JPH1148235A - セラミックス基板の加工方法およびセラミックス基板加工用支持板 - Google Patents
セラミックス基板の加工方法およびセラミックス基板加工用支持板Info
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- JPH1148235A JPH1148235A JP9220828A JP22082897A JPH1148235A JP H1148235 A JPH1148235 A JP H1148235A JP 9220828 A JP9220828 A JP 9220828A JP 22082897 A JP22082897 A JP 22082897A JP H1148235 A JPH1148235 A JP H1148235A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
-
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- B24B27/00—Other grinding machines or devices
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- B24B27/065—Grinders for cutting-off the saw being mounted on a pivoting arm
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- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
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- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 加工能率の向上を図ると共に切断加工中に安
定した切断抵抗が得られ、かつすぐれた加工精度が得ら
れるセラミックス基板の加工方法。 【解決手段】 セラミックス基板加工用支持板１０は多
孔質アルミナ焼結体１１の両面に含浸封着層１２，１２
を形成した構成からなり、ステージ１上に切断用砥石５
の進行方向に真空吸着して固定し、支持板１０上にセラ
ミックス基板３をワックス接着して、切断用砥石５を回
転進行させることにより、まず、支持板１０の多孔質ア
ルミナ焼結体で目立てが行われ、次いでセラミックス基
板３を切断するとともに切断用砥石５は支持板１０を所
要深さまで切断するため、回転時の切断用砥石５はセラ
ミックス基板３、支持板１０の多孔質アルミナ焼結体の
順に接触することになり、常時、目立てが行われること
になり、切断抵抗を小さくしながら前記セラミックス基
板４を切断加工でき、加工精度並びに能率が一段と向上
する。
定した切断抵抗が得られ、かつすぐれた加工精度が得ら
れるセラミックス基板の加工方法。 【解決手段】 セラミックス基板加工用支持板１０は多
孔質アルミナ焼結体１１の両面に含浸封着層１２，１２
を形成した構成からなり、ステージ１上に切断用砥石５
の進行方向に真空吸着して固定し、支持板１０上にセラ
ミックス基板３をワックス接着して、切断用砥石５を回
転進行させることにより、まず、支持板１０の多孔質ア
ルミナ焼結体で目立てが行われ、次いでセラミックス基
板３を切断するとともに切断用砥石５は支持板１０を所
要深さまで切断するため、回転時の切断用砥石５はセラ
ミックス基板３、支持板１０の多孔質アルミナ焼結体の
順に接触することになり、常時、目立てが行われること
になり、切断抵抗を小さくしながら前記セラミックス基
板４を切断加工でき、加工精度並びに能率が一段と向上
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、磁気ヘッド用セ
ラミックス基板の切断加工において、切削加工時の砥石
の目立てと共に前記基板の切断加工を行って、切断能率
の向上を計ったセラミックス基板の加工方法と、耐熱性
にすぐれると共に切断加工機のステージ上に真空吸着固
定を可能にしたセラミックス基板からなる加工用支持板
に関する。
ラミックス基板の切断加工において、切削加工時の砥石
の目立てと共に前記基板の切断加工を行って、切断能率
の向上を計ったセラミックス基板の加工方法と、耐熱性
にすぐれると共に切断加工機のステージ上に真空吸着固
定を可能にしたセラミックス基板からなる加工用支持板
に関する。
【０００２】
【従来の技術】精密加工が要求される磁気ヘッド用基板
として、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系を主流に、ＺｒＯ2系ある
いはＳｉＣ系のセラミックス基板が多用され、一般にそ
の厚みは１ｍｍ〜３ｍｍである。今日の磁気ヘッドの狭
ギャップ化と小型化の要請から、その加工においては高
精度化、高品質化を図ることが不可欠である。
として、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系を主流に、ＺｒＯ2系ある
いはＳｉＣ系のセラミックス基板が多用され、一般にそ
の厚みは１ｍｍ〜３ｍｍである。今日の磁気ヘッドの狭
ギャップ化と小型化の要請から、その加工においては高
精度化、高品質化を図ることが不可欠である。
【０００３】これに対応して、使用する切断用砥石の刃
厚はますます薄くなると共に砥石の剛性はますます低く
なる傾向にあり、砥石の切断時の切断抵抗が大きくなる
と、軸方向に撓み易くなり、また、切断加工面の精度や
品質に重要な影響を及ぼすため、安定した精密加工を行
うためには、砥石の切断抵抗をできるだけ低い状態に安
定化することが不可欠である。
厚はますます薄くなると共に砥石の剛性はますます低く
なる傾向にあり、砥石の切断時の切断抵抗が大きくなる
と、軸方向に撓み易くなり、また、切断加工面の精度や
品質に重要な影響を及ぼすため、安定した精密加工を行
うためには、砥石の切断抵抗をできるだけ低い状態に安
定化することが不可欠である。
【０００４】かかる切断用砥石は、一般にダイヤモンド
砥粒を樹脂あるいは金属にて結合したものであるが、前
記切断用砥石の切断抵抗を低く安定させる方法として
は、一般に切断用砥石の目立てが行われる。
砥粒を樹脂あるいは金属にて結合したものであるが、前
記切断用砥石の切断抵抗を低く安定させる方法として
は、一般に切断用砥石の目立てが行われる。
【０００５】すなわち、従来のセラミックス基板の切断
方法としては、図２に示すごとく、切断加工機のステー
ジ１上にセラミックス材料からなる支持台２を真空吸着
し、この支持台２上に、被加工材のセラミックス基板３
と砥石の目立てを行ための多孔質アルミナ焼結体からな
る目立て板４を切断用砥石５に平行にかつ並列させてワ
ックス接着しておく。まず、最初に切断用砥石５により
目立て板４を切削して、当該砥石の目立てを行った後、
セラミックス基板３を切断作業に移行し、所要回数の切
断後、再度、砥石の目立てを行う工程を繰り返す。
方法としては、図２に示すごとく、切断加工機のステー
ジ１上にセラミックス材料からなる支持台２を真空吸着
し、この支持台２上に、被加工材のセラミックス基板３
と砥石の目立てを行ための多孔質アルミナ焼結体からな
る目立て板４を切断用砥石５に平行にかつ並列させてワ
ックス接着しておく。まず、最初に切断用砥石５により
目立て板４を切削して、当該砥石の目立てを行った後、
セラミックス基板３を切断作業に移行し、所要回数の切
断後、再度、砥石の目立てを行う工程を繰り返す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のセラミックス基
板の切断方法は、前記切断中に砥石５の切断抵抗が次第
に大になると、再度切断用砥石５を目立て板４にて砥石
の目立てを行った後、セラミックス基板３の切断作業を
行う工程を繰り返し行い、砥石の目立ては、セラミック
ス基板３の切断作業間に間欠的に行うが、砥石５はセラ
ミックス基板３の切断中に目立て効果は徐々に薄れ、次
第に切断抵抗が高くなり、安定した切断抵抗は得られ
ず、また、図２に示すごとく、切断用砥石５がＵ字状に
移動を繰り返すもので、加工能率の点でも問題があっ
た。
板の切断方法は、前記切断中に砥石５の切断抵抗が次第
に大になると、再度切断用砥石５を目立て板４にて砥石
の目立てを行った後、セラミックス基板３の切断作業を
行う工程を繰り返し行い、砥石の目立ては、セラミック
ス基板３の切断作業間に間欠的に行うが、砥石５はセラ
ミックス基板３の切断中に目立て効果は徐々に薄れ、次
第に切断抵抗が高くなり、安定した切断抵抗は得られ
ず、また、図２に示すごとく、切断用砥石５がＵ字状に
移動を繰り返すもので、加工能率の点でも問題があっ
た。
【０００７】そこで、図３に示すごとく、切断加工機の
ステージ１上の支持台２上に切断用砥石５の進行方向の
直線上に目立て板４とセラミックス基板３を配列してワ
ックス接着し、インプロセスで砥石の目立てを行って、
砥石の切断抵抗を小さくした後、セラミックス基板３を
切断する方法が行われている。
ステージ１上の支持台２上に切断用砥石５の進行方向の
直線上に目立て板４とセラミックス基板３を配列してワ
ックス接着し、インプロセスで砥石の目立てを行って、
砥石の切断抵抗を小さくした後、セラミックス基板３を
切断する方法が行われている。
【０００８】この方法では、ある程度の目立て効果、加
工能率は期待できるが、被加工材のセラミックス基板３
の寸法形状に対応して、目立て板４の寸法、形状を適宜
設定する必要があり、また、砥石５の切断抵抗の安定す
る領域を得るための条件出しやステージ１上の支持台２
への目立て板４、セラミックス基板３の配設に熟練を要
して容易には設置できず、また使用する目立て板４の固
定方法においても接着用ワックスの種類によっては、前
記ワックス成分が多孔質目立て板中に浸透する等、使用
中に問題を生ずる。
工能率は期待できるが、被加工材のセラミックス基板３
の寸法形状に対応して、目立て板４の寸法、形状を適宜
設定する必要があり、また、砥石５の切断抵抗の安定す
る領域を得るための条件出しやステージ１上の支持台２
への目立て板４、セラミックス基板３の配設に熟練を要
して容易には設置できず、また使用する目立て板４の固
定方法においても接着用ワックスの種類によっては、前
記ワックス成分が多孔質目立て板中に浸透する等、使用
中に問題を生ずる。
【０００９】この発明は、従来のセラミックス基板の加
工方法の加工能率の向上を図ることを目的とし、また、
加工能率の向上を図ると共に切断中に安定した切断抵抗
が得られ、かつすぐれた加工精度が得られる加工方法の
提供を目的としている。さらに、この発明は、被加工材
のセラミックス基板とのワックス接着を可能とし、切断
加工機のステージとの真空吸着固定を可能とし、かつ、
砥石の目立てとセラミックス基板の切断加工を同時に行
うことにより、安定した切断抵抗が得られると共にすぐ
れた加工能率が得られる加工方法、並びにセラミックス
基板の支持板の提供を目的としている。
工方法の加工能率の向上を図ることを目的とし、また、
加工能率の向上を図ると共に切断中に安定した切断抵抗
が得られ、かつすぐれた加工精度が得られる加工方法の
提供を目的としている。さらに、この発明は、被加工材
のセラミックス基板とのワックス接着を可能とし、切断
加工機のステージとの真空吸着固定を可能とし、かつ、
砥石の目立てとセラミックス基板の切断加工を同時に行
うことにより、安定した切断抵抗が得られると共にすぐ
れた加工能率が得られる加工方法、並びにセラミックス
基板の支持板の提供を目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】発明者らは、加工能率の
向上を図ると共に切断中に常に安定した切断抵抗が得ら
れすぐれた加工精度が得られる加工方法を目的に種々検
討した結果、砥石の目立てとセラミックス基板の切断加
工を同時に行うことにより、安定した切断抵抗が得られ
ると共にすぐれた加工能率が得られることに着目した。
向上を図ると共に切断中に常に安定した切断抵抗が得ら
れすぐれた加工精度が得られる加工方法を目的に種々検
討した結果、砥石の目立てとセラミックス基板の切断加
工を同時に行うことにより、安定した切断抵抗が得られ
ると共にすぐれた加工能率が得られることに着目した。
【００１１】そこで、発明者らは、従来のセラミックス
基板の加工法及び目立て板の欠点を解消すべく、被加工
材のセラミックス基板とのワックス接着を可能とし、切
断加工機のステージとの真空吸着固定を可能にし、砥石
の目立てとセラミックス基板の切断加工を同時に行うこ
とが可能なセラミックス基板の支持板について、種々検
討した結果、多孔質アルミナ焼結体からなる目立て板の
表面にガラスを溶着して両面封着して、支持板と目立て
板を兼用可能にし、この上面にセラミックス基板をワッ
クス接着して下面をステージに真空吸着することによ
り、砥石の目立てとセラミックス基板の切断加工を同時
に行うことが可能で、安定した切断抵抗が得られると共
にすぐれた加工能率が得られ、目的が達成できることを
知見し、この発明を完成した。
基板の加工法及び目立て板の欠点を解消すべく、被加工
材のセラミックス基板とのワックス接着を可能とし、切
断加工機のステージとの真空吸着固定を可能にし、砥石
の目立てとセラミックス基板の切断加工を同時に行うこ
とが可能なセラミックス基板の支持板について、種々検
討した結果、多孔質アルミナ焼結体からなる目立て板の
表面にガラスを溶着して両面封着して、支持板と目立て
板を兼用可能にし、この上面にセラミックス基板をワッ
クス接着して下面をステージに真空吸着することによ
り、砥石の目立てとセラミックス基板の切断加工を同時
に行うことが可能で、安定した切断抵抗が得られると共
にすぐれた加工能率が得られ、目的が達成できることを
知見し、この発明を完成した。
【００１２】また、発明者らは、セラミックス基板の加
工用支持板と目立て板を兼用可能にできる構成について
種々検討した結果、目立て板用の多孔質アルミナ焼結体
の両表面に、所要組成のガラスペーストを塗布後、熱処
理して前記ガラスを溶着し、前記アルミナ焼結体表面近
傍の一定深さの多孔部分にガラス成分を含浸させ、前記
ガラス含浸層により表面封着し、この両面封着によりア
ルミナ焼結体の平坦性が緩和され、総合的にそり量の少
ない多孔質アルミナ焼結体からなる支持板が有効に機能
することを知見し、この発明を完成した。
工用支持板と目立て板を兼用可能にできる構成について
種々検討した結果、目立て板用の多孔質アルミナ焼結体
の両表面に、所要組成のガラスペーストを塗布後、熱処
理して前記ガラスを溶着し、前記アルミナ焼結体表面近
傍の一定深さの多孔部分にガラス成分を含浸させ、前記
ガラス含浸層により表面封着し、この両面封着によりア
ルミナ焼結体の平坦性が緩和され、総合的にそり量の少
ない多孔質アルミナ焼結体からなる支持板が有効に機能
することを知見し、この発明を完成した。
【００１３】すなわち、この発明は、表面より５０μｍ
〜３００μｍ深さにガラス成分を含浸して表裏表面を封
着した多孔質アルミナ焼結体からなる支持板に、セラミ
ックス基板を接着して切断加工機のステージ上に支持板
を真空吸着した後、砥石により前記支持板と同時にセラ
ミックス基板を切断することを特徴とするセラミックス
基板の加工方法である。
〜３００μｍ深さにガラス成分を含浸して表裏表面を封
着した多孔質アルミナ焼結体からなる支持板に、セラミ
ックス基板を接着して切断加工機のステージ上に支持板
を真空吸着した後、砥石により前記支持板と同時にセラ
ミックス基板を切断することを特徴とするセラミックス
基板の加工方法である。
【００１４】
【発明の実施の形態】この発明によるセラミックス基板
加工用支持板１０は、図１に示すごとく、目立て板用に
用いられる気孔率３０％〜７０％の多孔質アルミナ焼結
体１１の両面に、所要組成のガラスペーストを塗布後、
熱処理して前記ガラスを溶着し、５０μｍ〜３００μｍ
の深さの多孔部分にガラス成分を含浸させ、含浸封着層
１２，１２を形成した構成からなる。
加工用支持板１０は、図１に示すごとく、目立て板用に
用いられる気孔率３０％〜７０％の多孔質アルミナ焼結
体１１の両面に、所要組成のガラスペーストを塗布後、
熱処理して前記ガラスを溶着し、５０μｍ〜３００μｍ
の深さの多孔部分にガラス成分を含浸させ、含浸封着層
１２，１２を形成した構成からなる。
【００１５】この支持板１０上にセラミックス基板３を
ワックス接着した後、切断加工機のステージ１上に切断
用砥石５の進行方向に真空吸着して固定する。
ワックス接着した後、切断加工機のステージ１上に切断
用砥石５の進行方向に真空吸着して固定する。
【００１６】図１においては、支持板１０の一方端側に
寄せてセラミックス基板３を接着してあり、他方端側よ
り切断用砥石５を回転進行させることにより、まず、支
持板１０の多孔質アルミナ焼結体で目立てが行われ、次
いでセラミックス基板３を切断するとともに切断用砥石
５は支持板１０を所要深さまで切断するため、回転時の
切断用砥石５はセラミックス基板３、支持板１０の多孔
質アルミナ焼結体の順に接触することになり、常時、目
立てが行われることになり、切断抵抗を小さくしながら
前記セラミックス基板４を切断加工でき、加工精度並び
に能率が一段と向上する。
寄せてセラミックス基板３を接着してあり、他方端側よ
り切断用砥石５を回転進行させることにより、まず、支
持板１０の多孔質アルミナ焼結体で目立てが行われ、次
いでセラミックス基板３を切断するとともに切断用砥石
５は支持板１０を所要深さまで切断するため、回転時の
切断用砥石５はセラミックス基板３、支持板１０の多孔
質アルミナ焼結体の順に接触することになり、常時、目
立てが行われることになり、切断抵抗を小さくしながら
前記セラミックス基板４を切断加工でき、加工精度並び
に能率が一段と向上する。
【００１７】この発明において、セラミックス基板加工
用支持板を構成するアルミナ焼結体のアルミナ原料粉末
は平均粒径５〜５０μｍが好ましい。また、多孔質アル
ミナ焼結体の気孔率を３０％〜７０％に限定した理由
は、３０％未満では砥石の目立ての効果が少なく、切断
抵抗を小さくすることが困難であるので、好ましくな
く、また、７０％を超えると焼結体表面に大きな気孔が
発生し、ガラス含浸時にその気孔部にガラス成分が溜ま
り、砥石の目立てを阻害するため、安定した切断抵抗が
得られれず、好ましくないためである。
用支持板を構成するアルミナ焼結体のアルミナ原料粉末
は平均粒径５〜５０μｍが好ましい。また、多孔質アル
ミナ焼結体の気孔率を３０％〜７０％に限定した理由
は、３０％未満では砥石の目立ての効果が少なく、切断
抵抗を小さくすることが困難であるので、好ましくな
く、また、７０％を超えると焼結体表面に大きな気孔が
発生し、ガラス含浸時にその気孔部にガラス成分が溜ま
り、砥石の目立てを阻害するため、安定した切断抵抗が
得られれず、好ましくないためである。
【００１８】また、セラミックス基板加工用支持板にお
いて、多孔質アルミナ焼結体の両表面に含浸させたガラ
ス成分の含浸封着層は、その深さが３００μｍを超える
と、砥石の切り込み量はガラス含浸量深さより深く切り
込まなければ、砥石の目立て効果が得られず、例えば厚
み２ｍｍのセラミックス基板を完全切断する場合は、貼
付板の含浸するガラス成分の含浸深さが３００μｍを超
えると、砥石と目立て効果のないガラス含浸層との接触
面積が大きくなるため、砥石の切断抵抗が上昇して、好
ましくない。
いて、多孔質アルミナ焼結体の両表面に含浸させたガラ
ス成分の含浸封着層は、その深さが３００μｍを超える
と、砥石の切り込み量はガラス含浸量深さより深く切り
込まなければ、砥石の目立て効果が得られず、例えば厚
み２ｍｍのセラミックス基板を完全切断する場合は、貼
付板の含浸するガラス成分の含浸深さが３００μｍを超
えると、砥石と目立て効果のないガラス含浸層との接触
面積が大きくなるため、砥石の切断抵抗が上昇して、好
ましくない。
【００１９】また、ガラス成分の含浸封着層は、その深
さが５０μｍ未満では実質的にガラス成分の含浸されて
ない部分の発生が生ずるため、切断加工機のステージへ
の真空吸着固定が不可能になるため、好ましくなく、ガ
ラス成分の含浸深さは５０μｍ〜３００μｍが好まし
い。
さが５０μｍ未満では実質的にガラス成分の含浸されて
ない部分の発生が生ずるため、切断加工機のステージへ
の真空吸着固定が不可能になるため、好ましくなく、ガ
ラス成分の含浸深さは５０μｍ〜３００μｍが好まし
い。
【００２０】また、この発明において、支持板の含浸封
着層を形成するため、表面に塗布するガラスペーストと
しては、一般にハイブリットＩＣ、チップ抵抗器などの
保護膜に使用され、そのガラス成分の組成としては、Ｓ
ｉＯ2を主成分とし、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＢａＯ、Ｐｂ
Ｏ等が含有されている。これらのガラス成分にテルピネ
オール系の溶液をバインダーとしてペースト状にしたも
ので、用途に応じて粘度も調整できる。支持板表面に含
浸封着するガラス成分としては、ガラス成分の濡れ性改
善のための高ＰｂＯ含有の他、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｎ
ａ2Ｏ、Ｋ2ＯあるいはＭｇＯを含有するものである。
着層を形成するため、表面に塗布するガラスペーストと
しては、一般にハイブリットＩＣ、チップ抵抗器などの
保護膜に使用され、そのガラス成分の組成としては、Ｓ
ｉＯ2を主成分とし、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＢａＯ、Ｐｂ
Ｏ等が含有されている。これらのガラス成分にテルピネ
オール系の溶液をバインダーとしてペースト状にしたも
ので、用途に応じて粘度も調整できる。支持板表面に含
浸封着するガラス成分としては、ガラス成分の濡れ性改
善のための高ＰｂＯ含有の他、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｎ
ａ2Ｏ、Ｋ2ＯあるいはＭｇＯを含有するものである。
【００２１】この発明において、セラミックス基板加工
用支持板にガラスペーストを塗布後に施す熱処理条件と
しては、８００℃〜９００℃に１０分〜６０分の条件が
好ましい。
用支持板にガラスペーストを塗布後に施す熱処理条件と
しては、８００℃〜９００℃に１０分〜６０分の条件が
好ましい。
【００２２】
実施例１ 平均粒径が２０μｍのアルミナ原料粉末に焼結促進剤及
び結合剤を添加混合した粉末を、０．３Ｔ／ｃｍ2の成
形圧にて成形後、１７００℃に３時間保持して焼成した
後、気孔率４５％の寸法１００ｍｍ×１００ｍｍ×５．
０ｍｍのアルミナ焼結体を得た。
び結合剤を添加混合した粉末を、０．３Ｔ／ｃｍ2の成
形圧にて成形後、１７００℃に３時間保持して焼成した
後、気孔率４５％の寸法１００ｍｍ×１００ｍｍ×５．
０ｍｍのアルミナ焼結体を得た。
【００２３】次に前記焼結体の平坦化のため、両面に研
削加工を行った後、前記焼結体の両表面にガラスペース
ト（α＝８０×１０-7／℃、Ｔｏ＝６００℃）を所要厚
みにスクリーン印刷法にて両面塗布後、１３０℃に１時
間乾燥した後、８８０℃に１０分加熱してガラス溶着し
た。
削加工を行った後、前記焼結体の両表面にガラスペース
ト（α＝８０×１０-7／℃、Ｔｏ＝６００℃）を所要厚
みにスクリーン印刷法にて両面塗布後、１３０℃に１時
間乾燥した後、８８０℃に１０分加熱してガラス溶着し
た。
【００２４】焼結体表面近傍にガラス成分（５０％Ｐｂ
Ｏ−３０％ＳｉＯ2−残部ＢａＯ，Ｂ2０3）を含浸した
後、ガラス成分含浸の焼結体両面を研削して平坦化した
後、表１に示すガラス成分の含浸封着層深さを有する寸
法１００ｍｍ×１００ｍｍ×３．０ｍｍの焼結体を得
た。
Ｏ−３０％ＳｉＯ2−残部ＢａＯ，Ｂ2０3）を含浸した
後、ガラス成分含浸の焼結体両面を研削して平坦化した
後、表１に示すガラス成分の含浸封着層深さを有する寸
法１００ｍｍ×１００ｍｍ×３．０ｍｍの焼結体を得
た。
【００２５】前記ガラス成分の含浸封着層を有する焼結
体であるセラミックス基板加工用支持板として、切断加
工機に被加工材として寸法５０ｍｍ×２０ｍｍ×２ｍｍ
のＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系基板を前記支持板上にワックス接
着した後、切断加工機のステージ上に真空吸着固定し
た。
体であるセラミックス基板加工用支持板として、切断加
工機に被加工材として寸法５０ｍｍ×２０ｍｍ×２ｍｍ
のＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ系基板を前記支持板上にワックス接
着した後、切断加工機のステージ上に真空吸着固定し
た。
【００２６】その後、切断用砥石として寸法外径８０ｍ
ｍ×内径４０ｍｍ×厚み０．１８ｍｍのＳＤ＃８００メ
タルボンドブレード（商品名、リード社製）を用い、切
断条件としてスピンドル回転数は１０ｋｒｐｍ、砥石送
り速度は１００ｍｍ／ｍｉｎ、切り込み量は０．４ｍ
ｍ、切断抵抗はスピンドルモーターの負荷にて表した。
ｍ×内径４０ｍｍ×厚み０．１８ｍｍのＳＤ＃８００メ
タルボンドブレード（商品名、リード社製）を用い、切
断条件としてスピンドル回転数は１０ｋｒｐｍ、砥石送
り速度は１００ｍｍ／ｍｉｎ、切り込み量は０．４ｍ
ｍ、切断抵抗はスピンドルモーターの負荷にて表した。
【００２７】切断用砥石は、支持板自体の切削による砥
石の目立てと共に被加工材のアルミナ系基板の切断を行
い、切断抵抗、砥石磨耗量、真空吸着状況、及びワック
ス接着状況を表１に表す。加工性の評価は、この発明の
支持板に被加工材のアルミナ系基板をワックス接着し、
砥石による支持板及びアルミナ系基板の切断時の切断抵
抗にて評価した。また、砥石磨耗量は支持板の切削前後
の砥石の外径変化量にて示す。
石の目立てと共に被加工材のアルミナ系基板の切断を行
い、切断抵抗、砥石磨耗量、真空吸着状況、及びワック
ス接着状況を表１に表す。加工性の評価は、この発明の
支持板に被加工材のアルミナ系基板をワックス接着し、
砥石による支持板及びアルミナ系基板の切断時の切断抵
抗にて評価した。また、砥石磨耗量は支持板の切削前後
の砥石の外径変化量にて示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】比較例１ 比較として実施例１と同一の多孔質アルミナ焼結体両面
にガラス成分含浸層深さが５００μｍの支持板とガラス
成分を含浸封着してないアルミナ焼結体の支持板を用い
て、実施例１と同一の被加工材のアルミナ系基板を実施
例１と同一の加工条件にて切断した場合の、切断抵抗、
砥石磨耗量、真空吸着状況及びワックス接着状況を表に
表１す。
にガラス成分含浸層深さが５００μｍの支持板とガラス
成分を含浸封着してないアルミナ焼結体の支持板を用い
て、実施例１と同一の被加工材のアルミナ系基板を実施
例１と同一の加工条件にて切断した場合の、切断抵抗、
砥石磨耗量、真空吸着状況及びワックス接着状況を表に
表１す。
【００３０】
【発明の効果】この発明によるセラミックス基板加工用
支持板は、多孔質アルミナ焼結体の両表面にガラス成分
を含浸させた含浸封着層を形成してあり、この支持板を
使用して含浸封着層上にワックス接着したアルミナ系基
板を同時切断するこの発明による加工方法は、被加工物
のセラミックス基板とのワックス接着や切断加工機のス
テージへの真空吸着固定が可能となり、砥石の目立ては
従来の目立て板と同等以上の目立て効果が得られると共
にセラミックス基板の切断加工が同時に行えることによ
り、切断抵抗を小さくできることから加工精度並びに能
率は一段と向上する特徴を有する。
支持板は、多孔質アルミナ焼結体の両表面にガラス成分
を含浸させた含浸封着層を形成してあり、この支持板を
使用して含浸封着層上にワックス接着したアルミナ系基
板を同時切断するこの発明による加工方法は、被加工物
のセラミックス基板とのワックス接着や切断加工機のス
テージへの真空吸着固定が可能となり、砥石の目立ては
従来の目立て板と同等以上の目立て効果が得られると共
にセラミックス基板の切断加工が同時に行えることによ
り、切断抵抗を小さくできることから加工精度並びに能
率は一段と向上する特徴を有する。
【図１】この発明によるセラミックス基板の加工方法を
示す切断加工機のステージ上のセラミックス基板加工用
支持板の縦断説明図である。
示す切断加工機のステージ上のセラミックス基板加工用
支持板の縦断説明図である。
【図２】従来のセラミックス基板の加工方法を示すステ
ージ上の加工用支持台及び目立て板の上面説明図であ
る。
ージ上の加工用支持台及び目立て板の上面説明図であ
る。
【図３】従来の他のセラミックス基板の加工方法を示す
ステージ上の加工用支持台及び目立て板の上面説明図で
ある。
ステージ上の加工用支持台及び目立て板の上面説明図で
ある。
１ ステージ ２ 支持台 ３ セラミックス基板 ４ 目立て板 ５ 切断用砥石 １０ 支持板 １１ 多孔質アルミナ焼結体 １２ 含浸封着層
Claims (3)
- 【請求項１】 表面より５０μｍ〜３００μｍ深さにガ
ラス成分を含浸して表裏表面を封着した多孔質アルミナ
焼結体からなる支持板に、セラミックス基板を接着して
切断加工機のステージ上に支持板を真空吸着した後、砥
石により前記支持板と同時にセラミックス基板を切断す
るセラミックス基板の加工方法。 - 【請求項２】 多孔質アルミナ焼結体両面の最表面より
５０μｍ〜３００μｍ深さにガラス成分を含浸して表面
を封着したセラミックス基板加工用支持板。 - 【請求項３】 請求項２おいて、多孔質アルミナ焼結体
の気孔率は３０％〜７０％であるセラミックス基板加工
用支持板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9220828A JPH1148235A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | セラミックス基板の加工方法およびセラミックス基板加工用支持板 |
| US09/122,715 US6176762B1 (en) | 1997-07-31 | 1998-07-27 | Method of cutting a ceramic base plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9220828A JPH1148235A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | セラミックス基板の加工方法およびセラミックス基板加工用支持板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1148235A true JPH1148235A (ja) | 1999-02-23 |
Family
ID=16757192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9220828A Pending JPH1148235A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | セラミックス基板の加工方法およびセラミックス基板加工用支持板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6176762B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1148235A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102975299A (zh) * | 2012-11-26 | 2013-03-20 | 哈尔滨工业大学 | 一种双刀盘式超精密飞切铣床 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6271140B1 (en) * | 1998-10-01 | 2001-08-07 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Coaxial dressing for chemical mechanical polishing |
| US6675471B1 (en) * | 1999-04-09 | 2004-01-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing high-frequency modules |
| US10130767B2 (en) | 2012-08-30 | 2018-11-20 | Medtronic Minimed, Inc. | Sensor model supervisor for a closed-loop insulin infusion system |
| DE102012219332B4 (de) * | 2012-10-23 | 2014-11-13 | Mdi Schott Advanced Processing Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Lagern und Fixieren einer Glasscheibe |
| JP7080552B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2022-06-06 | 株式会社ディスコ | 切削ブレードのドレッシング方法 |
| US11565371B2 (en) * | 2018-12-31 | 2023-01-31 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming semiconductor cutting/trimming blades |
| JP7504539B2 (ja) * | 2020-05-22 | 2024-06-24 | 株式会社ディスコ | ドレッシング部材 |
-
1997
- 1997-07-31 JP JP9220828A patent/JPH1148235A/ja active Pending
-
1998
- 1998-07-27 US US09/122,715 patent/US6176762B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102975299A (zh) * | 2012-11-26 | 2013-03-20 | 哈尔滨工业大学 | 一种双刀盘式超精密飞切铣床 |
| CN102975299B (zh) * | 2012-11-26 | 2015-04-08 | 哈尔滨工业大学 | 一种双刀盘式超精密飞切铣床 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6176762B1 (en) | 2001-01-23 |
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