JP2000190222A - 研磨液供給装置 - Google Patents
研磨液供給装置Info
- Publication number
- JP2000190222A JP2000190222A JP10365844A JP36584498A JP2000190222A JP 2000190222 A JP2000190222 A JP 2000190222A JP 10365844 A JP10365844 A JP 10365844A JP 36584498 A JP36584498 A JP 36584498A JP 2000190222 A JP2000190222 A JP 2000190222A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing liquid
- polishing
- chemical mechanical
- tank
- grinding liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
- B24B55/02—Equipment for cooling the grinding surfaces, e.g. devices for feeding coolant
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
Abstract
(57)【要約】
【課題】 化学的機械研磨装置内にｐＨセンサを有し、
研磨時に該ｐＨセンサが研磨液のｐＨの測定を行い、ｐ
Ｈの測定結果に応じて研磨液の供給量を制御する。 【解決手段】 化学的機械研磨装置に用いられる研磨液
供給装置において、研磨液タンク１は、いくつかの管１
１ａ、１１ｂ・・・とポンプ１２ａ、１２ｂ・・・を介
して研磨液原液タンク１３ａ、１３ｂ・・・に、管９と
ポンプ１０を介して化学的機械研磨装置１６に、および
管１４とポンプ１５を介して排液処理装置１７にそれぞ
れ接続され、研磨液供給機構全体が外気から遮断された
構造を持ち、さらに、研磨液タンク１内に、研磨液２の
ｐＨの測定手段５を設け、研磨液タンク１の外部のｐＨ
の表示部６、制御部７へ接続することで、より研磨の信
頼性の管理を、容易にすることが可能である。
研磨時に該ｐＨセンサが研磨液のｐＨの測定を行い、ｐ
Ｈの測定結果に応じて研磨液の供給量を制御する。 【解決手段】 化学的機械研磨装置に用いられる研磨液
供給装置において、研磨液タンク１は、いくつかの管１
１ａ、１１ｂ・・・とポンプ１２ａ、１２ｂ・・・を介
して研磨液原液タンク１３ａ、１３ｂ・・・に、管９と
ポンプ１０を介して化学的機械研磨装置１６に、および
管１４とポンプ１５を介して排液処理装置１７にそれぞ
れ接続され、研磨液供給機構全体が外気から遮断された
構造を持ち、さらに、研磨液タンク１内に、研磨液２の
ｐＨの測定手段５を設け、研磨液タンク１の外部のｐＨ
の表示部６、制御部７へ接続することで、より研磨の信
頼性の管理を、容易にすることが可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の平坦
化に使用される半導体製造装置のひとつである化学的機
械研磨装置に用いられる研磨液供給装置に関するもので
ある。
化に使用される半導体製造装置のひとつである化学的機
械研磨装置に用いられる研磨液供給装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高集積化に伴って、その製
造過程におけるウエーハの平坦性は重要となってきてい
る。かかる平坦性を実現するため、化学的機械研磨（Ｃ
ＭＰ：ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏ
ｌｉｓｈ）装置を用いた平坦化法が用いられる。化学的
機械研磨法は、ポリシングパッドと研磨液（スラリー溶
液）に含まれる研磨剤による機械的研磨と、スラリー溶
液内の化学的エッチングとの相互作用により、化学的機
械的にウエーハを平坦化する方法である。
造過程におけるウエーハの平坦性は重要となってきてい
る。かかる平坦性を実現するため、化学的機械研磨（Ｃ
ＭＰ：ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏ
ｌｉｓｈ）装置を用いた平坦化法が用いられる。化学的
機械研磨法は、ポリシングパッドと研磨液（スラリー溶
液）に含まれる研磨剤による機械的研磨と、スラリー溶
液内の化学的エッチングとの相互作用により、化学的機
械的にウエーハを平坦化する方法である。
【０００３】近年、あらかじめパターニングしておい
た、金属、誘電体、その他の材料上に、異なる膜種を埋
め込んでおき、それを化学的機械研磨することにより、
所望のパターンに異なる膜種が埋め込まれた構造を形成
する、いわゆるダマシン工程やトレンチ工程が広く用い
られている。
た、金属、誘電体、その他の材料上に、異なる膜種を埋
め込んでおき、それを化学的機械研磨することにより、
所望のパターンに異なる膜種が埋め込まれた構造を形成
する、いわゆるダマシン工程やトレンチ工程が広く用い
られている。
【０００４】このような構造を形成するための化学的機
械研磨においては、研磨液の化学的特性が、異なる膜種
に対する研磨速度が適切なものとなるように、厳密に制
御されている必要がある。特にそのｐＨは、研磨速度に
密接に関わっているため重要である。
械研磨においては、研磨液の化学的特性が、異なる膜種
に対する研磨速度が適切なものとなるように、厳密に制
御されている必要がある。特にそのｐＨは、研磨速度に
密接に関わっているため重要である。
【０００５】そのため、従来の化学的機械研磨装置およ
びこの装置に研磨液を供給する研磨液供給機構において
は、例えば特開平９−１３１６６０号公報や特開平７−
２３３９３３号公報に記載の方法により、研磨液の安定
化が図られている。
びこの装置に研磨液を供給する研磨液供給機構において
は、例えば特開平９−１３１６６０号公報や特開平７−
２３３９３３号公報に記載の方法により、研磨液の安定
化が図られている。
【０００６】特開平９−１３１６６０号公報は図７に示
すように、研磨に用いる研磨液２を貯蔵する研磨液タン
ク１を、いくつかの管１１ａ、１１ｂ・・・とポンプ１
２ａ、１２ｂ・・・を介して研磨液原液タンク１３ａ、
１３ｂ・・・に、管９とポンプ１０を介して化学的機械
研磨装置１６に、および管１４とポンプ１５を介して排
液処理装置１７に、それぞれ接続されている。研磨液タ
ンク１には、研磨液２の貯蔵量を測定する水位センサ
４、研磨液２を適宣撹拌できる撹拌装置８が配設され
る。制御部７は、上記水位センサ４と撹拌装置８に接続
されるとともに、化学的機械研磨装置１６内の図示しな
いｐＨセンサにも接続される。該ｐＨセンサはウエハを
吸着する図示しない吸着盤に配設されている。該研磨液
２は研磨液タンク１から化学的機械研磨装置１６に供給
されるが、研磨時に該ｐＨセンサが研磨液２のｐＨの測
定を行い、ｐＨの測定結果に応じて研磨液の供給量を制
御する。
すように、研磨に用いる研磨液２を貯蔵する研磨液タン
ク１を、いくつかの管１１ａ、１１ｂ・・・とポンプ１
２ａ、１２ｂ・・・を介して研磨液原液タンク１３ａ、
１３ｂ・・・に、管９とポンプ１０を介して化学的機械
研磨装置１６に、および管１４とポンプ１５を介して排
液処理装置１７に、それぞれ接続されている。研磨液タ
ンク１には、研磨液２の貯蔵量を測定する水位センサ
４、研磨液２を適宣撹拌できる撹拌装置８が配設され
る。制御部７は、上記水位センサ４と撹拌装置８に接続
されるとともに、化学的機械研磨装置１６内の図示しな
いｐＨセンサにも接続される。該ｐＨセンサはウエハを
吸着する図示しない吸着盤に配設されている。該研磨液
２は研磨液タンク１から化学的機械研磨装置１６に供給
されるが、研磨時に該ｐＨセンサが研磨液２のｐＨの測
定を行い、ｐＨの測定結果に応じて研磨液の供給量を制
御する。
【０００７】図８を用いて特開平７−２３３９３３号公
報を説明する。研磨液と添加液を混合する混合器１０１
と、該混合器１０１と接続される混合研磨液タンク１０
２と、混合器１０１に制御バルブ１０７を介して添加液
を供給する添加液供給管１０６と、下端１１３、１１４
に空気吐出孔を有し下端１１３、１１４の高さＨを異な
らせて研磨液タンク１０２に挿入された２本の検出管１
１１、１１２と、２本の検出管１１１、１１２の上端に
それぞれ一定圧力の空気を供給する給気源１１５と、２
本の検出管１１１、１１２内の空気圧力の差圧を検出す
る差圧計１１８と、差圧計１１８の検出差圧が設定値１
２０より大きい場合には制御バルブの１０７開度を大き
くし、差圧計１１８の検出差圧が設定値１２０より小さ
い場合には制御バルブ１０７の開度を小さくする制御装
置１１９とを備えている。該差圧計１１８の検出差圧に
より混合器１０１に供給する添加液を増減することで、
研磨液の濃度を制御する。
報を説明する。研磨液と添加液を混合する混合器１０１
と、該混合器１０１と接続される混合研磨液タンク１０
２と、混合器１０１に制御バルブ１０７を介して添加液
を供給する添加液供給管１０６と、下端１１３、１１４
に空気吐出孔を有し下端１１３、１１４の高さＨを異な
らせて研磨液タンク１０２に挿入された２本の検出管１
１１、１１２と、２本の検出管１１１、１１２の上端に
それぞれ一定圧力の空気を供給する給気源１１５と、２
本の検出管１１１、１１２内の空気圧力の差圧を検出す
る差圧計１１８と、差圧計１１８の検出差圧が設定値１
２０より大きい場合には制御バルブの１０７開度を大き
くし、差圧計１１８の検出差圧が設定値１２０より小さ
い場合には制御バルブ１０７の開度を小さくする制御装
置１１９とを備えている。該差圧計１１８の検出差圧に
より混合器１０１に供給する添加液を増減することで、
研磨液の濃度を制御する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
化学的機械研磨装置およびこの装置に研磨液を供給する
研磨液供給機構は、図７に示すように、管９、１１と研
磨液タンク１の接続部分が外気を遮断する構造ではない
ため、研磨に用いるべく調整された研磨液２を貯蔵する
研磨液タンク１内の気体３と外気が遮断されず、外気が
研磨液タンク１内に浸入することとなる。また、図８に
示す従来技術では外気を研磨液タンク１に供給する構造
であるため、外気が研磨液タンク１内に浸入することと
なる。例えば、酸化セリウム（セリア）等を研磨剤とし
て含む研磨液のように、時間とともに研磨液供給機構の
タンク内でそのｐＨが変化するような研磨液の場合、古
い研磨液に新しい研磨原液を追加混合することで変化し
たｐＨを調整することは可能になるが、劣化した研磨特
性を改善することは困難である。
化学的機械研磨装置およびこの装置に研磨液を供給する
研磨液供給機構は、図７に示すように、管９、１１と研
磨液タンク１の接続部分が外気を遮断する構造ではない
ため、研磨に用いるべく調整された研磨液２を貯蔵する
研磨液タンク１内の気体３と外気が遮断されず、外気が
研磨液タンク１内に浸入することとなる。また、図８に
示す従来技術では外気を研磨液タンク１に供給する構造
であるため、外気が研磨液タンク１内に浸入することと
なる。例えば、酸化セリウム（セリア）等を研磨剤とし
て含む研磨液のように、時間とともに研磨液供給機構の
タンク内でそのｐＨが変化するような研磨液の場合、古
い研磨液に新しい研磨原液を追加混合することで変化し
たｐＨを調整することは可能になるが、劣化した研磨特
性を改善することは困難である。
【０００９】また、化学的機械研磨においては、２種以
上の膜に対する研磨速度の差を利用して所望の構造を得
るような場合、研磨に用いる際の研磨液のｐＨが７近傍
であると、時間経過とともにｐＨが中性点である７を越
え、各被研磨膜に対する研磨レートとその比が大きく変
動し、所望の研磨特性が全く得られなくなる、いわゆる
研磨液の寿命の問題がある。図２に示すように、研磨液
のｐＨが７を越えると窒化珪素膜の研磨速度３２が大き
くなり、窒化珪素膜も研磨されることとなる。
上の膜に対する研磨速度の差を利用して所望の構造を得
るような場合、研磨に用いる際の研磨液のｐＨが７近傍
であると、時間経過とともにｐＨが中性点である７を越
え、各被研磨膜に対する研磨レートとその比が大きく変
動し、所望の研磨特性が全く得られなくなる、いわゆる
研磨液の寿命の問題がある。図２に示すように、研磨液
のｐＨが７を越えると窒化珪素膜の研磨速度３２が大き
くなり、窒化珪素膜も研磨されることとなる。
【００１０】このような研磨特性の不安定性のため、研
磨液タンク内に研磨液が長時間滞留することのないよ
う、研磨液タンクの容積を制限したり、研磨液の使用量
が少ない場合には、研磨液の寿命よりも相応に早い時期
に未使用の研磨液を廃棄せねばならなくなるという問題
がある。
磨液タンク内に研磨液が長時間滞留することのないよ
う、研磨液タンクの容積を制限したり、研磨液の使用量
が少ない場合には、研磨液の寿命よりも相応に早い時期
に未使用の研磨液を廃棄せねばならなくなるという問題
がある。
【００１１】本発明は、上記問題を解決すべくなされた
ものであって、その目的とするところは、研磨液のｐＨ
の経時変化を抑え、化学的機械研磨の特性の安定性の向
上を図ることにある。
ものであって、その目的とするところは、研磨液のｐＨ
の経時変化を抑え、化学的機械研磨の特性の安定性の向
上を図ることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、化学的機械研磨装置において、研磨液を貯
蔵する研磨液タンクと、研磨液を化学的機械研磨装置へ
供給するにいたる供給経路をふくむ研磨液供給機構全体
が、外気から遮断された構造を持つことを特徴とする。
に本発明は、化学的機械研磨装置において、研磨液を貯
蔵する研磨液タンクと、研磨液を化学的機械研磨装置へ
供給するにいたる供給経路をふくむ研磨液供給機構全体
が、外気から遮断された構造を持つことを特徴とする。
【００１３】また、本発明の化学的機械研磨装置におい
て、研磨液が大気に曝されないようにするため、上記研
磨液供給機構全体は不活性ガスを充填し密封した形態を
とってもよい。
て、研磨液が大気に曝されないようにするため、上記研
磨液供給機構全体は不活性ガスを充填し密封した形態を
とってもよい。
【００１４】さらに、本発明の化学的機械研磨装置にお
いて、研磨液が大気に曝されないようにするため、上記
供給機構の研磨液タンクの容積を可変とし、研磨液タン
クの容積を研磨液の残量に常に等しくすることにより、
研磨液が全く気体に触れない形態をとればさらに効果的
である。
いて、研磨液が大気に曝されないようにするため、上記
供給機構の研磨液タンクの容積を可変とし、研磨液タン
クの容積を研磨液の残量に常に等しくすることにより、
研磨液が全く気体に触れない形態をとればさらに効果的
である。
【００１５】上記研磨液タンクは、研磨液タンク内の薬
液のｐＨを監視することが出来る測定手段を具備するこ
とを特徴とする。また、計測された上記ｐＨを解析する
ことにより、研磨液の使用可能期間を正確に予測でき、
研磨に不適となった研磨液を廃棄し、かつ研磨に不適と
なるよりも相当早い時期の研磨液の廃棄を防止できるこ
とを特徴とする。
液のｐＨを監視することが出来る測定手段を具備するこ
とを特徴とする。また、計測された上記ｐＨを解析する
ことにより、研磨液の使用可能期間を正確に予測でき、
研磨に不適となった研磨液を廃棄し、かつ研磨に不適と
なるよりも相当早い時期の研磨液の廃棄を防止できるこ
とを特徴とする。
【００１６】本発明の化学的機械研磨装置において、研
磨後の研磨液を回収したのち再生し、研磨液タンクへと
かえす再生系を有し、上記再生系をも含めた研磨液循環
系が外気から遮断された構造を具備していても良い。
磨後の研磨液を回収したのち再生し、研磨液タンクへと
かえす再生系を有し、上記再生系をも含めた研磨液循環
系が外気から遮断された構造を具備していても良い。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について、
図面を参照して説明する。図１は本発明の実施例に係る
半導体製造装置の構成を示す図である。
図面を参照して説明する。図１は本発明の実施例に係る
半導体製造装置の構成を示す図である。
【００１８】すなわち、研磨に用いる研磨液２を貯蔵す
る研磨液タンク１は、いくつかの管１１ａ、１１ｂ・・
・とポンプ１２ａ、１２ｂ・・・を介して研磨液原液タ
ンク１３ａ、１３ｂ・・・に、管９とポンプ１０を介し
て化学的機械研磨装置１６に、および管１４とポンプ１
５を介して排液処理装置１７に、それぞれ接続されてい
る。また、タンク１には研磨液２の貯蔵量を測定する水
位センサ４、研磨液２を適宜撹拌できる撹拌装置８が設
置される。
る研磨液タンク１は、いくつかの管１１ａ、１１ｂ・・
・とポンプ１２ａ、１２ｂ・・・を介して研磨液原液タ
ンク１３ａ、１３ｂ・・・に、管９とポンプ１０を介し
て化学的機械研磨装置１６に、および管１４とポンプ１
５を介して排液処理装置１７に、それぞれ接続されてい
る。また、タンク１には研磨液２の貯蔵量を測定する水
位センサ４、研磨液２を適宜撹拌できる撹拌装置８が設
置される。
【００１９】このような構成において、研磨液原液１８
ａ、１８ｂ・・・は、あらかじめ定められた割合となる
ようポンプ１２ａ、１２ｂ・・・を制御することによ
り、研磨液原液タンク１３ａ、１３ｂ・・・から、管１
１ａ、１１ｂ・・・を通じて研磨液タンク１内の研磨液
２へと混合される。研磨液２は、研磨液タンク１内にお
いて撹拌装置８により適度に撹拌され、その液量は水位
センサ４により測定される。化学的機械研磨をおこなう
際には、研磨液２は、ポンプ１０により、必要量が管９
を通じて化学的機械研磨装置１６へ送られ、研磨がなさ
れる。また、研磨液２が不要となれば、ポンプ１５によ
り、管１４を通じて排液処理装置１７へ排出される。
ａ、１８ｂ・・・は、あらかじめ定められた割合となる
ようポンプ１２ａ、１２ｂ・・・を制御することによ
り、研磨液原液タンク１３ａ、１３ｂ・・・から、管１
１ａ、１１ｂ・・・を通じて研磨液タンク１内の研磨液
２へと混合される。研磨液２は、研磨液タンク１内にお
いて撹拌装置８により適度に撹拌され、その液量は水位
センサ４により測定される。化学的機械研磨をおこなう
際には、研磨液２は、ポンプ１０により、必要量が管９
を通じて化学的機械研磨装置１６へ送られ、研磨がなさ
れる。また、研磨液２が不要となれば、ポンプ１５によ
り、管１４を通じて排液処理装置１７へ排出される。
【００２０】ここで、図２は研磨材として酸化セリウム
（セリア）を含む研磨液（以下セリア研磨液と略する）
を用いた場合の、研磨液のｐＨと、酸化珪素（ＳｉＯ
２）膜および窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）膜の化学的機械研
磨の研磨速度（オングストローム／分）との関係の一例
を示すものである。
（セリア）を含む研磨液（以下セリア研磨液と略する）
を用いた場合の、研磨液のｐＨと、酸化珪素（ＳｉＯ
２）膜および窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）膜の化学的機械研
磨の研磨速度（オングストローム／分）との関係の一例
を示すものである。
【００２１】図２に示されるように、酸化珪素膜の研磨
速度３１および窒化珪素膜の研磨速度３２は、セリア研
磨液のｐＨに大きく依存する。化学的機械研磨において
は、２種以上の膜に対する研磨速度の差を利用し、所望
の構造を得ることができるが、この場合は、酸化珪素膜
と窒化珪素膜の研磨速度の差を利用する。従って、酸化
珪素膜の研磨速度の、窒化珪素膜の研磨速度に対する比
はできるだけ大きく、かつ、単位時間当たりの処理能力
を上げるため、酸化珪素膜の研磨速度をできるだけ大き
くする必要がある。このことと図２より、酸化珪素膜が
研磨されて窒素化珪素膜が研磨されにくい、セリア研磨
液のｐＨが７より少し小さい６．０〜６．５付近の弱酸
性領域が望ましい。しかし、ｐＨが少しでも７を上回る
と窒化珪素膜の研磨速度が大きく変化し、酸化珪素膜の
みならず窒化珪素膜も研磨されることになる。このよう
に、研磨液のｐＨが７を越えると化学的機械研磨の特性
が大きく変化するため、ｐＨが中性点である７を越えた
研磨液を研磨に用いることはできない。
速度３１および窒化珪素膜の研磨速度３２は、セリア研
磨液のｐＨに大きく依存する。化学的機械研磨において
は、２種以上の膜に対する研磨速度の差を利用し、所望
の構造を得ることができるが、この場合は、酸化珪素膜
と窒化珪素膜の研磨速度の差を利用する。従って、酸化
珪素膜の研磨速度の、窒化珪素膜の研磨速度に対する比
はできるだけ大きく、かつ、単位時間当たりの処理能力
を上げるため、酸化珪素膜の研磨速度をできるだけ大き
くする必要がある。このことと図２より、酸化珪素膜が
研磨されて窒素化珪素膜が研磨されにくい、セリア研磨
液のｐＨが７より少し小さい６．０〜６．５付近の弱酸
性領域が望ましい。しかし、ｐＨが少しでも７を上回る
と窒化珪素膜の研磨速度が大きく変化し、酸化珪素膜の
みならず窒化珪素膜も研磨されることになる。このよう
に、研磨液のｐＨが７を越えると化学的機械研磨の特性
が大きく変化するため、ｐＨが中性点である７を越えた
研磨液を研磨に用いることはできない。
【００２２】図３は研磨液タンクでのセリア研磨液の貯
蔵状態に対する、セリア研磨液のｐＨの経時変化の一例
を示すものである。前項の条件を満たすため、研磨液調
合直後のｐＨは６．０〜６．２に調整してある。図３に
示されるように、研磨液タンク内が外気と遮断されてい
ない従来の場合（撹拌有り）４１においては、数日内に
研磨液のｐＨが７を越えてしまう。これは撹拌をしない
場合４２でも、１０日程度でｐＨが７を越えてしまう。
一方、本発明の形態である、研磨液タンク１内の気体３
を外気と遮断した場合４３はｐＨの変化はずっと小さ
く、２５日経過後にもｐＨは６．４程度であることが示
されている。また、研磨原液タンク１３ａ、ｂ・・・に
ついても、タンク内が外気と遮断されていない場合に
は、調合直後の研磨液２のｐＨが同様に上昇する。
蔵状態に対する、セリア研磨液のｐＨの経時変化の一例
を示すものである。前項の条件を満たすため、研磨液調
合直後のｐＨは６．０〜６．２に調整してある。図３に
示されるように、研磨液タンク内が外気と遮断されてい
ない従来の場合（撹拌有り）４１においては、数日内に
研磨液のｐＨが７を越えてしまう。これは撹拌をしない
場合４２でも、１０日程度でｐＨが７を越えてしまう。
一方、本発明の形態である、研磨液タンク１内の気体３
を外気と遮断した場合４３はｐＨの変化はずっと小さ
く、２５日経過後にもｐＨは６．４程度であることが示
されている。また、研磨原液タンク１３ａ、ｂ・・・に
ついても、タンク内が外気と遮断されていない場合に
は、調合直後の研磨液２のｐＨが同様に上昇する。
【００２３】従って、特に研磨液タンク１をはじめと
し、研磨原液タンク１３ａ、ｂ・・・、管９、１１ａ、
ｂ・・・、ポンプ１０、１２ａ、ｂ・・・、を含む供給
機構全体が、外気と遮断した構造を具備することによ
り、安定した化学的機械研磨特性を得ることができ、信
頼性の高い化学的機械研磨が可能となっている。 この
研磨液タンク１内に、研磨液２のｐＨの測定手段５を設
け、研磨液タンク１の外部のｐＨの表示部６、制御部７
へ接続することにより、より研磨の信頼性の管理を容易
にすることが可能である。
し、研磨原液タンク１３ａ、ｂ・・・、管９、１１ａ、
ｂ・・・、ポンプ１０、１２ａ、ｂ・・・、を含む供給
機構全体が、外気と遮断した構造を具備することによ
り、安定した化学的機械研磨特性を得ることができ、信
頼性の高い化学的機械研磨が可能となっている。 この
研磨液タンク１内に、研磨液２のｐＨの測定手段５を設
け、研磨液タンク１の外部のｐＨの表示部６、制御部７
へ接続することにより、より研磨の信頼性の管理を容易
にすることが可能である。
【００２４】図４は、図３に対応して、ｐＨの変化を、
研磨液２がその外部とやりとりを行った水酸化物イオン
［ＯＨ−］の量に換算したものである。なお、水酸化物
イオンのかわりに、水素イオン［Ｈ＋］で換算してもや
りとりの方向が逆になるが、量は同じである。図４に示
されるように、同じ研磨液の貯蔵状態においては、ほぼ
一定の割合で水酸化物イオンがやりとりされている。つ
まり、貯蔵状態に対して固有の前記やりとりの割合が存
在する。
研磨液２がその外部とやりとりを行った水酸化物イオン
［ＯＨ−］の量に換算したものである。なお、水酸化物
イオンのかわりに、水素イオン［Ｈ＋］で換算してもや
りとりの方向が逆になるが、量は同じである。図４に示
されるように、同じ研磨液の貯蔵状態においては、ほぼ
一定の割合で水酸化物イオンがやりとりされている。つ
まり、貯蔵状態に対して固有の前記やりとりの割合が存
在する。
【００２５】従って、前記ｐＨの測定手段５により測定
した研磨液２のｐＨを制御部７で解析することにより研
磨液２のｐＨ変化を予測し、例えば、ｐＨが７を越え、
研磨特性が著しく変化するまでの期間である研磨液２の
使用可能期間を知ることが可能となる。図４に示される
ように、研磨特性がほぼ一定の割合で変化するため、使
用可能期間の制御が容易になる。研磨液２のｐＨが、化
学的機械研磨に使用不適となる値にまで変化した場合
は、ポンプ１５を制御し、研磨液２を排出することによ
り、劣化した研磨液２を使用することなく化学的機械研
磨が可能となる。
した研磨液２のｐＨを制御部７で解析することにより研
磨液２のｐＨ変化を予測し、例えば、ｐＨが７を越え、
研磨特性が著しく変化するまでの期間である研磨液２の
使用可能期間を知ることが可能となる。図４に示される
ように、研磨特性がほぼ一定の割合で変化するため、使
用可能期間の制御が容易になる。研磨液２のｐＨが、化
学的機械研磨に使用不適となる値にまで変化した場合
は、ポンプ１５を制御し、研磨液２を排出することによ
り、劣化した研磨液２を使用することなく化学的機械研
磨が可能となる。
【００２６】さらに、調合後の研磨液２の研磨液タンク
１内での滞留可能期間が自明となるため、前述のように
研磨液２を排出する機会を減少させることができ、コス
ト低減が可能となる。通常、研磨液は前述のように研磨
液の劣化を嫌い、一律７日程度で研磨液を廃棄していた
が、研磨液供給機構に固有の前記使用可能期間まで研磨
液の使用が可能となる。
１内での滞留可能期間が自明となるため、前述のように
研磨液２を排出する機会を減少させることができ、コス
ト低減が可能となる。通常、研磨液は前述のように研磨
液の劣化を嫌い、一律７日程度で研磨液を廃棄していた
が、研磨液供給機構に固有の前記使用可能期間まで研磨
液の使用が可能となる。
【００２７】ここで、本発明の研磨液供給機構の、セリ
ア研磨液における、研磨液供給の実例を示す。研磨原液
混合直後の研磨液のｐＨは６．１７に調整される。酸化
珪素膜の化学的機械研磨速度は２１５ナノメートル／
分、酸化珪素膜の研磨速度は１ナノメートル／分で、そ
の比（選択比）は２１５である。３０日後の研磨液のｐ
Ｈは６．５５、酸化珪素膜、窒化珪素膜の研磨速度はそ
れぞれ２６０ナノメートル／分、１ナノメートル／分、
選択比は２６０であり、安定した研磨特性が得られてい
る。また、使用可能期間は６０日程度である。前述の様
に、７日程度で研磨液を廃棄することなく十分な安定性
を得た研磨を行うことが可能となっている。
ア研磨液における、研磨液供給の実例を示す。研磨原液
混合直後の研磨液のｐＨは６．１７に調整される。酸化
珪素膜の化学的機械研磨速度は２１５ナノメートル／
分、酸化珪素膜の研磨速度は１ナノメートル／分で、そ
の比（選択比）は２１５である。３０日後の研磨液のｐ
Ｈは６．５５、酸化珪素膜、窒化珪素膜の研磨速度はそ
れぞれ２６０ナノメートル／分、１ナノメートル／分、
選択比は２６０であり、安定した研磨特性が得られてい
る。また、使用可能期間は６０日程度である。前述の様
に、７日程度で研磨液を廃棄することなく十分な安定性
を得た研磨を行うことが可能となっている。
【００２８】（実施例２）このような研磨液供給機構の
別の実施例を図５に示す。すなわち、研磨液タンク１内
の気体２０を含む、研磨液供給機構内の気体を、例えば
窒素やネオン等の不活性ガスに置換した構造を有する。
このような構造を実現するため、たとえば、不活性ガス
はボンベ２１から、管２２、調圧弁２３、を介して研磨
液タンク１内へと充填され、管２４、調圧弁２５を介し
て外部へと排気されるようにしておけばよい。気体２０
の圧力が一定以下になった場合に調圧弁２３が開き、不
活性ガスが充填され、気体２０の圧力が一定以上になっ
た場合に調圧弁２５が開き、気体２０を排気するように
しておけばよい。活性な気体成分に研磨液２が触れるこ
とが無くなり、研磨液２のｐＨの変化をさらに抑制する
ことが可能となり、より安定な化学的機械研磨特性が実
現される。
別の実施例を図５に示す。すなわち、研磨液タンク１内
の気体２０を含む、研磨液供給機構内の気体を、例えば
窒素やネオン等の不活性ガスに置換した構造を有する。
このような構造を実現するため、たとえば、不活性ガス
はボンベ２１から、管２２、調圧弁２３、を介して研磨
液タンク１内へと充填され、管２４、調圧弁２５を介し
て外部へと排気されるようにしておけばよい。気体２０
の圧力が一定以下になった場合に調圧弁２３が開き、不
活性ガスが充填され、気体２０の圧力が一定以上になっ
た場合に調圧弁２５が開き、気体２０を排気するように
しておけばよい。活性な気体成分に研磨液２が触れるこ
とが無くなり、研磨液２のｐＨの変化をさらに抑制する
ことが可能となり、より安定な化学的機械研磨特性が実
現される。
【００２９】（実施例３）さらに別の実施形態として、
さらに、上記供給機構の研磨液タンクの容積を可変と
し、研磨液タンクの容積を研磨液の残量に常に等しくす
ることにより、研磨液が全く気体に触れない形態をとれ
ばさらに効果的である。このような構造の一例を、図６
に示す。即ち、研磨液タンク１には、可変式のピストン
１９が落とし蓋の様に具備されており、研磨液２の容積
にあわせて移動することによって、研磨液２が気体に触
れない構造となっている。また、ピストン１９の制御の
別の方法として、研磨液２の圧力を圧力センサ２６で測
定し、制御部２７にフィードバックし、研磨液の圧力２
が一定の範囲内となるようにピストン１９を機械的に上
下させてもよい。図３、図４より、研磨液を気体に全く
曝さないようにした場合４４には、最も研磨液のｐＨ変
化が小さくなる。したがってこの構造により、さらに研
磨液のｐＨ変化を小さくすることが可能となる。
さらに、上記供給機構の研磨液タンクの容積を可変と
し、研磨液タンクの容積を研磨液の残量に常に等しくす
ることにより、研磨液が全く気体に触れない形態をとれ
ばさらに効果的である。このような構造の一例を、図６
に示す。即ち、研磨液タンク１には、可変式のピストン
１９が落とし蓋の様に具備されており、研磨液２の容積
にあわせて移動することによって、研磨液２が気体に触
れない構造となっている。また、ピストン１９の制御の
別の方法として、研磨液２の圧力を圧力センサ２６で測
定し、制御部２７にフィードバックし、研磨液の圧力２
が一定の範囲内となるようにピストン１９を機械的に上
下させてもよい。図３、図４より、研磨液を気体に全く
曝さないようにした場合４４には、最も研磨液のｐＨ変
化が小さくなる。したがってこの構造により、さらに研
磨液のｐＨ変化を小さくすることが可能となる。
【００３０】以上のように、研磨液の供給安定には、実
施例１の形態においても十分効果的であるが、外気から
遮断することに加えタンク内でも研磨液２の研磨特性に
影響を与える気体に曝ない構造を持つ実施例２、さらに
は実施例３の形態とすることにより、順により高い効果
を得ることが可能となる。
施例１の形態においても十分効果的であるが、外気から
遮断することに加えタンク内でも研磨液２の研磨特性に
影響を与える気体に曝ない構造を持つ実施例２、さらに
は実施例３の形態とすることにより、順により高い効果
を得ることが可能となる。
【００３１】この他、本発明は、前記実施の形態に限ら
れるものではなく、様々な形態が考えられるが、要は、
特性が経時変化する研磨液を供給する、研磨液供給機構
内の研磨液が外気に触れない構造になっていればよい。
れるものではなく、様々な形態が考えられるが、要は、
特性が経時変化する研磨液を供給する、研磨液供給機構
内の研磨液が外気に触れない構造になっていればよい。
【００３２】
【発明の効果】以上、本発明の研磨液供給装置は、研磨
液供給機構内を外気から遮断することにより、研磨液の
ｐＨ変化を時間当たり１／５以下に抑制し、安定した化
学的機械研磨速度を持つ、高信頼度の研磨が可能であ
る。
液供給機構内を外気から遮断することにより、研磨液の
ｐＨ変化を時間当たり１／５以下に抑制し、安定した化
学的機械研磨速度を持つ、高信頼度の研磨が可能であ
る。
【００３３】また、本発明によれば、研磨液タンク内の
研磨液のｐＨを計測することにより、研磨液のｐＨがあ
らかじめ定めたスペックを超えて変化した状態で、化学
的機械研磨が行われることを防止できる。
研磨液のｐＨを計測することにより、研磨液のｐＨがあ
らかじめ定めたスペックを超えて変化した状態で、化学
的機械研磨が行われることを防止できる。
【００３４】さらに、本発明によれば、前述のｐＨを解
析することにより、研磨液のｐＨ変化を予測でき、これ
により研磨液の滞留可能時間を正確に把握できるため、
従来、７日程度で廃棄されていた研磨液を、５０日以上
滞留可能となり、廃棄する頻度を減らせるため、コスト
の低減がはかられる。
析することにより、研磨液のｐＨ変化を予測でき、これ
により研磨液の滞留可能時間を正確に把握できるため、
従来、７日程度で廃棄されていた研磨液を、５０日以上
滞留可能となり、廃棄する頻度を減らせるため、コスト
の低減がはかられる。
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体製造装置の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図２】研磨液のｐＨと研磨速度の関係を示す図であ
る。
る。
【図３】様々な貯留形態における、研磨液のｐＨの時間
変化を示す図である。
変化を示す図である。
【図４】様々な貯留形態における、研磨液と外気との間
でやりとりされた水酸化物イオン量と時間との関係を示
す図である。
でやりとりされた水酸化物イオン量と時間との関係を示
す図である。
【図５】本発明の、実施例２に係る半導体製造装置の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図６】本発明の、実施例３に係る半導体製造装置の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図７】従来の半導体製造装置の実施例を示す図であ
る。
る。
【図８】従来の半導体製造装置の実施例を示す図であ
る。
る。
１ 研磨液タンク ２ 研磨液 ３ 研磨液タンク内の気体 ４ 水位センサ ５ ｐＨセンサ ６ ｐＨ表示部 ７ 制御部 ８ 撹拌装置 ９、１４、１１ａ、１１ｂ 管 １０、１５、１２ａ、１２ｂ ポンプ １３ａ、１３ｂ 研磨液原液タンク １６ 化学的機械研磨装置（ＣＭＰ） １７ 排液処理装置 １８ａ、１８ｂ 研磨液原液 １９ ピストン ２０ 不活性ガス ２１ 不活性ガス供給元 ２２、２４ 管 ２３、２５ 調圧弁 ２６ 圧力センサ ２７ ピストン制御部
Claims (5)
- 【請求項１】 化学的機械研磨装置に用いられる研磨液
供給装置において、研磨液を貯蔵する研磨液タンクと、
研磨液を化学的機械研磨装置へ供給するにいたる供給経
路をふくむ研磨液供給機構が、外気から遮断された構造
を持つことを特徴とする研磨液供給装置。 - 【請求項２】 化学的機械研磨装置に用いられる研磨液
供給装置において、研磨液タンクに貯蔵される研磨液
が、研磨液タンク内外の気体に曝されない構造であるこ
とを特徴とする研磨液供給装置。 - 【請求項３】 化学的機械研磨装置に用いられる研磨液
供給装置において、研磨液を貯蔵する研磨液タンクと、
研磨液を化学的機械研磨装置へ供給するにいたる供給経
路をふくむ研磨液供給機構を、不活性ガスで充填された
構造を持つことを特徴とする請求項２記載の研磨液供給
装置。 - 【請求項４】 化学的機械研磨装置に用いられる研磨液
供給装置において、研磨液を貯蔵する研磨液タンクの容
積を、研磨液タンク内部の研磨液の容積と等しくなるよ
うに変型可能な構造を持つことを特徴とする請求項２記
載の研磨液供給装置。 - 【請求項５】 化学的機械研磨装置に用いられる研磨液
供給装置において、研磨液タンクに該タンク内の研磨液
のｐＨを監視する測定手段と、測定されたｐＨに基づい
て研磨液の使用可能期間を制御する制御手段とを具備す
ることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに
記載の研磨液供給装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36584498A JP3432161B2 (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 研磨液供給装置 |
| KR1019990060286A KR100363830B1 (ko) | 1998-12-24 | 1999-12-22 | 연마액 공급장치 |
| TW088122802A TW436371B (en) | 1998-12-24 | 1999-12-23 | Polishing liquid supply apparatus |
| US09/471,809 US6257965B1 (en) | 1998-12-24 | 1999-12-23 | Polishing liquid supply apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36584498A JP3432161B2 (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 研磨液供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000190222A true JP2000190222A (ja) | 2000-07-11 |
| JP3432161B2 JP3432161B2 (ja) | 2003-08-04 |
Family
ID=18485264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36584498A Expired - Fee Related JP3432161B2 (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | 研磨液供給装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6257965B1 (ja) |
| JP (1) | JP3432161B2 (ja) |
| KR (1) | KR100363830B1 (ja) |
| TW (1) | TW436371B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104786151A (zh) * | 2015-05-05 | 2015-07-22 | 熊秋红 | 一种立式砂磨机研磨剂自动添加桶 |
| CN107671732A (zh) * | 2016-08-02 | 2018-02-09 | 兆远科技股份有限公司 | 抛光液供给系统 |
| JP2020093326A (ja) * | 2018-12-11 | 2020-06-18 | 株式会社西村ケミテック | 研磨液供給装置 |
| CN111408993A (zh) * | 2020-03-25 | 2020-07-14 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 用于大型环抛机的稳定自动滴液装置 |
| US20210163218A1 (en) * | 2014-03-07 | 2021-06-03 | MMLJ, Inc. | Blasting System with Dual Dispensers from Single Chamber |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3538042B2 (ja) * | 1998-11-24 | 2004-06-14 | 松下電器産業株式会社 | スラリー供給装置及びスラリー供給方法 |
| US20030010792A1 (en) | 1998-12-30 | 2003-01-16 | Randy Forshey | Chemical mix and delivery systems and methods thereof |
| JP2000237952A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-05 | Hitachi Ltd | 研磨装置および半導体装置の製造方法 |
| JP3778747B2 (ja) * | 1999-11-29 | 2006-05-24 | 株式会社荏原製作所 | 砥液供給装置 |
| US6721628B1 (en) * | 2000-07-28 | 2004-04-13 | United Microelectronics Corp. | Closed loop concentration control system for chemical mechanical polishing slurry |
| US6572460B2 (en) * | 2001-01-31 | 2003-06-03 | Nidek Co., Ltd. | Tank unit for grinding water used in processing eyeglass lens, and eyeglass lens processing apparatus having the same |
| TW538853U (en) * | 2002-05-03 | 2003-06-21 | Nanya Technology Corp | Device for mixing polishing solvent with consistent property and slurry supply system |
| US6984166B2 (en) * | 2003-08-01 | 2006-01-10 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Zone polishing using variable slurry solid content |
| WO2007097046A1 (ja) * | 2006-02-24 | 2007-08-30 | Ihi Compressor And Machinery Co., Ltd. | シリコン粒子の処理方法及び装置 |
| JP2009125830A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Towa Corp | 加工水の供給装置及び供給方法 |
| KR100985861B1 (ko) * | 2008-09-24 | 2010-10-08 | 씨앤지하이테크 주식회사 | 반도체용 슬러리 공급장치 및 슬러리 공급방법 |
| CN102554795B (zh) * | 2012-01-18 | 2014-04-30 | 江苏智邦精工科技有限公司 | 自动控制的陶瓷球研磨剂添加装置 |
| US9770804B2 (en) | 2013-03-18 | 2017-09-26 | Versum Materials Us, Llc | Slurry supply and/or chemical blend supply apparatuses, processes, methods of use and methods of manufacture |
| TWI517935B (zh) * | 2013-04-16 | 2016-01-21 | 國立台灣科技大學 | 氣體添加硏磨液的供應系統及其方法 |
| WO2018123875A1 (ja) | 2016-12-26 | 2018-07-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び研磨方法 |
| KR102039806B1 (ko) * | 2017-12-27 | 2019-11-29 | 오두환 | 액상 연마제 공급장치 |
| US20220076967A1 (en) * | 2020-09-10 | 2022-03-10 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Wet etching control system, wet etching machine and wet etching control method |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07233933A (ja) | 1994-02-25 | 1995-09-05 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | スラリ濃度調節装置 |
| US5799643A (en) * | 1995-10-04 | 1998-09-01 | Nippei Toyama Corp | Slurry managing system and slurry managing method for wire saws |
| JPH09131660A (ja) | 1995-11-06 | 1997-05-20 | Toshiba Corp | 半導体製造装置及び方法 |
| US6059920A (en) * | 1996-02-20 | 2000-05-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device polishing apparatus having improved polishing liquid supplying apparatus, and polishing liquid supplying method |
-
1998
- 1998-12-24 JP JP36584498A patent/JP3432161B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-12-22 KR KR1019990060286A patent/KR100363830B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-12-23 US US09/471,809 patent/US6257965B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-12-23 TW TW088122802A patent/TW436371B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20210163218A1 (en) * | 2014-03-07 | 2021-06-03 | MMLJ, Inc. | Blasting System with Dual Dispensers from Single Chamber |
| US11884480B2 (en) * | 2014-03-07 | 2024-01-30 | MMLJ, Inc. | Blasting system with dual dispensers from single chamber |
| CN104786151A (zh) * | 2015-05-05 | 2015-07-22 | 熊秋红 | 一种立式砂磨机研磨剂自动添加桶 |
| CN107671732A (zh) * | 2016-08-02 | 2018-02-09 | 兆远科技股份有限公司 | 抛光液供给系统 |
| JP2020093326A (ja) * | 2018-12-11 | 2020-06-18 | 株式会社西村ケミテック | 研磨液供給装置 |
| CN111408993A (zh) * | 2020-03-25 | 2020-07-14 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 用于大型环抛机的稳定自动滴液装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3432161B2 (ja) | 2003-08-04 |
| US6257965B1 (en) | 2001-07-10 |
| TW436371B (en) | 2001-05-28 |
| KR100363830B1 (ko) | 2002-12-06 |
| KR20000048336A (ko) | 2000-07-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000190222A (ja) | 研磨液供給装置 | |
| US7557041B2 (en) | Apparatus and method for supplying chemicals | |
| JP3778747B2 (ja) | 砥液供給装置 | |
| US20010037821A1 (en) | Integrated chemical-mechanical polishing | |
| KR100557134B1 (ko) | 슬러리 혼합 공급장치 및 슬러리 혼합 공급방법 | |
| JP2005536034A (ja) | スラリー中の酸化剤濃度を変更する化学的機械研磨（ｃｍｐ）方法 | |
| US7063455B2 (en) | Chemical dilution system for semiconductor device processing system | |
| JP3774681B2 (ja) | スラリー混合供給装置及びスラリー混合供給方法 | |
| TW393677B (en) | Point of use dilution tool and method | |
| JP3120520B2 (ja) | 洗浄装置 | |
| US6722953B2 (en) | Abrasive liquid feed apparatus, method for feeding additive to abrasive liquid feed apparatus, and polishing apparatus | |
| KR100664774B1 (ko) | 전자 디바이스 제조 방법 및 장치 | |
| JP2000117635A (ja) | 研磨方法及び研磨システム | |
| JP4527956B2 (ja) | Ｃｍｐ装置用スラリー調製供給装置および方法 | |
| JP2006062047A (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
| JP2003197575A (ja) | 研磨剤供給装置および研磨剤供給方法 | |
| EP0849778A2 (en) | Improvements in or relating to wafer polishing | |
| US20230347387A1 (en) | Wafer cleaning water supply device | |
| JP2002134459A (ja) | 洗浄装置およびその管理方法 | |
| KR20030093039A (ko) | 케미컬 조절 공급 장치 | |
| KR20020095751A (ko) | 슬러리 공급 장치 | |
| JP2004351575A (ja) | 化学的機械研磨処理システム及び化学的機械研磨方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
| JPH10175166A (ja) | 砥液供給装置及び砥液供給方法 | |
| JP2003315316A (ja) | 循環スラリー中の過酸化水素水濃度の測定方法 | |
| JP2005294350A (ja) | 研磨液供給装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080523 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090523 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |