CN1122366C - 声表面波滤波器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种声表面波滤波器，它具有多个安排为梯形电路结构的交指换能器。每一个交指换能器具有第一梳形电极和第二梳形电极，每一个梳形电极都具有多个电极指和连接到多个电极指的第一端的母线。第一和第二梳形电极相互交叉，从而第一梳形电极的多个电极指的第二端朝第二梳形电极的母线延伸。在至少一个交指换能器中产生隙宽，以在声表面波滤波器的通带中产生波动，从而波动增加通带高频肩处的滤波器特性的陡度。

Description

声表面波滤波器及其制造方法

本发明涉及一种声表面波滤波器，用作例如带通滤波器。本发明尤其涉及一种声表面波滤波器(SAW滤波器)的结构，其中连接多个单口声表面波谐振器(SAW谐振器)，以便确定梯形电路，本发明还涉及其制造方法。

传统地，已经将SAW滤波器用作带通滤波器。例如，在第56-19765号日本未审查专利公告中，提供了一种SAW滤波器，其结构是把多个单口SAW谐振器安排得构成梯形电路。

参照图11和12，将对上述具有梯形电路结构的SAW滤波器作一描述。在图11和12的SAW滤波器中，提供了用于连接输入端和输出端的串联臂，以及用于连接串联臂和参考电位的并联臂。确定串联臂谐振器的单口SAW谐振器S1连接到串联臂，确定并联臂谐振器的单口SAW谐振器P1连接到并联臂。在图11中，只示出一个串联臂谐振器和一个并联臂谐振器。但是，包含在滤波器中的串联臂谐振器和并联臂谐振器的数量由所需的滤波器特性决定。

参照图12，传统的单口SAW谐振器具有如此的电极结构，从而IDT51的第一侧上具有反射器52，其第二侧上具有反射器53，所有的反射器都安排在压电基片上(图中未示)。

IDT51具有一对母线54和55，它们沿声表面波传播的方向延伸。母线54连接到多个电极指56的每一个电极指的一端。电极指56沿着垂直于声表面波传播的方向延伸，换句话说，朝母线54相对侧上的母线55延伸。类似地，将母线55连接到多个电极指57的每一个电极指的一端。电极指57朝母线54延伸。电极指56和57安排得相互交叉。

安排上述多个单口SAW谐振器，以构成如图11所示的梯形电路，以便确定SAW滤波器。图13示出SAW滤波器的衰减—频率特性。

由于具有梯形电路结构的SAW滤波器表现出小的损失并具有宽的通带，故SAW滤波器已经广泛用作蜂窝电话和其它类似装置中的带通滤波器。

但是，近年来，蜂窝电话已经使用了一种系统，其中发送侧频带和接收侧频带相互接近。这样，当通带相互接近时，带通滤波器现在应能增大滤波器特性的陡度。

因此，为了增加滤波器特性的陡度，在第9-167937号日本未审查专利中提供了一种具有如图14所示的电路结构的SAW滤波器。在这种情况下，单口SAW谐振器S1和S2连接到串联臂，从而SAW谐振器S1并联到电容器58。根据这种传统的装置，增设电容器58允许SAW谐振器S1的反谐振频率减小，从而通带高频侧上的滤波器特性的陡度可以增加。

但是，由于第9-167937号日本未审查专利公告中描述的方法需要增设电容器58，故增加了SAW滤波器的尺寸，因此如果想要使蜂窝电话或其它类似的装置小型化，则使用传统的设计是困难的。另外，由于有电容器58，加到SAW谐振器S1的电容更大，故在通带之外的频带中的衰减减小了。

注意，在具有梯形电路结构的SAW滤波器中(其中频带与通带分开)，衰减由并联臂谐振器和串联臂谐振器的电容比决定。通常，当串联臂谐振器的电容增加时，衰减减小。结果，如上所述，对于传统的装置，在串联臂谐振器的电容增加时，当将串联臂谐振器S1并联到电容器58时，通带外面的衰减恶化。

为了防止上述在与通带分开的频带中的衰减的减小，办法是减小串联臂谐振器的电极的电容。但是，当串联臂谐振器的电极电容减小时，必须减小电极指的对数及其交叉宽度，这导致难以得到理想的谐振特性。

为了克服上述问题，本发明的较佳实施例提供了一种SAW滤波器，它增加了通带的高频侧上的滤波器特性的陡度，同时有助于滤波器的最小化，抑制离开通带的频带中的衰减的减小，并达到极好的谐振特性。

根据本发明的较佳实施例，SAW滤波器包含多个安排在压电基片上的交指换能器，以便确定多个单口SAW谐振器，多个单口SAW谐振器经连接构成具有串联臂和并联臂的梯形电路。多个单口SAW谐振器的每一个都具有第一和第二梳形电极。第一和第二梳形电极(每一个都具有多个电极指和连接到多个电极指的第一端的母线)相互交叉，从而第一和第二梳形电极的每一个梳形电极的多个电极指的第二端朝另一个梳形电极的母线延伸，以确定交指换能器。在多个单口谐振器的至少一个的交指换能器中，第一梳形电极的母线和连接到第二梳形电极的母线的电极指的第二端之间的隙宽在大约0.50λ到大约4λ的范围内，其中λ是要在压电基片上激励的声表面波的波长。

在本发明的另一个较佳实施例中，最好将至少一个单口SAW谐振器连接到梯形电路的串联臂。在这种情况下，邻近通带的高频侧上的通带的波动如此移动，从而通带的高频侧上的滤波器特性的陡度通过波动的衰减而增加。

在本发明的另一个较佳实施例中，梯形电路可以具有多个串联臂，并且在所有的串联臂上的交指换能器中的上述隙宽可以较佳地设置在大约0.50λ到大约4λ的范围内。在这种情况下，达到增加衰减(由于连接在串联臂处的每一个单口SAW谐振器的波动引起)的协同效果。由此，达到包括在通带的高频侧处更陡的滤波器特性在内的极好的SAW滤波器特性。

在本发明的另一个较佳实施例中，如果单口SAW谐振器将LiTaO3基片用作压电基片，则上述波动清楚地出现在谐振频率和反谐振频率之间。由此，可以有效地利用波动增加衰减，从而大大并且有效地增加滤波器特性接近于通带时的陡度。

在本发明的另一个较佳实施例中，生产SAW滤波器的方法包含步骤：提供压电基片，在压电基片上形成多个交指换能器以便形成多个单口SAW谐振器，多个单口SAW谐振器中的每一个都包含第一和第二梳形电极，每一个梳形电极都包含电极指和母线，其中连接多个单口SAW谐振器，以便构成具有串联臂和并联臂的梯形电路，并在至少一个交指换能器中的第一梳形电极的母线和第二梳形电极的电极指端部之间产生隙宽，该隙宽在大约0.50λ到大约4λ的范围内，从而在声表面波滤波器的通带中产生波动，其中λ是要在压电基片上激励的声表面波的波长。

下面将参照本发明的较佳实施例和附图，详细描述本发明的元件和优点。

下面将从这里所给出的详细的描述以及附图，更加完全地理解本发明，其中这些都只是为了描述而已，不限制本发明，这些附图是：

图1A是根据本发明的较佳实施例的SAW滤波器的电路图；

图1B是图1A所示的较佳实施例的SAW滤波器中所使用的单口SAW谐振器的电极结构的平面图；

图2是曲线图，示出单口SAW谐振器中母线与电极指顶端之间的隙宽W2与较佳实施例中谐振频率和反谐振频率之间波动的频率位置之间的关系；

图3是曲线图，示出单口SAW谐振器中母线和电极指顶端之间的隙宽W2与较佳实施例中通带的高频侧上滤波器特性的陡度之间的关系；

图4是曲线图，示出SAW滤波器的衰减—频率特性，这描述了图3所示的滤波器特性的陡度；

图5是曲线图，示出用作根据本发明的较佳实施例的第一个实验例子的串联臂谐振器的单口SAW谐振器的SAW滤波器的阻抗—频率特性；

图6是曲线图，示出本发明的较佳实施例的第一个实验例子的SAW滤波器的衰减—频率特性，以及用于与本发明的较佳实施例比较的SAW滤波器的特性；

图7是曲线图，示出用作本发明的较佳实施例的第二个实验例子的串联臂谐振器的单口SAW谐振器的阻抗频率特性；

图8是曲线图，示出本发明的较佳实施例的第二个实验例子的SAW滤波器的衰减—频率特性，以及用于与本发明的较佳实施例比较的SAW滤波器的特性；

图9是示出根据本发明的另一个较佳实施例的双工器的电路图；

图10是方框图，示出本发明的另一个较佳实施例的通信设备；

图11是具有梯形电路结构的传统SAW滤波器的电路图；

图12是示出用于传统的SAW滤波器中的单口SAW谐振器的电极结构的平面图；

图13是示出传统SAW滤波器衰减—频率特性的曲线图；

图14是用于描述另一个传统的SAW滤波器的电路图；及

图15是用于描述传统的单口SAW谐振器中的隙宽长度和电极指交叉宽度之间关系的平面图。

图1A示出根据本发明的较佳实施例的SAW滤波器电路结构。图1B是平面图，示出包含在本较佳实施例中的单口SAW谐振器的电极结构。

参照图1A，较佳实施例的SAW滤波器具有梯形电路结构。即，最好将串联臂设置在输入端IN和输出端OUT之间，并且最好在串联臂和参考电位之间设置多个并联臂。

单口SAW谐振器S1和S2是连接到串联臂的串联臂谐振器。每一个单口SAW谐振器P1到P3都是连接到每一个并联臂的并联臂谐振器。另外，如图1A所示，将并联臂谐振器和串联臂谐振器从输入端IN到输出端OUT交替设置。但是，本发明中的串联臂谐振器和并联臂谐振器的数量不应限于较佳实施例所示的情况，还可以使用任何数量或组合的串联臂谐振器和并联臂谐振器。例如，可以使用这样的结构，即，它只有一个串联臂谐振器和只有一个并联臂谐振器，或这样的结构，即，它具有三个或更多并联臂谐振器。

参照图1B，将提供对单口SAW谐振器S1、S2、P1到P3的电极结构的描述。在单口SAW谐振器中，最好将反射器2和3分别设置在IDT1的每一侧，最好是沿IDT1中声表面波的传播方向设置。

IDT1最好包含一对母线4和5，它们安排得大致上相互平行，并且其间具有固定的距离。将多个电极指6中每一个电极指的一端连接到母线4，而将多个电极指7中的每一个电极指的一端连接到母线5。电极指6朝母线5延伸，电极指7朝母线4延伸。如此安排电极指6和7，从而它们相互交叉。

IDT1包括一对梳形电极10和11。梳形电极10包括多个电极指6和连接到电极指6的第一端的母线4。梳形电极11包括多个电极指7和连接到电极指7的第一端的母线5。梳形电极10和11最好相互交叉，从而梳形电极10或11的电极指6或7的第二端分别朝梳形电极11或10的母线5或4延伸。

另外，反射器2和3最好由光栅反射器制成，其中反射器2、3中设置的多个电极指的两端最好短路。

在单口SAW谐振器中，当在电极指6和7之间施加AC电压时，IDT1被激励，并且产生声表面波。声表面波被限定在反射器2和3之间，从而可以取出基于该声表面波的谐振特性。

根据本发明的较佳实施例，在至少一个单口SAW谐振器的IDT1(它构成定义了梯形电路的SAW滤波器)中，最好将梳形电极10或11的母线4或5与连接到梳形电极11或10的母线5或4的电极指7或6的第二端之间的隙宽W2设置在大约0.50λ到大约4λ的范围内，其中λ是要在压电基片上激励的声表面波的波长。这种独特的安排大大增加了通带的高频侧上滤波器特性的陡度。下面将解释这个情况。

在第6-232682号日本未审查专利公告中，揭示了一种用于减小存在于使用由LiTaO3制成的压电基片的单口SAW谐振器中的谐振频率和反谐振频率之间的波动的方法。图15示出传统技术中描述的单口SAW谐振器的电极结构。应该指出，在图13中，示出设置在IDT51的一侧上的反射器52，但是未示出设置在IDT51的另一侧上的反射器。

在传统技术中，揭示了当增大比值W1/W2时，存在于谐振频率和反谐振频率之间的波动的影响(特别是LiTaO3基片)可以减小。换句话说，使隙宽长度W2小于交叉宽度W1减小了^*surface skimming bulk wave(SSBW)的发生，从而上述波动的影响减小了。

如在传统技术中所述的，SSBW的发生被认为是不理想的，因为它恶化了SAW谐振器的特性，故希望使隙宽长度W2尽可能小。

相比之下，本发明的较佳实施例尽可能利用了波动，从而在滤波器特性中得到预料不到的效果。换句话说，与传统的智慧以及试图抑制波动发生的装置相比，本发明的较佳实施例以积极的态度利用波动。

本发明提供了经验证据，即，在单口SAW谐振器中，固定交叉宽度W1和只改变隙宽长度W2能容易地控制波动的频率。

参照图2，曲线图示出单口SAW谐振器中的隙宽W2与谐振频率和反谐振频率之间发生的波动的频率之间的关系。由竖轴指出的频率Δf/f0是标准值，其中Af测量的是波动发生处的频率与声表面波器件的谐振频率f0之间的差。如图2所示，改变隙宽长度W2改变了波动发生的频率。

因此，在具有梯形电路结构的SAW滤波器中，通过结合多个单口SAW谐振器的谐振特性，得到理想的极好的滤波器特性。相应地，通过将波动移到必须增加衰减的频率，波动使在那个频率处的衰减增加。注意，在梯形电路结构中，当隙宽W2尤其在定义了串联臂谐振器的单口SAW谐振器中改变时，发生波动的频率可以移到SAW滤波器的通带高频侧的频肩附近的频率。结果，大大增加了通带高频侧上的滤波器特性的陡度。

下面，将给出有关串联臂谐振器的隙宽长度W2的变化怎样影响其高频侧上的通带特性的描述。

参照图3，曲线图示出当定义了SAW滤波器中的串联臂谐振器的单口SAW谐振器S1和S2中隙宽长度W2变化时，SAW滤波器的通带高频侧上陡度的变化。下面定义通带附近的滤波器特性的陡度(其单位用MHz表示)。参照图4，在通带的高频侧上，衰减为5dB处的频率与衰减是10dB处的频率之间的差等于滤波器特性的陡度。由此，频率差越小(MHz)，则滤波器的特性越陡。

因此，图3示出了在单口SAW谐振器中的隙宽长度W2与通带高频侧上滤波器特性的陡度之间有关系。如果隙宽长度为大约0.50λ或更大，滤波器特性的陡度锐利地增加。

因此，在较佳实施例中(其中以梯形安排连接了多个单口SAW谐振器)，如果定义了串联臂谐振器的单口SAW谐振器中的隙宽长度W2大约0.50λ或更大，则通带的高频侧上的陡度大大增加。但是，当隙宽长度W2大于大约4λ时，如图3所示，陡度的增加开始减小。由此，当隙宽长度W2在大约0.50λ到大约4λ的范围内时，高频侧上的陡度最大。

下面，将提供对本发明较佳实施例的SAW滤波器的实验例子的详细解释。

1.第一试验例

将36°Y切X传播的LiTaO3基片用作压电基片。将各个单口SAW谐振器和与之连接的电极设置在基片上。使用A1形成单口SAW谐振器并用于连接电极。

分别如下地形成定义了串联臂谐振器的单口SAW谐振器S1和S2和定义了并联臂谐振器的单口SAW谐振器P1和P2。

(1)单口SAW谐振器S1和S2(串联臂谐振器)

电极指的对数为80，电极指的交叉宽度为大约40μm(10.5λ)，IDT中的隙宽长度W2为大约1.0λ，反射器中的电极指数量等于100。

(2)单口SAW谐振器P1和P3(并联臂谐振器)

电极指的对数等于40，电极指的交叉宽度大约80μm(20λ)，反射器中的电极指的数量等于100，隙宽长度W2大约0.25λ。

(3)单口SAW谐振器P2(并联臂谐振器)

电极指的对数等于80，电极指的交叉宽度大约200μm(50λ)，反射器中的电极指的数量等于100，隙宽长度W2大约0.25λ。

参照图5，曲线图中示出了如上所述构成的单口SAW谐振器S1和S2(串联臂谐振器)的阻抗-频率特性。如图5中可见，由箭头A指出的波动出现在谐振频率和反谐振频率之间。在本发明的较佳实施例中，将波动A朝SAW滤波器通带的高频侧移动，大大增加了通带高频侧上的陡度。

参照图6，如上所述形成的SAW滤波器的衰减-频率特性由实线表示。为了比较，虚线指出了以和上述第一试验例相同的方法形成的SAW滤波器的滤波器特性，其中不同的是将单口SAW谐振器S1和S2(串联臂谐振器)中的隙宽长度W2设置为大约0.25λ。如图6中所示，在第一试验例中，由于将单口SAW谐振器S1和S2中的隙宽长度W2设置为大约1.0λ，故通带高频侧的陡度比用于比较的样品中的陡度大许多。

2.第二试验例

以和第一试验例中相同的方法生产SAW滤波器，其中不同的是单口SAW谐振器S1和S2以及作为并联臂谐振器的单口SAW谐振器P1到P3的结构变化如下。

(1)单口SAW谐振器S1和S2(串联臂谐振器)

电极指的对数等于80，电极指的交叉宽度大约40μm(10.5λ)，隙宽长度W2大约2.0λ，反射器中的电极指数量等于100。

(2)单口SAW谐振器P1和P3(并联臂谐振器)

电极指的对数等于40，电极指的交叉宽度大约80μm(20λ)，反射器中的电极指数量等于100。

(3)单口SAW谐振器P2(并联臂谐振器)

电极指的对数等于80，电极指的交叉宽度大约200μm(50λ)，隙宽长度W2大约0.25λ，反射器中电极指的数量等于100。

参照图7，该曲线图示出作为第二试验例SAW滤波器的串联臂谐振器的单口SAW谐振器S1的阻抗—频率特性。在图7中，由箭头B指出的波动出现在反谐振频率附近。将波动B朝SAW滤波器中的通带高频侧移动大大增加了通带高频侧的陡度。

参照图8，实线表示根据第二试验例的SAW滤波器的衰减—频率特性。虚线示出为了和在第一试验例中比较的SAW滤波器的衰减—频率特性。我们发现，即使在第二试验例中，当单口SAW谐振器S1和S2的隙宽长度W2为大约2.0λ时，通带的高频侧上陡度大大增加。

通过比较，如图6和8所示，在根据第二试验例的SAW滤波器中，和第一试验例的SAW滤波器相比，通带的高频侧上的陡度在极靠近通带处稍微小一点。但是，虽然极靠近通带处的陡度稍微小一点，但是在根据第二试验例的SAW滤波器中，高频侧内的陡度还是更大。这可能是因为在第二试验例中定义了串联臂谐振器的单口SAW谐振器S1和S2的波动频率比第一试验例中的更高。由此，衰减在波动频率处增加。

另外，虽然36°Y切割X传播的LiTaO3基片用于第一和第二试验例中，即使使用切割角不是36°的LiTaO3基片，也可以得到如上述例子中相同的优点。还有，在本发明中可以使用其它压电材料。更具体地说，可以使用由LiTaO3、LiNbO3或其它材料构成的压电单晶基片。或者，还可以使用由诸如锆酸铅或锆酸钛之类的压电陶瓷材料制成的基片。另外，还可以使用通过将压电薄膜层叠在由诸如铝土之类的绝缘材料制成的绝缘基片上而生产的压电基片。如果使用绝缘基片，则可以将IDT电极和反射器形成在压电薄膜的上表面或下表面上。但是，最好将LiTaO3基片用作压电基片。

另外，只要将至少一个串联臂谐振器中的隙宽长度设置为大约0.5λ或更大，串联臂谐振器中的谐振频率和反谐振频率之间产生的波动可以被用于大大增加通带高频侧上的陡度。由此，在本发明的较佳实施例中，只要定义了串联臂谐振器的SAW谐振器中的至少一个的隙宽长度W2在大约0.50λ到大约4λ之间，陡度就大大增加。

另外，本发明不限于串联臂谐振器。当定义了并联臂谐振器的单口SAW谐振器的隙宽长度W2最好设置在大约0.50λ和大约4λ之间时，改变波动频率也大大增加了通带附近的陡度。

由此，在本发明的较佳实施例中，不需要与单口SAW谐振器并联的电容器，从而有助于其尺寸的减小，因此远离通带的频带中的衰减的退化得到防止。

本发明可以适用于各种利用声表面波滤波器的电子部件或装置，而双工器和具有双工器的通信设备可以是其中的一种应用，其中成功地应用了本发明独特的特点。

如图9中所示，双工器40包含SAW滤波器41和SAW滤波器42，它们的通带的中心频率相互不同。图9中所示的SAW滤波器41和42与图1A中所示的SAW滤波器相同，但是可以使用根据本发明的其它SAW滤波器。在双工器40中，将SAW滤波器41的输入端43和SAW滤波器42的输入端44电气连接到双工器40的第一输入/输出端45。将SAW滤波器41和42的接地端连在一起接地。SAW滤波器41的输出端46和SAW滤波器42的输出端47分别连接到双工器40的第二输入/输出端48和第三输入/输出端49。

由于SAW滤波器41和42在其通带高频端具有陡度，故双工器40具有极好的信号选择性。另外，由于不需要诸如电容器之类的其它元件，故双工器40可以具有小的体积。

图10是具有双工器40的通信设备50的方框图。通信设备50可以是例如蜂窝电话，蜂窝电话通常需要窄的通信频带，而小的便携体积适合于享受双工器40的上述特点。通信设备50包含连接到双工器40的第一、第二和第三输入/输出端的天线51、接受器52和发送器53。如此选择双工器40的SAW滤波器41和42的通带，从而通过天线51接收到的信号通过SAW滤波器41，并由SAW滤波器42阻断，而让要从发送器53发送的信号通过SAW滤波器42。

虽然已经参照本发明的较佳实施例，具体示出和描述了本发明的较佳实施例，那些熟悉本领域的人将知道，在不背离本发明的主旨和范围的条件下，可以有上述和其它的形式和细节上的变化。

Claims (22)

1.一种声表面波滤波器，其特征在于包含：

压电基片；

多个交指换能器安排在压电基片上，从而限定了多个单口SAW谐振器，连接多个单口SAW谐振器，以便构成具有串联臂和并联臂的梯形电路，多个交指换能器中的每一个都包含第一和第二梳形电极，每一个梳形电极都具有多个电极指和连接到多个电极指第一端的母线，第一和第二梳形电极相互交叉，从而第一梳形电极的多个电极指的第二端朝第二梳形电极的母线延伸，以限定各个交指换能器；

其中，如此安排多个交指换能器中的至少一个，从而第一梳形电极的母线与连接到第二梳形电极的母线的电极指的第二端之间的隙宽在0.50λ到4λ的范围内，其中λ是要在压电基片上激励的声表面波的波长。

2.如权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于至少一个单口SAW谐振器连接在梯形电路的串联臂处。

3.如权利要求2所述的声表面波滤波器，其特征在于梯形电路具有多个串联臂，每一个串联臂的交指换能器中的隙宽在0.50λ到4λ的范围内。

4.如权利要求2所述的声表面波滤波器，其特征在于梯形电路具有多个串联臂，其中在至少一个串联臂处的交指换能器中的隙宽在0.50λ到4λ的范围内。

5.如权利要求2所述的声表面波滤波器，其特征在于梯形电路具有多个并联臂，其中在至少一个并联臂处的交指换能器中的隙宽在0.50λ到4λ的范围内。

6.如权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于压电基片是LitaO3基片。

7.如权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于压电基片是LiNbO3基片。

8.如权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于压电基片是由压电陶瓷材料制成的。

9.如权利要求8所述的声表面波滤波器，其特征在于压电陶瓷材料是锆酸铅或锆酸钛中的至少一种。

10.如权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于压电基片包含层叠在绝缘基片上的压电薄膜。

11.如权利要求10所述声表面波滤波器，其特征在于将交指换能器的电极设置在压电薄膜的上表面或下表面上。

12.如权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于至少一个单口SAW谐振器还包含安排在压电基片上的第一和第二反射器，从而第一反射器接近于交指换能器一侧上的交指换能器，第二反射器接近于交指换能器另一侧上的交指换能器。

13.如权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于梯形电路具有多个串联臂和并联臂，从而串联臂和并联臂是交替地设置的。

14.一种制造声表面波滤波器的方法，其特征在于包含步骤：

提供压电基片；

形成多个安排在压电基片上的交指换能器，以便限定多个单口SAW谐振器，多个单口SAW谐振器如此连接，以构成具有串联臂和并联臂的梯形电路，多个交指换能器中的每一个交指换能器包含第一和第二梳形电极，每一个梳形电极具有多个电极指和连接到多个电极指的第一端的母线，第一和第二梳形电极相互交叉，从而第一梳形电极的多个电极指的第二端朝第二梳形电极的母线延伸，以限定各个交指换能器；及

在多个交指换能器的至少一个中产生隙宽，从而在第一梳形电极的母线和连接到第二梳形电极的母线的电极指的第二端之间存在隙宽，并且隙宽在0.50λ到4λ的范围内，其中λ是要在压电基片上激励的声表面波的波长。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于将至少一个单口SAW谐振器连接到梯形电路的串联臂。

16.如权利要求14所述的方法，其特征在于压电基片是LiTaO3基片。

17.如权利要求14所述的方法，其特征在于梯形电路具有多个串联臂，在所有串联臂的交指换能器中的隙宽在0.50λ到4λ的范围内。

18.如权利要求14所述的方法，其特征在于梯形电路具有多个串联臂，其中在至少一个串联臂的交指换能器中的隙宽在0.50λ到4λ的范围内。

19.如权利要求14所述的方法，其特征在于梯形电路具有多个并联臂，其中在多个并联臂中至少一个并联臂的交指换能器中的隙宽在0.50λ到4λ的范围内。

20.如权利要求14所述的方法，其特征在于在通带高频侧的频肩产生波动。

21.一种双工器，包含一对根据权利要求1到13中任一条所述的声表面波滤波器。

22.一种通信设备，包含如权利要求21所述的双工器。

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