JP2000208460A - 半導体ウエ―ハを洗浄するする装置及び方法 - Google Patents

半導体ウエ―ハを洗浄するする装置及び方法

Info

Publication number
JP2000208460A
JP2000208460A JP6832A JP2000006832A JP2000208460A JP 2000208460 A JP2000208460 A JP 2000208460A JP 6832 A JP6832 A JP 6832A JP 2000006832 A JP2000006832 A JP 2000006832A JP 2000208460 A JP2000208460 A JP 2000208460A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
cleaning
roller
liquid
cleaning liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6832A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3335154B2 (ja
Inventor
Roland Brunner
ブルンナー ローラント
Solinger Franz
ゾリンガー フランツ
Ruute Hans-Joachim
ルーテ ハンス−ヨアヒム
Holl Georg-Friedrich
ホール ゲオルク−フリードリッヒ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siltronic AG
Original Assignee
Wacker Siltronic AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wacker Siltronic AG filed Critical Wacker Siltronic AG
Publication of JP2000208460A publication Critical patent/JP2000208460A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3335154B2 publication Critical patent/JP3335154B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/041—Cleaning travelling work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 相前後して配置されかつ洗浄液が施される多
数の回転するローラ対を有する洗浄ステーションを有
し、その際各ローラ対は上方ローラと下方ローラから構
成され、かつウエーハの搬送はローラ対の間で行われ、
かつ、さらに半導体ウエーハを洗浄ステーションに搬入
しかつそこから搬出する搬送装置を有する、洗浄液で半
導体ウエーハを洗浄する装置及び方法を提供する。 【解決手段】 該装置は、搬送装置によって液体被膜が
準備され、該被膜の上を半導体ウエーハが搬送され、か
つ洗浄液を上方ローラの上に、上方ローラに亙って移動
する降下物の形で供給するための装置を有する。本方法
では、半導体ウエーハを液体被膜上で洗浄ステーション
に向かってかつ洗浄ステーションから搬送し、かつ洗浄
液をローラ対の上方ローラに上記降下物の形で供給す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相前後して配置さ
れかつ洗浄液が施される多数の回転するローラ対を有す
る洗浄ステーションを有し、その際各ローラ対は上方ロ
ーラと下方ローラから構成され、かつ半導体ウエーハの
搬送はローラ対の間で行われ、かつ、さらに半導体ウエ
ーハを洗浄ステーションに搬入しかつそこから搬出する
搬送装置を有する、洗浄液で半導体ウエーハを洗浄する
装置に関する。さらに、本発明は、このような装置を使
用する、半導体ウエーハを洗浄する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】前記形式の装置は、例えば欧州特許出願
公開第６９１６７５（Ａ１）号明細書に開示されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、従来
の技術に改良を付与することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記第１の課題は、本発
明により、搬送装置を有し、該搬送装置は液体被膜を準
備し、該被膜の上を半導体ウエーハが搬送されるように
なっており、かつ洗浄液を上方ローラの上に、上方ロー
ラに亙って移動する降下物の形で供給するための装置を
有することを特徴とする装置により解決される。
【０００５】前記第２の課題は、本発明により、半導体
ウエーハを液体被膜上で洗浄ステーションに向かってか
つ洗浄ステーションから搬送し、かつ洗浄液をローラ対
の上方ローラに、上方ローラに亙って移動する降下物の
形で供給することを特徴とする方法により解決される。
【０００６】本発明は、洗浄液の最少の消費で半導体ウ
エーハの最適な洗浄を可能にする。本発明は、洗浄液が
均一に作用しかつ半導体ウエーハの汚染を十分に排除す
ることを可能にする。ローラ対間の搬送中に、半導体ウ
エーハは搬送装置の液体被膜及び洗浄液とのみ接触し、
但し半導体ウエーハを損傷するか又は汚染する恐れのあ
る洗浄装置の固体の構成部分とは接触しない。洗浄液は
均一に分配されて半導体ウエーハに施されるので、半導
体ウエーハのあらゆる面要素は同じ処理を受けかつ複数
の半導体ウエーハの相前後して行われる処理も一様であ
る。本発明の別の利点は、図面を参照して行う以下の説
明に記載されている。
【０００７】
【実施例】次に図示の実施例を参照して本発明を詳細に
説明する。
【０００８】図面は、本発明を一層理解するために寄与
するような特徴のみを示す。同様な特徴には、同じ参照
数字が付されている。
【０００９】図１に示された装置は、半導体ウエーハが
洗浄される洗浄ステーション１、半導体ウエーハを洗浄
ステーションに搬入しかつ洗浄ステーションから搬出す
るための搬送装置２並びに搬送装置の端部に設けられた
引き渡しステーション３及び受け取りステーション４を
有する。後者は、図１には矢印のみで示されている。有
利には、引き渡しステーション及び受け取りステーショ
ンにはそれぞれ、半導体ウエーハを操縦するための市販
のロボットが属する。
【００１０】搬送装置２はノズル５によって運動せしめ
られる液体被膜を有し、該被膜上を半導体ウエーハは滑
動する。本発明による装置のための好適な搬送装置は、
例えば欧州特許出願公開第４０８０２１（Ａ１）号明細
書に記載されている。好ましくは、ノズルは、半導体ウ
エーハが搬送されるべき場合にのみ、大量の水のような
搬送液を放出する。半導体ウエーハの引き渡し及び受け
取りのために好ましくは、搬送路の始点及び終点に昇降
装置６及び半導体ウエーハを心合わせするための手段７
が設けられている。
【００１１】洗浄ステーション１は、実質的には相前後
して配置されたローラ対からなり、その際ローラ対は上
方ローラ８と下方ローラ９から構成される。洗浄ステー
ション７には、好ましくは２〜２８、特に好ましくは７
のローラ対が設けられている。ローラは、好ましくはプ
ラスチック軸からなり、該軸はポリビニルアルコール
（ＰＶＡ）のようなフォーム材料で被覆されている。さ
らに、洗浄ステーション１は、ローラ対の上方ローラに
洗浄液を供給するための装置１０、及び場合により液体
の再使用を可能にする液体を捕集するための手段２０を
有する。洗浄液を供給するための装置１０は、上方ロー
ラ８の上にありかつ供給導管１９からなる系を有し、該
供給導管を介して洗浄液は上方ローラに供給される。洗
浄ステーション１及び搬送装置２は、ケーシング１１内
に組み込まれており、その際また半導体ウエーハの搬送
方向に対して横方向にケーシング１３内に層状のガス流
を発生させるための手段１２及びガス流を吸引するため
の手段１４も設けられている。後者は渦流の発生を阻止
しかつそうして粒子による半導体ウエーハの汚染の危険
を減少させる。ケーシング内に少なくともクラス１０の
クリーンルーム周囲が提供されるのが好ましい。
【００１２】実質的に２つの向かい合った昇降可能なジ
ョーからなる昇降装置６の機能形式は、図２から明らか
である。ジョー１５，１６は、液体被膜１７の側面に配
置されており、かつ持ち上げられた状態で半導体ウエー
ハ１８を液体被膜の上に保持し、その際半導体ウエーハ
は縁部領域でのみ、好ましくはエッジでのみ接触される
（図２ａ）。引き渡しステーションのロボットは、一般
に乾燥した半導体ウエーハを持ち上げられたジョーに載
せる。ジョーが降下すると、半導体ウエーハは液体被膜
によって把持され、濡らされかつ洗浄ステーションに搬
送される（図２ｂ）。洗浄ステーションから到来する半
導体ウエーハは、心合わせする手段７により、例えば降
下したジョーの上の機械的ストッパー又は制動ノズルに
より搬送路の終点で保持されかつ心合わせされかつジョ
ーの持上げ後に受け取りステーションのロボットにより
受け取られかつ例えば遠心分離乾燥器にさらに到達せし
められる（図１）。
【００１３】洗浄ステーション１のため及び洗浄液１０
を供給する装置のためのさらなる詳細は、図３に示され
ている。半導体ウエーハの搬送方向に向かって回転する
ローラは、洗浄ステーションにおける半導体ウエーハの
搬送を主として惹起する。ローラの反対向きの回転方向
において、主として半導体ウエーハの洗浄が行われる。
好ましくは、隣接した上方ローラ８は反対方向にかつ下
方ローラ９は搬送方向に回転せしめられる。下方ローラ
の中心部に存在するローラは、洗浄をアシストするため
に搬送方向とは反対方向に回転させることもできる。ロ
ーラ対の上方ローラと下方ローラの間の間隔は、ローラ
の間を搬送される半導体ウエーハがローラ材料によって
は接触されないように設定されている。ローラの回転速
度は、半導体ウエーハとローラの間の液体内に、半導体
ウエーハの洗浄もしくは搬送を惹起する剪断力が発生す
るように設定されている。
【００１４】洗浄液の供給は、洗浄液がローラに亙って
移動する落下物の形でローラの表面に施され、特に滴
下、吹付け又は噴霧されるように行われる。洗浄効果を
上方ローラの全長に亙って分配するために、装置１０は
連続的にローラ上を運動せしめられる。洗浄液の速度も
また供給量も調節可能である。ローラは連続的に純水又
は作用物質溶液で濡らされる。各上方ローラには場合に
より別の種類の洗浄液を供給することができることも考
えられる。それにより、半導体ウエーハに洗浄ステーシ
ョンを通過する際に任意に構成された洗浄シーケンスの
作用を受けさせることができる。この場合使用される洗
浄液は、好ましくは、水、水性のアルカリ性液体、水性
の酸含有液体、水性の界面活性剤含有液体及び前記液体
の混合物を包含する群から選択される。作用物質として
は、例えばＮＨ4ＯＨ、コリン、水酸化テトラメチルア
ンモニウム、フッ化水素及び塩化水素が該当する。洗浄
を意図的に半導体ウエーハの表面特性を調整するため
に、例えば親水性又は疎水性表面を発生させるために使
用することも可能である。洗浄液は、半導体材料の処理
のために必要な純度で準備されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による装置の図式化した縦断面図であ
る。
【図２】ａ及びｂは、図１による昇降装置の機能形式を
示す図である。
【図３】図１の装置の洗浄ステーション及び洗浄液を供
給する装置の斜視図である。
【符号の説明】
１ 洗浄ステーション、 ２ 搬送装置、 ３ 引き渡
しステーション、 ４受け取りステーション、 ５ ノ
ズル、 ６ 昇降装置、 ７ 半導体ウエーハを心合わ
せするための手段、 ８ 上方ローラ、 ９ 下方ロー
ラ、 １０上方ローラに洗浄液を供給するための装置、
１１，１３ ケーシング、 １５，１６ ジョー、
１７ 液体被膜、 １８ 半導体ウエーハ、 ２０ 液
体を捕集するための手段、 １２ 層状のガス流を発生
させるための手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハンス−ヨアヒム ルーテ ドイツ連邦共和国 カストル アルテ バ ーンホーフシュトラーセ ２ (72)発明者 ゲオルク−フリードリッヒ ホール ドイツ連邦共和国 アルテッティング バ ーンホーフシュトラーセ 34

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 相前後して配置されかつ洗浄液が施され
    る多数の回転するローラ対を有する洗浄ステーションを
    有し、その際各ローラ対は上方ローラと下方ローラから
    構成され、かつ半導体ウエーハの搬送はローラ対の間で
    行われ、かつ、さらに半導体ウエーハを洗浄ステーショ
    ンに搬入しかつそこから搬出する搬送装置を有する、洗
    浄液で半導体ウエーハを洗浄する装置において、搬送装
    置によって液体被膜が準備され、該被膜の上を半導体ウ
    エーハが搬送され、かつ洗浄液を上方ローラの上に、ロ
    ーラに亙って移動する降下物の形で供給するための装置
    を有することを特徴とする、半導体ウエーハを洗浄する
    装置。
  2. 【請求項２】 液体被膜の側面に配置され、高さの調節
    が可能でありかつ下ろす際及び持ち上げる際に縁部領域
    でのみ半導体ウエーハに接触をするジョーを有する、半
    導体ウエーハを液体被膜上に下ろしかつ半導体ウエーハ
    を液体被膜から持ち上げる装置を有する、請求項１記載
    の装置。
  3. 【請求項３】 洗浄ステーション及び搬送装置を包囲し
    かつクリーンルーム周囲を作り出すケーシングと、該ケ
    ーシングを上から下に向かって貫流する層状ガス流を発
    生させる手段と、ガス流を吸引する吸引装置とを有す
    る、請求項１又は２記載の装置。
  4. 【請求項４】 ２〜２８のローラ対を有する、請求項１
    から３までのいずれか１項記載の装置。
  5. 【請求項５】 相前後して配置されかつ洗浄液が施され
    る多数の回転するローラ対を有し、該ローラ対間を半導
    体ウエーハが搬送される洗浄ステーションにおいて洗浄
    液で半導体ウエーハを洗浄する方法において、半導体ウ
    エーハを液体被膜上で洗浄ステーションに向かってかつ
    洗浄ステーションから搬送し、かつ洗浄液をローラ対の
    上方ローラ上に、上方ローラに亙って移動する降下物の
    形で供給することを特徴とする、半導体ウエーハを洗浄
    する方法。
  6. 【請求項６】 洗浄液を上方ローラ上に滴下、吹付け又
    は噴霧する、請求項５記載の方法。
  7. 【請求項７】 洗浄液を、水、水性の酸含有液体、水性
    の界面活性剤含有液体及び前記液体の混合物を包含する
    群から選択する、請求項５又は６記載の方法。
  8. 【請求項８】 上方ローラの１つに供給される洗浄液
    が、別の上方ローラに供給される洗浄液と化学的に異な
    る、請求項５から７までのいずれか１項記載の方法。
JP2000006832A 1999-01-14 2000-01-14 半導体ウエーハを洗浄するする装置及び方法 Expired - Fee Related JP3335154B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19901162A DE19901162C2 (de) 1999-01-14 1999-01-14 Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen von Halbleiterscheiben
DE19901162.1 1999-01-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000208460A true JP2000208460A (ja) 2000-07-28
JP3335154B2 JP3335154B2 (ja) 2002-10-15

Family

ID=7894227

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000006832A Expired - Fee Related JP3335154B2 (ja) 1999-01-14 2000-01-14 半導体ウエーハを洗浄するする装置及び方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6412500B1 (ja)
JP (1) JP3335154B2 (ja)
KR (1) KR100330806B1 (ja)
DE (1) DE19901162C2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116435230A (zh) * 2023-06-15 2023-07-14 常州比太科技有限公司 一种硅片板输送清洗设备及工作方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19934300C2 (de) * 1999-07-21 2002-02-07 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
US6438781B1 (en) * 2000-04-21 2002-08-27 Toda Citron Technologies, Inc. Washer for cleaning substrates
JP4581412B2 (ja) * 2004-01-29 2010-11-17 コニカミノルタホールディングス株式会社 画像記録装置
DE502004011649D1 (de) * 2004-03-22 2010-10-21 Rena Sondermaschinen Gmbh Verfahren zur behandlung von substratoberflächen
DE102007061581A1 (de) 2007-12-18 2009-06-25 Felix Kunze-Concewitz Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen von Substraten für mikroelektronische Anwendungen durch rotierende Walzen
CN103801536B (zh) * 2012-11-13 2016-02-17 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种晶片清洗装置
CN112387732B (zh) * 2020-10-26 2021-10-22 深圳市泰源兴光电科技有限公司 一种用于触控面板制造的预处理系统
CN112775137A (zh) * 2020-12-22 2021-05-11 内蒙古东岳金峰氟化工有限公司 一种多通道的碱洗循环槽

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4618292A (en) * 1977-02-28 1986-10-21 International Business Machines Corporation Controls for semiconductor wafer orientor
JPH02250324A (ja) * 1989-03-23 1990-10-08 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法およびそれに使用される洗浄装置
DE3923405A1 (de) 1989-07-14 1991-01-24 Wacker Chemitronic Vorrichtung zum transportieren und positionieren von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben, und verfahren zur nasschemischen oberflaechenbehandlung derselben
JP2683940B2 (ja) * 1989-08-09 1997-12-03 信越半導体 株式会社 ワークの自動洗浄装置
JP2888412B2 (ja) * 1994-07-04 1999-05-10 信越半導体株式会社 ブラシ洗浄装置及びワーク洗浄システム
US5723019A (en) * 1994-07-15 1998-03-03 Ontrak Systems, Incorporated Drip chemical delivery method and apparatus
US5950327A (en) * 1996-07-08 1999-09-14 Speedfam-Ipec Corporation Methods and apparatus for cleaning and drying wafers
US5975094A (en) * 1997-11-26 1999-11-02 Speedfam Corporation Method and apparatus for enhanced cleaning of a workpiece with mechanical energy

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116435230A (zh) * 2023-06-15 2023-07-14 常州比太科技有限公司 一种硅片板输送清洗设备及工作方法
CN116435230B (zh) * 2023-06-15 2023-08-11 常州比太科技有限公司 一种硅片板输送清洗设备及工作方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000053465A (ko) 2000-08-25
DE19901162C2 (de) 2002-03-14
JP3335154B2 (ja) 2002-10-15
US6412500B1 (en) 2002-07-02
DE19901162A1 (de) 2000-07-27
KR100330806B1 (ko) 2002-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101371818B1 (ko) 얇은 평면 기판을 연속적으로 습식 화학적 가공하기 위한장치 및 방법
JP3587723B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI556881B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP3030796B2 (ja) 洗浄処理方法
JP2001510940A (ja) 超小型電子部品を製造するための平たい基板、特にシリコン薄板（ウェハ）を処理する方法および装置
KR101530959B1 (ko) 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체
US20070181149A1 (en) Single wafer backside wet clean
EP1803503A2 (en) Apparatus and system for cleaning a substrate
TW425618B (en) Coating apparatus and coating method
JP3335154B2 (ja) 半導体ウエーハを洗浄するする装置及び方法
JP4889331B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPH0810686B2 (ja) 半導体基板エッチング処理装置
KR20160134496A (ko) 액 충전 방법
US20060219275A1 (en) Device for cleaning wafers after a cmp process
JP2021530859A (ja) 半導体ウェハの洗浄装置及び洗浄方法
JP5293790B2 (ja) 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JPH09162159A (ja) 回転式基板乾燥装置
JP2913363B2 (ja) 回転処理装置
JP2001232269A (ja) 塗布膜形成装置
JP5302781B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを格納した記憶媒体
JPH07283184A (ja) 処理装置
JP2003324064A (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
JPH1174195A (ja) 液処理装置
JP2005019991A (ja) 基板処理装置
JPH0955418A (ja) ウェーハ搬送装置

Legal Events

Date Code Title Description
S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080802

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080802

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090802

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100802

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110802

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110802

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120802

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120802

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130802

Year of fee payment: 11

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees