JP2000197842A - 塗布装置、吐出手段及び塗布方法 - Google Patents
塗布装置、吐出手段及び塗布方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、レジスト等の連続膜を形成する塗
布装置、吐出手段及び塗布方法に関する。 【解決手段】 基板２１表面に連続膜を形成する連続膜
の塗布装置２０において、基板２１を保持する保持テー
ブル２２と、保持テーブル２２を回転駆動させる駆動モ
ータ２５と、内部に塗布液を蓄える貯溜室２７を具備
し、基板２１に対向する対向部位に貯溜室２７内部に蓄
えられた塗布液を噴射するオリフィス孔３３が複数形成
された吐出手段２６と、を具備することを特徴としてい
る。
布装置、吐出手段及び塗布方法に関する。 【解決手段】 基板２１表面に連続膜を形成する連続膜
の塗布装置２０において、基板２１を保持する保持テー
ブル２２と、保持テーブル２２を回転駆動させる駆動モ
ータ２５と、内部に塗布液を蓄える貯溜室２７を具備
し、基板２１に対向する対向部位に貯溜室２７内部に蓄
えられた塗布液を噴射するオリフィス孔３３が複数形成
された吐出手段２６と、を具備することを特徴としてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レジスト等の連続
膜を形成する塗布装置、吐出手段及び塗布方法に関す
る。
膜を形成する塗布装置、吐出手段及び塗布方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】例えばＳｉを材質とする半導体ウエハ
（以下、基板とする）に対して薄膜を形成し、この薄膜
をエッチング処理することが一般に行われている。これ
ら基板に回路パターンを形成する場合には、レジストの
塗布を行い、その後に露光や現像、エッチングなどの各
工程が順次繰り返して行われる。
（以下、基板とする）に対して薄膜を形成し、この薄膜
をエッチング処理することが一般に行われている。これ
ら基板に回路パターンを形成する場合には、レジストの
塗布を行い、その後に露光や現像、エッチングなどの各
工程が順次繰り返して行われる。
【０００３】ここで、上記基板に対してレジストを塗布
する場合、スピンコート法により一般に塗布が為されて
いる。このスピンコート法は、基板の中央付近にレジス
トを滴下し、基板を高速回転させる。それによって、基
板の全面にレジストが広げられ、余分なレジストが遠心
力により外方に振り切られて除去される。
する場合、スピンコート法により一般に塗布が為されて
いる。このスピンコート法は、基板の中央付近にレジス
トを滴下し、基板を高速回転させる。それによって、基
板の全面にレジストが広げられ、余分なレジストが遠心
力により外方に振り切られて除去される。
【０００４】このようにして、上記基板の全面にレジス
トを塗布している。
トを塗布している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のスピ
ンコート法では、レジストが遠心力により外方に振り切
られてしまうため、レジストの材料利用効率が悪いとい
う欠点がある。具体的には、スピンコート法では、レジ
ストの材料利用効率は１％乃至１０％程度であり、レジ
ストの大部分が廃液として無駄に排出されているのが現
状である。
ンコート法では、レジストが遠心力により外方に振り切
られてしまうため、レジストの材料利用効率が悪いとい
う欠点がある。具体的には、スピンコート法では、レジ
ストの材料利用効率は１％乃至１０％程度であり、レジ
ストの大部分が廃液として無駄に排出されているのが現
状である。
【０００６】また、スピンコート法では、基板の外周部
分にもレジストが形成されるが、この外周部分では、各
種工程で基板を搬送するうちに外周部分がこすれてレジ
ストゴミが発生してしまう。そこで、基板の外周部分に
ノズルで溶剤をかけて、外周部分に形成されたレジスト
を除去している。
分にもレジストが形成されるが、この外周部分では、各
種工程で基板を搬送するうちに外周部分がこすれてレジ
ストゴミが発生してしまう。そこで、基板の外周部分に
ノズルで溶剤をかけて、外周部分に形成されたレジスト
を除去している。
【０００７】そのため、このような外周部分のレジスト
を除去する工程が必要となってしまい、手間の掛かるも
のとなっている。
を除去する工程が必要となってしまい、手間の掛かるも
のとなっている。
【０００８】本発明は上記の事情にもとづきなされたも
ので、その目的とするところは、均一な厚さの連続膜を
形成可能であり、材料利用効率が向上した塗布装置、吐
出手段及び塗布方法を提供しようとするものである。
ので、その目的とするところは、均一な厚さの連続膜を
形成可能であり、材料利用効率が向上した塗布装置、吐
出手段及び塗布方法を提供しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、基板表面に膜を形成する塗
布装置において、上記基板を保持する保持手段と、内部
に塗布液を蓄え、上記基板と対向する対向部位に上記塗
布液を吐出させる複数の吐出孔が形成された吐出手段
と、上記塗布液に微小振動を与えて吐出させる微小振動
手段と、上記保持手段と上記吐出手段を相対的に駆動さ
せる駆動手段と、を具備することを特徴とする塗布装置
である。
に、請求項１記載の発明は、基板表面に膜を形成する塗
布装置において、上記基板を保持する保持手段と、内部
に塗布液を蓄え、上記基板と対向する対向部位に上記塗
布液を吐出させる複数の吐出孔が形成された吐出手段
と、上記塗布液に微小振動を与えて吐出させる微小振動
手段と、上記保持手段と上記吐出手段を相対的に駆動さ
せる駆動手段と、を具備することを特徴とする塗布装置
である。
【００１０】請求項２記載の発明は、上記吐出手段は、
上記対向部位の一端側から他端側に向かい上記吐出孔の
分布個数が変化するように設けられていることを特徴と
する請求項１記載の塗布装置である。
上記対向部位の一端側から他端側に向かい上記吐出孔の
分布個数が変化するように設けられていることを特徴と
する請求項１記載の塗布装置である。
【００１１】請求項３記載の発明は、上記吐出孔の分布
個数は、一端側から他端側に向かい比例的に変化して配
列されていることを特徴とする請求項２記載の連続膜の
塗布装置である。
個数は、一端側から他端側に向かい比例的に変化して配
列されていることを特徴とする請求項２記載の連続膜の
塗布装置である。
【００１２】請求項４記載の発明は、半導体ウエハ表面
にレジスト膜を形成する塗布装置において、半導体ウエ
ハを保持する保持手段と内部にレジストを蓄え、上記半
導体ウエハと対向する対向部位に上記レジストを吐出さ
せる複数の吐出孔を一端側から他端側に向かい比例的に
増加させて形成した吐出手段と、上記レジストに微小振
動を与えて吐出させる微小振動手段と、上記吐出手段の
一端側に形成された吐出孔を上記半導体ウエハの中心部
位と対向させ、他端側を上記半導体ウエハの外周部位と
対向させた状態で上記保持手段と上記吐出手段を相対的
に回転駆動させる駆動手段と、を有することを特徴とす
る塗布装置である。
にレジスト膜を形成する塗布装置において、半導体ウエ
ハを保持する保持手段と内部にレジストを蓄え、上記半
導体ウエハと対向する対向部位に上記レジストを吐出さ
せる複数の吐出孔を一端側から他端側に向かい比例的に
増加させて形成した吐出手段と、上記レジストに微小振
動を与えて吐出させる微小振動手段と、上記吐出手段の
一端側に形成された吐出孔を上記半導体ウエハの中心部
位と対向させ、他端側を上記半導体ウエハの外周部位と
対向させた状態で上記保持手段と上記吐出手段を相対的
に回転駆動させる駆動手段と、を有することを特徴とす
る塗布装置である。
【００１３】請求項５記載の発明は、上記微小振動手段
はピエゾ素子から構成されており、このピエゾ素子の微
小振動を制御することにより吐出量を制御することを特
徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の塗布
装置である。
はピエゾ素子から構成されており、このピエゾ素子の微
小振動を制御することにより吐出量を制御することを特
徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の塗布
装置である。
【００１４】請求項６記載の発明は、上記吐出手段は、
一つの貯溜室から構成されていることを特徴とする請求
項１乃至請求項４のいずれかに記載の塗布装置である。
一つの貯溜室から構成されていることを特徴とする請求
項１乃至請求項４のいずれかに記載の塗布装置である。
【００１５】請求項７記載の発明は、吐出手段は、複数
の貯溜室と各貯溜室毎に設けられた微小振動手段から構
成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４の
いずれかに記載の塗布装置である。
の貯溜室と各貯溜室毎に設けられた微小振動手段から構
成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４の
いずれかに記載の塗布装置である。
【００１６】請求項８記載の発明は、上記保持手段は、
上記基板或いは半導体ウエハに対して振動を付与する振
動付与手段が設けられていることを特徴とする請求項１
乃至請求項４のいずれかに記載の塗布装置である。
上記基板或いは半導体ウエハに対して振動を付与する振
動付与手段が設けられていることを特徴とする請求項１
乃至請求項４のいずれかに記載の塗布装置である。
【００１７】請求項９記載の発明は、内部に塗布液を蓄
える一つの塗布液貯溜室を有し、被塗布物と対向する対
向部位に上記塗布液を吐出させる複数の吐出孔が形成さ
れ、上記塗布液に微小振動を与えて吐出させる微小振動
手段を有することを特徴とする吐出手段である。
える一つの塗布液貯溜室を有し、被塗布物と対向する対
向部位に上記塗布液を吐出させる複数の吐出孔が形成さ
れ、上記塗布液に微小振動を与えて吐出させる微小振動
手段を有することを特徴とする吐出手段である。
【００１８】請求項１０記載の発明は、上記微小振動手
段はピエゾ素子から構成されており、このピエゾ素子の
微小振動を制御することにより塗布液の吐出量を制御す
ることを特徴とする請求項９記載の吐出手段である。
段はピエゾ素子から構成されており、このピエゾ素子の
微小振動を制御することにより塗布液の吐出量を制御す
ることを特徴とする請求項９記載の吐出手段である。
【００１９】請求項１１記載の発明は、上記吐出孔の分
布個数は、一端側から他端側に向かい比例的に変化して
配列していることを特徴とする請求項９記載の吐出手段
である。
布個数は、一端側から他端側に向かい比例的に変化して
配列していることを特徴とする請求項９記載の吐出手段
である。
【００２０】請求項１２記載の発明は、基板を保持手段
に保持させる工程と、吐出手段内部に蓄えられた塗布液
に微小振動を付与し、上記基板と対向する吐出手段の対
向部位に設けられた上記塗布液を吐出させる複数の吐出
孔から塗布液を吐出すると共に、上記基板と上記吐出手
段を相対的に駆動して膜を形成する工程と、を具備する
ことを特徴とする塗布方法である。
に保持させる工程と、吐出手段内部に蓄えられた塗布液
に微小振動を付与し、上記基板と対向する吐出手段の対
向部位に設けられた上記塗布液を吐出させる複数の吐出
孔から塗布液を吐出すると共に、上記基板と上記吐出手
段を相対的に駆動して膜を形成する工程と、を具備する
ことを特徴とする塗布方法である。
【００２１】請求項１３記載の発明は、半導体ウエハを
保持手段に保持させる工程と、吐出手段内部に蓄えられ
たレジストに微小振動を付与し、上記半導体ウエハと対
向する吐出手段の対向部位に一端側から他端側に向かい
比例的に増加させて形成したレジストを吐出させる複数
の吐出孔からレジストを吐出すると共に、上記半導体ウ
エハと上記吐出孔とを相対的に回転駆動してレジスト膜
を形成する工程と、を有することを特徴とする塗布方法
である。
保持手段に保持させる工程と、吐出手段内部に蓄えられ
たレジストに微小振動を付与し、上記半導体ウエハと対
向する吐出手段の対向部位に一端側から他端側に向かい
比例的に増加させて形成したレジストを吐出させる複数
の吐出孔からレジストを吐出すると共に、上記半導体ウ
エハと上記吐出孔とを相対的に回転駆動してレジスト膜
を形成する工程と、を有することを特徴とする塗布方法
である。
【００２２】請求項１４記載の発明は、塗布液を塗布し
た上記基板或いは上記半導体ウエハに対して振動を付与
する工程を有することを特徴とする請求項１２又は請求
項１３に記載の塗布方法である。
た上記基板或いは上記半導体ウエハに対して振動を付与
する工程を有することを特徴とする請求項１２又は請求
項１３に記載の塗布方法である。
【００２３】上記手段を講じた結果、次のような作用が
生じる。請求項１の発明によると、駆動手段で保持手段
と吐出手段を相対的に駆動させながら、塗布液に微小振
動手段により微小振動を与えて吐出させるので、基板ま
たは半導体ウエハへの塗布量をこの微小振動手段で制御
しながら吐出させることができる。また、基板表面の形
状の制約を受け難くなる。
生じる。請求項１の発明によると、駆動手段で保持手段
と吐出手段を相対的に駆動させながら、塗布液に微小振
動手段により微小振動を与えて吐出させるので、基板ま
たは半導体ウエハへの塗布量をこの微小振動手段で制御
しながら吐出させることができる。また、基板表面の形
状の制約を受け難くなる。
【００２４】請求項２の発明によると、吐出手段は、対
向部位の一端側から他端側に向かい吐出孔の分布個数が
変化するように設けられているため、基板に応じて吐出
孔の個数を変化させれば、塗布液のより均一な塗布を図
ることが可能となる。
向部位の一端側から他端側に向かい吐出孔の分布個数が
変化するように設けられているため、基板に応じて吐出
孔の個数を変化させれば、塗布液のより均一な塗布を図
ることが可能となる。
【００２５】請求項３、請求項１１の発明によると、吐
出孔の分布個数が一端側から他端側に向かい比例的に変
化するので、基板の中心に吐出孔の分布個数の少ない端
部側を位置させて塗布液を吐出させれば、基板表面で均
一な膜厚に塗布することが可能となる。
出孔の分布個数が一端側から他端側に向かい比例的に変
化するので、基板の中心に吐出孔の分布個数の少ない端
部側を位置させて塗布液を吐出させれば、基板表面で均
一な膜厚に塗布することが可能となる。
【００２６】すなわち、基板が回転駆動する場合、移動
距離の小さい基板内径側で吐出量を少なくし、移動距離
の大きい基板外周側で吐出量を多くすれば、基板に対す
る塗布液の吐出量を均一化することができ、基板表面で
均一な膜厚に塗布することが可能となる。
距離の小さい基板内径側で吐出量を少なくし、移動距離
の大きい基板外周側で吐出量を多くすれば、基板に対す
る塗布液の吐出量を均一化することができ、基板表面で
均一な膜厚に塗布することが可能となる。
【００２７】請求項４の発明によると、レジストの吐出
量を微小振動手段の振動により、半導体ウエハの中心か
ら外周部位に向かい比例的に増加させることが可能とな
る。
量を微小振動手段の振動により、半導体ウエハの中心か
ら外周部位に向かい比例的に増加させることが可能とな
る。
【００２８】また、保持手段と吐出手段とを相対的に回
転駆動させてレジストを吐出するので、半導体ウエハの
表面に対してレジストを均一化して塗布することが可能
となる。
転駆動させてレジストを吐出するので、半導体ウエハの
表面に対してレジストを均一化して塗布することが可能
となる。
【００２９】請求項５、請求項１０の発明によると、ピ
エゾ素子の微小振動駆動で吐出孔からの塗布液の吐出量
が制御されるので、塗布液の塗布量及び吐出量を自動的
に調整することが可能となる。
エゾ素子の微小振動駆動で吐出孔からの塗布液の吐出量
が制御されるので、塗布液の塗布量及び吐出量を自動的
に調整することが可能となる。
【００３０】請求項６の発明によると、単一の貯溜室が
吐出手段内部に設けられているので、大面積に塗布液を
塗布する場合に適した構成である。
吐出手段内部に設けられているので、大面積に塗布液を
塗布する場合に適した構成である。
【００３１】請求項７の発明によると、吐出手段内部に
複数の貯溜室が設けられ、各貯溜室毎に微小振動手段が
設けられているので、夫々の貯溜室から基板の形状に応
じて独立して塗布液の吐出を行うことが可能となる。こ
のため、基板の表面への塗布液の吐出を均一化させるこ
とが可能となる。
複数の貯溜室が設けられ、各貯溜室毎に微小振動手段が
設けられているので、夫々の貯溜室から基板の形状に応
じて独立して塗布液の吐出を行うことが可能となる。こ
のため、基板の表面への塗布液の吐出を均一化させるこ
とが可能となる。
【００３２】請求項８、請求項１４の発明によると、保
持手段に保持される基板或いは半導体ウエハに対して振
動が付与されるので、基板表面に塗布された塗布液をな
らして表面膜厚の均一化を図ることが可能となる。
持手段に保持される基板或いは半導体ウエハに対して振
動が付与されるので、基板表面に塗布された塗布液をな
らして表面膜厚の均一化を図ることが可能となる。
【００３３】請求項９の発明によると、塗布液貯溜室に
塗布液を蓄え、ここから被塗布物と対向する吐出手段の
対向部位に塗布液を微小振動手段により微小振動を与え
ながら吐出孔から吐出させるので、被塗布物に対して塗
布液を均一化してと付することが可能となる。
塗布液を蓄え、ここから被塗布物と対向する吐出手段の
対向部位に塗布液を微小振動手段により微小振動を与え
ながら吐出孔から吐出させるので、被塗布物に対して塗
布液を均一化してと付することが可能となる。
【００３４】請求項１２の発明によると、吐出手段内部
に蓄えられた塗布液に微小振動を付与しながら複数の吐
出孔から塗布液を吐出させ、さらに基板と吐出手段を相
対的に駆動させることにより、均一化させた膜を形成す
ることが可能となっている。
に蓄えられた塗布液に微小振動を付与しながら複数の吐
出孔から塗布液を吐出させ、さらに基板と吐出手段を相
対的に駆動させることにより、均一化させた膜を形成す
ることが可能となっている。
【００３５】請求項１３の発明によると、半導体ウエハ
に対し、一端側から他端側に向かい比例的に増加させて
レジストを吐出させ、さらに半導体ウエハと吐出孔とを
相対的に回転駆動させてレジスト膜を形成すれば、半導
体ウエハの表面にレジストを均一に吐出させることがで
きる。このため、半導体ウエハの表面のレジスト膜の厚
さを均一化することができる。
に対し、一端側から他端側に向かい比例的に増加させて
レジストを吐出させ、さらに半導体ウエハと吐出孔とを
相対的に回転駆動させてレジスト膜を形成すれば、半導
体ウエハの表面にレジストを均一に吐出させることがで
きる。このため、半導体ウエハの表面のレジスト膜の厚
さを均一化することができる。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて、図１ないし図４に基づいて説明する。
いて、図１ないし図４に基づいて説明する。
【００３７】図１は、本発明の連続膜の塗布装置２０の
構成を示す側断面図である。なお、本実施の形態で述べ
る塗布装置２０は、半導体ウエハ等の基板２１に対し
て、レジスト等の連続膜を塗布するものであるが、これ
以外の基板２１にレジスト以外の連続膜を塗布するもの
であっても構わない。
構成を示す側断面図である。なお、本実施の形態で述べ
る塗布装置２０は、半導体ウエハ等の基板２１に対し
て、レジスト等の連続膜を塗布するものであるが、これ
以外の基板２１にレジスト以外の連続膜を塗布するもの
であっても構わない。
【００３８】この塗布装置２０は、基板２１を保持する
保持テーブル２２を有している。保持テーブル２２は、
その外周側に基板２１の脱落を防止するための係止ピン
２３が複数本設けられている。なお、基板２１の保持
は、係止ピン２３によらず、例えば基板２１の保持部が
凹部となっていて、この凹部の壁面で基板２１の脱落を
防止する構成としても良い。
保持テーブル２２を有している。保持テーブル２２は、
その外周側に基板２１の脱落を防止するための係止ピン
２３が複数本設けられている。なお、基板２１の保持
は、係止ピン２３によらず、例えば基板２１の保持部が
凹部となっていて、この凹部の壁面で基板２１の脱落を
防止する構成としても良い。
【００３９】上記保持テーブル２２の基板２１が載置さ
れる表面とは反対側の裏面には、回転軸２４が連結され
ている。回転軸２４は、保持テーブル２２が連結されて
いる一端側とは反対側の他端側が駆動手段である駆動モ
ータ２５に連結されている。駆動モータ２５は、保持テ
ーブル２２を回転駆動させるものであり、十分に低速回
転駆動可能なモータである。このため、低速回転を行っ
ても、滴下されたレジストが振り切られないようになっ
ている。
れる表面とは反対側の裏面には、回転軸２４が連結され
ている。回転軸２４は、保持テーブル２２が連結されて
いる一端側とは反対側の他端側が駆動手段である駆動モ
ータ２５に連結されている。駆動モータ２５は、保持テ
ーブル２２を回転駆動させるものであり、十分に低速回
転駆動可能なモータである。このため、低速回転を行っ
ても、滴下されたレジストが振り切られないようになっ
ている。
【００４０】上記保持テーブル２２に保持された基板２
１の数ｍｍ上方には、吐出手段としての吐出手段２６が
位置するように構成されている。吐出手段２６は、この
断面形状が図２に示すように構成されている。この吐出
手段２６は、内部にインクを所定量蓄える貯溜室２７を
有している。
１の数ｍｍ上方には、吐出手段としての吐出手段２６が
位置するように構成されている。吐出手段２６は、この
断面形状が図２に示すように構成されている。この吐出
手段２６は、内部にインクを所定量蓄える貯溜室２７を
有している。
【００４１】貯溜室２７は、この吐出手段２６の内部に
空間部２８を形成し、この空間部２８が所定の高さ位置
で微小振動手段を構成する微小振動板２９により仕切ら
れて形成されている。そして、この微小振動板２９を境
に、レジストの吐出側が貯溜室２７となっており、また
レジストの吐出側と反対側にはピエゾ素子３０（ＰＺ
Ｔ）が設けられている。
空間部２８を形成し、この空間部２８が所定の高さ位置
で微小振動手段を構成する微小振動板２９により仕切ら
れて形成されている。そして、この微小振動板２９を境
に、レジストの吐出側が貯溜室２７となっており、また
レジストの吐出側と反対側にはピエゾ素子３０（ＰＺ
Ｔ）が設けられている。
【００４２】なお、このピエゾ素子３０は、吐出手段２
６の上壁面を固定端とし、レジストの吐出側は微小振動
板２９と接着している。そのため、ピエゾ素子３０に電
圧を印加すると、微小振動板２９が微小振動手段として
のピエゾ素子３０の微小振動をダイレクトに反映させる
ことを可能としている。
６の上壁面を固定端とし、レジストの吐出側は微小振動
板２９と接着している。そのため、ピエゾ素子３０に電
圧を印加すると、微小振動板２９が微小振動手段として
のピエゾ素子３０の微小振動をダイレクトに反映させる
ことを可能としている。
【００４３】上記ピエゾ素子３０は、図１に示すように
外部電源３１と接続されている。この外部電源３１は、
パルス波状の電圧を発生させるように設けられている。
すなわち、ピエゾ素子３０に対し、図４に示す電圧パル
スを印加可能に構成されている。
外部電源３１と接続されている。この外部電源３１は、
パルス波状の電圧を発生させるように設けられている。
すなわち、ピエゾ素子３０に対し、図４に示す電圧パル
スを印加可能に構成されている。
【００４４】上記吐出手段２６のレジスト吐出側の面に
は、オリフィス板３２が取り付けられている。オリフィ
ス板３２は、貯溜室２７のレジスト吐出側を閉塞すると
共に、レジストの所定分量の吐出を可能としている。
は、オリフィス板３２が取り付けられている。オリフィ
ス板３２は、貯溜室２７のレジスト吐出側を閉塞すると
共に、レジストの所定分量の吐出を可能としている。
【００４５】このオリフィス板３２には、図２、図３に
示すようにレジストを吐出させる吐出孔であるオリフィ
ス孔３３が多数形成されている。このオリフィス孔３３
は、オリフィス板３２に例えば２００〜３００個程形成
されており、ピエゾ素子３０が伸縮作動した場合にレジ
ストを吐出させるが、通常はレジストを何等漏れさせな
い小径に形成されている。
示すようにレジストを吐出させる吐出孔であるオリフィ
ス孔３３が多数形成されている。このオリフィス孔３３
は、オリフィス板３２に例えば２００〜３００個程形成
されており、ピエゾ素子３０が伸縮作動した場合にレジ
ストを吐出させるが、通常はレジストを何等漏れさせな
い小径に形成されている。
【００４６】このオリフィス孔３３は、図３に示すよう
にオリフィス板３２の一端側で疎、他端側で密になる分
布に設けられている。ここで、オリフィス板３２の一端
側は、基板２１の中心に位置する部位であり、他端側は
基板２１の径方向外方に位置する部位である。すなわ
ち、オリフィス板３２の一端側の最も端部に形成された
オリフィス孔３３が、基板２１の中心に位置合わせされ
るように構成されている。
にオリフィス板３２の一端側で疎、他端側で密になる分
布に設けられている。ここで、オリフィス板３２の一端
側は、基板２１の中心に位置する部位であり、他端側は
基板２１の径方向外方に位置する部位である。すなわ
ち、オリフィス板３２の一端側の最も端部に形成された
オリフィス孔３３が、基板２１の中心に位置合わせされ
るように構成されている。
【００４７】そして、この一端側から他端側に向かっ
て、オリフィス孔３３の密度が比例的に増加するように
形成されている。このため、基板２１の中心から径方向
外方に向かうに従い、オリフィス孔３３の密度が比例的
に増加するように形成されている。
て、オリフィス孔３３の密度が比例的に増加するように
形成されている。このため、基板２１の中心から径方向
外方に向かうに従い、オリフィス孔３３の密度が比例的
に増加するように形成されている。
【００４８】また、基板２１の外周縁部にレジストを塗
布しない構成とするため、図３に示すようにオリフィス
板３２の一端側の最も端部に形成されたオリフィス孔３
３を基板２１の中心に位置合わせした場合、オリフィス
板３２の他端側の最も端部に形成されたオリフィス孔３
３は、基板２１の外周縁部と所定の間隔（数ｍｍ程度）
を有するように配列されている。
布しない構成とするため、図３に示すようにオリフィス
板３２の一端側の最も端部に形成されたオリフィス孔３
３を基板２１の中心に位置合わせした場合、オリフィス
板３２の他端側の最も端部に形成されたオリフィス孔３
３は、基板２１の外周縁部と所定の間隔（数ｍｍ程度）
を有するように配列されている。
【００４９】以上のような構成を有する連続膜の塗布装
置２０を用いた連続膜の塗布方法について、以下に説明
する。
置２０を用いた連続膜の塗布方法について、以下に説明
する。
【００５０】基板２１に対してレジストの連続膜を塗布
する場合には、まずオリフィス板３２の一端側の最も端
部側に位置するオリフィス孔３３を基板２１の中心に位
置合わせする。そして、位置合わせ終了後に、上記駆動
モータ２５を作動させて基板２１を低速回転させる。
する場合には、まずオリフィス板３２の一端側の最も端
部側に位置するオリフィス孔３３を基板２１の中心に位
置合わせする。そして、位置合わせ終了後に、上記駆動
モータ２５を作動させて基板２１を低速回転させる。
【００５１】このように基板２１を回転駆動させると共
に、ピエゾ素子３０を作動させて上記オリフィス孔３３
からレジストを吐出させる。この場合、上記ピエゾ素子
３０には電圧パルスを印加し、オリフィス孔３３からレ
ジストを瞬間的に吐出させ、このオリフィス孔３３から
一度吐出されたレジストが引き戻されないようにしてい
る。
に、ピエゾ素子３０を作動させて上記オリフィス孔３３
からレジストを吐出させる。この場合、上記ピエゾ素子
３０には電圧パルスを印加し、オリフィス孔３３からレ
ジストを瞬間的に吐出させ、このオリフィス孔３３から
一度吐出されたレジストが引き戻されないようにしてい
る。
【００５２】そして、基板２１に対してこのようなレジ
ストの滴下を所定時間行うが、基板２１が回転駆動され
た場合の基板の速さは、基板２１の内径側から外径側に
向かうにつれ、半径に比例して速くなる。このため、オ
リフィス板３２におけるオリフィス孔３３の個数の分布
を、オリフィス孔３３の一端側から他端側に向かい比例
的に増加するように設定すれば、この一端側を基板２１
に位置合わせした場合に、基板２１表面において、均一
にレジストが滴下される。
ストの滴下を所定時間行うが、基板２１が回転駆動され
た場合の基板の速さは、基板２１の内径側から外径側に
向かうにつれ、半径に比例して速くなる。このため、オ
リフィス板３２におけるオリフィス孔３３の個数の分布
を、オリフィス孔３３の一端側から他端側に向かい比例
的に増加するように設定すれば、この一端側を基板２１
に位置合わせした場合に、基板２１表面において、均一
にレジストが滴下される。
【００５３】なお、オリフィス孔３３の分布は、基板２
１の回転速度に応じて適宜の比例係数の分布となるよう
に設定されている。
１の回転速度に応じて適宜の比例係数の分布となるよう
に設定されている。
【００５４】ここで、上述の連続膜の塗布方法の実験結
果を、以下に示す。
果を、以下に示す。
【００５５】この実験では、ポジ型レジスト東京応化製
ＯＦＰＲ８００をレジストとして用い、半導体ウエハの
回転数を６ｒｐｍとして、３０秒間塗布を行った。
ＯＦＰＲ８００をレジストとして用い、半導体ウエハの
回転数を６ｒｐｍとして、３０秒間塗布を行った。
【００５６】この結果、膜厚１±０．０２μｍのレジス
トの連続膜が形成された。
トの連続膜が形成された。
【００５７】また、この実験では、材料利用効率９０％
以上が達成された。
以上が達成された。
【００５８】なお、本発明の連続膜の塗布方法と、他の
連続膜の塗布方法との比較を表１に示す。
連続膜の塗布方法との比較を表１に示す。
【００５９】
【表１】
【００６０】この表１においては、夫々の方式における
適正膜厚、膜の均一性、パターン形成可能か否か、塗布
材料の利用効率、基板２１上に形成された形状の制約、
適正な粘度の各データを示すものである。なお、良好か
否かを示す記号として、二重丸印、丸印、三角印、バツ
印が用いられており、この順番に従って均一性等が悪化
することを示している。
適正膜厚、膜の均一性、パターン形成可能か否か、塗布
材料の利用効率、基板２１上に形成された形状の制約、
適正な粘度の各データを示すものである。なお、良好か
否かを示す記号として、二重丸印、丸印、三角印、バツ
印が用いられており、この順番に従って均一性等が悪化
することを示している。
【００６１】この各方式との比較によると、スプレー方
式の場合は、適正膜厚が５〜３０μｍであり、均一性が
良好でなく、パターン形成が行えない。また、塗布材料
の利用効率が５〜１０％程度となっていて、形状の制約
が大きく、適正な粘度が１０〜１００ｍＰａ・ｓとなっ
ている。
式の場合は、適正膜厚が５〜３０μｍであり、均一性が
良好でなく、パターン形成が行えない。また、塗布材料
の利用効率が５〜１０％程度となっていて、形状の制約
が大きく、適正な粘度が１０〜１００ｍＰａ・ｓとなっ
ている。
【００６２】スピン方式の場合は、適正膜厚が１〜１０
μｍであり、均一性はまあまあ良好となっている。また
パターン形成は行えなく、塗布材料の利用効率は０．１
〜５％となっている。さらに、形状の制約が大きく、適
正な粘度が１０〜１００ｍＰａ・ｓとなっている。
μｍであり、均一性はまあまあ良好となっている。また
パターン形成は行えなく、塗布材料の利用効率は０．１
〜５％となっている。さらに、形状の制約が大きく、適
正な粘度が１０〜１００ｍＰａ・ｓとなっている。
【００６３】スクリーン方式の場合は、適正膜厚が１０
〜１００μｍであり、均一性はまあまあ良好となってい
る。またパターン形成がまずまず可能であり、塗布材料
の利用効率は２０〜７０％となっている。さらに、形状
の制約が大きく、適正な粘度が１００００ｍＰａ・ｓと
なっている。
〜１００μｍであり、均一性はまあまあ良好となってい
る。またパターン形成がまずまず可能であり、塗布材料
の利用効率は２０〜７０％となっている。さらに、形状
の制約が大きく、適正な粘度が１００００ｍＰａ・ｓと
なっている。
【００６４】オフセット印刷方式の場合は、適正膜厚が
１〜１０μｍであり、均一性はまあまあ良好となってい
る。またパターン形成がまずまず可能であり、塗布材料
の利用効率は１〜１０％となっている。さらに、形状の
制約が大きく、適正な粘度が１０〜５０ｍＰａ・ｓとな
っている。
１〜１０μｍであり、均一性はまあまあ良好となってい
る。またパターン形成がまずまず可能であり、塗布材料
の利用効率は１〜１０％となっている。さらに、形状の
制約が大きく、適正な粘度が１０〜５０ｍＰａ・ｓとな
っている。
【００６５】ナイフ方式の場合は、適正膜厚が１０〜１
００μｍであり、均一性は良好でない。またパターン形
成は行えなく、塗布材料の利用効率は１〜１０％となっ
ている。さらに、形状の制約が大きく、適正な粘度が１
０〜１００ｍＰａ・ｓとなっている。
００μｍであり、均一性は良好でない。またパターン形
成は行えなく、塗布材料の利用効率は１〜１０％となっ
ている。さらに、形状の制約が大きく、適正な粘度が１
０〜１００ｍＰａ・ｓとなっている。
【００６６】ワイヤー方式の場合は、適正膜厚が１０〜
１００μｍであり、均一性は良好でない。またパターン
形成は行えなく、塗布材料の利用効率は１〜１０％とな
っている。さらに、形状の制約が大きく、適正な粘度が
１０〜１００ｍＰａ・ｓとなっている。
１００μｍであり、均一性は良好でない。またパターン
形成は行えなく、塗布材料の利用効率は１〜１０％とな
っている。さらに、形状の制約が大きく、適正な粘度が
１０〜１００ｍＰａ・ｓとなっている。
【００６７】これら各方式と比較して、本発明の塗布方
法では、適正膜厚が１〜３０μｍであり、薄膜を形成す
るのに適したものとなっている。また、レジストの連続
膜の均一性が他の方式と比べて良好になっている。さら
に、半導体ウエハの回路パターン形成も、他の方式と比
較して問題なく行える。そして、塗布材料の利用効率が
きわめて高く、基板２１の表面形状による制約も少ない
ものとなっている。さらに、レジストの適性粘度として
は、１〜５０ｍＰａ・ｓとなっていて、粘性の低いレジ
ストを用いることが可能である。
法では、適正膜厚が１〜３０μｍであり、薄膜を形成す
るのに適したものとなっている。また、レジストの連続
膜の均一性が他の方式と比べて良好になっている。さら
に、半導体ウエハの回路パターン形成も、他の方式と比
較して問題なく行える。そして、塗布材料の利用効率が
きわめて高く、基板２１の表面形状による制約も少ない
ものとなっている。さらに、レジストの適性粘度として
は、１〜５０ｍＰａ・ｓとなっていて、粘性の低いレジ
ストを用いることが可能である。
【００６８】このような構成の塗布装置２０によると、
基板２１を回転駆動させながらレジストを微小振動板２
９の振動により塗布する塗布方法による塗布のため、均
一性やパターン形成、塗布材料の利用効率、基板２１の
形状の制約、或るいは適正な粘度といった点で、他の方
式と比較して優れているといえる。すなわち、基板２１
へのレジストの塗布を均一、かつ利用効率が良く良好に
行うことが可能となる。
基板２１を回転駆動させながらレジストを微小振動板２
９の振動により塗布する塗布方法による塗布のため、均
一性やパターン形成、塗布材料の利用効率、基板２１の
形状の制約、或るいは適正な粘度といった点で、他の方
式と比較して優れているといえる。すなわち、基板２１
へのレジストの塗布を均一、かつ利用効率が良く良好に
行うことが可能となる。
【００６９】また、オリフィス板３２に形成されたオリ
フィス孔３３は、オリフィス板３２の最も一端側から他
端側に向かうにつれて分布密度が比例的に増加するよう
に設けられているので、基板２１の中心からの距離に対
応して塗布液の膜厚が均一となるように基板２１に対し
て塗布液の吐出を実現可能となる。
フィス孔３３は、オリフィス板３２の最も一端側から他
端側に向かうにつれて分布密度が比例的に増加するよう
に設けられているので、基板２１の中心からの距離に対
応して塗布液の膜厚が均一となるように基板２１に対し
て塗布液の吐出を実現可能となる。
【００７０】なお、この場合、基板２１は低速回転させ
るが、このように基板２１を低速回転させた場合でも、
いずれの場所でも塗布液の吐出を均一化させることが可
能となる。
るが、このように基板２１を低速回転させた場合でも、
いずれの場所でも塗布液の吐出を均一化させることが可
能となる。
【００７１】また、ピエゾ素子３０を用いて、塗布液を
吐出させる構成のため、塗布液に対してピエゾ素子３０
の駆動により微小振動板２９に微小振動を与えることに
より、塗布液の塗布量を制御可能となる。
吐出させる構成のため、塗布液に対してピエゾ素子３０
の駆動により微小振動板２９に微小振動を与えることに
より、塗布液の塗布量を制御可能となる。
【００７２】ここで、ピエゾ素子３０には電圧パルスが
印加される構成のため、塗布液の吐出量をこの電圧パル
スの制御によって良好に調整可能となる。
印加される構成のため、塗布液の吐出量をこの電圧パル
スの制御によって良好に調整可能となる。
【００７３】また、上述の構成では、単一の貯溜室２７
が設けられており、ここに蓄えられた塗布液を基板２１
に対して吐出させる構成のため、大面積に塗布液を塗布
する場合に適した構成となっている。この場合、単一の
貯溜室２７が設けられた構成のため、ピエゾ素子３０も
単一とすることが可能となる。このため、構成を簡略化
することができる。
が設けられており、ここに蓄えられた塗布液を基板２１
に対して吐出させる構成のため、大面積に塗布液を塗布
する場合に適した構成となっている。この場合、単一の
貯溜室２７が設けられた構成のため、ピエゾ素子３０も
単一とすることが可能となる。このため、構成を簡略化
することができる。
【００７４】さらに、オリフィス孔３２の他端側の最も
端部に形成されたオリフィス孔３３は、基板２１の外周
縁部と所定の間隔を有するように配列されているので、
基板２１の外周縁部側のエッジカット部分には塗布液が
塗布されないこととなる。このため、従来必要とされて
いたエッジカット工程を設ける必要がなく、工程の簡略
化を図ることが可能となる。
端部に形成されたオリフィス孔３３は、基板２１の外周
縁部と所定の間隔を有するように配列されているので、
基板２１の外周縁部側のエッジカット部分には塗布液が
塗布されないこととなる。このため、従来必要とされて
いたエッジカット工程を設ける必要がなく、工程の簡略
化を図ることが可能となる。
【００７５】以上、本発明の第一の実施の形態について
述べたが、本発明はこれ以外にも種々変形可能となって
いる。以下、それについて述べる。
述べたが、本発明はこれ以外にも種々変形可能となって
いる。以下、それについて述べる。
【００７６】上記実施の形態では、貯溜室２７は、一つ
のみ設けられた構成となっているが、例えば図５に示す
吐出手段５１のように、吐出手段５１の内部に複数の貯
溜室５２を設ける構成としても構わない。この場合に
は、夫々の貯溜室５２に個別にピエゾ素子５３及び微小
振動板５４が設けられる構成となる。
のみ設けられた構成となっているが、例えば図５に示す
吐出手段５１のように、吐出手段５１の内部に複数の貯
溜室５２を設ける構成としても構わない。この場合に
は、夫々の貯溜室５２に個別にピエゾ素子５３及び微小
振動板５４が設けられる構成となる。
【００７７】この場合、吐出手段５１に対して基板２１
を相対的にスライド駆動させる構成としても良い。すな
わち、この基板２１をスライド駆動させる場合の塗布
は、上述の実施の形態で述べた基板２１を回転駆動させ
る場合とは異なる。
を相対的にスライド駆動させる構成としても良い。すな
わち、この基板２１をスライド駆動させる場合の塗布
は、上述の実施の形態で述べた基板２１を回転駆動させ
る場合とは異なる。
【００７８】そして、基板２１をスライド駆動させると
共に、夫々のピエゾ素子３０を別個独立に制御し、基板
２１の上部に位置する貯溜室５２に設けられたピエゾ素
子３０のみを作動させる。
共に、夫々のピエゾ素子３０を別個独立に制御し、基板
２１の上部に位置する貯溜室５２に設けられたピエゾ素
子３０のみを作動させる。
【００７９】すると、基板２１の幅分だけ塗布液を塗布
させることが可能となり、基板２１の外方に無駄に塗布
液を吐出させるのを防止することができる。また、ピエ
ゾ素子３０の作動を制御することにより、基板２１の外
周縁部側のエッジカット部分には塗布液が塗布されな
い。よって、従来必要とされていたエッジカット工程を
設ける必要がなく、工程の簡略化を図ることが可能とな
る。
させることが可能となり、基板２１の外方に無駄に塗布
液を吐出させるのを防止することができる。また、ピエ
ゾ素子３０の作動を制御することにより、基板２１の外
周縁部側のエッジカット部分には塗布液が塗布されな
い。よって、従来必要とされていたエッジカット工程を
設ける必要がなく、工程の簡略化を図ることが可能とな
る。
【００８０】また、上述の実施の形態の構成に加え、基
板２１に振動を付与するための不図示の振動付与手段が
設けられた構成としても良い。この場合、振動付与手段
を保持テーブル２２に連結する構成とし、それによって
振動付与手段により直動的に基板２１に振動が与えられ
る。
板２１に振動を付与するための不図示の振動付与手段が
設けられた構成としても良い。この場合、振動付与手段
を保持テーブル２２に連結する構成とし、それによって
振動付与手段により直動的に基板２１に振動が与えられ
る。
【００８１】この基板２１の表面にレジストが塗布され
た場合、振動付与手段で基板２１に振動が付与される
と、塗布されたレジストがならされてより均一化される
という作用効果を有する。
た場合、振動付与手段で基板２１に振動が付与される
と、塗布されたレジストがならされてより均一化される
という作用効果を有する。
【００８２】（第二の実施の形態）以下、本発明の第二
の実施の形態について、図６乃至図８に基づいて説明す
る。
の実施の形態について、図６乃至図８に基づいて説明す
る。
【００８３】ここで、本実施の形態においては、上述の
第一の実施の形態で述べたのと同じ構成については、同
符号を付して説明することとする。
第一の実施の形態で述べたのと同じ構成については、同
符号を付して説明することとする。
【００８４】なお、本実施の形態も、上述の第一の実施
の形態で述べた塗布方法の一種である。
の形態で述べた塗布方法の一種である。
【００８５】図６に示す本実施の形態の塗布装置６０
は、吐出手段６１のオリフィス板６２に形成されたオリ
フィス孔６３の配置が上述の第一の実施の形態で述べた
構成と異なっている。すなわち、本実施の形態における
オリフィス孔６３は、図７に示すように、一端側から他
端側の間の配列が、略円弧状を為す配列に夫々等ピッチ
で形成されている。
は、吐出手段６１のオリフィス板６２に形成されたオリ
フィス孔６３の配置が上述の第一の実施の形態で述べた
構成と異なっている。すなわち、本実施の形態における
オリフィス孔６３は、図７に示すように、一端側から他
端側の間の配列が、略円弧状を為す配列に夫々等ピッチ
で形成されている。
【００８６】このオリフィス孔６３は、上述の基板２１
のエッジカット部の径よりも小さくなるように配列され
ている。このため、図８に示すように、オリフィス孔６
３の一端側から他端側への配列の円弧状の径中心を基板
２１の中心に一致させた場合、エッジカット部にはオリ
フィス孔６３が位置しない構成となっている。
のエッジカット部の径よりも小さくなるように配列され
ている。このため、図８に示すように、オリフィス孔６
３の一端側から他端側への配列の円弧状の径中心を基板
２１の中心に一致させた場合、エッジカット部にはオリ
フィス孔６３が位置しない構成となっている。
【００８７】上記吐出手段６１は、上記オリフィス板６
２の最も他端側のオリフィス孔６３を支点として回動可
能に構成されている。このような回動を可能とするた
め、吐出手段６１の上端部には回転軸６４が連結されて
おり、さらにこの回転軸６４は、駆動源６５に連結され
ている。なお、この駆動源６５は、不図示の制御手段に
接続されていて、作動が制御される構成である。
２の最も他端側のオリフィス孔６３を支点として回動可
能に構成されている。このような回動を可能とするた
め、吐出手段６１の上端部には回転軸６４が連結されて
おり、さらにこの回転軸６４は、駆動源６５に連結され
ている。なお、この駆動源６５は、不図示の制御手段に
接続されていて、作動が制御される構成である。
【００８８】以上のような構成の塗布装置６０を用いて
基板２１の表面にレジストを塗布する塗布方法につい
て、以下に説明する。
基板２１の表面にレジストを塗布する塗布方法につい
て、以下に説明する。
【００８９】基板２１に対してレジストの連続膜を塗布
する場合には、まずオリフィス孔６３の配列の円弧状の
径の中心を、基板２１の中心と一致するように位置合わ
せする。すなわち、このような位置合わせをすることに
より、基板２１のエッジカット部と塗布液の塗布領域の
境界部分にオリフィス孔６３の配列が設けられるように
なる。
する場合には、まずオリフィス孔６３の配列の円弧状の
径の中心を、基板２１の中心と一致するように位置合わ
せする。すなわち、このような位置合わせをすることに
より、基板２１のエッジカット部と塗布液の塗布領域の
境界部分にオリフィス孔６３の配列が設けられるように
なる。
【００９０】このように位置合わせを行った後、基板２
１を所定の速度で回転駆動させ（本塗布方法では、低速
回転を行う）、そしてピエゾ素子３０を作動させて基板
２１の表面に塗布液の吐出を行う。なお、この場合の塗
布液の吐出は、各オリフィス孔６３から均一な量の吐出
が行われるように調整されている。
１を所定の速度で回転駆動させ（本塗布方法では、低速
回転を行う）、そしてピエゾ素子３０を作動させて基板
２１の表面に塗布液の吐出を行う。なお、この場合の塗
布液の吐出は、各オリフィス孔６３から均一な量の吐出
が行われるように調整されている。
【００９１】この塗布液の吐出開始と共に、駆動源６５
を作動させて吐出手段６１を回転駆動させる。すると、
図８に示すように、オリフィス孔６３の配列は、オリフ
ィス板６２の最も他端側のオリフィス孔６３を支点とし
て回動する。
を作動させて吐出手段６１を回転駆動させる。すると、
図８に示すように、オリフィス孔６３の配列は、オリフ
ィス板６２の最も他端側のオリフィス孔６３を支点とし
て回動する。
【００９２】この場合、一端側のオリフィス孔６３の移
動速度は大きくなり、そのためこの一端側のオリフィス
孔６３が基板２１の中心を通過する場合に移動速度が大
きな状態で通過する。そのため、円弧状に配列されたオ
リフィス孔６３の夫々で同じ分量だけ塗布液を吐出させ
た場合には、基板２１の中心側では吐出される塗布液の
分量は少なくなる。
動速度は大きくなり、そのためこの一端側のオリフィス
孔６３が基板２１の中心を通過する場合に移動速度が大
きな状態で通過する。そのため、円弧状に配列されたオ
リフィス孔６３の夫々で同じ分量だけ塗布液を吐出させ
た場合には、基板２１の中心側では吐出される塗布液の
分量は少なくなる。
【００９３】これに対して、基板２１の径方向外方に向
かうにつれ、オリフィス孔６３の移動速度が遅くなり、
また所定位置のオリフィス孔６３よりも基板２１の中心
側に位置するオリフィス孔６３の個数も減少するので、
塗布液の吐出量が多くなる。このため、上述の第一の実
施の形態と同様に、基板２１の中心側では塗布液の吐出
量が少なく、基板２１の径方向外方に向かうにつれて塗
布液の吐出量が多くなる構成を実現することができる。
かうにつれ、オリフィス孔６３の移動速度が遅くなり、
また所定位置のオリフィス孔６３よりも基板２１の中心
側に位置するオリフィス孔６３の個数も減少するので、
塗布液の吐出量が多くなる。このため、上述の第一の実
施の形態と同様に、基板２１の中心側では塗布液の吐出
量が少なく、基板２１の径方向外方に向かうにつれて塗
布液の吐出量が多くなる構成を実現することができる。
【００９４】このような塗布液の吐出を、オリフィス板
６２の最も一端側に位置するオリフィス孔６３が、基板
２１の中心に達するまで行い、以後基板２１の中心と、
エッジカット部と塗布領域の境界部分との間を揺動させ
て行う。
６２の最も一端側に位置するオリフィス孔６３が、基板
２１の中心に達するまで行い、以後基板２１の中心と、
エッジカット部と塗布領域の境界部分との間を揺動させ
て行う。
【００９５】以上のような構成の連続膜の塗布装置６０
を用いても、上述の第一の実施の形態と同様な作用効果
を奏することが可能となる。すなわち、基板２１に対し
て膜厚を均一にしてレジストの塗布を行うことが可能と
なる。また、材料利用効率が高くなり、レジスト等の塗
布液が無駄になるのを防止することができる。さらに、
エッジカット工程を設ける必要もなくなる。
を用いても、上述の第一の実施の形態と同様な作用効果
を奏することが可能となる。すなわち、基板２１に対し
て膜厚を均一にしてレジストの塗布を行うことが可能と
なる。また、材料利用効率が高くなり、レジスト等の塗
布液が無駄になるのを防止することができる。さらに、
エッジカット工程を設ける必要もなくなる。
【００９６】以上、本発明の第二の実施の形態について
説明したが、本発明はこれ以外にも種々変形可能となっ
ている。以下それについて述べる。
説明したが、本発明はこれ以外にも種々変形可能となっ
ている。以下それについて述べる。
【００９７】上記実施の形態においても、単一の貯溜室
２７を設ける構成とはせず、吐出手段６１の内部に複数
の貯溜室５２を形成し、夫々の貯溜室５２に個別にピエ
ゾ素子５３及び微小振動板５４を設ける構成としても構
わない。
２７を設ける構成とはせず、吐出手段６１の内部に複数
の貯溜室５２を形成し、夫々の貯溜室５２に個別にピエ
ゾ素子５３及び微小振動板５４を設ける構成としても構
わない。
【００９８】また、本実施の形態においても、上述の実
施の形態と同様に、保持テーブル２２に振動付与手段を
連結した構成としても構わない。この場合も、振動付与
手段により振動が与えられることにより基板２１の表面
に塗布されたレジストをより均一にならすことが可能と
なる。
施の形態と同様に、保持テーブル２２に振動付与手段を
連結した構成としても構わない。この場合も、振動付与
手段により振動が与えられることにより基板２１の表面
に塗布されたレジストをより均一にならすことが可能と
なる。
【００９９】また、上述の第一の実施の形態および第二
の実施の形態では、レジスト膜の形成について説明して
きたが、これに限るものではなく、例えば液晶用ガラス
基板中への液晶の塗布等にも適用することが可能であ
る。
の実施の形態では、レジスト膜の形成について説明して
きたが、これに限るものではなく、例えば液晶用ガラス
基板中への液晶の塗布等にも適用することが可能であ
る。
【０１００】その他、本発明の要旨を変更しない範囲に
おいて、種々変形可能となっている。
おいて、種々変形可能となっている。
【０１０１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
駆動手段で基板を回転駆動させながら、塗布液の吐出量
を微小振動手段で微小振動制御して基板に塗布するの
で、基板への塗布量をこの微小振動手段で均一化させて
塗布することが可能となる。また、基板表面の形状の制
約を受け難くなる。
駆動手段で基板を回転駆動させながら、塗布液の吐出量
を微小振動手段で微小振動制御して基板に塗布するの
で、基板への塗布量をこの微小振動手段で均一化させて
塗布することが可能となる。また、基板表面の形状の制
約を受け難くなる。
【０１０２】特に、吐出孔の分布個数が一端側から他端
側に向かい比例的に変化するので、基板の中心に吐出孔
の分布個数の少ない端部側を位置させて塗布液を吐出さ
せれば、基板表面で均一な膜厚に塗布することが可能と
なる。
側に向かい比例的に変化するので、基板の中心に吐出孔
の分布個数の少ない端部側を位置させて塗布液を吐出さ
せれば、基板表面で均一な膜厚に塗布することが可能と
なる。
【０１０３】すなわち、基板が回転駆動する場合、移動
距離の小さい基板内径側で吐出量を少なくし、移動距離
の大きい基板外周側で吐出量を多くすれば、基板に対す
る塗布液の吐出量を均一化することができ、基板表面で
均一な膜厚に塗布することが可能となる。
距離の小さい基板内径側で吐出量を少なくし、移動距離
の大きい基板外周側で吐出量を多くすれば、基板に対す
る塗布液の吐出量を均一化することができ、基板表面で
均一な膜厚に塗布することが可能となる。
【図１】本発明の第一の実施の形態に係わる連続膜の塗
布装置の構成を示す側面図。
布装置の構成を示す側面図。
【図２】同実施の形態に係わる吐出手段の構成を示す図
であり、（ａ）は側断面図、（ｂ）はオリフィス板の平
面図を示す。
であり、（ａ）は側断面図、（ｂ）はオリフィス板の平
面図を示す。
【図３】同実施の形態に係わる基板にレジストを塗布す
る場合のオリフィス孔の配列状態を示す図。
る場合のオリフィス孔の配列状態を示す図。
【図４】同実施の形態に係わる外部電源に印加される電
圧の状態を示す図。
圧の状態を示す図。
【図５】本発明の第一の実施の形態の変形例に係わる吐
出手段の構成を示す側断面図。
出手段の構成を示す側断面図。
【図６】本発明の第二の実施の形態に係わる連続膜の形
成装置の構成を示す側断面図。
成装置の構成を示す側断面図。
【図７】同実施の形態に係わる吐出手段のオリフィス孔
の配列状態を示す図。
の配列状態を示す図。
【図８】同実施の形態に係わる基板にレジストを塗布す
るときのオリフィス孔の動きを示す図。
るときのオリフィス孔の動きを示す図。
２０，６０…連続膜の塗布装置 ２１…基板 ２２…保持テーブル ２５…駆動モータ ２６，５１，６１…吐出手段 ２７，５２…貯溜室 ２９，５４…微小振動板 ３０，５３…ピエゾ素子 ３１…外部電源 ３２，６２…オリフィス板 ３３，６３…オリフィス孔 ６４…回転軸 ６５…駆動源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｃ ５６４Ｄ (72)発明者 添田 勝之 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 Ｆターム(参考） 4D075 AC64 AC79 AC84 DA08 DC22 4F033 AA14 BA03 DA05 EA01 JA03 JA06 LA13 NA01 PA11 PB25 PD01 PD06 4F041 AA06 AB01 BA13 4F042 AA07 EB18 EB19 5F046 JA01 JA04
Claims (14)
- 【請求項１】 基板表面に膜を形成する塗布装置におい
て、 上記基板を保持する保持手段と、 内部に塗布液を蓄え、上記基板と対向する対向部位に上
記塗布液を吐出させる複数の吐出孔が形成された吐出手
段と、 上記塗布液に微小振動を与えて吐出させる微小振動手段
と、 上記保持手段と上記吐出手段を相対的に駆動させる駆動
手段と、 を具備することを特徴とする塗布装置。 - 【請求項２】 上記吐出手段は、上記対向部位の一端側
から他端側に向かい上記吐出孔の分布個数が変化するよ
うに設けられていることを特徴とする請求項１記載の塗
布装置。 - 【請求項３】 上記吐出孔の分布個数は、一端側から他
端側に向かい比例的に変化して配列されていることを特
徴とする請求項２記載の連続膜の塗布装置。 - 【請求項４】 半導体ウエハ表面にレジスト膜を形成す
る塗布装置において、 半導体ウエハを保持する保持手段と、 内部にレジストを蓄え、上記半導体ウエハと対向する対
向部位に上記レジストを吐出させる複数の吐出孔を一端
側から他端側に向かい比例的に増加させて形成した吐出
手段と、 上記レジストに微小振動を与えて吐出させる微小振動手
段と、 上記吐出手段の一端側に形成された吐出孔を上記半導体
ウエハの中心部位と対向させ、他端側を上記半導体ウエ
ハの外周部位と対向させた状態で上記保持手段と上記吐
出手段を相対的に回転駆動させる駆動手段と、 を有することを特徴とする塗布装置。 - 【請求項５】 上記微小振動手段はピエゾ素子から構成
されており、このピエゾ素子の微小振動を制御すること
により吐出量を制御することを特徴とする請求項１乃至
請求項４のいずれかに記載の塗布装置。 - 【請求項６】 上記吐出手段は、一つの貯溜室から構成
されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のい
ずれかに記載の塗布装置。 - 【請求項７】 吐出手段は、複数の貯溜室と各貯溜室毎
に設けられた微小振動手段から構成されていることを特
徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の塗布
装置。 - 【請求項８】 上記保持手段は、上記基板或いは半導体
ウエハに対して振動を付与する振動付与手段が設けられ
ていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれ
かに記載の塗布装置。 - 【請求項９】 内部に塗布液を蓄える一つの塗布液貯溜
室を有し、被塗布物と対向する対向部位に上記塗布液を
吐出させる複数の吐出孔が形成され、上記塗布液に微小
振動を与えて吐出させる微小振動手段を有することを特
徴とする吐出手段。 - 【請求項１０】 上記微小振動手段はピエゾ素子から構
成されており、このピエゾ素子の微小振動を制御するこ
とにより塗布液の吐出量を制御することを特徴とする請
求項９記載の吐出手段。 - 【請求項１１】 上記吐出孔の分布個数は、一端側から
他端側に向かい比例的に変化して配列していることを特
徴とする請求項９記載の吐出手段。 - 【請求項１２】 基板を保持手段に保持させる工程と、 吐出手段内部に蓄えられた塗布液に微小振動を付与し、
上記基板と対向する吐出手段の対向部位に設けられた上
記塗布液を吐出させる複数の吐出孔から塗布液を吐出す
ると共に、上記基板と上記吐出手段を相対的に駆動して
膜を形成する工程と、 を具備することを特徴とする塗布方法。 - 【請求項１３】 半導体ウエハを保持手段に保持させる
工程と、 吐出手段内部に蓄えられたレジストに微小振動を付与
し、上記半導体ウエハと対向する吐出手段の対向部位に
一端側から他端側に向かい比例的に増加させて形成した
レジストを吐出させる複数の吐出孔からレジストを吐出
すると共に、上記半導体ウエハと上記吐出孔とを相対的
に回転駆動してレジスト膜を形成する工程と、 を有することを特徴とする塗布方法。 - 【請求項１４】 塗布液を塗布した上記基板或いは上記
半導体ウエハに対して振動を付与する工程を有すること
を特徴とする請求項１２又は請求項１３に記載の塗布方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11001906A JP2000197842A (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | 塗布装置、吐出手段及び塗布方法 |
| TW088123139A TW451354B (en) | 1999-01-07 | 1999-12-28 | Coating, discharge means, and coating method |
| KR1019990064449A KR20000057115A (ko) | 1999-01-07 | 1999-12-29 | 도포장치, 배출수단 및 도포방법 |
| US09/477,625 US6551765B1 (en) | 1999-01-07 | 2000-01-04 | Coating apparatus, discharge device, and coating method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11001906A JP2000197842A (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | 塗布装置、吐出手段及び塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000197842A true JP2000197842A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=11514633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11001906A Pending JP2000197842A (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | 塗布装置、吐出手段及び塗布方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6551765B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000197842A (ja) |
| KR (1) | KR20000057115A (ja) |
| TW (1) | TW451354B (ja) |
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| JP2014093476A (ja) * | 2012-11-06 | 2014-05-19 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2017501022A (ja) * | 2013-12-03 | 2017-01-12 | アドヴェニラ エンタープライジーズ，インコーポレイテッド | 同時回転および振動を使用したコーティング材料分布 |
| CN111570173A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-08-25 | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 | 喷洒系统 |
| CN111804498A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-10-23 | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 | 用于高深宽比深孔结构晶圆或薄胶喷涂晶圆的喷嘴装置和喷涂方法 |
| JP2021137744A (ja) * | 2020-03-05 | 2021-09-16 | 株式会社ディスコ | 保護膜形成装置 |
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| KR100558928B1 (ko) * | 2003-11-21 | 2006-03-10 | 세메스 주식회사 | 평판표시소자 제조를 위한 기판 상에 포토레지스트를도포하는 장치 및 이에 사용되는 노즐 |
| KR100650259B1 (ko) * | 2005-12-20 | 2006-11-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 포토레지스트막 도포장치 및 이를 이용한 포토리소그라피방법 |
| JP5638768B2 (ja) * | 2009-04-24 | 2014-12-10 | 武蔵エンジニアリング株式会社 | ノズル回転機構およびそれを備える塗布装置 |
| US10109796B2 (en) | 2011-01-04 | 2018-10-23 | San Diego State University Research Foundation | Methods of applying polymers to surfaces and surfaces coated by polymers |
| US20130052360A1 (en) * | 2011-08-30 | 2013-02-28 | Tadashi Maegawa | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and nozzle |
| KR102243063B1 (ko) * | 2018-08-08 | 2021-04-22 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법 |
| KR102288984B1 (ko) * | 2018-08-08 | 2021-08-13 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| US11526076B2 (en) | 2020-11-18 | 2022-12-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Nanofabrication system with dispensing system for rotational dispensing |
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| JPH03266815A (ja) | 1990-03-16 | 1991-11-27 | Y A Shii Kk | 液晶表示素子用基板の配向膜形成方法 |
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-
1999
- 1999-01-07 JP JP11001906A patent/JP2000197842A/ja active Pending
- 1999-12-28 TW TW088123139A patent/TW451354B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-12-29 KR KR1019990064449A patent/KR20000057115A/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-01-04 US US09/477,625 patent/US6551765B1/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| TW451354B (en) | 2001-08-21 |
| KR20000057115A (ko) | 2000-09-15 |
| US6551765B1 (en) | 2003-04-22 |
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