JP2000208305A - バリスタの製造方法 - Google Patents
バリスタの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 寿命特性の優れたバリスタを安価に製造する
ことができるバリスタの製造方法を提供する。 【解決手段】 積層型のバリスタ１０はバリスタ素体１
２を含む。バリスタ素体１２はセラミック体１４を有
し、セラミック体１４中には多数の内部電極１６，１
６，・・が形成される。このバリスタ素体１２は、酸化
亜鉛を主成分とするグリーンシートなどの積層体を焼結
することによって形成される。バリスタ素体１２には、
２つの外部電極１８，１８が、水蒸気濃度が２ｇ／ｍ3
以下の雰囲気中で焼き付けられる。
ことができるバリスタの製造方法を提供する。 【解決手段】 積層型のバリスタ１０はバリスタ素体１
２を含む。バリスタ素体１２はセラミック体１４を有
し、セラミック体１４中には多数の内部電極１６，１
６，・・が形成される。このバリスタ素体１２は、酸化
亜鉛を主成分とするグリーンシートなどの積層体を焼結
することによって形成される。バリスタ素体１２には、
２つの外部電極１８，１８が、水蒸気濃度が２ｇ／ｍ3
以下の雰囲気中で焼き付けられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はバリスタの製造方
法に関し、特にたとえば単板型のバリスタや積層型のバ
リスタなどのバリスタの製造方法に関する。
法に関し、特にたとえば単板型のバリスタや積層型のバ
リスタなどのバリスタの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、機器の小型化や回路の高速化によ
り、素子のチップ化や高周波化が進んでおり、多くの小
型の積層型セラミックチップ部品が使用されている。バ
リスタについても例外ではなくチップ化が進んでいる。
また、近年、ＰＬ法に伴う製造物責任・製造者責任の強
化により、商品の安全性とりわけ寿命特性に対し、より
よい特性が望まれるようになってきた。このような積層
型セラミックバリスタを製造するためのバリスタの製造
方法では、セラミック材料と内部電極との積層工程およ
び焼成工程や外部電極の取付工程を有し、さらに、外装
部をコーティングする工程を有する場合もある。
り、素子のチップ化や高周波化が進んでおり、多くの小
型の積層型セラミックチップ部品が使用されている。バ
リスタについても例外ではなくチップ化が進んでいる。
また、近年、ＰＬ法に伴う製造物責任・製造者責任の強
化により、商品の安全性とりわけ寿命特性に対し、より
よい特性が望まれるようになってきた。このような積層
型セラミックバリスタを製造するためのバリスタの製造
方法では、セラミック材料と内部電極との積層工程およ
び焼成工程や外部電極の取付工程を有し、さらに、外装
部をコーティングする工程を有する場合もある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の工程に
おいて、焼成後の工程とりわけ数１００℃で熱処理を行
う工程を経過した後、バリスタの寿命特性が悪化する現
象がある。これらの熱処理工程において、セラミック材
料中のＢｉの変化等が研究されているが、バリスタの寿
命特性が悪化する原因は解明されていない。
おいて、焼成後の工程とりわけ数１００℃で熱処理を行
う工程を経過した後、バリスタの寿命特性が悪化する現
象がある。これらの熱処理工程において、セラミック材
料中のＢｉの変化等が研究されているが、バリスタの寿
命特性が悪化する原因は解明されていない。
【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、寿
命特性の優れたバリスタを安価に製造することができる
バリスタの製造方法を提供することである。
命特性の優れたバリスタを安価に製造することができる
バリスタの製造方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明にかかるバリス
タの製造方法は、酸化亜鉛を主成分とするバリスタの製
造方法において、バリスタ素体の焼成後、雰囲気中の水
蒸気濃度を２ｇ／ｍ3以下で熱処理することを特徴とす
る、バリスタの製造方法である。この発明にかかるバリ
スタの製造方法は、たとえば、雰囲気中の水蒸気濃度を
２ｇ／ｍ3 以下で外部電極を焼き付けることを特徴とす
る。この発明にかかるバリスタの製造方法は、たとえ
ば、積層型のバリスタの外装部に、雰囲気中の水蒸気濃
度を２ｇ／ｍ3 以下で高抵抗物または高抵抗を形成する
物質を焼き付けることを特徴とする。
タの製造方法は、酸化亜鉛を主成分とするバリスタの製
造方法において、バリスタ素体の焼成後、雰囲気中の水
蒸気濃度を２ｇ／ｍ3以下で熱処理することを特徴とす
る、バリスタの製造方法である。この発明にかかるバリ
スタの製造方法は、たとえば、雰囲気中の水蒸気濃度を
２ｇ／ｍ3 以下で外部電極を焼き付けることを特徴とす
る。この発明にかかるバリスタの製造方法は、たとえ
ば、積層型のバリスタの外装部に、雰囲気中の水蒸気濃
度を２ｇ／ｍ3 以下で高抵抗物または高抵抗を形成する
物質を焼き付けることを特徴とする。
【０００６】上述の課題を解決するために、本願発明者
は、バリスタ素子の焼成後において外部電極の焼き付け
に必要な熱処理工程や外装部に高抵抗化物または高抵抗
を形成する物質の焼き付けに必要な熱処理工程に着目
し、かつ、これらの熱処理時の周囲雰囲気に着目した。
この結果、雰囲気中の水蒸気濃度がバリスタの寿命特性
を悪化させる要因であることを見出した。検討をした結
果、上記の熱処理時の雰囲気中の水蒸気濃度を２ｇ／ｍ
3 以下におさえることで、寿命特性の悪化を防止するこ
とができることが判明した。また、この水蒸気の影響が
３００℃未満では起こらないことを確認した。ただし、
この熱処理時間が数時間と長い場合には、３００℃未満
でも寿命特性の劣化が生じる場合がある。しかし、この
ような長い工程は通常用いられないため、問題とはなら
ない。以上をまとめると、焼成後の３００℃以上で熱処
理を施す工程において、水蒸気濃度を２ｇ／ｍ3 以下と
することでバリスタの寿命特性を安定化することができ
る。この効果は、酸化亜鉛を主成分としたセラミックな
どからなる積層型のバリスタだけではなく、同じように
酸化亜鉛を主成分とする単板型のバリスタにおいても奏
する。
は、バリスタ素子の焼成後において外部電極の焼き付け
に必要な熱処理工程や外装部に高抵抗化物または高抵抗
を形成する物質の焼き付けに必要な熱処理工程に着目
し、かつ、これらの熱処理時の周囲雰囲気に着目した。
この結果、雰囲気中の水蒸気濃度がバリスタの寿命特性
を悪化させる要因であることを見出した。検討をした結
果、上記の熱処理時の雰囲気中の水蒸気濃度を２ｇ／ｍ
3 以下におさえることで、寿命特性の悪化を防止するこ
とができることが判明した。また、この水蒸気の影響が
３００℃未満では起こらないことを確認した。ただし、
この熱処理時間が数時間と長い場合には、３００℃未満
でも寿命特性の劣化が生じる場合がある。しかし、この
ような長い工程は通常用いられないため、問題とはなら
ない。以上をまとめると、焼成後の３００℃以上で熱処
理を施す工程において、水蒸気濃度を２ｇ／ｍ3 以下と
することでバリスタの寿命特性を安定化することができ
る。この効果は、酸化亜鉛を主成分としたセラミックな
どからなる積層型のバリスタだけではなく、同じように
酸化亜鉛を主成分とする単板型のバリスタにおいても奏
する。
【０００７】この発明の上述の目的、その他の目的、特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【０００８】
【発明の実施の形態】（実施例）まず、ＺｎＯ１００に
対し、ＡｌがＡｌ2 Ｏ3 に換算して１００ｐｐｍ、Ｂｉ
がＢｉ2 Ｏ3 に換算して１．０ｍｏｌ％、ＣｏがＣｏ2
Ｏ3 に換算して０．５ｍｏｌ％、ＭｎがＭｎＯに換算し
て０．５ｍｏｌ％、ＳｂがＳｂＯ3/2 に換算して０．５
ｍｏｌ％、ＹがＹ2 Ｏ3 に換算して１．０ｍｏｌ％、Ｓ
ｉがＳｉＯ2 に換算して０．２ｍｏｌ％、ＢがＢ2 Ｏ3
に換算して０．２ｍｏｌ％を配合し、ボールミルで６０
時間混合・粉砕した後、脱水を行い、乾燥後＃６０のふ
るいで造粒して、粉体を得た。この粉体を７５０℃で２
時間仮焼し、できあがった仮焼物を粗粉砕した後、ボー
ルミルで再度混合・粉砕して、スラリーを得た。このス
ラリーを脱水・乾燥して、粉体を得た。
対し、ＡｌがＡｌ2 Ｏ3 に換算して１００ｐｐｍ、Ｂｉ
がＢｉ2 Ｏ3 に換算して１．０ｍｏｌ％、ＣｏがＣｏ2
Ｏ3 に換算して０．５ｍｏｌ％、ＭｎがＭｎＯに換算し
て０．５ｍｏｌ％、ＳｂがＳｂＯ3/2 に換算して０．５
ｍｏｌ％、ＹがＹ2 Ｏ3 に換算して１．０ｍｏｌ％、Ｓ
ｉがＳｉＯ2 に換算して０．２ｍｏｌ％、ＢがＢ2 Ｏ3
に換算して０．２ｍｏｌ％を配合し、ボールミルで６０
時間混合・粉砕した後、脱水を行い、乾燥後＃６０のふ
るいで造粒して、粉体を得た。この粉体を７５０℃で２
時間仮焼し、できあがった仮焼物を粗粉砕した後、ボー
ルミルで再度混合・粉砕して、スラリーを得た。このス
ラリーを脱水・乾燥して、粉体を得た。
【０００９】この粉体に溶剤、バインダおよび分散剤を
加え、厚さ５０μｍのシートを成形した。このシートを
所定の大きさに打ち抜いて、多数のグリーンシートを得
た。そして、図１に示すように、一部のグリーンシート
１の一部にＡｇＰｄ（Ａｇ：Ｐｄ＝９：１）電極ペース
ト２をスクリーン印刷法で印刷した。そして、これらの
グリーンシートを所定の順・方向に積層し、積層体を得
た。
加え、厚さ５０μｍのシートを成形した。このシートを
所定の大きさに打ち抜いて、多数のグリーンシートを得
た。そして、図１に示すように、一部のグリーンシート
１の一部にＡｇＰｄ（Ａｇ：Ｐｄ＝９：１）電極ペース
ト２をスクリーン印刷法で印刷した。そして、これらの
グリーンシートを所定の順・方向に積層し、積層体を得
た。
【００１０】このようにして得られた積層体を６００℃
で樹脂分を分解、放出させた後、８５０℃〜９００℃で
３時間焼成して焼結体（バリスタ素体）を得た。
で樹脂分を分解、放出させた後、８５０℃〜９００℃で
３時間焼成して焼結体（バリスタ素体）を得た。
【００１１】この焼結体を１００℃〜８００℃の範囲で
１〜６時間、水蒸気を０．３〜１０ｇ／ｍ3 含むエアー
気流中で熱処理し、その後、外部電極を塗布して、試料
（図２に示す積層型のバリスタ１０）を作製した。な
お、図２に示す積層型のバリスタ１０は、上述の焼結体
であるバリスタ素体１２を含む。バリスタ素体１２は、
上述のグリーンシートを焼結したセラミック体１４を有
する。セラミック体１４中には、上述のＡｇＰｄ電極ペ
ーストからなる多数の内部電極１６，１６，・・が形成
されている。また、バリスタ素体１２の両側面には、２
つの外部電極１８，１８がそれぞれ形成されている。２
つの外部電極１８，１８は、複数の内部電極１６，１
６，・・に交互に接続されている。
１〜６時間、水蒸気を０．３〜１０ｇ／ｍ3 含むエアー
気流中で熱処理し、その後、外部電極を塗布して、試料
（図２に示す積層型のバリスタ１０）を作製した。な
お、図２に示す積層型のバリスタ１０は、上述の焼結体
であるバリスタ素体１２を含む。バリスタ素体１２は、
上述のグリーンシートを焼結したセラミック体１４を有
する。セラミック体１４中には、上述のＡｇＰｄ電極ペ
ーストからなる多数の内部電極１６，１６，・・が形成
されている。また、バリスタ素体１２の両側面には、２
つの外部電極１８，１８がそれぞれ形成されている。２
つの外部電極１８，１８は、複数の内部電極１６，１
６，・・に交互に接続されている。
【００１２】そして、試料について、一方の外部電極か
ら他方の外部電極に１ｍＡおよび１０ｍＡの電流を流
し、２つの外部電極間の電圧を測定することにより、バ
リスタ電圧（Ｖ１ｍＡ）およびαを測定した。バリスタ
電圧（Ｖ１ｍＡ）は、試料の一方の外部電極から他方の
外部電極に１ｍＡの電流を流しているときの試料の２つ
の外部電極間の電圧であり、αはα＝１／ｌｏｇ（Ｖ１
０ｍＡ／Ｖ１ｍＡ）の式により算出した値である。な
お、式中のＶ１０ｍＡは、試料の一方の外部電極から他
方の外部電極に１０ｍＡの電流を流しているときの試料
の２つの外部電極間の電圧である。また、試料の寿命特
性として、試料を８５℃の恒温槽中に入れ、上記のよう
に測定したバリスタ電圧（Ｖ１ｍＡ）の８５％のＤＣ電
圧を印加し、２００時間後に試料を取り出し、１時間常
温で放置した後、同様にバリスタ電圧およびαを測定し
て、恒温槽中に投入する前のデータと比較して、バリス
タ電圧の変化率ΔＶ１ｍＡを計算した。この結果を図３
および図４に示す。
ら他方の外部電極に１ｍＡおよび１０ｍＡの電流を流
し、２つの外部電極間の電圧を測定することにより、バ
リスタ電圧（Ｖ１ｍＡ）およびαを測定した。バリスタ
電圧（Ｖ１ｍＡ）は、試料の一方の外部電極から他方の
外部電極に１ｍＡの電流を流しているときの試料の２つ
の外部電極間の電圧であり、αはα＝１／ｌｏｇ（Ｖ１
０ｍＡ／Ｖ１ｍＡ）の式により算出した値である。な
お、式中のＶ１０ｍＡは、試料の一方の外部電極から他
方の外部電極に１０ｍＡの電流を流しているときの試料
の２つの外部電極間の電圧である。また、試料の寿命特
性として、試料を８５℃の恒温槽中に入れ、上記のよう
に測定したバリスタ電圧（Ｖ１ｍＡ）の８５％のＤＣ電
圧を印加し、２００時間後に試料を取り出し、１時間常
温で放置した後、同様にバリスタ電圧およびαを測定し
て、恒温槽中に投入する前のデータと比較して、バリス
タ電圧の変化率ΔＶ１ｍＡを計算した。この結果を図３
および図４に示す。
【００１３】さらに、上述の焼結体に実際に外部電極を
６００℃１時間、水蒸気濃度０．９、２．０、４．５ｇ
／ｍ3 で焼き付けた試料１（積層型のバリスタ）と、試
料１の外装にガラスを塗布し外部電極を焼き付けた温度
・条件と同じ温度・条件で焼き付けた試料２（積層型の
バリスタ）とを作製し、試料の寿命特性と同様に、試料
１および試料２の寿命特性を確認した。この結果を図５
に示す。
６００℃１時間、水蒸気濃度０．９、２．０、４．５ｇ
／ｍ3 で焼き付けた試料１（積層型のバリスタ）と、試
料１の外装にガラスを塗布し外部電極を焼き付けた温度
・条件と同じ温度・条件で焼き付けた試料２（積層型の
バリスタ）とを作製し、試料の寿命特性と同様に、試料
１および試料２の寿命特性を確認した。この結果を図５
に示す。
【００１４】また、上述の実施例の組成で作製した原料
に酢酸ビニルをバインダとして加え、２ｔ／ｃｍ2 の圧
力で直径１０ｍｍ、厚み０．５ｍｍの成形体を作製し、
１２５０℃で２時間焼成して、焼結体を作製した。この
焼結体の両面にＡｇペーストを塗布し、６５０℃で焼き
付けて２つの外部電極を形成して、試料３（単板型のバ
リスタ）を作製した。この時の焼き付けの雰囲気を上記
の水蒸気濃度と同じく０．９、２．０、４．５ｇ／ｍ3
にした。この試料３についての結果も図５に示す。
に酢酸ビニルをバインダとして加え、２ｔ／ｃｍ2 の圧
力で直径１０ｍｍ、厚み０．５ｍｍの成形体を作製し、
１２５０℃で２時間焼成して、焼結体を作製した。この
焼結体の両面にＡｇペーストを塗布し、６５０℃で焼き
付けて２つの外部電極を形成して、試料３（単板型のバ
リスタ）を作製した。この時の焼き付けの雰囲気を上記
の水蒸気濃度と同じく０．９、２．０、４．５ｇ／ｍ3
にした。この試料３についての結果も図５に示す。
【００１５】図３に示す結果から明らかなように、熱処
理温度が高く、かつ、水蒸気濃度が高いほどバリスタ電
圧の劣化が大きくなる。熱処理温度が２００℃以下では
水蒸気濃度の影響は無視できる程度であるが、熱処理温
度が３００℃以上となると水蒸気濃度の影響が顕著にな
る。この水蒸気濃度によるバリスタ電圧の変化は、酸化
亜鉛を主成分とするバリスタの粒界の酸素欠陥へ、水分
が吸着され、高温で電解の負荷がかかったとき、乖離す
ることが原因と見られる。水分は高温になればなるほど
粒界に拡散し、粒界に吸着する量が増加すると見られ、
この対策のためには、より低温での熱処理（電極の焼き
付け等）や水蒸気濃度を極力下げた雰囲気下での熱処理
を行うことが有効である。
理温度が高く、かつ、水蒸気濃度が高いほどバリスタ電
圧の劣化が大きくなる。熱処理温度が２００℃以下では
水蒸気濃度の影響は無視できる程度であるが、熱処理温
度が３００℃以上となると水蒸気濃度の影響が顕著にな
る。この水蒸気濃度によるバリスタ電圧の変化は、酸化
亜鉛を主成分とするバリスタの粒界の酸素欠陥へ、水分
が吸着され、高温で電解の負荷がかかったとき、乖離す
ることが原因と見られる。水分は高温になればなるほど
粒界に拡散し、粒界に吸着する量が増加すると見られ、
この対策のためには、より低温での熱処理（電極の焼き
付け等）や水蒸気濃度を極力下げた雰囲気下での熱処理
を行うことが有効である。
【００１６】図４および図５に示す結果から明らかなよ
うに、焼成後の３００℃以上での熱処理は２ｇ／ｍ3 以
下の水蒸気濃度で行うことが望ましい。水蒸気濃度を２
ｇ／ｍ3 とした理由は、２００時間の寿命特性におい
て、６００℃で６時間以下のキープ時間を有する熱処理
においてバリスタ電圧の変化率が３％未満であることを
基準としたからである。この条件以上の長時間の熱処理
はコスト等がかかり、有効ではなく、また、通常必要と
されない熱処理時間である。バリスタ電圧の変化率が３
％以下の基準は、寿命特性として、一般に１０００時間
で１０％以下という基準があり、加速性を考え、３％が
基準を１０００時間での満たす下限値であると判断した
ためである。
うに、焼成後の３００℃以上での熱処理は２ｇ／ｍ3 以
下の水蒸気濃度で行うことが望ましい。水蒸気濃度を２
ｇ／ｍ3 とした理由は、２００時間の寿命特性におい
て、６００℃で６時間以下のキープ時間を有する熱処理
においてバリスタ電圧の変化率が３％未満であることを
基準としたからである。この条件以上の長時間の熱処理
はコスト等がかかり、有効ではなく、また、通常必要と
されない熱処理時間である。バリスタ電圧の変化率が３
％以下の基準は、寿命特性として、一般に１０００時間
で１０％以下という基準があり、加速性を考え、３％が
基準を１０００時間での満たす下限値であると判断した
ためである。
【００１７】上述の現象は酸化亜鉛を主成分としたセラ
ミックなどからなるバリスタに対応すると考えられるた
め、この発明は、積層型のバリスタや単板型のバリスタ
に限定されるものではない。ただし、材料組成や焼成の
条件により、効果の度合いは変化すると考えられる。
ミックなどからなるバリスタに対応すると考えられるた
め、この発明は、積層型のバリスタや単板型のバリスタ
に限定されるものではない。ただし、材料組成や焼成の
条件により、効果の度合いは変化すると考えられる。
【００１８】
【発明の効果】この発明によれば、寿命特性の優れたバ
リスタを安価に製造することができる。
リスタを安価に製造することができる。
【図１】グリーンシートの一部にＡｇＰｄ電極ペースト
を塗布した状態を示す平面図である。
を塗布した状態を示す平面図である。
【図２】試料（積層型のバリスタ）を示す図解図であ
る。
る。
【図３】試料における熱処理温度と水蒸気濃度が寿命特
性に与える影響との関係を示すグラフである。
性に与える影響との関係を示すグラフである。
【図４】試料における水蒸気濃度と熱処理時間が寿命特
性に与える影響との関係を示すグラフである。
性に与える影響との関係を示すグラフである。
【図５】試料１、試料２および試料３における水蒸気濃
度と寿命特性との関係を示すグラフである。
度と寿命特性との関係を示すグラフである。
１ グリーンシート ２ ＡｇＰｄ電極ペースト １０ 積層型のバリスタ １２ バリスタ素体 １４ セラミック体 １６ 内部電極 １８ 外部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河田 都美 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 羽田野 研次郎 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5E034 CB01 CC02 DA02 DA07 DB17 DC01 DC03 DE12
Claims (3)
- 【請求項１】 酸化亜鉛を主成分とするバリスタの製造
方法において、バリスタ素体の焼成後、雰囲気中の水蒸
気濃度を２ｇ／ｍ3 以下で熱処理することを特徴とす
る、バリスタの製造方法。 - 【請求項２】 雰囲気中の水蒸気濃度を２ｇ／ｍ3 以下
で外部電極を焼き付けることを特徴とする、請求項１に
記載のバリスタの製造方法。 - 【請求項３】 積層型の前記バリスタの外装部に、雰囲
気中の水蒸気濃度を２ｇ／ｍ3 以下で高抵抗物または高
抵抗を形成する物質を焼き付けることを特徴とする、請
求項１に記載のバリスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00410499A JP4029160B2 (ja) | 1999-01-11 | 1999-01-11 | バリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00410499A JP4029160B2 (ja) | 1999-01-11 | 1999-01-11 | バリスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208305A true JP2000208305A (ja) | 2000-07-28 |
| JP4029160B2 JP4029160B2 (ja) | 2008-01-09 |
Family
ID=11575495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00410499A Expired - Fee Related JP4029160B2 (ja) | 1999-01-11 | 1999-01-11 | バリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4029160B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100709913B1 (ko) | 2003-10-22 | 2007-04-24 | 티디케이가부시기가이샤 | 적층형 칩 배리스터, 이의 제조방법 및 적층형 소자 |
-
1999
- 1999-01-11 JP JP00410499A patent/JP4029160B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100709913B1 (ko) | 2003-10-22 | 2007-04-24 | 티디케이가부시기가이샤 | 적층형 칩 배리스터, 이의 제조방법 및 적층형 소자 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4029160B2 (ja) | 2008-01-09 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101026 Year of fee payment: 3 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101026 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121026 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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