JP2000150658A5 - セルライブラリ、半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】 同一の論理回路機能を実現し、互いに電気的特性の異なる第1および第2の機能セルを備え、
前記第1の機能セルは、第1の外部接続配線を含み、
前記第2の機能セルは、第2の外部接続配線を含み、
前記第1の機能セルの外周の形状は、前記第2の機能セルの外周の形状とほぼ同一であり、
前記第1の外部接続配線の前記第1の機能セル平面内における位置は、
前記第2の外部接続配線の前記第2の機能セル平面内における位置とほぼ同一である、半導体装置。
【請求項2】 前記第1の機能セルは、
前記第1の外部接続配線とほぼ同一平面内に形成されたダミー配線を含み、
前記第1の機能セル平面内における、前記第1の外部接続配線と前記ダミー配線とが占める領域の位置と、
前記第2の機能セル平面内における、前記第2の外部接続配線が占める領域の位置とがほぼ同一である、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】 前記第1の機能セルは第1の不純物拡散領域を含み、
前記第2の機能セルは第2の不純物拡散領域を含み、
前記第1の不純物拡散領域における不純物の濃度は、前記第2の不純物拡散領域における不純物の濃度と異なる、請求項1または2に記載の半導体装置。
【請求項4】 前記第1の機能セルは、前記第1の不純物拡散領域を含む第1の素子構造を含み、
前記第2の機能セルは、前記第2の不純物拡散領域を含む第2の素子構造を含み、
前記第1の素子構造の外形は、前記第2の素子構造の外形とほぼ同一である、請求項3に記載の半導体装置。
【請求項5】 前記第1の機能セルは第1の内部配線を含み、
前記第2の機能セルは第2の内部配線を含み、
前記第1の内部配線の材質は、前記第2の内部配線の材質と異なる、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。
【請求項6】 同一の論理回路機能を実現し、互いに電気的特性の異なる第1および第2の機能セルを備え、
前記第1および第2の機能セルのそれぞれは、
配置修正することなく互いに入れ替え可能な外形形状を持つ、半導体装置。
【請求項7】 同一の論理回路機能を実現し、互いに電気的特性の異なる第1および第2の機能セルを備え、
前記第1の機能セルは、第1の外部接続配線を含み、
前記第2の機能セルは、第2の外部接続配線を含み、
前記第1および第2の機能セルのそれぞれは、
ピンアクセス経路を変更することなく互いに入れ替え可能な位置に前記第1および第2の外部接続配線を持つ、半導体装置。
【請求項8】 前記第1の機能セルは、第1のソースおよびドレイン領域を含み、
前記第2の機能セルは、第2のソースおよびドレイン領域を含み、
前記第1のソースおよびドレイン領域における不純物の濃度は、前記第2のソースおよびドレイン領域における不純物の濃度と異なる、請求項1または2に記載の半導体装置。
【請求項9】 同一の論理回路機能を実現し、互いに電気的特性の異なる第1および第2の機能セルを備え、
前記第1および第2の機能セルのそれぞれは、
配置修正することなく互いに入れ替え可能な外形形状を持つ、セルライブラリ。
【請求項10】 同一の論理回路機能を実現し、互いに電気的特性の異なる第1および第2の機能セルを備え、
前記第1の機能セルは、第1の外部接続配線を含み、
前記第2の機能セルは、第2の外部接続配線を含み、
前記第1および第2の機能セルのそれぞれは、
ピンアクセス経路を変更することなく互いに入れ替え可能な位置に前記第1および第2の外部接続配線を持つ、セルライブラリ。
【請求項11】 外形サイズデータを有する第1の機能セルと、
前記第1の機能セルと同じ論理で、前記第1の機能セルと同じ外形サイズデータを有し、前記第1の機能セルとは異なる電気的特性を持つ第2の機能セルとを含む、セルライブラリ。
【請求項12】 請求項9〜11のいずれか1項に記載のセルライブラリを用いた半導体装置の製造方法。
【請求項1】 同一の論理回路機能を実現し、互いに電気的特性の異なる第1および第2の機能セルを備え、
前記第1の機能セルは、第1の外部接続配線を含み、
前記第2の機能セルは、第2の外部接続配線を含み、
前記第1の機能セルの外周の形状は、前記第2の機能セルの外周の形状とほぼ同一であり、
前記第1の外部接続配線の前記第1の機能セル平面内における位置は、
前記第2の外部接続配線の前記第2の機能セル平面内における位置とほぼ同一である、半導体装置。
【請求項2】 前記第1の機能セルは、
前記第1の外部接続配線とほぼ同一平面内に形成されたダミー配線を含み、
前記第1の機能セル平面内における、前記第1の外部接続配線と前記ダミー配線とが占める領域の位置と、
前記第2の機能セル平面内における、前記第2の外部接続配線が占める領域の位置とがほぼ同一である、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】 前記第1の機能セルは第1の不純物拡散領域を含み、
前記第2の機能セルは第2の不純物拡散領域を含み、
前記第1の不純物拡散領域における不純物の濃度は、前記第2の不純物拡散領域における不純物の濃度と異なる、請求項1または2に記載の半導体装置。
【請求項4】 前記第1の機能セルは、前記第1の不純物拡散領域を含む第1の素子構造を含み、
前記第2の機能セルは、前記第2の不純物拡散領域を含む第2の素子構造を含み、
前記第1の素子構造の外形は、前記第2の素子構造の外形とほぼ同一である、請求項3に記載の半導体装置。
【請求項5】 前記第1の機能セルは第1の内部配線を含み、
前記第2の機能セルは第2の内部配線を含み、
前記第1の内部配線の材質は、前記第2の内部配線の材質と異なる、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。
【請求項6】 同一の論理回路機能を実現し、互いに電気的特性の異なる第1および第2の機能セルを備え、
前記第1および第2の機能セルのそれぞれは、
配置修正することなく互いに入れ替え可能な外形形状を持つ、半導体装置。
【請求項7】 同一の論理回路機能を実現し、互いに電気的特性の異なる第1および第2の機能セルを備え、
前記第1の機能セルは、第1の外部接続配線を含み、
前記第2の機能セルは、第2の外部接続配線を含み、
前記第1および第2の機能セルのそれぞれは、
ピンアクセス経路を変更することなく互いに入れ替え可能な位置に前記第1および第2の外部接続配線を持つ、半導体装置。
【請求項8】 前記第1の機能セルは、第1のソースおよびドレイン領域を含み、
前記第2の機能セルは、第2のソースおよびドレイン領域を含み、
前記第1のソースおよびドレイン領域における不純物の濃度は、前記第2のソースおよびドレイン領域における不純物の濃度と異なる、請求項1または2に記載の半導体装置。
【請求項9】 同一の論理回路機能を実現し、互いに電気的特性の異なる第1および第2の機能セルを備え、
前記第1および第2の機能セルのそれぞれは、
配置修正することなく互いに入れ替え可能な外形形状を持つ、セルライブラリ。
【請求項10】 同一の論理回路機能を実現し、互いに電気的特性の異なる第1および第2の機能セルを備え、
前記第1の機能セルは、第1の外部接続配線を含み、
前記第2の機能セルは、第2の外部接続配線を含み、
前記第1および第2の機能セルのそれぞれは、
ピンアクセス経路を変更することなく互いに入れ替え可能な位置に前記第1および第2の外部接続配線を持つ、セルライブラリ。
【請求項11】 外形サイズデータを有する第1の機能セルと、
前記第1の機能セルと同じ論理で、前記第1の機能セルと同じ外形サイズデータを有し、前記第1の機能セルとは異なる電気的特性を持つ第2の機能セルとを含む、セルライブラリ。
【請求項12】 請求項9〜11のいずれか1項に記載のセルライブラリを用いた半導体装置の製造方法。
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、セルライブラリ、半導体装置およびその製造方法に関し、より特定的には、セルベース方式の半導体回路設計において用いるセルライブラリ、半導体装置およびその製造方法に関する。
【発明の属する技術分野】
この発明は、セルライブラリ、半導体装置およびその製造方法に関し、より特定的には、セルベース方式の半導体回路設計において用いるセルライブラリ、半導体装置およびその製造方法に関する。
p型不純物拡散領域107b、n型不純物拡散領域107d上には、層間絶縁膜(図示せず)を介して出力ピン端子106aが形成されている。出力ピン端子106aと不純物拡散領域107bとは、コンタクトホール109g、109hを介して電気的に接続されている。また、出力ピン端子106aとn型不純物拡散領域107dとは、コンタクトホール109i、109jを介して電気的に接続されている。
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、この発明の一の目的は、セルベース方式の半導体回路設計方法を用いた半導体装置の回路設計期間を短縮することが可能なセルライブラリを提供することである。
この発明のもう1つの目的は、セルベース方式の半導体回路設計方法を用いた場合にも、半導体装置の回路設計期間を短縮することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【0024】
【課題を解決するための手段】
この発明に従った半導体装置は、第1および第2の機能セルを備える。第1および第2の機能セルは、同一の論理回路機能を実現し、互いに電気的特性が異なる。第1の機能セルは、第1の外部接続配線を含む。第2の機能セルは、第2の外部接続配線を含む。第1の機能セルの外周の形状は、第2の機能セルの外周の形状とほぼ同一である。第1の外部接続配線の第1の機能セル平面内における位置は、第2の外部接続配線の第2の機能セル平面内における位置とほぼ同一である。
【課題を解決するための手段】
この発明に従った半導体装置は、第1および第2の機能セルを備える。第1および第2の機能セルは、同一の論理回路機能を実現し、互いに電気的特性が異なる。第1の機能セルは、第1の外部接続配線を含む。第2の機能セルは、第2の外部接続配線を含む。第1の機能セルの外周の形状は、第2の機能セルの外周の形状とほぼ同一である。第1の外部接続配線の第1の機能セル平面内における位置は、第2の外部接続配線の第2の機能セル平面内における位置とほぼ同一である。
上記半導体装置では、第1の機能セルが、第1の外部接続配線とほぼ同一平面内に形成されたダミー配線を含んでいてもよい。第1の機能セル平面内における、第1の外部接続配線とダミー配線とが占める領域の位置と、第2の機能セル平面内における、第2の外部接続配線が占める領域の位置とはほぼ同一であってもよい。
上記半導体装置では、第1の機能セルが第1の不純物拡散領域を含んでいてもよく、第2の機能セルが第2の不純物拡散領域を含んでいてもよい。第1の不純物拡散領域における不純物の濃度は、第2の不純物拡散領域における不純物の濃度と異なっていてもよい。
上記半導体装置では、第1の機能セルが、第1の不純物拡散領域を含む第1の素子構造を含んでいてもよく、第2の機能セルが、第2の不純物拡散領域を含む第2の素子構造を含んでいてもよい。第1の素子構造の外形は、第2の素子構造の外形とほぼ同一であってもよい。
上記半導体装置では、第1の機能セルが第1の内部配線を含んでいてもよく、第2の機能セルが第2の内部配線を含んでいてもよい。第1の内部配線の材質は、第2の内部配線の材質と異なっていてもよい。
この発明に従った半導体装置は、同一の論理回路機能を実現し、互いに電気的特性の異なる第1および第2の機能セルを備える。第1および第2の機能セルのそれぞれは、配置修正することなく互いに入れ替え可能な外形形状を持つ。
この発明に従った半導体装置は、同一の論理回路機能を実現し、互いに電気的特性の異なる第1および第2の機能セルを備える。第1の機能セルは、第1の外部接続配線を含む。第2の機能セルは、第2の外部接続配線を含む。第1および第2の機能セルのそれぞれは、ピンアクセス経路を変更することなく互いに入れ替え可能な位置に第1および第2の外部接続配線を持つ。
上記半導体装置において、第1の機能セルは、第1のソースおよびドレイン領域を含んでいてもよい。第2の機能セルは、第2のソースおよびドレイン領域を含んでいてもよい。第1のソースおよびドレイン領域における不純物の濃度は、第2のソースおよびドレイン領域における不純物の濃度と異なっていてもよい。
この発明に従ったセルライブラリは、同一の論理回路機能を実現し、互いに電気的特性の異なる第1および第2の機能セルを備える。第1および第2の機能セルのそれぞれは、配置修正することなく互いに入れ替え可能な外形形状を持つ。
この発明に従ったセルライブラリは、同一の論理回路機能を実現し、互いに電気的特性の異なる第1および第2の機能セルを備える。第1の機能セルは、第1の外部接続配線を含む。第2の機能セルは、第2の外部接続配線を含む。第1および第2の機能セルのそれぞれは、ピンアクセス経路を変更することなく互いに入れ替え可能な位置に第1および第2の外部接続配線を持つ。
この発明に従ったセルライブラリは、外形サイズデータを有する第1の機能セルと、第2の機能セルとを含む。第2の機能セルは、第1の機能セルと同じ論理で、第1の機能セルと同じ外形サイズデータを有し、第1の機能セルとは異なる電気的特性を持つ。
この発明に従った半導体装置の製造方法は、上記セルライブラリを用いる。
【0103】
【発明の効果】
このように、本発明によれば、同一の論理回路機能を実現し、互いに電気的特性の異なる複数の機能セルにおいて、その機能セルの外周の形状およびピンアクセス経路をほぼ同一とすることにより、半導体装置の回路設計工程における論理修正を容易に行なうことができる。この結果、従来必要であった論理修正後の機能セルの再配置および配線経路の再決定、さらには制約条件を満足するかの再チェックといった工程を行なう必要がなくなるので、半導体装置の回路設計に要する期間を短縮することができる。この結果、半導体装置の開発に要する期間を短縮することができ、製造コストを削減することができる。
【発明の効果】
このように、本発明によれば、同一の論理回路機能を実現し、互いに電気的特性の異なる複数の機能セルにおいて、その機能セルの外周の形状およびピンアクセス経路をほぼ同一とすることにより、半導体装置の回路設計工程における論理修正を容易に行なうことができる。この結果、従来必要であった論理修正後の機能セルの再配置および配線経路の再決定、さらには制約条件を満足するかの再チェックといった工程を行なう必要がなくなるので、半導体装置の回路設計に要する期間を短縮することができる。この結果、半導体装置の開発に要する期間を短縮することができ、製造コストを削減することができる。
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- 1998-11-12 JP JP32190898A patent/JP4484977B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1999
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