JP2000148265A - スイッチング電源 - Google Patents

スイッチング電源

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JP2000148265A
JP2000148265A JP10322980A JP32298098A JP2000148265A JP 2000148265 A JP2000148265 A JP 2000148265A JP 10322980 A JP10322980 A JP 10322980A JP 32298098 A JP32298098 A JP 32298098A JP 2000148265 A JP2000148265 A JP 2000148265A
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JP
Japan
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power supply
circuit
voltage
winding
switching power
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JP10322980A
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Shinichi Tezuka
伸一 手塚
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Fuji Electric Co Ltd
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Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】フライバック方式のスイッチング電源の一次側
に簡単な回路を付加して、この電源の負荷に対してフの
字型垂下特性を持たせる。 【解決手段】制御・保護回路40の内部に基準電源41
と比較器42と切替スイッチ43と抵抗44,45とか
らなる回路を付加し、フィードバック回路6からのフィ
ードバック信号としてのホトカプラ8のトランジスタ8
bのコレクタ電圧が基準電源41の電圧以上になったと
きに切替スイッチ43をVccから給電される抵抗44
と抵抗45側に動作させることにより、パワーMOSF
ET3のオン期間をより短くして、ドレイン電流を低下
させることで、コンデンサ5の両端に接続される負荷に
対してフの字型垂下特性を持たせる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、フライバック方
式のスイッチング電源に関する。
【0002】
【従来の技術】図4は、この種のフライバック方式のス
イッチング電源の従来例を示す回路構成図である。図4
において、1は整流電源などの一次側直流電源、2は一
次巻線2a,二次巻線2b,3次巻線2cからなる変圧
器、3は変圧器2の一次巻線2aの図示の・極性側にド
レイン端子が接続される電流センス端子付きのパワーM
OSFET、4は変圧器2の二次巻線2bの図示の・極
性の電圧を整流するダイオード、5はダイオード4を介
した整流電圧を平滑するコンデンサ、6は周知の技術に
よるシャントレギュレータ7とホトカプラ8のダイオー
ド側8aとからなるフィードバック回路、9は電流モー
ドの制御回路(以下、単に制御回路9と称する)を示
す。
【0003】このフィードバック回路6はシャントレギ
ュレータ7の設定値に基づき、コンデンサ5の両端電圧
をVO に調整するために必要な操作量をフィードバック
信号として出力するものであり、このフィードバック信
号がホトカプラ8のトランジスタ側8bを介して制御回
路9の端子FBに伝達される。ここで、コンデンサ10
はこのフィードバック信号のノイズフィルタである。
【0004】また、制御回路9の端子ISにはパワーM
OSFET3の電流センス端子が接続され、パワーMO
SFET3の電流センス端子とソース端子との間には電
流検出抵抗11が接続される。
【0005】さらに、変圧器2の三次巻線2cの図示の
・極性の電圧をダイオード13で整流し、この整流値を
抵抗14とコンデンサ15とで平滑した値が制御回路9
の電源として、制御回路9の端子VCCと図示の接地電
位に接続される制御回路9の端子GNDとの間に加えら
れる。なお、一次側直流電源1の正極側から抵抗16を
介した値は、起動時に必要な電源となる。
【0006】図5は図4に示した制御回路9の詳細回路
構成図である。この制御回路9において、パワーMOS
FET3のオン期間とオフ期間とを合計した周期を設定
する発振器21からのトリガー信号がフリップフロップ
素子23の入力端子Sに送出され、後述のコンパレータ
22からのトリガ信号がフリップフロップ素子23の入
力端子Rに送出される。また、フリップフロップ素子2
3の出力端子Qからの出力はゲート駆動素子31を介し
てパワーMOSFET3をオン・オフさせる。
【0007】さらに、コンパレータ22には前記フィー
ドバック信号がホトカプラ8のトランジスタ側8bと抵
抗25とを介して入力される。ここで、抵抗25の他端
は前記VCCの電圧をレギュレータ回路24を介するこ
とによる安定化した電圧に接続される。また、コンパレ
ータ22には基準電源26の電圧(VREF )を抵抗27
と抵抗28とで分圧した値と、電流検出抵抗11の両端
電圧を抵抗29とコンデンサ30とからなるフィルター
を介した値とが入力される。
【0008】図4に示したフライバック方式のスイッチ
ング電源の動作を、図5に示す制御回路9の詳細回路構
成図を参照しつつ、以下に説明する。制御回路9の補助
電源として、変圧器2に三次巻線2cを設け、三次巻線
2cに発生する電圧をダイオード13,抵抗14,コン
デンサ15を介した整流値にし、この整流値を供給して
いる。
【0009】しかしながら、前記整流値はこのスイッチ
ング電源が動作を開始しないと発生しないので、起動時
は一次側直流電源1から抵抗16を介して制御回路9に
電源を供給するようにし、このスイッチング電源が起動
すると前記三次巻線2cから制御回路9に電源を供給す
るべく、また、この制御回路9はスタンバイ機能を有し
ているため、起動直前のスタンバイ電流を極力少なくな
るように、抵抗16の抵抗値を選定している。
【0010】このスイッチング電源の通常の動作状態で
は、コンデンサ5の両端から図示しない負荷(抵抗値R
L )に供給される電圧を所望の値VO にすべく、制御回
路9は、図4に示したフィードバック回路6からのフィ
ードバック信号と基準電源26の電圧(VREF )を抵抗
27と抵抗28とで分圧した値と、電流検出抵抗11の
両端電圧を抵抗29とコンデンサ30とからなるフィル
ターを介した値との比較演算をコンパレータ22で行
い、この演算結果によりフリップフロップ23とゲート
駆動素子31とを介して、パワーMOSFET3をオン
期間とオフ期間とを制御している。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】図4に示した従来のス
イッチング電源において、前記負荷が定格値を越えた過
負荷状態になったときには電流検出抵抗11の両端電圧
が上昇し、さらに、二次側出力電圧(VO )が低下する
ため、フィドバック回路6を介して送られてくるフィー
ドバック信号によりFB端子電圧も上昇する。しかし、
基準電圧VREF の抵抗27と抵抗28とによる分圧値が
一定のため、コンパレータ22の出力は一定に保たれ、
パワーMOSFET3のドレイン電流も一定に保たれ、
電流が制限される。しかしながら前記負荷が短絡状態な
どの異常時には、過大な電力消費とこれに伴う発熱のた
めにこのスイッチング電源が焼損または破損する恐れが
あった。
【0012】従来はこの対策として、変圧器2の二次巻
線2b側回路に電流検出回路,演算増幅器などを付加
し、該負荷に対してフの字型垂下特性を持たせる機能を
備えるようにしていが、この機能のための二次巻線側に
付加する回路が複雑であり、電流検出のためのシャント
抵抗によりこのスイッチング電源の変換効率が低下する
という難点があった。この発明の目的は、簡単な回路を
変圧器の一次巻線側に付加して、回路を複雑にすること
なく上記問題点を解消したスイッチング電源を提供する
ことにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】この発明は、一次巻線
と、該一次巻線に対してフライバック結合した二次巻線
および三次巻線とからなる変圧器と、前記一次巻線の一
端にドレイン端子が接続される電流センス端子付きのパ
ワーMOSFETと、前記一次巻線の他端と前記パワー
MOSFETのソース端子と間に接続される一次側直流
電源と、前記パワーMOSFETの電流センス端子とソ
ース端子の間に接続される電流検出抵抗と、前記二次巻
線の電圧の整流値をフィードバック信号として送出する
フィードバック回路と、前記三次巻線の電圧を電源と
し、前記フィードバック信号に基づいて前記二次巻線の
整流値を所定の値(VO )にすべく制御されたゲート信
号を前記パワーMOSFETに送出する制御・保護とを
備えたスイッチング電源において、前記ゲート信号に、
前記電流検出抵抗の両端電圧と前記フィードバック信号
と前記三次巻線の電圧の整流値とに基づき前記二次巻線
より給電される負荷に対してフの字型垂下特性を持たせ
たことを特徴とする。
【0014】この発明によれば従来の制御回路に代え
て、後述の如く、簡単な回路を付加した制御・保護回路
を備えることにより、前記変圧器の二次巻線より給電さ
れる負荷に対してフの字型垂下特性を持たせることがで
きる。
【0015】
【発明の実施の形態】図1は、この発明の実施例を示す
スイッチング電源の回路構成図であり、図4に示した従
来例回路と同一機能を有するものには同一符号を付して
いる。図1に示したフライバック方式のスイッチング電
源においては、図4に示した制御回路9に代えて電流モ
ードの制御・保護回路40(以下、単に制御・保護回4
0と称する)を備えている。
【0016】図2は図1に示した制御・保護回路40の
詳細回路構成図であり、図5に示した制御回路9と同一
機能を有するものには同一符号を付している。すなわち
図2に示した制御・保護回路40には、基準電源41
と、比較器42と、例えばアナログスイッチ,反転素子
とから形成される切替スイッチ回路43と、抵抗44,
45とが制御回路9に対して追加装備され、この制御・
保護回路40によるスイッチング電源の起動時と通常時
の動作は、図4に示した制御回路9による従来のスイッ
チング電源と同様である。
【0017】以下に図1に示したこの発明のスイッチン
グ電源における変圧器2の二次巻線2bより給電される
図示しない負荷に対するフの字型垂下動作を、図2に示
す制御・保護回路40の回路構成図と図3に示す波形図
とを参照しつつ、説明する。
【0018】先ず、パワーMOSFET3のオン期間
と、オフ期間とをコンパレータ22により通常状態とし
て制御中(図3の区間Aの範囲)に、例えば何らかの要
因により前記負荷が定格値を越えると(図3の区間Bの
範囲に移行)、コンデンサ5の両端電圧が通常時より低
下し、その結果、フィードバック回路6からのフィード
バック信号としてのホトカプラ8のトランジスタ8bの
コレクタ電圧が上昇し、この上昇に伴い該コレクタ電圧
が基準電源41の電圧VLIM を越えると比較器42が動
作して、切替スイッチ回路43が抵抗44,45側に切
替わる。
【0019】このとき、図2に示す如く抵抗44,45
は、変圧器2の三次巻線2cよりダイオード13,抵抗
14,コンデンサ15を介した制御・保護回路40の電
源VCCより給電されており、周知の如く、コンデンサ
5の両端電圧の低下に伴って、三次巻線2cの電圧低下
により前記VCCも低下し、従って抵抗44と抵抗45
とによる電圧VCCの分圧値も低下し、この分圧値の低
下に伴って、パワーMOSFET3のオン期間も更に短
くなり、ドレイン電流も低下していくため、その結果と
して図3の区間Bに示すごとく、フの字型垂下特性を持
つことになる。
【0020】
【発明の効果】この発明のスイッチング電源によれば、
従来のスイッチング電源に備えた電流モードの制御回路
に代えて、この制御回路に簡単な回路を付加しつつ、接
続端子数およびその端子機能が同じ電流モードの制御・
保護回路に置き換えることにより、前記変圧器の二次巻
線より給電される負荷に対してフの字型垂下特性を持た
せることができる。
【0021】このフの字型垂下特性を備えることによ
り、前記負荷の短絡などの異常状態によるスイックング
電源の焼損または破損が防止される。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例を示すスイッチング電源の回
路構成図
【図2】図1の部分詳細回路構成図
【図3】図1の動作を説明する波形図
【図4】従来例を示すスイッチング電源の回路構成図
【図5】図4の部分詳細回路構成図
【符号の説明】
1…一次側直流電源、2…変圧器、3…パワーMOSF
ET、4…ダイオード、5…コンデンサ、6…フィード
バック回路、7…シャントレギュレータ7、8…ホトカ
プラ、9…電流モードの制御回路、10…コンデンサ、
11…電流検出抵抗、13…ダイオード、14…抵抗、
15…コンデンサ、16…抵抗、21…発振器、22…
コンパレータ、23…フリップフロップ素子、24…レ
ギュレータ回路、25…抵抗、26…基準電源、27〜
29…抵抗、30…コンデンサ、31…ゲート駆動素
子、40…電流モードの制御・保護回路、41…基準電
源、42…比較器、43…切替スイッチ回路、44,4
5…抵抗。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一次巻線と、該一次巻線に対してフライバ
    ック結合した二次巻線および三次巻線とからなる変圧器
    と、 前記一次巻線の一端にドレイン端子が接続される電流セ
    ンス端子付きのパワーMOSFETと、 前記一次巻線の他端と前記パワーMOSFETのソース
    端子と間に接続される一次側直流電源と、 前記パワーMOSFETの電流センス端子とソース端子
    の間に接続される電流検出抵抗と、 前記二次巻線の電圧の整流値をフィードバック信号とし
    て送出するフィードバック回路と、 前記三次巻線の電圧を電源とし、前記フィードバック信
    号に基づいて前記二次巻線の整流値を所定の値(VO
    にすべく制御されたゲート信号を前記パワーMOSFE
    Tに送出する制御・保護とを備えたスイッチング電源に
    おいて、 前記ゲート信号に、前記電流検出抵抗の両端電圧と前記
    フィードバック信号と前記三次巻線の電圧の整流値とに
    基づき前記二次巻線より給電される負荷に対してフの字
    型垂下特性を持たせたことを特徴とするスイッチング電
    源。
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