JP2000208983A - Transparent electric field wave shielding structure and manufacture thereof - Google Patents
Transparent electric field wave shielding structure and manufacture thereofInfo
- Publication number
- JP2000208983A JP2000208983A JP11003053A JP305399A JP2000208983A JP 2000208983 A JP2000208983 A JP 2000208983A JP 11003053 A JP11003053 A JP 11003053A JP 305399 A JP305399 A JP 305399A JP 2000208983 A JP2000208983 A JP 2000208983A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent
- film
- wave shielding
- resin
- transparent resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、透明電界波シール
ド用構造体およびその製造方法に関するものであり、さ
らに詳しくは電子機器などの表示装置や透明開口部にお
ける液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やプラズマディスプレ
イパネル（ＰＤＰ）の表示画面より放出される電界波、
赤外線および近赤外線を遮蔽するとともに、外部からの
電界波が電子機器などへ進入するのを遮断しノイズを減
少させる効果に優れた透明電界波シールド用構造体およ
びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transparent electric wave shielding structure and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a display device such as an electronic apparatus, a liquid crystal display (LCD) or a plasma display panel in a transparent opening. Electric field waves emitted from the display screen of (PDP),
The present invention relates to a structure for a transparent electric field wave shield excellent in an effect of shielding an infrared ray and a near infrared ray, blocking an external electric wave from entering an electronic device or the like, and reducing noise, and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】現在、さまざまな電気・電子機器が使用
されており作業効率を大きく向上させているが、これら
の電子機器からは微弱ではあるが電界波や電磁波の発生
が起こっている。2. Description of the Related Art At present, various electric and electronic devices are used to greatly improve work efficiency. However, these electronic devices generate electric field waves and electromagnetic waves, albeit weakly.
【０００３】また逆に外部電界波の進入で電子機器に悪
影響を及ぼし誤作動や動作不良を起こす可能性があるこ
とから電界波シールドの必要性が重要視されてきてい
る。On the other hand, the necessity of an electric field wave shield has been emphasized since the penetration of an external electric field wave may adversely affect electronic equipment and cause malfunction or malfunction.
【０００４】従来の電子機器の電界波シールド材として
は、銅，鉄のような導電性の高い金属板あるいは金属箔
が挙げられ、それらで機器のケース内側を覆ったり、電
界波発生源の周囲をかこみ電界波シールドを行ってい
た。[0004] As a conventional electric field wave shielding material for electronic equipment, a highly conductive metal plate or metal foil such as copper or iron can be cited. And shielded the electric field wave.
【０００５】近年、コンピューターなどの電子機器の小
型化高性能化が著しくなると同時に、電子機器に透明な
表示窓や液晶表示窓などが取り付けられているようにな
ってきた。In recent years, electronic devices such as computers have been significantly reduced in size and improved in performance, and at the same time, transparent display windows and liquid crystal display windows have been attached to the electronic devices.
【０００６】しかし、これらの透明な表示窓や液晶表示
窓などは、電界波シールドされていないため、外部から
の電界波がこれらの透明な窓部分から入り込み、コンピ
ューターなどに誤作動を引き起こす問題がある。However, since these transparent display windows and liquid crystal display windows are not shielded by electric field waves, there is a problem that an electric field wave from the outside enters through these transparent windows and causes a malfunction in a computer or the like. is there.
【０００７】また最近、ＬＣＤやＰＤＰのような表示装
置が増えつつあるが、特にＰＤＰ表示画面はプラズマ発
生時に電界波や近赤外線が放出され、周囲の電子機器へ
影響を及ぼしたり使用者の健康への悪影響も否めない問
題がある。Recently, display devices such as LCDs and PDPs are increasing. In particular, PDP display screens emit electric field waves and near-infrared rays when plasma is generated, which may affect surrounding electronic devices or cause user health. There is a problem that cannot be denied.
【０００８】透明部分の電界波シールドに関しては、従
来の金属板などの適用は不可であり、そのため透明な電
界波シールド材が必要となってきている。As for the electric field wave shield of the transparent portion, it is impossible to apply a conventional metal plate or the like, and therefore, a transparent electric wave shield material is required.
【０００９】この透明な電界波シールド材として、ポリ
エステル繊維に導電性の金属を被覆し、格子状に織り込
んだメッシュ構造を持つシールド材が提案されている
が、このようなメッシュは、光透過率が低く視認性が悪
かった。また透明導電フィルムを透明なプラスチック基
材へ粘着剤を介して積層する事も試みられたが、粘着剤
層による視認性低下や加熱によるプラスチック基材から
の発泡により粘着剤とプラスチック基材の間に気泡が発
生し十分満足の行くものではなかった。As this transparent electric field wave shielding material, a shielding material having a mesh structure in which a conductive metal is coated on a polyester fiber and woven in a lattice has been proposed. Such a mesh has a light transmittance. Was low and visibility was poor. Attempts have also been made to laminate a transparent conductive film on a transparent plastic substrate via an adhesive, but the visibility has been reduced by the adhesive layer, and the foam between the adhesive and the plastic substrate due to heating has caused a gap between the adhesive and the plastic substrate. Air bubbles were generated and were not satisfactory.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、透明
性に優れ、電子機器などの表示装置や透明開口部におけ
る液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やプラズマディスプレイ
パネル（ＰＤＰ）の表示画面より放出される電界波、赤
外線および近赤外線を遮蔽するとともに、外部からの電
界波が電子機器などへ進入するのを遮断しノイズを減少
させる効果に優れた透明電界波シールド性構造体および
その製造方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display (LCD) or a plasma display panel (PDP) which is excellent in transparency and is provided in a display device such as an electronic device or a transparent opening. Provided is a transparent electric field wave shielding structure excellent in an effect of shielding an electric field wave, an infrared ray and a near infrared ray, blocking an electric field wave from the outside from entering an electronic device or the like, and reducing noise, and a method of manufacturing the same. It is in.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明は、（１）少なく
とも片面に導電層を有する透明導電性フィルム（Ａ）、
（２）透明樹脂フィルム（Ｂ）および（３）透明樹脂版
（Ｃ）をこの順序で互いに積層された構造体であって、
(i) 該透明樹脂フィルム（Ｂ）を形成する樹脂の融点
（Ｔｍ）は該透明導電性フィルム（Ａ）を形成する基材
樹脂の融点（Ｔｍｒ）より低く、(ii) 該構造体のヘー
ズ値が４％以下、(iii) 該構造体の波長４００〜７５０
ｎｍの全可視光透過率が７０％以上、(iv) 該透明導電
性構造体における波長７５０〜１０００ｎｍの近赤外線
反射率が４０％以上であり、かつ(v) 該構造体における
１０００〜２０００Ｈｚの電界波シールド効果が４０ｄ
ｂ以上であることを特徴とする透明電界波シールド性構
造体およびその製造方法である。According to the present invention, there is provided (1) a transparent conductive film (A) having a conductive layer on at least one surface,
(2) a structure in which a transparent resin film (B) and (3) a transparent resin plate (C) are laminated on each other in this order,
(i) the melting point (Tm) of the resin forming the transparent resin film (B) is lower than the melting point (Tmr) of the base resin forming the transparent conductive film (A), and (ii) the haze of the structure (Iii) a wavelength of 400 to 750 of the structure.
(iv) the transparent conductive structure has a near-infrared reflectance at a wavelength of 750 to 1000 nm of 40% or more, and (v) the structure has a transmittance of 1000 to 2,000 Hz. Electric wave shielding effect is 40d
b or more, and a transparent electric wave shielding structure and a method of manufacturing the same.
【００１２】次に本発明についてさらに詳しく説明する
が、まず最初に透明導電性フィルム（Ａ）および透明樹
脂フィルム（Ｂ）から構成されるフィルム積層体につい
て説明し、次いで透明電界波シールド性構造体およびそ
の製造方法について説明する。Next, the present invention will be described in more detail. First, a film laminate composed of a transparent conductive film (A) and a transparent resin film (B) will be described, and then a transparent electric field wave shielding structure will be described. And its manufacturing method will be described.
【００１３】前述したとおり、本発明におけるフィルム
積層体は、少なくとも片面に導電層を有する透明導電性
フィルム（Ａ）および透明樹脂フィルム（Ｂ）により構
成されている。As described above, the film laminate of the present invention comprises the transparent conductive film (A) having a conductive layer on at least one side and the transparent resin film (B).
【００１４】この透明導電性フィルム（Ａ）を形成する
ベースフィルムは透明であって、可撓性を有し、その表
面にスパッタ法や真空蒸着法などにより金属蒸着膜を形
成する際に、その操作温度に耐え得る耐熱性を有してい
る熱可塑性樹脂フィルムであることが好ましい。The base film forming the transparent conductive film (A) is transparent and flexible, and when a metal deposition film is formed on its surface by a sputtering method, a vacuum deposition method or the like, It is preferable that the thermoplastic resin film has heat resistance enough to withstand the operating temperature.
【００１５】かかる熱可塑性樹脂フィルム構成するポリ
マーとしては、ポリエチレンテレフタレートやポリエチ
レン−２，６−ナフタレートに代表されるポリエステ
ル、脂肪族ポリアミド、芳香族ポリアミド、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン等が例示される。これらの中、ポリ
エステルがさらに好ましい。また、熱可塑性樹脂フィル
ムの中で、耐熱性、機械的強度に優れる二軸配向ポリエ
チレンテレフタレートフィルムが特に好ましい。Examples of the polymer constituting the thermoplastic resin film include polyesters represented by polyethylene terephthalate and polyethylene-2,6-naphthalate, aliphatic polyamides, aromatic polyamides, polyethylene, and polypropylene. Of these, polyester is more preferred. Further, among the thermoplastic resin films, a biaxially oriented polyethylene terephthalate film having excellent heat resistance and mechanical strength is particularly preferable.
【００１６】かかる熱可塑性樹脂フィルム（ベースフィ
ルム）は、従来から知られている方法で製造することが
できる。例えば、二軸配向ポリエステルフィルムの製造
について説明すると、ポリエステルチップを乾燥後、Ｔ
ｍ〜（Ｔｍ＋７０）℃の温度（但し、Ｔｍ：ポリエステ
ルの融点）で押出機にて溶融し、ダイ（例えばＴ−ダ
イ、Ｉ−ダイ等）から回転冷却ドラム上に押出し、４０
〜９０℃で急冷して未延伸フィルムを製造し、ついで該
未延伸フィルムを（Ｔｇ−１０）〜（Ｔｇ＋７０）℃の
温度（Ｔｇ：ポリエステルのガラス転移温度）で縦方向
に２．５〜８．０倍の倍率で延伸し、横方向２．５〜
８．０倍の倍率で延伸し、必要に応じて１８０〜２５０
℃の温度で１〜６０秒間熱固定することにより製造でき
る。このベースフィルムの厚みは２５〜２５０μｍの範
囲が好ましく、２５〜１７５μｍの範囲が特に好まし
い。Such a thermoplastic resin film (base film) can be produced by a conventionally known method. For example, the production of a biaxially oriented polyester film will be described.
m to (Tm + 70) ° C. (where Tm is the melting point of the polyester), melted by an extruder, extruded from a die (eg, T-die, I-die, etc.) onto a rotary cooling drum,
The unstretched film is quenched at a temperature of (Tg-10) to (Tg + 70) ° C. (Tg: glass transition temperature of polyester) at 2.5 to 8 ° C. Stretched at a magnification of 0. 0, 2.5 to
It is stretched at a magnification of 8.0 times, and if necessary, 180-250.
It can be produced by heat setting at a temperature of 1 to 60 seconds. The thickness of this base film is preferably in the range of 25 to 250 μm, particularly preferably in the range of 25 to 175 μm.
【００１７】本発明に用いられる透明導電性フィルム
（Ａ）には、ベースフィルムの少なくとも片面に導電層
が設けられている。導電層を構成する金属物質として
は、ＳｂをドープしたＳｎＯ2やＳｎをドープしたＩｎ2
Ｏ3（ＩＴＯ）等の広い光学バンドギャップと高い自由
電子密度を有する半導体薄膜、またはＡｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ａｌ等の金属が例示される。これらの中、可視光線
の吸収がほとんど無いＡｇが特に好ましい。なお、必要
に応じて金属物質を２種以上併用してもよい。かかる金
属層の形成方法としては気相成長法が好ましく、さらに
真空蒸着法、スパッター法またはプラズマＣＶＤ法が特
に好ましい。かかる金属層の厚みは、本発明の構造体の
波長４００〜７５０ｎｍにおける全可視光透過率が７０
％以上及び波長７５０〜１０００ｎｍの近赤外線反射率
４０％以上の範囲を満足するように設定するべきであ
る。金属層の厚みは５〜１０００ｎｍの範囲が好まし
い。厚みが５ｎｍ未満であると表面抵抗値が高くなり、
十分な電界波シールド効果が発揮されず、他方１０００
ｎｍを超えると全可視光透過率が低下し透明性が悪くな
る。The transparent conductive film (A) used in the present invention is provided with a conductive layer on at least one surface of a base film. Examples of the metal material constituting the conductive layer include SnO 2 doped with Sb and In 2 doped with Sn.
A semiconductor thin film having a wide optical band gap and a high free electron density such as O 3 (ITO), or Au, Ag, C
Metals such as u and Al are exemplified. Among them, Ag, which hardly absorbs visible light, is particularly preferable. In addition, you may use 2 or more types of metal substances together as needed. As a method for forming such a metal layer, a vapor phase growth method is preferable, and a vacuum deposition method, a sputtering method or a plasma CVD method is particularly preferable. The thickness of such a metal layer is such that the total visible light transmittance of the structure of the present invention at a wavelength of 400 to 750 nm is 70.
% And a near-infrared reflectance at a wavelength of 750 to 1000 nm of 40% or more. The thickness of the metal layer is preferably in the range of 5 to 1000 nm. If the thickness is less than 5 nm, the surface resistance increases,
A sufficient electric field wave shielding effect is not exhibited,
If it exceeds nm, the total visible light transmittance decreases and the transparency deteriorates.
【００１８】本発明に用いられる透明導電性フィルム
（Ａ）には、可視光線の反射を抑制し透明性を高めるた
めに、透明で高屈折率である誘電体層を設けることが好
ましい。このような誘電体としては、ＴｉＯ2、Ｚｒ
Ｏ2、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3等が挙げられる。アルキルチタ
ネート又はアルキルジルコニウムの加水分解により得ら
れる有機化合物由来のＴｉＯ2又はＺｒＯ2が加工性に優
れるためさらに好ましい。加えて、誘電体層として酸化
インジウムや酸化錫も単一層又は多層にて適用できる。
かかる誘電体層の形成方法としては気相成長法が好まし
く、さらに真空蒸着法、スパッター法またはプラズマＣ
ＶＤ法が特に好ましい。また、誘電体層は、前述の金属
層をサンドウィチ状に挟む積層構成をとることにより、
透明性の改良効果が増すのでより好ましい。かかる誘電
体層の厚みは、本発明の構造体の光学特性範囲を満足す
るように前述の金属層と併せて設定することが必要であ
る。誘電体層の厚みは０〜７５０ｎｍの範囲が好まし
い。The transparent conductive film (A) used in the present invention is preferably provided with a transparent dielectric layer having a high refractive index in order to suppress reflection of visible light and enhance transparency. Such dielectrics include TiO 2 , Zr
O 2 , SnO 2 , In 2 O 3 and the like can be mentioned. TiO 2 or ZrO 2 derived from an organic compound obtained by hydrolysis of alkyl titanate or alkyl zirconium is more preferred because of excellent workability. In addition, indium oxide or tin oxide can be applied as a dielectric layer in a single layer or a multilayer.
As a method for forming such a dielectric layer, a vapor phase growth method is preferable, and further, a vacuum evaporation method, a sputtering method or a plasma C
The VD method is particularly preferred. Also, the dielectric layer has a laminated structure sandwiching the above-described metal layer in a sandwich shape,
This is more preferable because the effect of improving transparency is increased. It is necessary to set the thickness of such a dielectric layer together with the above-mentioned metal layer so as to satisfy the optical characteristic range of the structure of the present invention. The thickness of the dielectric layer is preferably in the range of 0 to 750 nm.
【００１９】このように積層された透明導電性フィルム
の導電層の表面抵抗としては、５Ω／□以下が好まし
い。表面抵抗値が５Ω／□以上を超えると、電界波シー
ルド効果が十分に発揮されない。さらに好ましい表面抵
抗値は３Ω／□以下である。また導電層端部に導電層の
表面抵抗値より低い表面抵抗値を持つ電極を設け、アー
スを取り出すことにより電界波シールド効果は更に発揮
される。The surface resistance of the conductive layer of the transparent conductive film thus laminated is preferably 5 Ω / □ or less. If the surface resistance exceeds 5Ω / □, the electric field wave shielding effect is not sufficiently exhibited. A more preferred surface resistance value is 3Ω / □ or less. Further, by providing an electrode having a surface resistance lower than the surface resistance of the conductive layer at the end of the conductive layer and extracting the ground, an electric field wave shielding effect is further exhibited.
【００２０】本発明で用いられる透明導電性フィルム
（Ａ）には、通常金属をスパッタリングにより積層する
ため耐熱性のあるベースフィルムが使用され、そのフィ
ルムを形成する樹脂は前述したように溶融する温度の高
い熱可塑性樹脂が選択される。このため、このベースフ
ィルムと溶融する温度が低い透明樹脂板との密着性は、
ベースフィルムの溶融温度が高くなり、両者の熱融着に
よる接着が困難となる。そこで、透明導電性フィルム
（Ａ）と透明樹脂板（Ｃ）との密着性を向上させるため
には、透明導電性フィルム（Ａ）の片面に溶融温度の低
い透明樹脂フィルム（Ｂ）を予め積層したフィルム積層
体とする必要がある。As the transparent conductive film (A) used in the present invention, a heat-resistant base film is usually used for laminating a metal by sputtering, and the resin forming the film has a melting temperature as described above. Is selected. For this reason, the adhesion between the base film and the transparent resin plate having a low melting temperature is
The melting temperature of the base film increases, and it becomes difficult to bond the two by thermal fusion. Therefore, in order to improve the adhesion between the transparent conductive film (A) and the transparent resin plate (C), a transparent resin film (B) having a low melting temperature is previously laminated on one surface of the transparent conductive film (A). It is necessary to make a film laminate.
【００２１】かかる透明樹脂フィルム（Ｂ）を形成する
樹脂としては熱可塑性樹脂が好ましく、透明樹脂フィル
ム（Ｂ）を形成する樹脂の融点（Ｔｍ）は透明導電性フ
ィルム（Ａ）を形成する樹脂の融点（Ｔｍｒ）より低い
ことが必要である。The resin forming the transparent resin film (B) is preferably a thermoplastic resin, and the melting point (Tm) of the resin forming the transparent resin film (B) is the same as that of the resin forming the transparent conductive film (A). It is necessary to be lower than the melting point (Tmr).
【００２２】本発明において樹脂の融点とは、結晶性で
あって、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）にて明確なピーク
が認められる樹脂の場合はそのピーク温度を融点（℃）
とし、それ以外の非晶性樹脂の場合はガラス転移温度
（℃）を融点と定義する。なお、特にビスフェノールＡ
をジヒドロキシ成分とするポリカーボネート樹脂は「ポ
リカーボネート樹脂ハンドブック」（日刊工業新聞社
刊、初版１刷発行、１９９２）に記載されている融点を
融点（℃）として取り扱うことにする。In the present invention, the melting point of the resin is crystalline, and in the case of a resin having a distinct peak in differential scanning calorimetry (DSC), the peak temperature is determined by the melting point (° C.).
In the case of other amorphous resins, the glass transition temperature (° C.) is defined as the melting point. In particular, bisphenol A
Is treated as the melting point (° C.) described in “Polycarbonate Resin Handbook” (published by Nikkan Kogyo Shimbun, First Edition, First Edition, 1992).
【００２３】かかる透明樹脂フィルム（Ｂ）を形成する
樹脂としては、熱可塑性樹脂が好ましく、特に融点が１
００〜２４０℃を有する樹脂が好ましい。特にポリエチ
レンテレフタレートに代表されるポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリエチレンおよびポリプロピレン等が例
示される。前記透明導電性フィルム（Ａ）のベースフィ
ルムが二軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルムで
ある場合には、透明樹脂フィルム（Ｂ）はポリカーボネ
ートフィルムまたは共重合ポリエチレンテレフタレート
フィルムであることが好ましい。この共重合ポリエチレ
ンテレフタレートは、その融点が１８０〜２４０℃であ
るのが有利である。The resin forming the transparent resin film (B) is preferably a thermoplastic resin, and particularly has a melting point of 1
Resins having a temperature between 00 and 240 ° C are preferred. Particularly, polyester, polycarbonate, polyethylene, polypropylene and the like represented by polyethylene terephthalate are exemplified. When the base film of the transparent conductive film (A) is a biaxially oriented polyethylene terephthalate film, the transparent resin film (B) is preferably a polycarbonate film or a copolymerized polyethylene terephthalate film. This copolymerized polyethylene terephthalate advantageously has a melting point of from 180 to 240 ° C.
【００２４】上記共重合ポリエチレンテレフタレートの
共重合成分としては、酸成分でもグリコール成分でも良
く、酸成分としてはイソフタル酸、フタル酸、ナフタレ
ンジカルボン酸の如き芳香族二塩基酸；アジピン酸、ア
ゼライン酸、セバシン酸、デカンジカルボン酸の如き脂
環族ジカルボン酸が例示できる。またグリコール成分と
してはブタンジオール、ヘキサンジオール等の如き脂肪
族ジオール；シクロヘキサンジメタノールの如き脂環族
ジオール等が例示できる。これらは単独又は二種以上使
用することができる。The copolymerized component of the copolymerized polyethylene terephthalate may be an acid component or a glycol component, and the acid component may be an aromatic dibasic acid such as isophthalic acid, phthalic acid or naphthalenedicarboxylic acid; adipic acid, azelaic acid, Alicyclic dicarboxylic acids such as sebacic acid and decane dicarboxylic acid can be exemplified. Examples of the glycol component include aliphatic diols such as butanediol and hexanediol; and alicyclic diols such as cyclohexanedimethanol. These can be used alone or in combination of two or more.
【００２５】また、上記ポリカーボネートとしてはビス
フェノールをジヒドロキシ成分とする芳香族系ポリカー
ボネートを挙げることできる。特に、イソプロピリデン
基を介してフェノールが結合しているビスフェノールＡ
をジヒドロキシ成分とするポリカーボネートは良好な熱
的性質を有しかつ透明樹脂板（Ｃ）との接着性に優れて
いるので好ましい。The above polycarbonates include aromatic polycarbonates containing bisphenol as a dihydroxy component. In particular, bisphenol A to which phenol is bonded via an isopropylidene group
Is preferred because it has good thermal properties and excellent adhesion to the transparent resin plate (C).
【００２６】さらに透明樹脂フィルム（Ｂ）を形成する
熱可塑性樹脂として、ポリカーボネート／ポリエチレン
テレフタレートアロイ等またはそのアロイを改質したも
のを用いてもよい。Further, as the thermoplastic resin forming the transparent resin film (B), polycarbonate / polyethylene terephthalate alloy or the like or a modified version of the alloy may be used.
【００２７】透明樹脂フィルム（Ｂ）の厚みとしては２
５〜７５０μｍが好ましい。２５μｍ未満になると外観
不良となる。特に好ましい厚みは５０〜５００μｍであ
る。The thickness of the transparent resin film (B) is 2
5-750 μm is preferred. If it is less than 25 μm, the appearance will be poor. A particularly preferred thickness is 50 to 500 μm.
【００２８】透明導電性フィルム（Ａ）に透明樹脂フィ
ルム（Ｂ）を積層する方法としては、大別して２つの方
法がある。There are roughly two methods for laminating the transparent resin film (B) on the transparent conductive film (A).
【００２９】１つは透明導電性フィルム（Ａ）のベース
フィルムを製膜する際、透明樹脂フィルム（Ｂ）を共押
し出し法により押出して積層することができる。この場
合、共押出し法により得られた積層フィルムは、フィル
ム（Ａ）のベースフィルム表面に透明導電層をスパッタ
リング法により形成させる。One is that when the base film of the transparent conductive film (A) is formed, the transparent resin film (B) can be laminated by extruding by a co-extrusion method. In this case, in the laminated film obtained by the co-extrusion method, a transparent conductive layer is formed on the surface of the base film of the film (A) by a sputtering method.
【００３０】その他の方法として、透明導電性フィルム
（Ａ）のベース面と透明樹脂フィルム（Ｂ）をアクリル
系またはウレタン系の如き接着剤によりラミネートする
ことによりフィルム積層体を構成しても良い。As another method, a film laminate may be formed by laminating the base surface of the transparent conductive film (A) and the transparent resin film (B) with an adhesive such as acrylic or urethane.
【００３１】本発明の透明導電性フィルム（Ａ）と透明
樹脂フィルム（Ｂ）を積層したフィルム積層体は、その
総厚みが５０〜１０００μｍの範囲、好ましくは７５〜
７５０μｍの範囲であるのが有利である。この総厚みが
５０μｍよりも薄いとハンドリングや加工の操作が困難
となり、歩留まりが低下し、他方１０００μｍを超える
とフィルムの長尺ロール品として取り扱いにくくなる。The film laminate of the present invention in which the transparent conductive film (A) and the transparent resin film (B) are laminated has a total thickness in the range of 50 to 1000 μm, preferably 75 to 1000 μm.
Advantageously, it is in the range of 750 μm. When the total thickness is less than 50 μm, handling and processing operations become difficult, and the yield decreases. On the other hand, when the total thickness exceeds 1000 μm, it becomes difficult to handle the film as a long roll product.
【００３２】本発明の透明電界波シールド性構造体は、
ディスプレイ用の表示部分に使用されるため透明性が必
要であり、該構造体のヘーズ値は４％以下であることが
必要である。ヘーズ値が４％を超えると透明感が不良と
なるので好ましくない。したがって透明導電性フィルム
（Ａ）のベースフィルムや積層する透明樹脂フィルム
（Ｂ）には不純物が少なく透明性を維持する添加剤を使
用するのが好ましい。The transparent electric wave shielding structure of the present invention comprises:
Since it is used for a display portion for a display, transparency is required, and the haze value of the structure needs to be 4% or less. If the haze value exceeds 4%, the transparency becomes poor, which is not preferable. Therefore, it is preferable to use an additive containing a small amount of impurities and maintaining transparency in the base film of the transparent conductive film (A) and the transparent resin film (B) to be laminated.
【００３３】また、本発明の透明電界波シールド性構造
体は、開口部の透明部分の透明性の維持および導電効果
を機能させるため、波長４００〜７５０ｎｍにおける積
分可視光透過率が７０％以上、好ましくは７５％以上、
および波長７５０〜１０００ｎｍの積分近赤外線反射率
が４０％以上であることが必要である。積分可視光透過
率７０％未満であると構造体の透明性が低下するので好
ましくなく、積分近赤外線反射率が４０％未満となると
構造体の近赤外反射効果が低下するので好ましくない。The transparent electric wave shielding structure of the present invention has an integrated visible light transmittance of 70% or more at a wavelength of 400 to 750 nm in order to maintain the transparency of the transparent portion of the opening and to function as a conductive material. Preferably at least 75%,
In addition, it is necessary that the integrated near-infrared reflectance at a wavelength of 750 to 1000 nm is 40% or more. If the integrated visible light transmittance is less than 70%, the transparency of the structure is reduced, which is not preferable. If the integrated near-infrared reflectance is less than 40%, the near-infrared reflection effect of the structure is undesirably reduced.
【００３４】次に、前記フィルム積層体を透明性樹脂板
（Ｃ）に積層した透明電界波シールド性構造体について
説明する。この構造体は、前記フィルム積層体における
透明樹脂フィルム（Ｂ）面側に透明樹脂板（Ｃ）を積層
し、その積層形態は接着剤や粘着剤を使用しないで両者
の表面が直接固着している点に特徴がある。この固着は
後述する方法により行われるが、両者はそれらの融着ま
たは熱接着によって強固に密着される。Next, a transparent electric field wave shielding structure in which the above-mentioned film laminate is laminated on a transparent resin plate (C) will be described. In this structure, a transparent resin plate (C) is laminated on the transparent resin film (B) surface side of the film laminate, and the laminated form is such that both surfaces are directly fixed without using an adhesive or an adhesive. There is a feature in the point. This fixation is performed by a method described later, and the two are firmly adhered to each other by fusion or thermal bonding.
【００３５】透明樹脂板（Ｃ）は、通常有機ガラスとし
て利用されるものであり、透明性および強度を有するも
のであればよい。具体的には、ポリカーボネート樹脂、
ポリメチルメタクリレート樹脂、アクリロニトリル−ス
チレン樹脂、ポリスチレン樹脂、メチルメタクリレート
−スチレン共重合体またはポリオレフィン樹脂より形成
された透明板が挙げられる。これらの中、ポリカーボネ
ート樹脂板が最も好適である。透明樹脂板（Ｃ）は、２
〜１５ｍｍの厚さ、好ましくは３〜１２ｍｍの厚さを有
するものが実用的である。The transparent resin plate (C) is usually used as an organic glass, and may be any as long as it has transparency and strength. Specifically, polycarbonate resin,
A transparent plate formed of a polymethyl methacrylate resin, an acrylonitrile-styrene resin, a polystyrene resin, a methyl methacrylate-styrene copolymer, or a polyolefin resin is exemplified. Of these, a polycarbonate resin plate is most preferred. The transparent resin plate (C) is 2
Those having a thickness of １５15 mm, preferably a thickness of 3〜12 mm are practical.
【００３６】本発明者の研究によれば、フィルム積層体
と透明樹脂板（Ｃ）との積層は、下記２つの方法によっ
て有利に実施できることが見出された。According to the study of the present inventor, it has been found that the lamination of the film laminate and the transparent resin plate (C) can be advantageously performed by the following two methods.
【００３７】＜成形方法（Ｉ）＞片面に導電層を有する
透明導電フィルム（Ａ）および透明樹脂フィルム（Ｂ）
よりなるフィルム積層体の透明樹脂フィルム（Ｂ）側の
表面において溶融した透明樹脂を板状に成形せしめる方
法。この成形方法（Ｉ）は、フィルム積層体のフィルム
（Ｂ）面上において溶融した透明樹脂を板状に成形させ
る方法であり、フィルム積層体を金型の一方の面に貼付
しておき、金型内に溶融した樹脂を流し込む方法（射出
成形法）が有利である。また、フィルム積層体を水平に
配置してその上に溶融した樹脂を流延して成形すること
も可能である。<Molding method (I)> Transparent conductive film (A) having a conductive layer on one side and transparent resin film (B)
A method in which a transparent resin melted on the surface of the transparent resin film (B) side of the film laminate is formed into a plate shape. This molding method (I) is a method in which a transparent resin melted on the film (B) surface of the film laminate is molded into a plate shape. The film laminate is attached to one surface of a mold, and A method of pouring a molten resin into a mold (injection molding method) is advantageous. It is also possible to arrange the film laminate horizontally and cast a molten resin thereon to form the film.
【００３８】＜成形方法（II）＞片面に導電層を有する
透明導電性フィルム（Ａ）および透明樹脂フィルム
（Ｂ）よりなるフィルム積層体をその透明樹脂フィルム
（Ｂ）側の表面において加熱された透明樹脂板（Ｃ）に
熱圧着せしめる方法。この成形方法（II）は、あらかじ
め成形された透明樹脂板（Ｃ）を使用し、これに透明フ
ィルム積層体を熱圧着させる方法である。熱圧着は、フ
ィルム積層体における透明樹脂フィルム（Ｂ）の融点
（Ｔｍ）〜（Ｔｍ＋１１０）℃の範囲に透明樹脂板
（Ｃ）の積層面を少なくとも加熱して行われる。かくし
てフィルム積層体と透明樹脂板（Ｃ）が積層された構造
体を得ることができる。<Molding Method (II)> A film laminate comprising a transparent conductive film (A) having a conductive layer on one side and a transparent resin film (B) was heated on the surface on the transparent resin film (B) side. A method of thermocompression bonding to a transparent resin plate (C). This molding method (II) is a method in which a transparent resin plate (C) molded in advance is used, and a transparent film laminate is thermocompression-bonded thereto. The thermocompression bonding is performed by heating at least the laminated surface of the transparent resin plate (C) to a temperature within the range of the melting point (Tm) to (Tm + 110) ° C. of the transparent resin film (B) in the film laminate. Thus, a structure in which the film laminate and the transparent resin plate (C) are laminated can be obtained.
【００３９】前記の方法により得られた透明電界波シー
ルド性構造体は、全体の厚みが２．５〜１６ｍｍ、好ま
しくは５〜１２ｍｍの範囲であることが望ましい。It is desirable that the transparent electric field wave shielding structure obtained by the above method has a total thickness of 2.5 to 16 mm, preferably 5 to 12 mm.
【００４０】[0040]
【実施例】以下、本発明を実施例により詳述する。な
お、フィルムの特性の測定は、以下の方法にしたがって
実施した。The present invention will be described below in detail with reference to examples. In addition, the measurement of the characteristic of the film was implemented according to the following method.
【００４１】（１）融点の測定 透明導電性フィルム（Ａ）のベースフィルムおよび透明
樹脂フィルム（Ｂ）をそれぞれ単独にて、Dupont Instr
uments 910 DSCを用い、昇温速度２０℃／分で測定する
方法による。尚サンプル量は約２０ｍｇとする。(1) Measurement of Melting Point Each of the base film of the transparent conductive film (A) and the transparent resin film (B) was separately used by Dupont Instr.
uments 910 DSC at a heating rate of 20 ° C./min. The sample amount is about 20 mg.
【００４２】（２）積分可視光透過率及び積分近赤外線
透過率 両特性共、島津製作所 ＵＶ−３１０１ＰＣ型を用いて
透明導電性フィルム積層体について、下記の波長範囲で
測定し、積分可視透過率および積分近赤外反射率をＪＩ
Ｓ Ａ５７５９に基づき計算する。 可視光領域 ４００−７５０ｎｍ 近赤外光領域 ７５０−１０００ｎｍ(2) Integrated Visible Light Transmittance and Integrated Near-Infrared Transmittance Both characteristics were measured for the transparent conductive film laminate using Shimadzu Corporation UV-3101PC in the following wavelength range, and the integrated visible light transmittance was measured. And integrated near-infrared reflectance
Calculated based on SA5759. Visible light region 400-750 nm Near infrared light region 750-1000 nm
【００４３】（３）ヘーズ 日本電色工業社製のヘーズ測定器（NDH−２D)を使用
し、測定する。(3) Haze The haze is measured using a haze meter (NDH-2D) manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.
【００４４】（４）透明性 構造体のサンプルを１００℃ｘ２４Ｈｒ処理し、透視性
について目視観察を実施し、下記の基準で評価する。 ○：透過視認性良好 ×：視認性不良（気泡発生など）(4) Transparency A sample of the structure was treated at 100 ° C. for 24 hours, and the transparency was visually observed and evaluated according to the following criteria. ：: Good transmission visibility ×: Poor visibility (bubble generation, etc.)
【００４５】（５）密着性 構造体の透明導電性フィルム表面を、カッターで２５個
の碁盤目（２ｍｍ□／個）ができるように切り目を入れ
る。この碁盤目上にセロテープを貼付し、セロテープ剥
離したときの残りの碁盤目の数から下記の基準で評価す
る。 〇：２５ △：２０〜２４ ×：１９以下(5) Adhesion The surface of the transparent conductive film of the structure is cut with a cutter so as to make 25 grids (2 mm □ / piece). A cellophane tape is stuck on the grid and the number of remaining grids when the cellophane tape is peeled off is evaluated according to the following criteria. 〇: 25 △: 20 to 24 ×: 19 or less
【００４６】（６）電界波シールド効果 電界波シールド効果は次式で定義される。この数値が大
きければシールド効果が高い。 ＳＥ＝２０Ｌｏｇ（Ｅｉ／Ｅｔ） ここで、ＳＥはShield effectiveness(dB)、Ｅｉは入射
電界強度（Ｖ／ｍ）、Ｅｔは伝送電界強度（Ｖ／ｍ）を
表わす。そして、得られた測定値から下記の基準で評価
した。 ＳＥ＝５０ｄＢ以上 ：◎ ＳＥ＝４０以上５０ｄＢ未満：○ ＳＥ＝４０ｄＢ未満 ：× 電界波シールド特性の測定に関しては、ＫＥＣ（関西電
子工業振興センター）にて実施した。(6) Electric Wave Shield Effect The electric wave shield effect is defined by the following equation. If this value is large, the shielding effect is high. SE = 20 Log (Ei / Et) Here, SE indicates Shield effectiveness (dB), Ei indicates incident electric field intensity (V / m), and Et indicates transmission electric field intensity (V / m). And the following criteria evaluated from the obtained measured value. SE = 50 dB or more: SE = 40 or more and less than 50 dB: SE = less than 40 dB: × The measurement of the electric field wave shielding property was performed by KEC (Kansai Electronic Industry Promotion Center).
【００４７】［実施例１］厚さ５０μｍの二軸配向ポリ
エチレンテレフタレートフィルム（以下ＰＥＴフィルム
と記述する。なおＰＥＴの融点は２５５℃である。）の
片面に、厚さ３０ｎｍの酸化インジウム層（誘電体層：
第１層）を設け、次に第１層の表面に、厚さ８ｎｍの銀
薄膜層（金属層：第２層）を設け、次に厚さ６０ｎｍの
酸化インジウム層（誘電体層：第３層）を設け、次に厚
さ１０ｎｍの銀薄膜層（金属層：第４層）を設け、次に
厚さ６０ｎｍの酸化インジウム層（誘電体層：第５層）
を設け、次に厚さ８ｎｍの銀薄膜層（金属層：第６層）
を設け、次に厚さ３０ｎｍの酸化インジウム層（誘電体
層：第７層）を順次設けた透明導電性フィルム（Ａ）を
作製した。この導電層の表面抵抗値は３Ω／□であっ
た。次に、イソフタル酸を１２ｍｏｌ％共重合したポリ
エチレンテレフタレート（共重合ＰＥＴ）を２８０℃で
溶融押し出し、急冷固化して未延伸フィルムとし、つい
で未延伸フィルムを縦延伸温度１００℃で３．０倍延伸
し、次いで横延伸開始温度１１０℃で終了温度１６０℃
倍率３．１倍で逐次延伸し、次いで１９０℃で熱固定し
て厚み５０μｍの透明樹脂フィルム（Ｂ）を作成した。
この透明樹脂フィルム（Ｂ）を前述の透明導電性フィル
ム（Ａ）のＰＥＴ面にウレタン系接着剤を用いラミネー
ト接着を行ない、フィルム積層体を作製した。次いで、
このフィルム積層体を押出し成形用金型にセットし、透
明樹脂フィルム（Ｂ）側の面に、３２５℃に加熱溶融さ
れたポリカーボネートを射出成形し、ポリカーボネート
透明樹脂板（厚さ５ｍｍ）を得た。さらに導電層端部に
銀ペーストよりなる電極を作製しアースを設けた。この
構造体の特性を表１に示す。Example 1 A 30-nm thick indium oxide layer (dielectric) was formed on one side of a biaxially oriented polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 μm (hereinafter referred to as a PET film; the melting point of PET is 255 ° C.). Body layer:
A first layer), a silver thin film layer (metal layer: second layer) having a thickness of 8 nm is provided on the surface of the first layer, and then an indium oxide layer (dielectric layer: third layer) having a thickness of 60 nm is provided. Layer), then a 10 nm-thick silver thin layer (metal layer: fourth layer), and then a 60 nm-thick indium oxide layer (dielectric layer: fifth layer)
, And then a silver thin film layer (metal layer: sixth layer) having a thickness of 8 nm.
Was provided, and a transparent conductive film (A) in which a 30 nm-thick indium oxide layer (dielectric layer: seventh layer) was sequentially provided was produced. The surface resistance of this conductive layer was 3Ω / □. Next, polyethylene terephthalate (copolymerized PET) obtained by copolymerizing 12% by mole of isophthalic acid is melt-extruded at 280 ° C., solidified by quenching to form an unstretched film, and then stretched 3.0 times at a longitudinal stretching temperature of 100 ° C. Then, the transverse stretching start temperature is 110 ° C and the end temperature is 160 ° C.
The film was sequentially stretched at a magnification of 3.1 times, and then heat-set at 190 ° C. to form a transparent resin film (B) having a thickness of 50 μm.
The transparent resin film (B) was laminated and bonded to the PET surface of the transparent conductive film (A) using a urethane-based adhesive to produce a film laminate. Then
This film laminate was set in a die for extrusion molding, and polycarbonate heated and melted at 325 ° C. was injection-molded on the surface on the side of the transparent resin film (B) to obtain a polycarbonate transparent resin plate (5 mm thick). . Further, an electrode made of a silver paste was formed at the end of the conductive layer, and a ground was provided. Table 1 shows the characteristics of this structure.
【００４８】［実施例２］厚さ５０μｍのＰＥＴフィル
ム（透明導電フィルムのベースフィルム）を製膜する
際、実施例１と同じ共重合ＰＥＴを同時にダイより押し
出し実施例１と同じ方法で積層フィルムを作成した。こ
の積層フィルムのＰＥＴ面に実施例１と同じ方法で導電
層を設け、さらに実施例１と同じ方法で構造体を作成し
た。この構造体の特性を表１に示す。Example 2 When forming a 50 μm thick PET film (base film of a transparent conductive film), the same copolymerized PET as in Example 1 was simultaneously extruded from a die, and a laminated film was formed in the same manner as in Example 1. It was created. A conductive layer was provided on the PET surface of the laminated film in the same manner as in Example 1, and a structure was formed in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the characteristics of this structure.
【００４９】［実施例３］共重合ＰＥＴの代わりに厚さ
１００μｍのポリカーボネートフィルムを使用する以外
は実施例１と同じ方法でフィルム積層体を作成し、さら
に実施例１と同じ方法でポリカーボネート透明樹脂板を
積層した。この構造体の特性を表１に示す。Example 3 A film laminate was prepared in the same manner as in Example 1 except that a polycarbonate film having a thickness of 100 μm was used instead of copolymerized PET, and a polycarbonate transparent resin was produced in the same manner as in Example 1. The boards were laminated. Table 1 shows the characteristics of this structure.
【００５０】［比較例１］厚さ１００μｍのＰＥＴフィ
ルム（透明導電フィルムの基材フィルム）を用い、共重
合ＰＥＴを積層しない以外は実施例１と同じ方法で透明
導電性フィルムを作成し、さらに実施例１と同じ方法で
ポリカーボネート透明樹脂板を積層した。この構造体の
特性を表１に示す。なお、上記透明導電性フィルムは、
実施例１の透明樹脂フィルム（Ｂ）に共重合ＰＥＴフィ
ルムに代えてＰＥＴフィルムを用いたものと同等であ
る。Comparative Example 1 A transparent conductive film was prepared in the same manner as in Example 1, except that a PET film (base film of a transparent conductive film) having a thickness of 100 μm was used and no copolymerized PET was laminated. A polycarbonate transparent resin plate was laminated in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the characteristics of this structure. Incidentally, the transparent conductive film,
This is the same as the transparent resin film (B) of Example 1 except that a PET film was used instead of the copolymerized PET film.
【００５１】［比較例２］実施例１で作製した透明導電
性フィルムを、厚さ５ｍｍのポリカーボネート樹脂板に
粘着剤を介して貼り付け、構造体を作製した。この構造
体の特性を表１に示す。Comparative Example 2 The transparent conductive film produced in Example 1 was adhered to a 5 mm-thick polycarbonate resin plate via an adhesive to produce a structure. Table 1 shows the characteristics of this structure.
【００５２】[0052]
【表１】 --------------------------------------------------------------------- 透明樹脂 ヘーズ 可視光 近赤外 密着性 透明性 シールド の融点 透過率 反射率 効果 (℃) (％) (％) (％) --------------------------------------------------------------------- 実施例１ ２０２ ３．４ ７２ ４３ ○ ○ ○ 実施例２ ２０２ ３．６ ７３ ４３ ○ ○ ○ 実施例３ ２２０ ２．７ ７６ ４３ ○ ○ ○ 比較例１ ２５５ ２．２ ７１ ４３ × ○ ○ 比較例２ − ４．２ ６８ ４３ △ × ○ ---------------------------------------------------------------------[Table 1] ---------------------------------------------- ----------------------- Transparent resin Haze Visible light Near infrared Adhesion Transparency Shielding melting point Transmittance Reflectivity effect (℃) (%) ( %) (%) --------------------------------------------- ------------------------ Example 1 202 3.4 72 43 ○ ○ ○ Example 2 202 3.6 73 73 43 ○ ○ ○ Example 3 220 2.7 76 43 ○ ○ ○ Comparative Example 1 255 2.2 27 43 × ○ ○ Comparative Example 2-4.2 6843 △ × ○ ---------------- -------------------------------------------------- ---
【００５３】[0053]
【発明の効果】本発明によれば、透明性、電界波シール
ド性、密着性に優れた透明導電構造体を提供することが
できる。According to the present invention, it is possible to provide a transparent conductive structure excellent in transparency, electric wave shielding properties and adhesion.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F100 AB01A AB24 AK01C AK01D AK03D AK12D AK12J AK25D AK25J AK27D AK27J AK42B AK42C AK45C AK45D AK51G AL01C AL01D AR00A AT00B BA04 BA07 BA10A BA10D BA26 CB03 EA061 EC032 EH012 EH171 EJ172 EJ38B EJ422 GB41 JA04B JA04C JD08 JG01A JG04A JG05A JL11 JN01 JN01B JN01C JN01D JN06 JN08 JN30 YY00 YY00A YY00B YY00C 5E321 AA04 BB23 BB25 CC16 GG05 GH01 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page F term (reference) 4F100 AB01A AB24 AK01C AK01D AK03D AK12D AK12J AK25D AK25J AK27D AK27J AK42B AK42C AK45C AK45D AK51G AL01C AL01D AR00A AT00B BA04 BA07 BA10EBA EB51 BA03 BA10 BA03 BA10 BA03 BA10 JG01A JG04A JG05A JL11 JN01 JN01B JN01C JN01D JN06 JN08 JN30 YY00 YY00A YY00B YY00C 5E321 AA04 BB23 BB25 CC16 GG05 GH01
Claims (16)
透明導電性フィルム（Ａ）、（２）透明樹脂フィルム
（Ｂ）および（３）透明樹脂版（Ｃ）をこの順序で互い
に積層された構造体であって、(i) 該透明樹脂フィルム
（Ｂ）を形成する樹脂の融点（Ｔｍ）は該透明導電性フ
ィルム（Ａ）を形成する基材樹脂の融点（Ｔｍｒ）より
低く、(ii) 該構造体のヘーズ値が４％以下、(iii) 該
構造体の波長４００〜７５０ｎｍの全可視光透過率が７
０％以上、(iv) 該構造体の波長７５０〜１０００ｎｍ
の近赤外線反射率が４０％以上であり、かつ(v) 該構造
体の１０００〜２０００Ｈｚの電界波シールド効果が４
０ｄｂ以上であることを特徴とする透明電界波シールド
性構造体。1. A transparent conductive film (A) having a conductive layer on at least one side, (2) a transparent resin film (B) and (3) a transparent resin plate (C) are laminated on each other in this order. (I) the melting point (Tm) of the resin forming the transparent resin film (B) is lower than the melting point (Tmr) of the base resin forming the transparent conductive film (A); And (iii) the structure has a total visible light transmittance of 7 at a wavelength of 400 to 750 nm.
0% or more, (iv) the wavelength of the structure is 750 to 1000 nm
Has a near-infrared reflectance of 40% or more, and (v) the structure has an electric field wave shielding effect of 1000 to 2000 Hz of 4%.
A transparent electric-field-wave shielding structure, which is at least 0 db.
レンテレフタレートフィルムまたはポリエチレンナフタ
レートフィルムよりなる二軸配向フィルムをベースフィ
ルムとして形成されている請求項１記載の透明電界波シ
ールド性構造体。2. The transparent electric wave shielding structure according to claim 1, wherein the transparent conductive film (A) is formed using a biaxially oriented film made of a polyethylene terephthalate film or a polyethylene naphthalate film as a base film.
ィルムの少なくとも片面に金属層および誘電体層を交互
に積層させた導電層を有し、かつその表面抵抗値が５Ω
／□以下である請求項１記載の透明電界波シールド性構
造体。3. The transparent conductive film (A) has a conductive layer in which a metal layer and a dielectric layer are alternately laminated on at least one surface of a base film, and has a surface resistance of 5Ω.
The transparent electric field wave shielding structure according to claim 1, wherein the ratio is not more than / □.
ルムの厚みが２５〜２５０μｍの範囲である請求項１記
載の透明電界波シールド性構造体。4. The transparent electric wave shielding structure according to claim 1, wherein the thickness of the base film of the transparent conductive film (A) is in the range of 25 to 250 μm.
０〜２４０℃である共重合ポリエチレンテレフタレート
より形成されたフィルムである請求項１記載の透明電界
波シールド性構造体。5. The transparent resin film (B) having a melting point of 18
The transparent electric wave shielding structure according to claim 1, which is a film formed from copolymerized polyethylene terephthalate at 0 to 240C.
ネート樹脂より形成されたフィルムである請求項１記載
の透明電界波シールド性構造体。6. The transparent electric wave shielding structure according to claim 1, wherein the transparent resin film (B) is a film formed of a polycarbonate resin.
〜７５０μｍの範囲である請求項１記載の透明電界波シ
ールド性構造体。7. The transparent resin film (B) having a thickness of 25
The transparent electric wave shielding structure according to claim 1, wherein the thickness is in a range of from 750 μm to 750 μm.
樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、アクリロニトリ
ル−スチレン共重合体、ポリスチレン樹脂、メチルメタ
クリレート−スチレン共重合体またはポリオレフィン樹
脂から形成された板である請求項１記載の透明電界波シ
ールド性構造体。8. The transparent resin plate (C) is a plate formed from a polycarbonate resin, a polymethyl methacrylate resin, an acrylonitrile-styrene copolymer, a polystyrene resin, a methyl methacrylate-styrene copolymer or a polyolefin resin. 2. The transparent electric field wave shielding structure according to 1.
樹脂より形成された板である請求項１記載の透明電界波
シールド性構造体。9. The transparent electric field wave shielding structure according to claim 1, wherein the transparent resin plate (C) is a plate formed of a polycarbonate resin.
ｍの範囲である請求項１記載の透明電界波シールド性構
造体。10. The thickness of the transparent resin plate (C) is 2 to 15 m.
The transparent electric wave shielding structure according to claim 1, wherein the range is m.
樹脂フィルム（Ｂ）が接着剤層を介して互いに接着され
ているか、あるいは直接両者の固着により積層されてい
る請求項１記載の透明電界波シールド性構造体。11. The transparent electric field wave according to claim 1, wherein the transparent conductive film (A) and the transparent resin film (B) are adhered to each other via an adhesive layer, or are laminated by directly fixing both. Shield structure.
脂板（Ｃ）が直接両者の表面の固着により積層されてい
る請求項１記載の透明電界波シールド性構造体。12. The transparent electric field wave shielding structure according to claim 1, wherein the transparent resin film (B) and the transparent resin plate (C) are laminated by directly fixing both surfaces.
である請求項１記載の透明電界波シールド性構造体。13. The transparent electric wave shielding structure according to claim 1, wherein the entire thickness is in a range of 2.5 to 16 mm.
記載の透明電界波シールド性構造体。14. The method according to claim 1, wherein a ground is provided on the surface of the conductive layer.
The transparent electric field wave shielding structure according to the above.
ルム（Ａ）および透明樹脂フィルム（Ｂ）よりなる積層
体の透明樹脂フィルム（Ｂ）側の表面において、溶融し
た透明樹脂を板状に成形せしめることを特徴とする請求
項１記載の透明導電性構造体の製造方法。15. On a transparent resin film (B) side surface of a laminate comprising a transparent conductive film (A) having a conductive layer on one side and a transparent resin film (B), a molten transparent resin is formed into a plate shape. The method for producing a transparent conductive structure according to claim 1, wherein:
フィルム（Ａ）および透明樹脂フィルム（Ｂ）よりなる
積層体をその透明樹脂フィルム（Ｂ）側の表面におい
て、加熱された透明樹脂板（Ｃ）に熱圧着せしめること
を特徴とする請求項１記載の透明導電性構造体の製造方
法。16. A laminate comprising a transparent conductive film (A) having a transparent conductive layer on one side and a transparent resin film (B) is heated on the transparent resin film (B) side on a transparent resin plate ( 2. The method for producing a transparent conductive structure according to claim 1, wherein the transparent conductive structure is subjected to thermocompression bonding.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00305399A JP4390885B2 (en) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | Transparent field wave shielding structure and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00305399A JP4390885B2 (en) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | Transparent field wave shielding structure and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208983A true JP2000208983A (en) | 2000-07-28 |
| JP4390885B2 JP4390885B2 (en) | 2009-12-24 |
Family
ID=11546593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00305399A Expired - Fee Related JP4390885B2 (en) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | Transparent field wave shielding structure and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4390885B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003178876A (en) * | 2001-12-07 | 2003-06-27 | Sony Corp | Self-luminous display equipment |
| JP2005254584A (en) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Tsutsunaka Plast Ind Co Ltd | Conductive polyester-based resin sheet |
| JP2009255503A (en) * | 2008-03-18 | 2009-11-05 | Toppan Printing Co Ltd | Manufacturing method of plastic molded product and plastic molded product |
| CN116683193A (en) * | 2023-07-06 | 2023-09-01 | 北京航空航天大学 | Frequency selective wave absorbing device with multiple switchable wave-transparent windows |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01278800A (en) * | 1988-05-02 | 1989-11-09 | Nitto Denko Corp | Static electricity and electromagnetic wave shielding material |
| JPH0666135U (en) * | 1993-02-26 | 1994-09-16 | サンクス株式会社 | Photoelectric sensor |
| JPH07142817A (en) * | 1993-11-19 | 1995-06-02 | Dainippon Printing Co Ltd | One-piece printed wiring board molded product |
| JPH08201791A (en) * | 1995-01-31 | 1996-08-09 | Teijin Ltd | Transparent electrode substrate |
| JPH10178294A (en) * | 1996-12-18 | 1998-06-30 | Sekisui Chem Co Ltd | Electromagnetic shield plate and its manufacture |
| JPH10217380A (en) * | 1996-05-28 | 1998-08-18 | Mitsui Chem Inc | Transparent laminate and filter for display using the same |
| JPH10278208A (en) * | 1997-04-09 | 1998-10-20 | Daicel Chem Ind Ltd | Composite film for interior finishing material, composite sheet for interior finishing material using the same, and laminate |
| JPH10284875A (en) * | 1997-04-08 | 1998-10-23 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Light transmitting electromagnetic wave shielding panel |
-
1999
- 1999-01-08 JP JP00305399A patent/JP4390885B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01278800A (en) * | 1988-05-02 | 1989-11-09 | Nitto Denko Corp | Static electricity and electromagnetic wave shielding material |
| JPH0666135U (en) * | 1993-02-26 | 1994-09-16 | サンクス株式会社 | Photoelectric sensor |
| JPH07142817A (en) * | 1993-11-19 | 1995-06-02 | Dainippon Printing Co Ltd | One-piece printed wiring board molded product |
| JPH08201791A (en) * | 1995-01-31 | 1996-08-09 | Teijin Ltd | Transparent electrode substrate |
| JPH10217380A (en) * | 1996-05-28 | 1998-08-18 | Mitsui Chem Inc | Transparent laminate and filter for display using the same |
| JPH10178294A (en) * | 1996-12-18 | 1998-06-30 | Sekisui Chem Co Ltd | Electromagnetic shield plate and its manufacture |
| JPH10284875A (en) * | 1997-04-08 | 1998-10-23 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Light transmitting electromagnetic wave shielding panel |
| JPH10278208A (en) * | 1997-04-09 | 1998-10-20 | Daicel Chem Ind Ltd | Composite film for interior finishing material, composite sheet for interior finishing material using the same, and laminate |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003178876A (en) * | 2001-12-07 | 2003-06-27 | Sony Corp | Self-luminous display equipment |
| JP2005254584A (en) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Tsutsunaka Plast Ind Co Ltd | Conductive polyester-based resin sheet |
| JP2009255503A (en) * | 2008-03-18 | 2009-11-05 | Toppan Printing Co Ltd | Manufacturing method of plastic molded product and plastic molded product |
| CN116683193A (en) * | 2023-07-06 | 2023-09-01 | 北京航空航天大学 | Frequency selective wave absorbing device with multiple switchable wave-transparent windows |
| CN116683193B (en) * | 2023-07-06 | 2023-11-21 | 北京航空航天大学 | Frequency selective wave absorbing device with multiple switchable wave-transparent windows |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4390885B2 (en) | 2009-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4837654B2 (en) | Conductive laminate, electromagnetic wave shielding film for plasma display, and protective plate for plasma display | |
| US6686536B2 (en) | Method of forming electrode section on inner surface of transparent electromagnetic wave shielding plate, and transparent electromagnetic wave shielding plate formed thereby | |
| JP3898357B2 (en) | Filter for plasma display panel | |
| JP2006186309A (en) | Conductive laminate, electromagnetic wave shielding film for plasma display, and protective plate for plasma display | |
| KR100926233B1 (en) | Pdp filter having multi-layer thin film and method for manufacturing the same | |
| JP2012009873A (en) | Conductive stacked body, manufacturing method for the same, electromagnetic wave shielding film for plasma display, and protection plate for plasma display | |
| WO2010055832A1 (en) | Electrically conductive laminate, and protective plate for plasma display | |
| JP4390885B2 (en) | Transparent field wave shielding structure and manufacturing method thereof | |
| JP2008036952A (en) | Electroconductive laminate and protective plate for plasma display | |
| JP3532611B2 (en) | Transparent electromagnetic wave shielding film and method for producing light diffusing material using the same | |
| JP2001179868A (en) | Method for manufacturing transparent laminate | |
| JP2000117919A (en) | Highly transparent heat ray reflection film | |
| JP3681280B2 (en) | Optical filter for display | |
| JPH11177277A (en) | Electromagnetic wave shielding laminate | |
| KR100780284B1 (en) | Filter for plasma display panel and plasma display panel apparatus employing thereof | |
| JP3436674B2 (en) | Laminates for electromagnetic wave shielding | |
| JP3983340B2 (en) | Laminated heat ray shielding film and laminate | |
| JPH11227089A (en) | Heat ray shielding transparent resin structure and heat ray shielding film laminate | |
| JP2007165593A (en) | Conductive laminate, electromagnetic wave shielding film for plasma display and protection board for plasma display | |
| US6284354B1 (en) | Heat ray screening transparent resin structure and heat ray screening film laminate | |
| JPH11352314A (en) | Highly transparent heat ray reflection film | |
| JPH11340678A (en) | Electromagnetic shielding laminate | |
| JP3931806B2 (en) | Manufacturing method of electromagnetic wave shielding film for plasma display and front filter for plasma display panel | |
| JP2005148501A (en) | Conductive laminate, and display optical filter, electromagnetic wave shield and window material for building using same | |
| JPH1073719A (en) | Optical filter for display |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050701 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070521 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070529 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070727 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080129 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091007 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131016 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |