JP2000049122A5

JP2000049122A5 -

Info

Publication number: JP2000049122A5
Application number: JP1998215119A
Authority: JP
Filing date: 1998-07-30
Publication date: 2004-10-14
Anticipated expiration: 2018-07-30

Claims

被加工基板を準備する工程と、
前記基板の表面を、加工液を供給しながら砥粒を含む砥石に押しつけて相対運動させることにより加工する工程とを有する加工方法であって、
前記砥石は、前記基板表面の材料よりも硬い物質の含有量が１０ｐｐｍ以下であり、前記砥粒は、短径に対する長径の比が３以上のものを含み、前記砥粒のかさ密度は、１ｇ／ｃｍ ³ 以下であり、前記砥石の平均気孔径は、０．２μｍ以下であることを特徴とする加工方法。
前記加工液は純水であることを特徴とする請求項１記載の加工方法。
前記加工液は酸性であることを特徴とする請求項１記載の加工方法。
前記加工液はアルカリ性であることを特徴とする請求項１記載の加工方法。
前記基板を前記砥石に押しつける力は、２００−５００ｇ／ｃｍ²の範囲であることを特徴とする請求項１記載の加工方法。
前記相対運動は回転であり、回転数は２０−１００ｒｐｍの範囲であることを特徴とする請求項１記載の加工方法。
前記砥粒おける、短径に対する長径の比が３以上のものの割合は１０ｗｔ％以上であることを特徴とする請求項１記載の加工方法。
前記砥石中に含まれる最大気孔径は０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の加工方法。
前記砥石中に含まれる０．５μｍ以上の気孔径を有する気孔の割合は１０ｖｏｌ％以下であることを特徴とする請求項８記載の加工方法。
薄膜が形成された半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板を、加工液を供給しながら酸化セリウム砥粒を含む砥石に押しつけて相対運動させることにより、前記薄膜の表面を加工する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記砥石は、ランタンの含有量が１０ｐｐｍ以下であり、かつ前記砥粒は、短径に対する長径の比が３以上であり、前記砥粒のかさ密度は、１ｇ／ｃｍ ³ 以下であり、前記砥石の平均気孔径は０．２μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記砥石中に含まれる最大気孔径は０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
前記砥石中に含まれる０．５μｍ以上の気孔径を有する気孔の割合は１０ｖｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
絶縁膜が形成された半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板を、加工液を供給しながら酸化セリウム砥粒を含む砥石に押しつけて相対運動させることにより前記絶縁膜を加工する工程と、その後前記半導体基板を洗浄及び乾燥する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記砥石は、ランタンの含有量が１０ｐｐｍ以下であり、かつ前記砥粒は、短径に対する長径の比が３以上であり、前記砥粒のかさ密度は、１ｇ／ｃｍ ³ 以下であり、前記砥石の平均気孔径は０．２μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記絶縁膜はシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
前記砥粒の平均粒径は０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
前記砥粒の最大粒径は１μｍ以下であることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
前記砥石は、砥粒の結合材として樹脂を含むことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
前記加工は、前記砥石表面のコンディショニングの後に行うことを特徴とする請求項１９記載の半導体装置の製造方法。
前記絶縁膜を加工する工程は、前記砥石表面にブラシをかける処理を含むことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
前記絶縁膜を加工する工程は、前記砥石表面に超音波を印加する処理を含むことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体基板表面には凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
金属膜が形成された半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板を、加工液を供給しながらシリコンカーバイト、アルミナ或いはチタニアの砥粒を含む砥石に押しつけて相対運動させることにより前記金属膜を加工する工程と、その後前記半導体基板を洗浄及び乾燥する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記砥石は、前記金属膜の材料よりも硬い物質の含有量が１０ｐｐｍ以下であり、かつ前記砥粒は、短径に対する長径の比が３以上であり、前記砥粒のかさ密度は１ｇ／ｃｍ ³ 以下であり、前記砥石の平均気孔径は０．２μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記加工液は酸性であることを特徴とする請求項２２記載の半導体装置の製造方法。
前記金属膜はアルミニウム、銅或いはタングステンからなることを特徴とする請求項２２記載の半導体装置の製造方法。
前記加工は、前記砥石表面のコンディショニングの後に行うことを特徴とする請求項２２記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体基板表面には凹凸が形成されていることを特徴とする請求項２２記載の半導体装置の製造方法。
絶縁膜が形成された半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板を、加工液を供給しながらマンガン酸化物砥粒を含む砥石に押しつけて相対運動させることにより前記絶縁膜を加工する工程と、その後前記半導体基板を洗浄及び乾燥する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記砥石は、前記絶縁膜の材料よりも硬い物質の含有量が１０ｐｐｍ以下であり、かつ前記砥粒は、短径に対する長径の比が３以上であり、前記砥粒のかさ密度は１ｇ／ｃｍ ³ 以下であり、前記砥石の平均気孔径は０．２μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。