JP2000165186A - 弾性表面波フィルタ - Google Patents
弾性表面波フィルタInfo
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 通過帯域高域側におけるフィルタ特性の急峻
性を高めることができ、小型化が容易でありかつ通過帯
域より離れた周波数位置における減衰量の悪化が生じ難
い、弾性表面波フィルタを得る。 【解決手段】 圧電性基板上に複数の一端子対ＳＡＷ共
振子が梯子型回路を構成するように形成されており、少
なくとも１つの一端子対ＳＡＷ共振子のインターデジタ
ルトランスデューサにおいて、バスバー４，５と、該バ
スバー４，５とは反対側のバスバー５，４に接続されて
いる電極指７，６の先端との間のギャップ長Ｗ２が、弾
性表面波の波長をλとしたときに、０．５０λ〜４λの
範囲とされている、弾性表面波フィルタ。
性を高めることができ、小型化が容易でありかつ通過帯
域より離れた周波数位置における減衰量の悪化が生じ難
い、弾性表面波フィルタを得る。 【解決手段】 圧電性基板上に複数の一端子対ＳＡＷ共
振子が梯子型回路を構成するように形成されており、少
なくとも１つの一端子対ＳＡＷ共振子のインターデジタ
ルトランスデューサにおいて、バスバー４，５と、該バ
スバー４，５とは反対側のバスバー５，４に接続されて
いる電極指７，６の先端との間のギャップ長Ｗ２が、弾
性表面波の波長をλとしたときに、０．５０λ〜４λの
範囲とされている、弾性表面波フィルタ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば帯域フィル
タに用いられる弾性表面波フィルタに関し、より詳細に
は、複数の一端子対弾性表面波共振子が梯子型回路を構
成するように接続されている弾性表面波フィルタに関す
る。
タに用いられる弾性表面波フィルタに関し、より詳細に
は、複数の一端子対弾性表面波共振子が梯子型回路を構
成するように接続されている弾性表面波フィルタに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、帯域フィルタとして弾性表面波フ
ィルタが広く用いられている。例えば、特公昭５６−１
９７６５号公報には、複数の一端子対弾性表面波共振子
（一端子対ＳＡＷ共振子）を用いて梯子型回路を構成し
てなる弾性表面波フィルタが開示されている。
ィルタが広く用いられている。例えば、特公昭５６−１
９７６５号公報には、複数の一端子対弾性表面波共振子
（一端子対ＳＡＷ共振子）を用いて梯子型回路を構成し
てなる弾性表面波フィルタが開示されている。
【０００３】上記梯子型回路構成の弾性表面波フィルタ
を、図９及び図１０を参照して説明する。この弾性表面
波フィルタでは、入力端と出力端とを結ぶ直列腕と、直
列腕と基準電位とを結ぶ並列腕とが構成されている。直
列腕に、直列腕共振子として一端子対ＳＡＷ共振子Ｓ１
が、並列腕に並列腕共振子として一端子対ＳＡＷ共振子
Ｐ１が接続されている。なお、図９では、１個の直列腕
共振子と、１個の並列腕共振子のみを図示しているが、
直列腕共振子及び並列共振子の数は、目的とする特性に
応じて適宜選ばれる。
を、図９及び図１０を参照して説明する。この弾性表面
波フィルタでは、入力端と出力端とを結ぶ直列腕と、直
列腕と基準電位とを結ぶ並列腕とが構成されている。直
列腕に、直列腕共振子として一端子対ＳＡＷ共振子Ｓ１
が、並列腕に並列腕共振子として一端子対ＳＡＷ共振子
Ｐ１が接続されている。なお、図９では、１個の直列腕
共振子と、１個の並列腕共振子のみを図示しているが、
直列腕共振子及び並列共振子の数は、目的とする特性に
応じて適宜選ばれる。
【０００４】上記一端子対ＳＡＷ共振子は、図１０に示
す電極構造を有する。すなわち、圧電性基板（図示せ
ず）上に、インターデジタルトランスデューサ（以下、
ＩＤＴと略す。）５１と、ＩＤＴの両側に配置された反
射器５２，５３とを有する。
す電極構造を有する。すなわち、圧電性基板（図示せ
ず）上に、インターデジタルトランスデューサ（以下、
ＩＤＴと略す。）５１と、ＩＤＴの両側に配置された反
射器５２，５３とを有する。
【０００５】ＩＤＴ５１は、表面波伝搬方向に沿って延
びる一対のバスバー５４，５５を有する。バスバー５４
に、複数本の電極指５６の一端が接続されている。電極
指５６は、表面波伝搬方向と直交する方向に、すなわち
相手側のバスバー５５側に向かって延ばされている。同
様に、バスバー５５には、複数本の電極指５７の一端が
接続されており、複数本の電極指５７は、バスバー５４
側に向かって延ばされている。電極指５６，５７は、互
いに間挿し合うように配置されている。
びる一対のバスバー５４，５５を有する。バスバー５４
に、複数本の電極指５６の一端が接続されている。電極
指５６は、表面波伝搬方向と直交する方向に、すなわち
相手側のバスバー５５側に向かって延ばされている。同
様に、バスバー５５には、複数本の電極指５７の一端が
接続されており、複数本の電極指５７は、バスバー５４
側に向かって延ばされている。電極指５６，５７は、互
いに間挿し合うように配置されている。
【０００６】上記一端子対ＳＡＷ共振子を複数個用い、
図９に示した梯子型回路を構成することにより、弾性表
面波フィルタが構成されている。この弾性表面波フィル
タの減衰量周波数特性を、図１１に示す。
図９に示した梯子型回路を構成することにより、弾性表
面波フィルタが構成されている。この弾性表面波フィル
タの減衰量周波数特性を、図１１に示す。
【０００７】上記梯子型回路構成を有する弾性表面波フ
ィルタは、低損失かつ広帯域であるため、携帯電話用帯
域フィルタなどにおいて幅広く用いられている。しかし
ながら、近年、携帯電話機においては、送信側周波数帯
と、受信側周波数帯とが近接したシステムが用いられて
いる。従って、帯域フィルタでは、通過帯域近傍におけ
るフィルタ特性の急峻性を高めることが強く求められて
いる。
ィルタは、低損失かつ広帯域であるため、携帯電話用帯
域フィルタなどにおいて幅広く用いられている。しかし
ながら、近年、携帯電話機においては、送信側周波数帯
と、受信側周波数帯とが近接したシステムが用いられて
いる。従って、帯域フィルタでは、通過帯域近傍におけ
るフィルタ特性の急峻性を高めることが強く求められて
いる。
【０００８】そこで、通過帯域近傍のフィルタ特性の急
峻性を高めるために、特開平９−１６７９３７号公報に
は、図１２に示す回路構成を有する弾性表面波フィルタ
が開示されている。ここでは、直列腕に接続されている
一端子対ＳＡＷ共振子Ｓ１，Ｓ２のうち、ＳＡＷ共振子
Ｓ１に並列にコンデンサ５８が接続されている。この先
行技術によれば、コンデンサ５８を挿入することによ
り、ＳＡＷ共振子Ｓ１の反共振周波数が低められ、通過
帯域の広域側におけるフィルタ特性の急峻性が高められ
るとされている。
峻性を高めるために、特開平９−１６７９３７号公報に
は、図１２に示す回路構成を有する弾性表面波フィルタ
が開示されている。ここでは、直列腕に接続されている
一端子対ＳＡＷ共振子Ｓ１，Ｓ２のうち、ＳＡＷ共振子
Ｓ１に並列にコンデンサ５８が接続されている。この先
行技術によれば、コンデンサ５８を挿入することによ
り、ＳＡＷ共振子Ｓ１の反共振周波数が低められ、通過
帯域の広域側におけるフィルタ特性の急峻性が高められ
るとされている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
９−１６７９３７号公報に記載の方法では、コンデンサ
５８を挿入する必要があるため、弾性表面波フィルタの
寸法が大きくなり、携帯電話機等の小型化に対応するこ
とが困難であった。また、ＳＡＷ共振子Ｓ１にコンデン
サ５８による容量が付加されるため、通過帯域から離れ
た周波数域における減衰量が低下するという問題もあっ
た。
９−１６７９３７号公報に記載の方法では、コンデンサ
５８を挿入する必要があるため、弾性表面波フィルタの
寸法が大きくなり、携帯電話機等の小型化に対応するこ
とが困難であった。また、ＳＡＷ共振子Ｓ１にコンデン
サ５８による容量が付加されるため、通過帯域から離れ
た周波数域における減衰量が低下するという問題もあっ
た。
【００１０】梯子型回路構成の弾性表面波フィルタで
は、通過帯域から離れた周波数域では、並列腕共振子と
直列腕共振子の容量比で減衰量が決定される。一般に、
直列腕共振子の容量が相対的に大きくなれば、減衰量は
低下する。従って、上記先行技術に記載のように、直列
腕共振子Ｓ１に並列にコンデンサ５８を接続した場合、
直列腕共振子の容量を高めた場合と同様に、通過帯域外
における減衰量が悪化する。
は、通過帯域から離れた周波数域では、並列腕共振子と
直列腕共振子の容量比で減衰量が決定される。一般に、
直列腕共振子の容量が相対的に大きくなれば、減衰量は
低下する。従って、上記先行技術に記載のように、直列
腕共振子Ｓ１に並列にコンデンサ５８を接続した場合、
直列腕共振子の容量を高めた場合と同様に、通過帯域外
における減衰量が悪化する。
【００１１】上記のような通過帯域から離れた周波数域
における減衰量の低下を防止するには、直列腕共振子の
電極による容量を小さくすればよいと考えられる。しか
しながら、直列腕共振子の電極による容量を小さくする
と、電極指の対数や交差幅を小さくする必要があり、所
望とする共振特性を得ることが非常に困難となる。
における減衰量の低下を防止するには、直列腕共振子の
電極による容量を小さくすればよいと考えられる。しか
しながら、直列腕共振子の電極による容量を小さくする
と、電極指の対数や交差幅を小さくする必要があり、所
望とする共振特性を得ることが非常に困難となる。
【００１２】本発明の目的は、通過帯域の広域側におけ
るフィルタ特性の急峻性を高めることができるだけでな
く、小型化が容易であり、かつ通過帯域から離れた周波
数域における減衰量の低下が生じ難い、良好な共振特性
を得ることできる弾性表面波フィルタを提供することに
ある。
るフィルタ特性の急峻性を高めることができるだけでな
く、小型化が容易であり、かつ通過帯域から離れた周波
数域における減衰量の低下が生じ難い、良好な共振特性
を得ることできる弾性表面波フィルタを提供することに
ある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するためになされたものであり、圧電性基板と、前記
圧電性基板上に形成されており、かつそれぞれが一端子
対ＳＡＷ共振子を構成する複数のＩＤＴとを備え、各Ｉ
ＤＴが一対のバスバーと、バスバーに一端が接続されて
おり、他端が他方のバスバーに向かって延ばされている
複数本の電極指とを有し、直列腕と並列腕とを有する梯
子型回路を構成するように複数の一端子対ＳＡＷ共振子
が接続されている弾性表面波フィルタにおいて、少なく
とも１つのＩＤＴのバスバーと、該バスバーとは反対側
のバスバーに接続されている電極指の先端との間ギャッ
プが、弾性表面波の波長をλとしたときに、０．５０λ
〜４λの範囲とされていることを特徴とする。
成するためになされたものであり、圧電性基板と、前記
圧電性基板上に形成されており、かつそれぞれが一端子
対ＳＡＷ共振子を構成する複数のＩＤＴとを備え、各Ｉ
ＤＴが一対のバスバーと、バスバーに一端が接続されて
おり、他端が他方のバスバーに向かって延ばされている
複数本の電極指とを有し、直列腕と並列腕とを有する梯
子型回路を構成するように複数の一端子対ＳＡＷ共振子
が接続されている弾性表面波フィルタにおいて、少なく
とも１つのＩＤＴのバスバーと、該バスバーとは反対側
のバスバーに接続されている電極指の先端との間ギャッ
プが、弾性表面波の波長をλとしたときに、０．５０λ
〜４λの範囲とされていることを特徴とする。
【００１４】本発明の特定の局面では、直列腕に接続さ
れている少なくとも１つの一端子対ＳＡＷ共振子を構成
しているＩＤＴにおいて、バスバーと、電極指先端との
間の上記ギャップが、０．５０λ〜４λの範囲とされて
いる。
れている少なくとも１つの一端子対ＳＡＷ共振子を構成
しているＩＤＴにおいて、バスバーと、電極指先端との
間の上記ギャップが、０．５０λ〜４λの範囲とされて
いる。
【００１５】また、より特定的な局面では、直列腕に接
続されているすべての一端子対ＳＡＷ共振子を構成して
いるＩＤＴにおいて、バスバーと電極指との先端との間
の上記ギャップが０．５０λ〜４λの範囲とされてい
る。
続されているすべての一端子対ＳＡＷ共振子を構成して
いるＩＤＴにおいて、バスバーと電極指との先端との間
の上記ギャップが０．５０λ〜４λの範囲とされてい
る。
【００１６】本発明においては、上記圧電性基板として
は、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 などの圧電単結晶基板
や、チタン酸ジルコンサン鉛系セラミックスのような圧
電セラミックスのような様々な圧電材料からなる基板を
用いることができる。また、圧電性基板としては、アル
ミナなどの絶縁性材料よりなる絶縁性基板上に圧電薄膜
を積層したものを用いてもよく、その場合、ＩＤＴなど
の電極は、圧電薄膜の上面及び下面の何れに形成しても
よい。好ましくは、上記圧電性基板としては、請求項４
に記載のように、ＬｉＴａＯ3 基板が用いられる。
は、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 などの圧電単結晶基板
や、チタン酸ジルコンサン鉛系セラミックスのような圧
電セラミックスのような様々な圧電材料からなる基板を
用いることができる。また、圧電性基板としては、アル
ミナなどの絶縁性材料よりなる絶縁性基板上に圧電薄膜
を積層したものを用いてもよく、その場合、ＩＤＴなど
の電極は、圧電薄膜の上面及び下面の何れに形成しても
よい。好ましくは、上記圧電性基板としては、請求項４
に記載のように、ＬｉＴａＯ3 基板が用いられる。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１（ａ）は、本発明の一実施例
に係る弾性表面波フィルタの回路構成を示す図であり、
図１（ｂ）は、本実施例において用いられる１つの一端
子対ＳＡＷ共振子の電極構造を示す平面図である。
に係る弾性表面波フィルタの回路構成を示す図であり、
図１（ｂ）は、本実施例において用いられる１つの一端
子対ＳＡＷ共振子の電極構造を示す平面図である。
【００１８】図１（ａ）に示すように、本実施例の弾性
表面波フィルタは、梯子型回路構成を有する。すなわ
ち、入力端ＩＮと、出力端ＯＵＴとの間に直列腕が構成
されており、該直列腕と基準電位との間に複数の並列腕
が構成されている。
表面波フィルタは、梯子型回路構成を有する。すなわ
ち、入力端ＩＮと、出力端ＯＵＴとの間に直列腕が構成
されており、該直列腕と基準電位との間に複数の並列腕
が構成されている。
【００１９】直列腕には、直列腕共振子として、一端子
対ＳＡＷ共振子Ｓ１，Ｓ２が接続されている。また、各
並列腕には、並列腕共振子として、個々の一端子対ＳＡ
Ｗ共振子Ｐ１〜Ｐ３が接続されている。また、入力端Ｉ
Ｎから出力端ＯＵＴに向かって、図示のように、並列腕
共振子と直列腕共振子とが交互に配置されている。
対ＳＡＷ共振子Ｓ１，Ｓ２が接続されている。また、各
並列腕には、並列腕共振子として、個々の一端子対ＳＡ
Ｗ共振子Ｐ１〜Ｐ３が接続されている。また、入力端Ｉ
Ｎから出力端ＯＵＴに向かって、図示のように、並列腕
共振子と直列腕共振子とが交互に配置されている。
【００２０】もっとも、本発明においては、直列腕共振
子及び並列腕共振子の数は図示の例に限定されない。す
なわち、１個の並列腕共振子と１個の直列腕共振子のみ
を有する構造であってもよく、３以上の並列腕有してい
てもよい。
子及び並列腕共振子の数は図示の例に限定されない。す
なわち、１個の並列腕共振子と１個の直列腕共振子のみ
を有する構造であってもよく、３以上の並列腕有してい
てもよい。
【００２１】上記一端子対ＳＡＷ共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｐ
１〜Ｐ３の電極構造を、図１（ｂ）を参照して説明す
る。一端子対ＳＡＷ共振子では、ＩＤＴ１の表面波伝搬
方向両側に反射器２，３が配置されている。
１〜Ｐ３の電極構造を、図１（ｂ）を参照して説明す
る。一端子対ＳＡＷ共振子では、ＩＤＴ１の表面波伝搬
方向両側に反射器２，３が配置されている。
【００２２】ＩＤＴ１は、所定距離を隔てて平行に延ば
された一対のバスバー４，５を有する。バスバー４には
複数本の電極指６の一端が接続されており、バスバー５
には複数本の電極指７の一端が接続されている。電極指
６，７は、相手方のバスバー５，４に向かって延ばされ
ており、かつ互いに間挿し合うように配置されている。
された一対のバスバー４，５を有する。バスバー４には
複数本の電極指６の一端が接続されており、バスバー５
には複数本の電極指７の一端が接続されている。電極指
６，７は、相手方のバスバー５，４に向かって延ばされ
ており、かつ互いに間挿し合うように配置されている。
【００２３】また、反射器２，３は、複数本の電極指の
両端を短絡してなるグレーティング反射器により構成さ
れている。一端子対ＳＡＷ共振子では、交流電圧が電極
指６，７間に印加された場合、ＩＤＴ１が励振され、表
面波が発生する。この表面波が反射器２，３間に閉じ込
められ、該表面波に基づく共振特性が取り出される。
両端を短絡してなるグレーティング反射器により構成さ
れている。一端子対ＳＡＷ共振子では、交流電圧が電極
指６，７間に印加された場合、ＩＤＴ１が励振され、表
面波が発生する。この表面波が反射器２，３間に閉じ込
められ、該表面波に基づく共振特性が取り出される。
【００２４】本発明においては、複数の上記一端子対Ｓ
ＡＷ共振子を用いて梯子型回路を構成してなる弾性表面
波フィルタにおいて、少なくとも１つの一端子対ＳＡＷ
共振子のＩＤＴのバスバーと、該バスバーとは反対側の
バスバーに接続されている電極指の先端との間のギャッ
プＷ２が、弾性表面波の波長をλとしたときに、０．５
０λ〜４λの範囲とされており、それによって通過帯域
の高域側におけるフィルタ特性の急峻性が高められる。
これを、以下において説明する。
ＡＷ共振子を用いて梯子型回路を構成してなる弾性表面
波フィルタにおいて、少なくとも１つの一端子対ＳＡＷ
共振子のＩＤＴのバスバーと、該バスバーとは反対側の
バスバーに接続されている電極指の先端との間のギャッ
プＷ２が、弾性表面波の波長をλとしたときに、０．５
０λ〜４λの範囲とされており、それによって通過帯域
の高域側におけるフィルタ特性の急峻性が高められる。
これを、以下において説明する。
【００２５】特開平６−２３２６８２号公報には、Ｌｉ
ＴａＯ3 からなる圧電基板を用いた一端子対ＳＡＷ共振
子における共振周波数と反共振周波数との間に存在する
リップルを低減する方法が開示されている。この先行技
術に記載の一端子対ＳＡＷ共振子の電極構造を図１３に
示す。なお、図１３では、ＩＤＴ５１の一方側に配置さ
れた反射器５２は図示されているが、他方側に配置され
ている反射器については図示を省略してあることを指摘
しておく。
ＴａＯ3 からなる圧電基板を用いた一端子対ＳＡＷ共振
子における共振周波数と反共振周波数との間に存在する
リップルを低減する方法が開示されている。この先行技
術に記載の一端子対ＳＡＷ共振子の電極構造を図１３に
示す。なお、図１３では、ＩＤＴ５１の一方側に配置さ
れた反射器５２は図示されているが、他方側に配置され
ている反射器については図示を省略してあることを指摘
しておく。
【００２６】この先行技術では、ＩＤＴ５１における電
極指５６，５７の交差幅Ｗ１と、バスバー５４，５５
と、相手方のバスバーに接続されている電極指５７，５
６の先端との間のギャップ長Ｗ２との比Ｗ１／Ｗ２をあ
る一定の値以上とすれば、ＬｉＴａＯ3 基板特有の共振
周波数と反共振周波数との間に存在するリップルの影響
を抑制し得ることが示されている。すなわち、上記ギャ
ップ長Ｗ２を交差幅Ｗ１に比べて狭くすることにより、
ＳＳＢＷの発生を防止することができ、それによって上
記リップルの影響を抑制することが可能とされている。
極指５６，５７の交差幅Ｗ１と、バスバー５４，５５
と、相手方のバスバーに接続されている電極指５７，５
６の先端との間のギャップ長Ｗ２との比Ｗ１／Ｗ２をあ
る一定の値以上とすれば、ＬｉＴａＯ3 基板特有の共振
周波数と反共振周波数との間に存在するリップルの影響
を抑制し得ることが示されている。すなわち、上記ギャ
ップ長Ｗ２を交差幅Ｗ１に比べて狭くすることにより、
ＳＳＢＷの発生を防止することができ、それによって上
記リップルの影響を抑制することが可能とされている。
【００２７】上記先行技術に記載のように、弾性表面波
素子においてはＳＳＢＷの発生は特性を劣化させるため
好ましくないと考えられており、上記ギャップ長Ｗ２は
できるだけ狭くすればよいと考えられていた。
素子においてはＳＳＢＷの発生は特性を劣化させるため
好ましくないと考えられており、上記ギャップ長Ｗ２は
できるだけ狭くすればよいと考えられていた。
【００２８】これに対して、本発明では、上記リップル
が積極的に利用され、それによってフィルタ特性の向上
が図られている。すなわち、本発明は、可能な限り抑圧
することが必要であると考えられていた上記リップルを
積極的に利用し、それによってフィルタ特性の向上を図
ったものである。
が積極的に利用され、それによってフィルタ特性の向上
が図られている。すなわち、本発明は、可能な限り抑圧
することが必要であると考えられていた上記リップルを
積極的に利用し、それによってフィルタ特性の向上を図
ったものである。
【００２９】本願発明者らは、一端子対ＳＡＷ共振子に
おいて、交差幅Ｗ１を一定とし、上記ギャップ長Ｗ２の
みを変化させることにより、上記リップルの周波数を自
由に制御し得ることを、実験的に見出した。これを、図
２を参照して説明する。
おいて、交差幅Ｗ１を一定とし、上記ギャップ長Ｗ２の
みを変化させることにより、上記リップルの周波数を自
由に制御し得ることを、実験的に見出した。これを、図
２を参照して説明する。
【００３０】図２は、一端子対ＳＡＷ共振子における上
記ギャップ長Ｗ２の寸法と、共振周波数と反共振周波数
との間に発生する上記リップルの周波数位置との関係を
示す。なお、縦軸の周波数△ｆ／ｆ０は、リップルが発
生する周波数と弾性表面波素子の共振周波数との間隔を
Δｆ、共振周波数をｆ０として規格化された値である。
記ギャップ長Ｗ２の寸法と、共振周波数と反共振周波数
との間に発生する上記リップルの周波数位置との関係を
示す。なお、縦軸の周波数△ｆ／ｆ０は、リップルが発
生する周波数と弾性表面波素子の共振周波数との間隔を
Δｆ、共振周波数をｆ０として規格化された値である。
【００３１】図２から明らかなように、ギャップ長Ｗ２
の寸法を変えることにより、リップルが発生する周波数
がギャップ長Ｗ２の大きさの変化に応じて変化している
ことがわかる。
の寸法を変えることにより、リップルが発生する周波数
がギャップ長Ｗ２の大きさの変化に応じて変化している
ことがわかる。
【００３２】他方、梯子型回路構成を有する弾性表面波
フィルタでは、複数の一端子対ＳＡＷ共振子の共振特性
を組み合わせることにより所望のフィルタ特性が得られ
ている。従って、上記リップルを減衰量を大きくするこ
とが必要な周波数位置に移動させれば、該必要な周波数
位置における減衰量を拡大することができる。特に、梯
子型回路構成において、直列腕共振子を構成している一
端子対ＳＡＷ共振子においてバスバーと電極指先端との
ギャップ長Ｗ２を変えることにより、リップルの周波数
位置を、弾性表面波フィルタの通過帯域高域側の肩口に
移動させることができる。従って、通過帯域高域側フィ
ルタ特性の急峻性を高めることができる。
フィルタでは、複数の一端子対ＳＡＷ共振子の共振特性
を組み合わせることにより所望のフィルタ特性が得られ
ている。従って、上記リップルを減衰量を大きくするこ
とが必要な周波数位置に移動させれば、該必要な周波数
位置における減衰量を拡大することができる。特に、梯
子型回路構成において、直列腕共振子を構成している一
端子対ＳＡＷ共振子においてバスバーと電極指先端との
ギャップ長Ｗ２を変えることにより、リップルの周波数
位置を、弾性表面波フィルタの通過帯域高域側の肩口に
移動させることができる。従って、通過帯域高域側フィ
ルタ特性の急峻性を高めることができる。
【００３３】次に、本実施例の弾性表面波フィルタにお
いて、直列腕共振子のギャップ長Ｗ２を変化させた場
合、通過帯域高域側のフィルタ特性がどのように変化す
るかを説明する。
いて、直列腕共振子のギャップ長Ｗ２を変化させた場
合、通過帯域高域側のフィルタ特性がどのように変化す
るかを説明する。
【００３４】図３は、図１（ａ）に示した弾性表面波フ
ィルタにおいて、直列腕共振子を構成している一端子対
ＳＡＷ共振子Ｓ１，Ｓ２において、上記ギャップ長Ｗ２
を変化させた場合の弾性表面波フィルタの通過帯域高域
側におけるフィルタ特性の急峻性の変化を示す。なお、
通過帯域近傍におけるフィルタ特性の急峻性（単位はＭ
Ｈｚ）は、以下のようにして定義した。すなわち、図４
に示す弾性表面波フィルタのフィルタ特性において、通
過帯域の高域側において、減衰量が５ｄＢである周波数
位置と１０ｄＢである周波数位置との差をフィルタ特性
の急峻性とした。従って、この急峻性（ＭＨｚ）が小さ
い程、フィルタ特性の急峻性が高められていることを意
味する。
ィルタにおいて、直列腕共振子を構成している一端子対
ＳＡＷ共振子Ｓ１，Ｓ２において、上記ギャップ長Ｗ２
を変化させた場合の弾性表面波フィルタの通過帯域高域
側におけるフィルタ特性の急峻性の変化を示す。なお、
通過帯域近傍におけるフィルタ特性の急峻性（単位はＭ
Ｈｚ）は、以下のようにして定義した。すなわち、図４
に示す弾性表面波フィルタのフィルタ特性において、通
過帯域の高域側において、減衰量が５ｄＢである周波数
位置と１０ｄＢである周波数位置との差をフィルタ特性
の急峻性とした。従って、この急峻性（ＭＨｚ）が小さ
い程、フィルタ特性の急峻性が高められていることを意
味する。
【００３５】図３から明らかなように、直列腕共振子を
構成している一端子対ＳＡＷ共振子における上記ギャッ
プ長Ｗ２と、フィルタの通過帯域高域側におけるフィル
タ特性の急峻性との間に相関があり、特に、ギャップ長
が０．５０λ以上の場合に、フィルタ特性の急峻性が急
激に高められることがわかる。
構成している一端子対ＳＡＷ共振子における上記ギャッ
プ長Ｗ２と、フィルタの通過帯域高域側におけるフィル
タ特性の急峻性との間に相関があり、特に、ギャップ長
が０．５０λ以上の場合に、フィルタ特性の急峻性が急
激に高められることがわかる。
【００３６】従って、複数の一端子対ＳＡＷ共振子を梯
子型に接続してなる弾性表面波フィルタにおいて、直列
腕共振子を構成している一端子対ＳＡＷ共振子において
ギャップ長Ｗ２を０．５０λ以上とすれば、通過帯域高
域側における急峻性に優れたフィルタ特性の得られるこ
とがわかる。
子型に接続してなる弾性表面波フィルタにおいて、直列
腕共振子を構成している一端子対ＳＡＷ共振子において
ギャップ長Ｗ２を０．５０λ以上とすれば、通過帯域高
域側における急峻性に優れたフィルタ特性の得られるこ
とがわかる。
【００３７】なお、上記ギャップ長Ｗ２が４λより大き
くなりすぎると、図３から明らかなように、フィルタ特
性の急峻性が低下する。従って、フィルタ特性の高域側
における急峻性を高めるには、上記ギャップ長Ｗ２は
０．５０λ〜４λの範囲とされる。
くなりすぎると、図３から明らかなように、フィルタ特
性の急峻性が低下する。従って、フィルタ特性の高域側
における急峻性を高めるには、上記ギャップ長Ｗ２は
０．５０λ〜４λの範囲とされる。
【００３８】次に、上記実施例の弾性表面波フィルタの
具体的な実験例につき説明する。 （第１の実験例）３６°ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ3
基板を圧電性基板として用いた。この圧電性基板上に、
図１（ａ）に示す回路構成を実現するように、個々の一
端子対ＳＡＷ共振子と、これらの一端子対ＳＡＷ共振子
を接続する電極とを形成した。一端子対ＳＡＷ共振子を
構成する電極材料及びこれらを接続する電極材料につい
ては、Ａｌを用いた。
具体的な実験例につき説明する。 （第１の実験例）３６°ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ3
基板を圧電性基板として用いた。この圧電性基板上に、
図１（ａ）に示す回路構成を実現するように、個々の一
端子対ＳＡＷ共振子と、これらの一端子対ＳＡＷ共振子
を接続する電極とを形成した。一端子対ＳＡＷ共振子を
構成する電極材料及びこれらを接続する電極材料につい
ては、Ａｌを用いた。
【００３９】直列腕共振子を構成する一端子対ＳＡＷ共
振子Ｓ１，Ｓ２及び並列腕共振子を構成している一端子
対ＳＡＷ共振子Ｐ１〜Ｐ３は、それぞれ、以下のように
形成した。
振子Ｓ１，Ｓ２及び並列腕共振子を構成している一端子
対ＳＡＷ共振子Ｐ１〜Ｐ３は、それぞれ、以下のように
形成した。
【００４０】一端子対ＳＡＷ共振子Ｓ１，Ｓ２（直列
腕共振子）…電極指の対数８０対、電極指交差幅４０μ
ｍ（１０．５λ）、ＩＤＴにおける上記ギャップ長Ｗ２
＝１．０λ、反射器の電極指の本数＝１００。
腕共振子）…電極指の対数８０対、電極指交差幅４０μ
ｍ（１０．５λ）、ＩＤＴにおける上記ギャップ長Ｗ２
＝１．０λ、反射器の電極指の本数＝１００。
【００４１】一端子対ＳＡＷ共振子Ｐ１，Ｐ３（並列
腕共振子）…電極指の対数４０対、電極指交差幅８０μ
ｍ（２０λ）、反射器の電極指の数＝１００、ギャップ
長Ｗ２＝０．２５λ。
腕共振子）…電極指の対数４０対、電極指交差幅８０μ
ｍ（２０λ）、反射器の電極指の数＝１００、ギャップ
長Ｗ２＝０．２５λ。
【００４２】一端子対ＳＡＷ共振子Ｐ２（並列腕共振
子）…電極指の対数８０対、電極指交差幅２００μｍ
（５０λ）、反射器の電極指の数＝１００、ギャップ長
Ｗ２＝０．２５λ。
子）…電極指の対数８０対、電極指交差幅２００μｍ
（５０λ）、反射器の電極指の数＝１００、ギャップ長
Ｗ２＝０．２５λ。
【００４３】上記のようにして構成した一端子対ＳＡＷ
共振子Ｓ１，Ｓ２（直列腕共振子）のインピーダンス−
周波数特性を図５に示す。図５から明らかなように、矢
印Ａで示すリップルが共振周波数と反共振周波数との間
に表れている。このリップルＡを、弾性表面波フィルタ
の通過帯域高域側に移動させることにより、本実施例で
は、通過帯域高域側の急峻性が高められている。
共振子Ｓ１，Ｓ２（直列腕共振子）のインピーダンス−
周波数特性を図５に示す。図５から明らかなように、矢
印Ａで示すリップルが共振周波数と反共振周波数との間
に表れている。このリップルＡを、弾性表面波フィルタ
の通過帯域高域側に移動させることにより、本実施例で
は、通過帯域高域側の急峻性が高められている。
【００４４】図６に、上記のようにして構成された弾性
表面波フィルタの減衰量周波数特性を実線で示す。ま
た、比較のために、上記一端子対ＳＡＷ共振子Ｓ１，Ｓ
２（直列腕共振子）におけるギャップ長Ｗ２を、Ｗ２＝
０．２５λとしたことを除いては、上記実施例と同様に
して構成された弾性表面波フィルタのフィルタ特性を図
６に破線で示す。図６から明らかなように、本実施例に
よれば、一端子対ＳＡＷ共振子Ｓ１，Ｓ２における上記
ギャップ長Ｗ２が１．０λとされているため、比較のた
めに用意した弾性表面波フィルタに比べて、通過帯域高
域側におけるフィルタ特性の急峻性が効果的に高められ
ていることがわかる。
表面波フィルタの減衰量周波数特性を実線で示す。ま
た、比較のために、上記一端子対ＳＡＷ共振子Ｓ１，Ｓ
２（直列腕共振子）におけるギャップ長Ｗ２を、Ｗ２＝
０．２５λとしたことを除いては、上記実施例と同様に
して構成された弾性表面波フィルタのフィルタ特性を図
６に破線で示す。図６から明らかなように、本実施例に
よれば、一端子対ＳＡＷ共振子Ｓ１，Ｓ２における上記
ギャップ長Ｗ２が１．０λとされているため、比較のた
めに用意した弾性表面波フィルタに比べて、通過帯域高
域側におけるフィルタ特性の急峻性が効果的に高められ
ていることがわかる。
【００４５】（第２の実験例）一端子対ＳＡＷ共振子Ｓ
１，Ｓ２及び並列腕共振子としての一端子対ＳＡＷ共振
子Ｐ１〜Ｐ３の構成を下記のように変更したことを除い
ては、第１の実験例と同様にして弾性表面波フィルタを
得た。
１，Ｓ２及び並列腕共振子としての一端子対ＳＡＷ共振
子Ｐ１〜Ｐ３の構成を下記のように変更したことを除い
ては、第１の実験例と同様にして弾性表面波フィルタを
得た。
【００４６】一端子対ＳＡＷ共振子Ｓ１，Ｓ２（直列
腕共振子）…電極指の対数８０対、電極指交差幅４０μ
ｍ（１０．５λ）、ギャップ長Ｗ２＝２．０λ、反射器
の電極指の本数＝１００。
腕共振子）…電極指の対数８０対、電極指交差幅４０μ
ｍ（１０．５λ）、ギャップ長Ｗ２＝２．０λ、反射器
の電極指の本数＝１００。
【００４７】一端子対ＳＡＷ共振子Ｐ１，Ｐ３（並列
腕共振子）…電子指の対数４０対、電極指交差幅８０μ
ｍ（２０λ）、反射器の電極指の本数＝１００。 一端子対ＳＡＷ共振子Ｐ２（並列腕共振子）…電極指
の対数８０対、電極指交差幅２００μｍ（５０λ）、ギ
ャップ長Ｗ２＝０．２５λ、反射器における電極指の本
数＝１００。
腕共振子）…電子指の対数４０対、電極指交差幅８０μ
ｍ（２０λ）、反射器の電極指の本数＝１００。 一端子対ＳＡＷ共振子Ｐ２（並列腕共振子）…電極指
の対数８０対、電極指交差幅２００μｍ（５０λ）、ギ
ャップ長Ｗ２＝０．２５λ、反射器における電極指の本
数＝１００。
【００４８】第２の実施例に係る弾性表面波フィルタの
直列腕共振子としての一端子対ＳＡＷ共振子Ｓ１のイン
ピーダンス−周波数特性を図７に示す。図７から明らか
なように、矢印Ｂで示すリップルが反共振周波数近傍に
表れている。このリップルＢを、弾性表面波フィルタの
通過帯域高域側に移動させることにより、弾性表面波フ
ィルタのフィルタ特性において、通過帯域高域側の急峻
性を高めることができる。
直列腕共振子としての一端子対ＳＡＷ共振子Ｓ１のイン
ピーダンス−周波数特性を図７に示す。図７から明らか
なように、矢印Ｂで示すリップルが反共振周波数近傍に
表れている。このリップルＢを、弾性表面波フィルタの
通過帯域高域側に移動させることにより、弾性表面波フ
ィルタのフィルタ特性において、通過帯域高域側の急峻
性を高めることができる。
【００４９】図８の実線は、第２の実施例に係る弾性表
面波フィルタの減衰量周波数特性を示す。また、図８の
破線は、第１の実験例において比較のために用意した弾
性表面波フィルタの減衰量−周波数特性を示す。
面波フィルタの減衰量周波数特性を示す。また、図８の
破線は、第１の実験例において比較のために用意した弾
性表面波フィルタの減衰量−周波数特性を示す。
【００５０】従って、第２の実験例においても、直列腕
共振子を構成している一端子対ＳＡＷ共振子Ｓ１，Ｓ２
の上記ギャップ長Ｗ２を２．０λとしたため、通過帯域
高域側における急峻性が高められていることがわかる。
共振子を構成している一端子対ＳＡＷ共振子Ｓ１，Ｓ２
の上記ギャップ長Ｗ２を２．０λとしたため、通過帯域
高域側における急峻性が高められていることがわかる。
【００５１】なお、図６及び図８の比較から、第１の実
験例の弾性表面波フィルタに比べて、第２の実験例に係
る弾性表面波フィルタでは、通過帯域の極く近傍におい
て、通過帯域高域側の急峻性がわずかに劣っていること
がわかる。もっとも、第２の実験例に係る弾性表面波フ
ィルタでは、逆に、通過帯域の極近傍における急峻性が
わずかに劣っているものの、該部分よりも高い周波数域
における急峻性が高められていることがわかる。これ
は、第１の実験例に比べて、第２の実験例に係る弾性表
面波フィルタでは、直列腕共振子を構成している一端子
対ＳＡＷ共振子Ｓ１，Ｓ２のリップルの周波数が高くな
り、このリップルが発生している周波数に相当する周波
数位置で減衰量が高められたものと考えられる。
験例の弾性表面波フィルタに比べて、第２の実験例に係
る弾性表面波フィルタでは、通過帯域の極く近傍におい
て、通過帯域高域側の急峻性がわずかに劣っていること
がわかる。もっとも、第２の実験例に係る弾性表面波フ
ィルタでは、逆に、通過帯域の極近傍における急峻性が
わずかに劣っているものの、該部分よりも高い周波数域
における急峻性が高められていることがわかる。これ
は、第１の実験例に比べて、第２の実験例に係る弾性表
面波フィルタでは、直列腕共振子を構成している一端子
対ＳＡＷ共振子Ｓ１，Ｓ２のリップルの周波数が高くな
り、このリップルが発生している周波数に相当する周波
数位置で減衰量が高められたものと考えられる。
【００５２】なお、第１，第２の実験例では、３６°Ｙ
カットＸ伝搬のＬｉＴａＯ3 基板を用いたが、３６°以
外のカット角のＬｉＴａＯ3 基板を用いた場合において
も上記と同様の効果が得られる。さらに、本発明におい
ては、前述した通り、他の圧電材料からなる圧電基板を
用いてもよい。
カットＸ伝搬のＬｉＴａＯ3 基板を用いたが、３６°以
外のカット角のＬｉＴａＯ3 基板を用いた場合において
も上記と同様の効果が得られる。さらに、本発明におい
ては、前述した通り、他の圧電材料からなる圧電基板を
用いてもよい。
【００５３】また、上記第１，第２の実施例では、全て
の直列腕共振子において、ギャップ長Ｗ２を０．５０λ
以上としたが、少なくとも１つの直列腕共振子において
ギャップ長が０．５０λ以上とされれば、該直列腕共振
子において共振周波数と反共振周波数との間に発生する
リップルを利用して、上記実施例と同様に通過帯域高域
側における急峻性を高めることができる。従って、本発
明においては、直列腕共振子を構成している少なくとも
１つのＳＡＷ共振子において、ギャップ長Ｗ２が０．５
０λ以上であればよい。
の直列腕共振子において、ギャップ長Ｗ２を０．５０λ
以上としたが、少なくとも１つの直列腕共振子において
ギャップ長が０．５０λ以上とされれば、該直列腕共振
子において共振周波数と反共振周波数との間に発生する
リップルを利用して、上記実施例と同様に通過帯域高域
側における急峻性を高めることができる。従って、本発
明においては、直列腕共振子を構成している少なくとも
１つのＳＡＷ共振子において、ギャップ長Ｗ２が０．５
０λ以上であればよい。
【００５４】さらに、直列腕共振子に限定されず、並列
腕共振子を構成している一端子対ＳＡＷ共振子において
も、上記ギャップ長Ｗ２を０．５０λ以上とすれば、共
振周波数と反共振周波数との間に表れるリップルの位置
を変化させることにより、やはり、通過帯域近傍におけ
るフィルタ特性の急峻性を高め得る。
腕共振子を構成している一端子対ＳＡＷ共振子において
も、上記ギャップ長Ｗ２を０．５０λ以上とすれば、共
振周波数と反共振周波数との間に表れるリップルの位置
を変化させることにより、やはり、通過帯域近傍におけ
るフィルタ特性の急峻性を高め得る。
【００５５】
【発明の効果】本発明に係る弾性表面波フィルタでは、
直列腕と並列腕とを有する梯子型回路を構成するように
複数の一端子対ＳＡＷ共振子が接続されており、少なく
とも１つの一端子対ＳＡＷ共振子において、ＩＤＴのバ
スバーと、該バスバーとは反対側のバスバーに接続され
ている電極指の先端との間のギャップ長Ｗ２が、弾性表
面波の波長λとしたときに、０．５０λ〜４λの範囲と
されているため、該一端子対ＳＡＷ共振子において共振
周波数と反共振周波数との間に発生するリップルによる
減衰量を利用することにより、通過帯域近傍におけるフ
ィルタ特性の急峻性を高めることができる。
直列腕と並列腕とを有する梯子型回路を構成するように
複数の一端子対ＳＡＷ共振子が接続されており、少なく
とも１つの一端子対ＳＡＷ共振子において、ＩＤＴのバ
スバーと、該バスバーとは反対側のバスバーに接続され
ている電極指の先端との間のギャップ長Ｗ２が、弾性表
面波の波長λとしたときに、０．５０λ〜４λの範囲と
されているため、該一端子対ＳＡＷ共振子において共振
周波数と反共振周波数との間に発生するリップルによる
減衰量を利用することにより、通過帯域近傍におけるフ
ィルタ特性の急峻性を高めることができる。
【００５６】特に、直列腕に接続されている少なくとも
１つの一端子対ＳＡＷ共振子において、上記ＩＤＴのバ
スバーと電極指の先端とのギャップが０．５０λ〜４λ
の範囲とされている場合、上記リップルが通過帯域高域
側の通過帯域近傍に移動されるため、該リップルの減衰
量を利用することにより、通過帯域高域側におけるフィ
ルタ特性の急峻化を果たすことができる。
１つの一端子対ＳＡＷ共振子において、上記ＩＤＴのバ
スバーと電極指の先端とのギャップが０．５０λ〜４λ
の範囲とされている場合、上記リップルが通過帯域高域
側の通過帯域近傍に移動されるため、該リップルの減衰
量を利用することにより、通過帯域高域側におけるフィ
ルタ特性の急峻化を果たすことができる。
【００５７】また、直列腕に接続されている全ての一端
子対ＳＡＷ共振子において、ＩＤＴのバスバーと電極指
の先端との上記ギャップ長を０．５０λ〜４λの範囲と
すれば、直列腕に接続されている全ての一端子対ＳＡＷ
共振子における上記リップルによる減衰量増大効果を得
ることができるので、通過帯域の高域側においてフィル
タ特性がより一層急峻である弾性表面波フィルタを提供
することができる。
子対ＳＡＷ共振子において、ＩＤＴのバスバーと電極指
の先端との上記ギャップ長を０．５０λ〜４λの範囲と
すれば、直列腕に接続されている全ての一端子対ＳＡＷ
共振子における上記リップルによる減衰量増大効果を得
ることができるので、通過帯域の高域側においてフィル
タ特性がより一層急峻である弾性表面波フィルタを提供
することができる。
【００５８】また、直列腕共振子に並列にコンデンサを
接続した従来の弾性表面波フィルタでは、コンデンサを
付加したことにより、小型化が困難であり、かつ通過帯
域から離れた周波数域における減衰量が低下するという
問題があったのに対し、本発明では、このようなコンデ
ンサを必要としないため、小型化が容易であり、かつ通
過帯域から離れた周波数域における減衰量の劣化も生じ
難い。
接続した従来の弾性表面波フィルタでは、コンデンサを
付加したことにより、小型化が困難であり、かつ通過帯
域から離れた周波数域における減衰量が低下するという
問題があったのに対し、本発明では、このようなコンデ
ンサを必要としないため、小型化が容易であり、かつ通
過帯域から離れた周波数域における減衰量の劣化も生じ
難い。
【００５９】なお、本発明においては、圧電性基板とし
てＬｉＴａＯ3 基板を用いた場合、ＬｉＴａＯ3 基板を
用いた一端子対ＳＡＷ共振子において上記リップルが共
振周波数と反共振周波数との間に顕著に表われるので、
上記リップルによる減衰量拡大効果を効果的に利用する
ことができ、通過帯域近傍におけるフィルタ特性の急峻
性を効果的に高め得る。
てＬｉＴａＯ3 基板を用いた場合、ＬｉＴａＯ3 基板を
用いた一端子対ＳＡＷ共振子において上記リップルが共
振周波数と反共振周波数との間に顕著に表われるので、
上記リップルによる減衰量拡大効果を効果的に利用する
ことができ、通過帯域近傍におけるフィルタ特性の急峻
性を効果的に高め得る。
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施例に係る弾
性表面波フィルタの回路図及び該弾性表面波フィルタに
おいて用いられている一端子対ＳＡＷ共振子の電極構造
を示す平面図。
性表面波フィルタの回路図及び該弾性表面波フィルタに
おいて用いられている一端子対ＳＡＷ共振子の電極構造
を示す平面図。
【図２】一端子対ＳＡＷ共振子におけるバスバーと電極
指先端との間のギャップ長Ｗ２と、共振周波数−反共振
周波数間に表れるリップルの周波数位置との関係を示す
図。
指先端との間のギャップ長Ｗ２と、共振周波数−反共振
周波数間に表れるリップルの周波数位置との関係を示す
図。
【図３】一端子対ＳＡＷ共振子におけるバスバーと電極
指先端との間のギャップ長Ｗ２と、通過帯域高域側にお
けるフィルタ特性の急峻性との関係を示す図。
指先端との間のギャップ長Ｗ２と、通過帯域高域側にお
けるフィルタ特性の急峻性との関係を示す図。
【図４】図３に示したフィルタ特性の急峻性を説明する
ための弾性表面波フィルタの減衰量周波数特性を示す
図。
ための弾性表面波フィルタの減衰量周波数特性を示す
図。
【図５】実施例の弾性表面波フィルタにおいて用いられ
ている直列腕共振子としての一端子対ＳＡＷ共振子のイ
ンピーダンス−周波数特性を示す図。
ている直列腕共振子としての一端子対ＳＡＷ共振子のイ
ンピーダンス−周波数特性を示す図。
【図６】実施例の弾性表面波フィルタ及び比較のために
用意した弾性表面波フィルタの減衰量−周波数特性を示
す図。
用意した弾性表面波フィルタの減衰量−周波数特性を示
す図。
【図７】第２の実験例に係る弾性表面波フィルタに用い
られた直列腕共振子としての一端子対ＳＡＷ共振子のイ
ンピーダンス−周波数特性を示す図。
られた直列腕共振子としての一端子対ＳＡＷ共振子のイ
ンピーダンス−周波数特性を示す図。
【図８】第２の実験例の弾性表面波フィルタ及び比較の
ために用意した弾性表面波フィルタの減衰量周波数特性
を示す図。
ために用意した弾性表面波フィルタの減衰量周波数特性
を示す図。
【図９】梯子型回路構成を有する従来の弾性表面波フィ
ルタの回路図。
ルタの回路図。
【図１０】従来の弾性表面波フィルタに用いられている
一端子対ＳＡＷ共振子の電極構造を示す平面図。
一端子対ＳＡＷ共振子の電極構造を示す平面図。
【図１１】従来の弾性表面波フィルタの減衰量周波数特
性を示す図。
性を示す図。
【図１２】従来の弾性表面波フィルタの他の例を説明す
るための回路図。
るための回路図。
【図１３】従来の一端子対ＳＡＷ共振子における電極指
交差幅とギャップ長との関係を説明するための平面図。
交差幅とギャップ長との関係を説明するための平面図。
１…インターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ） ２，３…反射器 ４，５…バスバー ６，７…電極指 Ｗ２…ギャップ Ｓ１，Ｓ２…一端子対ＳＡＷ共振子（直列腕共振子） Ｐ１〜Ｐ３…一端子対ＳＡＷ共振子（並列腕共振子）
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１１月１２日（１９９９．１１．
１２）
１２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項２】 前記直列腕に接続されているすべての一
端子対弾性表面波共振子を構成している各インターデジ
タルトランスデューサにおいて、前記バスバーと電極指
の先端との間のギャップが、０．５０λ〜４λの範囲と
されている、請求項１に記載の弾性表面波フィルタ。
端子対弾性表面波共振子を構成している各インターデジ
タルトランスデューサにおいて、前記バスバーと電極指
の先端との間のギャップが、０．５０λ〜４λの範囲と
されている、請求項１に記載の弾性表面波フィルタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するためになされたものであり、ＬｉＴａＯ3 よりな
る圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成されており、
かつそれぞれが一端子対ＳＡＷ共振子を構成する複数の
ＩＤＴとを備え、各ＩＤＴが一対のバスバーと、バスバ
ーに一端が接続されており、他端が他方のバスバーに向
かって延ばされている複数本の電極指とを有し、直列腕
と並列腕とを有する梯子型回路を構成するように複数の
一端子対ＳＡＷ共振子が接続されている弾性表面波フィ
ルタにおいて、前記直列腕に接続されている少なくとも
１つのＩＤＴにおいて、バスバーと、該バスバーとは反
対側のバスバーに接続されている電極指の先端との間ギ
ャップが、弾性表面波の波長をλとしたときに、０．５
０λ〜４λの範囲とされていることを特徴とする。
成するためになされたものであり、ＬｉＴａＯ3 よりな
る圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成されており、
かつそれぞれが一端子対ＳＡＷ共振子を構成する複数の
ＩＤＴとを備え、各ＩＤＴが一対のバスバーと、バスバ
ーに一端が接続されており、他端が他方のバスバーに向
かって延ばされている複数本の電極指とを有し、直列腕
と並列腕とを有する梯子型回路を構成するように複数の
一端子対ＳＡＷ共振子が接続されている弾性表面波フィ
ルタにおいて、前記直列腕に接続されている少なくとも
１つのＩＤＴにおいて、バスバーと、該バスバーとは反
対側のバスバーに接続されている電極指の先端との間ギ
ャップが、弾性表面波の波長をλとしたときに、０．５
０λ〜４λの範囲とされていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
Claims (4)
- 【請求項１】 圧電性基板と、 前記圧電性基板上に形成されており、かつそれぞれが一
端子対弾性表面波共振子を構成する複数のインターデジ
タルトランスデューサとを備え、各インターデジタルト
ランスデューサが一対のバスバーと、バスバーに一端が
接続されており、他端が他方のバスバーに向かって延ば
されている複数本の電極指とを有し、直列腕と並列腕と
を有する梯子型回路を構成するように複数の一端子対弾
性表面波共振子が接続されている弾性表面波フィルタに
おいて、 少なくとも１つのインターデジタルトランスデューサの
バスバーと、該バスバーとは反対側のバスバーに接続さ
れている電極指の先端との間のギャップが、弾性表面波
の波長をλとしたときに、０．５０λ〜４λの範囲とさ
れていることを特徴とする、弾性表面波フィルタ。 - 【請求項２】 前記直列腕に接続されている少なくとも
１つの一端子対弾性表面波共振子を構成しているインタ
ーデジタルトランスデューサにおいて、前記バスバー
と、電極指の先端との間のギャップが、０．５０λ〜４
λの範囲とされている、請求項１に記載の弾性表面波フ
ィルタ。 - 【請求項３】 前記直列腕に接続されているすべての一
端子対弾性表面波共振子を構成している各インターデジ
タルトランスデューサにおいて、前記バスバーと電極指
の先端との間のギャップが、０．５０λ〜４λの範囲と
されている、請求項２に記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項４】 前記圧電性基板が、ＬｉＴａＯ3 基板で
ある、請求項１〜３の何れかに記載の弾性表面波フィル
タ。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33327998A JP3255128B2 (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | 弾性表面波フィルタ |
| US09/435,580 US6265808B1 (en) | 1998-11-24 | 1999-11-08 | Surface acoustic wave filter |
| KR1019990051858A KR100340286B1 (ko) | 1998-11-24 | 1999-11-22 | 탄성 표면파 필터 |
| DE69934765T DE69934765T2 (de) | 1998-11-24 | 1999-11-24 | Akustisches Oberflächenwellenfilter |
| CN99125838A CN1122366C (zh) | 1998-11-24 | 1999-11-24 | 声表面波滤波器及其制造方法 |
| EP99402919A EP1005153B1 (en) | 1998-11-24 | 1999-11-24 | Surface acoustic wave filter |
| US09/808,683 US6518861B2 (en) | 1998-11-24 | 2001-03-15 | Surface acoustic wave filter formed with a ripple at the high frequency shoulder of the pass band |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33327998A JP3255128B2 (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | 弾性表面波フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000165186A true JP2000165186A (ja) | 2000-06-16 |
| JP3255128B2 JP3255128B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=18264330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33327998A Expired - Lifetime JP3255128B2 (ja) | 1998-11-24 | 1998-11-24 | 弾性表面波フィルタ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6265808B1 (ja) |
| EP (1) | EP1005153B1 (ja) |
| JP (1) | JP3255128B2 (ja) |
| KR (1) | KR100340286B1 (ja) |
| CN (1) | CN1122366C (ja) |
| DE (1) | DE69934765T2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100631836B1 (ko) | 2004-03-31 | 2006-10-09 | 삼성전기주식회사 | 쏘 공진기의 인터디지털 트랜스듀서 |
| US7941032B2 (en) | 2002-09-06 | 2011-05-10 | Sony Corporation | Information processing device and program |
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| JP2012186808A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Triquint Semiconductor Inc | トリミング効果とピストンモードでの不安定性を最小化する音響波導波装置および方法 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3498215B2 (ja) * | 2001-04-09 | 2004-02-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ、弾性表面波装置および通信装置 |
| JP3873802B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2007-01-31 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ |
| JP2003289234A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-10-10 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置、通信装置 |
| JP3846409B2 (ja) * | 2002-02-15 | 2006-11-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置、通信装置 |
| JP2004040636A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
| US7327206B2 (en) | 2003-06-16 | 2008-02-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave duplexer |
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| JP4230347B2 (ja) * | 2003-12-19 | 2009-02-25 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
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| WO2017038679A1 (ja) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波素子 |
| WO2018003282A1 (ja) | 2016-06-28 | 2018-01-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| CN106849898A (zh) * | 2016-12-13 | 2017-06-13 | 北京中科飞鸿科技有限公司 | 一种17%相对带宽低损耗声表滤波器及其制备方法 |
| CN107819448B (zh) * | 2017-09-28 | 2020-10-02 | 扬州大学 | 频率可调声表面波谐振器 |
| WO2019131533A1 (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置 |
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| JPS5619765A (en) | 1979-07-25 | 1981-02-24 | Ricoh Co Ltd | Ink viscosity detecting and controlling device |
| JPH06232682A (ja) | 1993-02-08 | 1994-08-19 | Hitachi Ltd | 弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ |
| JP3243976B2 (ja) | 1995-08-14 | 2002-01-07 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波フィルタ |
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- 1998-11-24 JP JP33327998A patent/JP3255128B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
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- 1999-11-22 KR KR1019990051858A patent/KR100340286B1/ko active IP Right Grant
- 1999-11-24 EP EP99402919A patent/EP1005153B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-24 CN CN99125838A patent/CN1122366C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-24 DE DE69934765T patent/DE69934765T2/de not_active Expired - Lifetime
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2001
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6265808B1 (en) | 2001-07-24 |
| EP1005153B1 (en) | 2007-01-10 |
| US6518861B2 (en) | 2003-02-11 |
| EP1005153A2 (en) | 2000-05-31 |
| EP1005153A3 (en) | 2001-01-17 |
| US20010013817A1 (en) | 2001-08-16 |
| CN1257347A (zh) | 2000-06-21 |
| KR100340286B1 (ko) | 2002-06-12 |
| DE69934765T2 (de) | 2007-05-10 |
| DE69934765D1 (de) | 2007-02-22 |
| CN1122366C (zh) | 2003-09-24 |
| JP3255128B2 (ja) | 2002-02-12 |
| KR20000035608A (ko) | 2000-06-26 |
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|
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|
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