JP2000173955A5 - - Google Patents
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Claims (7)
- 半導体基板上に形成された絶縁膜を平坦化研磨する半導体装置の製造方法において、粒子数平均の粒径が０．０５〜０．５μ m で９９％以上の粒子が１μ m 以下である砥粒と、前記砥粒を結合、保持するための物質から構成される砥石を用い、ポリカルボン酸塩を含む分散剤を添加した加工液を前記砥石の表面に供給して、前記絶縁膜の表面を前記砥石に押しつけ前記砥石および半導体基板を回転させながら、前記絶縁膜表面を研磨により平坦化する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記ポリカルボン酸塩は、ポリアクリル酸アンモニウムであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ポリアクリル酸アンモニウムの濃度は、０．０５重量％以上５重量％以下であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ポリアクリル酸アンモニウムの分子量は、１００以上から２０万以下の範囲にあることを特徴とする請求項２又は請求項３記載の半導体装置の製造方法。
- 前記砥粒は、酸化セリウム、酸化アルミニウム、シリカ、酸化ジルコニウム、酸化マンガン、酸化チタン、酸化マグネシウム、あるいはこれらの混合物を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項４何れかに記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板に開口部を形成する工程と、
前記開口部の内部および前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
粒子数平均の粒径が０．０５〜０．５μ m で９９％以上の粒子が１μ m 以下である砥粒と、前記砥粒を結合、保持するための物質から構成される砥石を用い、分子量が１００以上２００，０００以下のポリカルボン酸塩を添加した加工液を前記砥石の表面に供給して、前記絶縁膜を研磨し前記開口部の外の絶縁膜を除去して、前記開口部内に前記絶縁膜が残るように研磨する工程と、
前記半導体基板の前記開口部に埋め込まれた絶縁膜で囲まれた半導体領域にトランジスタを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ポリカルボン酸塩は、ポリアクリル酸アンモニウムであり分子量は３，０００以上４０，０００以下であることを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
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