォトレジスト19が除去される。
図17の状態からCVD法によりタングステンを約5000Å堆積する。このタングステンをエッチバックしてタングステンプラグ63を形成する。チタン64の上にアルミニウム銅を5000Å〜1.0μm堆積する。リソグラフィによってフォトレジストをパターニングして、そのフォトレジストをマスクにしてアルミニウム銅65をドライエッチングする。アルミニウム銅65のパターニングが終了した後にフォトレジストを除去すると、図18に示す状態になる。
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