JP2000141080A - ガスシールドアーク溶接用ソリッドワイヤ - Google Patents
ガスシールドアーク溶接用ソリッドワイヤInfo
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- JP2000141080A JP2000141080A JP31668498A JP31668498A JP2000141080A JP 2000141080 A JP2000141080 A JP 2000141080A JP 31668498 A JP31668498 A JP 31668498A JP 31668498 A JP31668498 A JP 31668498A JP 2000141080 A JP2000141080 A JP 2000141080A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＯ2ガスをシールドガスとして使用した高
電流での溶接時に、溶滴のグロビュール移行をスムーズ
にして、スパッタ発生量を低減することができるガスシ
ールドアーク溶接用ソリッドワイヤを提供する。 【解決手段】 ガスシールドアーク溶接用ソリッドワイ
ヤは、Ｃ：０．００５乃至０．１５重量％、Ｓｉ：０．
４乃至１．２重量％、Ｍｎ：１．０乃至２．２重量％、
Ｔｉ：０．１０乃至０．３０重量％、Ｓ：０．０００５
乃至０．０３重量％及びＯ：０．００１乃至０．０３重
量％を含有し、残部がＦｅ及び不可避的不純物からなる
ものである。また、表面にワイヤ１０ｋｇあたり０．０
０５乃至２ｇの遊離Ｃが被着されており、銅メッキは施
されていない。
電流での溶接時に、溶滴のグロビュール移行をスムーズ
にして、スパッタ発生量を低減することができるガスシ
ールドアーク溶接用ソリッドワイヤを提供する。 【解決手段】 ガスシールドアーク溶接用ソリッドワイ
ヤは、Ｃ：０．００５乃至０．１５重量％、Ｓｉ：０．
４乃至１．２重量％、Ｍｎ：１．０乃至２．２重量％、
Ｔｉ：０．１０乃至０．３０重量％、Ｓ：０．０００５
乃至０．０３重量％及びＯ：０．００１乃至０．０３重
量％を含有し、残部がＦｅ及び不可避的不純物からなる
ものである。また、表面にワイヤ１０ｋｇあたり０．０
０５乃至２ｇの遊離Ｃが被着されており、銅メッキは施
されていない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表面に銅メッキが施
されていないガスシールドアーク溶接用ソリッドワイヤ
に関し、特に、高電流での溶接に使用しても、スパッタ
の発生量を低減することができるガスシールドアーク溶
接用ソリッドワイヤに関する。
されていないガスシールドアーク溶接用ソリッドワイヤ
に関し、特に、高電流での溶接に使用しても、スパッタ
の発生量を低減することができるガスシールドアーク溶
接用ソリッドワイヤに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ガスシールドアーク溶接用の
ワイヤとしては、表面に銅メッキが施されているものが
主に使用されている。これは、ワイヤ表面に銅メッキを
施すことにより、ワイヤの耐錆性を確保することができ
ると共に、ワイヤの通電性を良好にすることができるか
らである。
ワイヤとしては、表面に銅メッキが施されているものが
主に使用されている。これは、ワイヤ表面に銅メッキを
施すことにより、ワイヤの耐錆性を確保することができ
ると共に、ワイヤの通電性を良好にすることができるか
らである。
【０００３】しかし、銅メッキが施されているワイヤの
うち、特に、ＪＩＳ Ｚ３３１２のＹＧＷ１１のよう
に、Ｔｉが添加されているワイヤにより、ＣＯ2ガスを
シールドガスとして使用して比較的高い電流で溶接する
場合には、溶滴のグロビュール移行が不安定となって、
溶接中のスパッタが増大するという問題点がある。ま
た、表面に銅メッキを施したワイヤを使用して溶接する
と、ワイヤ送給系において銅くずが発生するという問題
点がある。
うち、特に、ＪＩＳ Ｚ３３１２のＹＧＷ１１のよう
に、Ｔｉが添加されているワイヤにより、ＣＯ2ガスを
シールドガスとして使用して比較的高い電流で溶接する
場合には、溶滴のグロビュール移行が不安定となって、
溶接中のスパッタが増大するという問題点がある。ま
た、表面に銅メッキを施したワイヤを使用して溶接する
と、ワイヤ送給系において銅くずが発生するという問題
点がある。
【０００４】一方、表面に銅メッキが施されていないワ
イヤを使用して溶接すると、銅くずが発生しないと共
に、表面に銅メッキを施さない場合には、ワイヤの製造
工程においてもメッキ工程を省略することができるの
で、青化銅、硫酸銅及びピロリン酸銅等のメッキ廃液等
の有害物質の取扱いが不要となるという利点もある。
イヤを使用して溶接すると、銅くずが発生しないと共
に、表面に銅メッキを施さない場合には、ワイヤの製造
工程においてもメッキ工程を省略することができるの
で、青化銅、硫酸銅及びピロリン酸銅等のメッキ廃液等
の有害物質の取扱いが不要となるという利点もある。
【０００５】そこで、銅メッキを施さないワイヤにおい
て、ワイヤの送給性、ワイヤの耐錆性及びチップの耐磨
耗性を良好にするために、表面にＭｏＳ2、グラファイ
ト並びにフッ素系の潤滑剤及びその他の防錆油等を被着
させたワイヤが提案されている（特公昭５９−１３９５
６号公報及び特公昭５９−１３９５７号公報等）。ま
た、表面に銅メッキが施されたソリッドワイヤ及びフラ
ックス入りワイヤについても、特にワイヤ送給性を向上
させるために、これらの潤滑剤又は潤滑油を被着させた
ものが提案されている。更に、アーク安定性を向上させ
ると共に、スパッタ発生量を低減するために、表面にア
ルカリ金属又はアルカリ土類金属を被着させたワイヤも
提案されている。
て、ワイヤの送給性、ワイヤの耐錆性及びチップの耐磨
耗性を良好にするために、表面にＭｏＳ2、グラファイ
ト並びにフッ素系の潤滑剤及びその他の防錆油等を被着
させたワイヤが提案されている（特公昭５９−１３９５
６号公報及び特公昭５９−１３９５７号公報等）。ま
た、表面に銅メッキが施されたソリッドワイヤ及びフラ
ックス入りワイヤについても、特にワイヤ送給性を向上
させるために、これらの潤滑剤又は潤滑油を被着させた
ものが提案されている。更に、アーク安定性を向上させ
ると共に、スパッタ発生量を低減するために、表面にア
ルカリ金属又はアルカリ土類金属を被着させたワイヤも
提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たいずれの従来のワイヤを使用しても、ＣＯ2ガスをシ
ールドガスとして使用した高電流溶接時におけるスパッ
タ発生量を低減することはできない。
たいずれの従来のワイヤを使用しても、ＣＯ2ガスをシ
ールドガスとして使用した高電流溶接時におけるスパッ
タ発生量を低減することはできない。
【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、ＣＯ2ガスをシールドガスとして使用した
高電流での溶接時に、溶滴のグロビュール移行をスムー
ズにして、スパッタ発生量を低減することができるガス
シールドアーク溶接用ソリッドワイヤを提供することを
目的とする。
のであって、ＣＯ2ガスをシールドガスとして使用した
高電流での溶接時に、溶滴のグロビュール移行をスムー
ズにして、スパッタ発生量を低減することができるガス
シールドアーク溶接用ソリッドワイヤを提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係るガスシール
ドアーク溶接用ソリッドワイヤは、Ｃ：０．００５乃至
０．１５重量％、Ｓｉ：０．４乃至１．２重量％、Ｍ
ｎ：１．０乃至２．２重量％、Ｔｉ：０．１０乃至０．
３０重量％、Ｓ：０．０００５乃至０．０３重量％及び
Ｏ：０．００１乃至０．０３重量％を含有し、残部がＦ
ｅ及び不可避的不純物からなると共に、表面にワイヤ１
０ｋｇあたり０．００５乃至２ｇの遊離Ｃが被着されて
おり、銅メッキが施されていないことを特徴とする。
ドアーク溶接用ソリッドワイヤは、Ｃ：０．００５乃至
０．１５重量％、Ｓｉ：０．４乃至１．２重量％、Ｍ
ｎ：１．０乃至２．２重量％、Ｔｉ：０．１０乃至０．
３０重量％、Ｓ：０．０００５乃至０．０３重量％及び
Ｏ：０．００１乃至０．０３重量％を含有し、残部がＦ
ｅ及び不可避的不純物からなると共に、表面にワイヤ１
０ｋｇあたり０．００５乃至２ｇの遊離Ｃが被着されて
おり、銅メッキが施されていないことを特徴とする。
【０００９】前記Ｃは０．０１乃至０．０６重量％、前
記Ｓｉは０．５乃至１．０重量％、前記Ｍｎは１．４乃
至２．０重量％、前記Ｔｉは０．１８乃至０．２５重量
％、前記Ｓは０．０００５乃至０．０２重量％及び前記
Ｏは０．００１乃至０．０１５重量％であると共に、表
面に被着された前記遊離Ｃはワイヤ１０ｋｇあたり０．
０１乃至１ｇであることが好ましい。
記Ｓｉは０．５乃至１．０重量％、前記Ｍｎは１．４乃
至２．０重量％、前記Ｔｉは０．１８乃至０．２５重量
％、前記Ｓは０．０００５乃至０．０２重量％及び前記
Ｏは０．００１乃至０．０１５重量％であると共に、表
面に被着された前記遊離Ｃはワイヤ１０ｋｇあたり０．
０１乃至１ｇであることが好ましい。
【００１０】また、前記Ｏの含有量を重量％で［Ｏ］、
ワイヤ表面に被着された前記遊離Ｃをワイヤ１０ｋｇあ
たりの被着量（ｇ）で［Ｃ］としたとき、数式［Ｃ］≧
［Ｏ］×１０を満足することが望ましい。
ワイヤ表面に被着された前記遊離Ｃをワイヤ１０ｋｇあ
たりの被着量（ｇ）で［Ｃ］としたとき、数式［Ｃ］≧
［Ｏ］×１０を満足することが望ましい。
【００１１】本発明に係るガスシールドアーク溶接用ソ
リッドワイヤは、表面にワイヤ１０ｋｇあたり０．０１
乃至１ｇのＭｏＳ2が被着されていることが好ましい。
この場合に、ワイヤ表面に被着された前記遊離Ｃをワイ
ヤ１０ｋｇあたりの被着量（ｇ）で［Ｃ］、前記ＭｏＳ
2をワイヤ１０ｋｇあたりの被着量（ｇ）で［ＭｏＳ2］
としたとき、数式［Ｃ］≧［ＭｏＳ2］を満足すること
が望ましい。
リッドワイヤは、表面にワイヤ１０ｋｇあたり０．０１
乃至１ｇのＭｏＳ2が被着されていることが好ましい。
この場合に、ワイヤ表面に被着された前記遊離Ｃをワイ
ヤ１０ｋｇあたりの被着量（ｇ）で［Ｃ］、前記ＭｏＳ
2をワイヤ１０ｋｇあたりの被着量（ｇ）で［ＭｏＳ2］
としたとき、数式［Ｃ］≧［ＭｏＳ2］を満足すること
が望ましい。
【００１２】本発明に係るガスシールドアーク溶接用ソ
リッドワイヤは、更に、希土類元素：０．００１乃至
０．１重量％を含有することが好ましい。
リッドワイヤは、更に、希土類元素：０．００１乃至
０．１重量％を含有することが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】本願発明者等が前記課題を解決す
るために鋭意実験研究を重ねた結果、ワイヤ中の成分の
うち、特に溶滴の表面張力に関与するＯ、Ｓ及び脱酸剤
の含有量をバランス良く適正化すると共に、ワイヤ表面
に適正量の遊離Ｃを被着させることにより、銅メッキが
施されていないワイヤにより、ＣＯ2ガスをシールドガ
スとして使用した高電流溶接時において、スパッタ発生
量を低減することができることを見い出した。特に、本
発明が従来のワイヤと異なる点としては、スパッタ発生
量を低減させるためにワイヤ表面に遊離Ｃを被着させて
いると共に、ワイヤ組成を最適化している点である。
るために鋭意実験研究を重ねた結果、ワイヤ中の成分の
うち、特に溶滴の表面張力に関与するＯ、Ｓ及び脱酸剤
の含有量をバランス良く適正化すると共に、ワイヤ表面
に適正量の遊離Ｃを被着させることにより、銅メッキが
施されていないワイヤにより、ＣＯ2ガスをシールドガ
スとして使用した高電流溶接時において、スパッタ発生
量を低減することができることを見い出した。特に、本
発明が従来のワイヤと異なる点としては、スパッタ発生
量を低減させるためにワイヤ表面に遊離Ｃを被着させて
いると共に、ワイヤ組成を最適化している点である。
【００１４】溶滴をスムーズにグロビュール移行させる
ためには、溶滴の表面張力を適切に保持する必要があ
る。この溶滴の表面張力には、溶滴中のＯ及びＳが大き
く影響を及ぼす。特に、本願発明者等は、銅メッキが施
されていないワイヤを使用した溶接時にはＣＯ2のシー
ルドガス雰囲気となるので、銅メッキが施されたワイヤ
を使用した溶接時と比較して、溶滴に含有される酸素量
が増加する傾向があり、これにより、溶滴の表面張力が
著しく低下することを見い出した。
ためには、溶滴の表面張力を適切に保持する必要があ
る。この溶滴の表面張力には、溶滴中のＯ及びＳが大き
く影響を及ぼす。特に、本願発明者等は、銅メッキが施
されていないワイヤを使用した溶接時にはＣＯ2のシー
ルドガス雰囲気となるので、銅メッキが施されたワイヤ
を使用した溶接時と比較して、溶滴に含有される酸素量
が増加する傾向があり、これにより、溶滴の表面張力が
著しく低下することを見い出した。
【００１５】このように、溶滴中のＯ及びＳの含有量が
多くなると、溶滴の表面張力が小さくなって溶滴移行さ
れやすくなるが、溶滴のふらつきが大きくなることによ
り、アーク力によって飛散するスパッタ量が増加する。
一方、溶滴中のＯ及びＳの含有量が少なすぎると、溶滴
の表面張力は大きくなって溶滴が粗大化し、瞬時の短絡
の際に飛散する大粒のスパッタが発生しやすくなる。従
って、本発明においては、ワイヤ中のＯ含有量及びＳ含
有量を適正化することが極めて重要である。
多くなると、溶滴の表面張力が小さくなって溶滴移行さ
れやすくなるが、溶滴のふらつきが大きくなることによ
り、アーク力によって飛散するスパッタ量が増加する。
一方、溶滴中のＯ及びＳの含有量が少なすぎると、溶滴
の表面張力は大きくなって溶滴が粗大化し、瞬時の短絡
の際に飛散する大粒のスパッタが発生しやすくなる。従
って、本発明においては、ワイヤ中のＯ含有量及びＳ含
有量を適正化することが極めて重要である。
【００１６】また、溶滴の表面張力を適切に保持するた
めには、ワイヤ中にＴｉ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｃ及び希土類元
素等の脱酸剤を適正量添加することも極めて有効であ
る。
めには、ワイヤ中にＴｉ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｃ及び希土類元
素等の脱酸剤を適正量添加することも極めて有効であ
る。
【００１７】更に、本願発明者等は、銅メッキが施され
ていないワイヤを使用した高電流溶接時の低スパッタ化
について種々検討した結果、上述の如くワイヤ組成を適
切に調整すると共に、ワイヤ表面に例えばグラファイト
等の遊離Ｃを被着させることが、溶滴の表面張力を効率
よく高めて、大粒のスパッタ発生を防止する効果が極め
て高いことを見い出した。この遊離Ｃとは、油及び石鹸
系等の伸線潤滑剤に含有されるＣを除いたものをいい、
ワイヤ表面に適正量の遊離Ｃを被着させることにより、
アーク中の極めて高い温度において、溶滴に侵入しよう
とするＣＯ2シールドガス及びワイヤ中のＯを極めて効
果的にトラップすることができる。従って、溶滴の表面
張力を適切に保持することができるので、スパッタ発生
量を著しく低減することができる。
ていないワイヤを使用した高電流溶接時の低スパッタ化
について種々検討した結果、上述の如くワイヤ組成を適
切に調整すると共に、ワイヤ表面に例えばグラファイト
等の遊離Ｃを被着させることが、溶滴の表面張力を効率
よく高めて、大粒のスパッタ発生を防止する効果が極め
て高いことを見い出した。この遊離Ｃとは、油及び石鹸
系等の伸線潤滑剤に含有されるＣを除いたものをいい、
ワイヤ表面に適正量の遊離Ｃを被着させることにより、
アーク中の極めて高い温度において、溶滴に侵入しよう
とするＣＯ2シールドガス及びワイヤ中のＯを極めて効
果的にトラップすることができる。従って、溶滴の表面
張力を適切に保持することができるので、スパッタ発生
量を著しく低減することができる。
【００１８】以下、本発明に係るガスシールドアーク溶
接用ソリッドワイヤについて、先ず、ワイヤ中に含有さ
れる化学成分及びその組成限定理由について説明する。
接用ソリッドワイヤについて、先ず、ワイヤ中に含有さ
れる化学成分及びその組成限定理由について説明する。
【００１９】Ｃ：０．００５乃至０．１５重量％、好ま
しくは０．０１乃至０．０６重量％ Ｃは銅メッキを施さないソリッドワイヤ中において、溶
滴の表面張力を適切に保持し、スパッタを低減させる効
果を有する元素である。ワイヤ全重量あたりのＣ含有量
が０．００５重量％未満であると、溶滴の表面張力が低
下して溶滴のふらつきが生じ、スパッタ発生量が増加す
る。一方、ワイヤ全重量あたりのＣ含有量が０．１５重
量％を超えると、溶滴が粗大化することによりスパッタ
の発生量が増加する。また、ワイヤの強度が高くなっ
て、ワイヤ製造時の伸線性が劣化する。従って、ワイヤ
全重量あたりのＣ含有量は０．００５乃至０．１５重量
％とする。なお、好ましくは、ワイヤ全重量あたりのＣ
含有量は０．０１乃至０．０６重量％である。
しくは０．０１乃至０．０６重量％ Ｃは銅メッキを施さないソリッドワイヤ中において、溶
滴の表面張力を適切に保持し、スパッタを低減させる効
果を有する元素である。ワイヤ全重量あたりのＣ含有量
が０．００５重量％未満であると、溶滴の表面張力が低
下して溶滴のふらつきが生じ、スパッタ発生量が増加す
る。一方、ワイヤ全重量あたりのＣ含有量が０．１５重
量％を超えると、溶滴が粗大化することによりスパッタ
の発生量が増加する。また、ワイヤの強度が高くなっ
て、ワイヤ製造時の伸線性が劣化する。従って、ワイヤ
全重量あたりのＣ含有量は０．００５乃至０．１５重量
％とする。なお、好ましくは、ワイヤ全重量あたりのＣ
含有量は０．０１乃至０．０６重量％である。
【００２０】Ｓｉ：０．４乃至１．２重量％、好ましく
は０．５乃至１．０重量％ Ｓｉは銅メッキを施さないソリッドワイヤ中において、
溶滴の表面張力を適切に保持し、スパッタを低減させる
効果を有する元素である。ワイヤ全重量あたりのＳｉ含
有量が０．４重量％未満であると、溶滴の表面張力が低
下して溶滴のふらつきが生じ、スパッタ発生量が増加す
る。一方、ワイヤ全重量あたりのＳｉ含有量が１．２重
量％を超えると、溶滴が粗大化することによりスパッタ
の発生量が増加する。また、ワイヤの強度が高くなっ
て、ワイヤ製造時の伸線性が劣化する。従って、ワイヤ
全重量あたりのＳｉ含有量は０．４乃至１．２重量％と
する。なお、好ましくは、ワイヤ全重量あたりのＳｉ含
有量は０．５乃至１．０重量％である。
は０．５乃至１．０重量％ Ｓｉは銅メッキを施さないソリッドワイヤ中において、
溶滴の表面張力を適切に保持し、スパッタを低減させる
効果を有する元素である。ワイヤ全重量あたりのＳｉ含
有量が０．４重量％未満であると、溶滴の表面張力が低
下して溶滴のふらつきが生じ、スパッタ発生量が増加す
る。一方、ワイヤ全重量あたりのＳｉ含有量が１．２重
量％を超えると、溶滴が粗大化することによりスパッタ
の発生量が増加する。また、ワイヤの強度が高くなっ
て、ワイヤ製造時の伸線性が劣化する。従って、ワイヤ
全重量あたりのＳｉ含有量は０．４乃至１．２重量％と
する。なお、好ましくは、ワイヤ全重量あたりのＳｉ含
有量は０．５乃至１．０重量％である。
【００２１】Ｍｎ：１．０乃至２．２重量％、好ましく
は１．４乃至２．０重量％ Ｍｎは銅メッキを施さないソリッドワイヤ中において、
溶滴の表面張力を適切に保持し、スパッタを低減させる
効果を有する元素である。ワイヤ全重量あたりのＭｎ含
有量が１．０重量％未満であると、溶滴の表面張力が低
下して溶滴のふらつきが生じ、スパッタ発生量が増加す
る。一方、ワイヤ全重量あたりのＭｎ含有量が２．２重
量％を超えると、溶滴が粗大化することによりスパッタ
の発生量が増加する。また、ワイヤの強度が高くなっ
て、ワイヤ製造時の伸線性が劣化する。従って、ワイヤ
全重量あたりのＭｎ含有量は１．０乃至２．２重量％と
する。なお、好ましくは、ワイヤ全重量あたりのＭｎ含
有量は１．４乃至２．０重量％である。
は１．４乃至２．０重量％ Ｍｎは銅メッキを施さないソリッドワイヤ中において、
溶滴の表面張力を適切に保持し、スパッタを低減させる
効果を有する元素である。ワイヤ全重量あたりのＭｎ含
有量が１．０重量％未満であると、溶滴の表面張力が低
下して溶滴のふらつきが生じ、スパッタ発生量が増加す
る。一方、ワイヤ全重量あたりのＭｎ含有量が２．２重
量％を超えると、溶滴が粗大化することによりスパッタ
の発生量が増加する。また、ワイヤの強度が高くなっ
て、ワイヤ製造時の伸線性が劣化する。従って、ワイヤ
全重量あたりのＭｎ含有量は１．０乃至２．２重量％と
する。なお、好ましくは、ワイヤ全重量あたりのＭｎ含
有量は１．４乃至２．０重量％である。
【００２２】Ｔｉ：０．１０乃至０．３０重量％、好ま
しくは０．１８乃至０．２５重量％ Ｔｉは銅メッキを施さないソリッドワイヤ中において、
溶滴の表面張力を適切に保持し、スパッタを低減させる
効果を有する元素である。ワイヤ全重量あたりのＴｉ含
有量が０．１０重量％未満であると、溶滴の表面張力が
低下して溶滴のふらつきが生じ、スパッタ発生量が増加
する。一方、ワイヤ全重量あたりのＴｉ含有量が０．３
０重量％を超えると、スラグの発生量が過多となって、
多層盛り溶接時における溶接性等が劣化する。従って、
ワイヤ全重量あたりのＴｉ含有量は０．１０乃至０．３
０重量％とする。なお、好ましくは、ワイヤ全重量あた
りのＴｉ含有量は０．１８乃至０．２５重量％である。
しくは０．１８乃至０．２５重量％ Ｔｉは銅メッキを施さないソリッドワイヤ中において、
溶滴の表面張力を適切に保持し、スパッタを低減させる
効果を有する元素である。ワイヤ全重量あたりのＴｉ含
有量が０．１０重量％未満であると、溶滴の表面張力が
低下して溶滴のふらつきが生じ、スパッタ発生量が増加
する。一方、ワイヤ全重量あたりのＴｉ含有量が０．３
０重量％を超えると、スラグの発生量が過多となって、
多層盛り溶接時における溶接性等が劣化する。従って、
ワイヤ全重量あたりのＴｉ含有量は０．１０乃至０．３
０重量％とする。なお、好ましくは、ワイヤ全重量あた
りのＴｉ含有量は０．１８乃至０．２５重量％である。
【００２３】Ｓ：０．０００５乃至０．０３重量％、好
ましくは０．０００５乃至０．０２重量％ Ｓは銅メッキを施さないソリッドワイヤ中において、溶
滴の表面張力を適切に保持し、スパッタを低減させる効
果を有する元素である。ワイヤ全重量あたりのＳ含有量
が０．０００５重量％未満であると、前記効果を得るこ
とができない。一方、ワイヤ全重量あたりのＳ含有量が
０．０３重量％を超えると、溶滴の表面張力が低下して
溶滴のふらつきが生じ、スパッタ発生量が著しく増加す
る。従って、ワイヤ全重量あたりのＳ含有量は０．００
０５乃至０．０３重量％とする。なお、好ましくは、ワ
イヤ全重量あたりのＳ含有量は０．０００５乃至０．０
２重量％である。
ましくは０．０００５乃至０．０２重量％ Ｓは銅メッキを施さないソリッドワイヤ中において、溶
滴の表面張力を適切に保持し、スパッタを低減させる効
果を有する元素である。ワイヤ全重量あたりのＳ含有量
が０．０００５重量％未満であると、前記効果を得るこ
とができない。一方、ワイヤ全重量あたりのＳ含有量が
０．０３重量％を超えると、溶滴の表面張力が低下して
溶滴のふらつきが生じ、スパッタ発生量が著しく増加す
る。従って、ワイヤ全重量あたりのＳ含有量は０．００
０５乃至０．０３重量％とする。なお、好ましくは、ワ
イヤ全重量あたりのＳ含有量は０．０００５乃至０．０
２重量％である。
【００２４】Ｏ：０．００１乃至０．０３重量％、好ま
しくは０．００１乃至０．０１５重量％ Ｏは銅メッキを施さないソリッドワイヤ中において、溶
滴の表面張力を適切に保持し、スパッタを低減させる効
果を有する元素である。ワイヤ全重量あたりのＯ含有量
が０．００１重量％未満であると、前記効果を得ること
ができない。一方、ワイヤ全重量あたりのＯ含有量が
０．０３重量％を超えると、溶滴の表面張力が低下して
溶滴のふらつきが生じ、スパッタ発生量が著しく増加す
る。従って、ワイヤ全重量あたりのＯ含有量は０．００
１乃至０．０３重量％とする。なお、好ましくは、ワイ
ヤ全重量あたりのＯ含有量は０．００１乃至０．０１５
重量％である。
しくは０．００１乃至０．０１５重量％ Ｏは銅メッキを施さないソリッドワイヤ中において、溶
滴の表面張力を適切に保持し、スパッタを低減させる効
果を有する元素である。ワイヤ全重量あたりのＯ含有量
が０．００１重量％未満であると、前記効果を得ること
ができない。一方、ワイヤ全重量あたりのＯ含有量が
０．０３重量％を超えると、溶滴の表面張力が低下して
溶滴のふらつきが生じ、スパッタ発生量が著しく増加す
る。従って、ワイヤ全重量あたりのＯ含有量は０．００
１乃至０．０３重量％とする。なお、好ましくは、ワイ
ヤ全重量あたりのＯ含有量は０．００１乃至０．０１５
重量％である。
【００２５】希土類元素：０．００１乃至０．１重量％ 銅メッキを施さないソリッドワイヤ中に少量の希土類元
素を含有させると、溶滴の表面張力を適切に保持するこ
とができると共に、スパッタ発生量を低減することがで
きる。ワイヤ中に希土類元素を含有させる場合に、ワイ
ヤ全重量あたりの希土類元素の含有量が０．００１重量
％未満であると、前記効果を得ることができない。一
方、ワイヤ全重量あたりの希土類元素の含有量が０．１
重量％を超えると、溶滴が粗大化することにより、スパ
ッタ発生量が増加する。従って、ワイヤ中に希土類元素
を含有させる場合には、ワイヤ全重量あたりの希土類元
素の含有量は０．００１乃至０．１重量％とする。な
お、希土類元素としては、Ｙ、Ｃｅ及びＬａ等がある。
素を含有させると、溶滴の表面張力を適切に保持するこ
とができると共に、スパッタ発生量を低減することがで
きる。ワイヤ中に希土類元素を含有させる場合に、ワイ
ヤ全重量あたりの希土類元素の含有量が０．００１重量
％未満であると、前記効果を得ることができない。一
方、ワイヤ全重量あたりの希土類元素の含有量が０．１
重量％を超えると、溶滴が粗大化することにより、スパ
ッタ発生量が増加する。従って、ワイヤ中に希土類元素
を含有させる場合には、ワイヤ全重量あたりの希土類元
素の含有量は０．００１乃至０．１重量％とする。な
お、希土類元素としては、Ｙ、Ｃｅ及びＬａ等がある。
【００２６】次に、本発明に係るソリッドワイヤの表面
に被着させる成分の被着量限定理由について説明する。
に被着させる成分の被着量限定理由について説明する。
【００２７】ワイヤ１０ｋｇあたりの遊離Ｃの被着量：
０．００５乃至２ｇ、好ましくは０．０１乃至１ｇ ［Ｃ］≧［Ｏ］×１０ 銅メッキを施さないソリッドワイヤの表面に遊離Ｃを被
着させることにより、溶滴の表面張力を適切に保持する
ことができると共に、スパッタ発生量を低減することが
できる。この効果は組成が上述の如く調整されたワイヤ
表面に被着させた場合に有効に発揮される。ワイヤ表面
に遊離Ｃを被着させることによりスパッタ発生量を低減
する効果を得ることはできるが、ワイヤ１０ｋｇあたり
の遊離Ｃの被着量が０．００５ｇ未満であると、得られ
る効果が低下する。一方、ワイヤ１０ｋｇあたりの遊離
Ｃの被着量が２ｇを超えると、コンジット等のワイヤ送
給系における詰まり量が増加して、ワイヤ送給性が劣化
する。従って、ワイヤ１０ｋｇあたりの遊離Ｃの被着量
は０．００５乃至２ｇとする。なお、好ましくは、ワイ
ヤ１０ｋｇあたりの遊離Ｃの被着量は０．０１乃至１ｇ
である。
０．００５乃至２ｇ、好ましくは０．０１乃至１ｇ ［Ｃ］≧［Ｏ］×１０ 銅メッキを施さないソリッドワイヤの表面に遊離Ｃを被
着させることにより、溶滴の表面張力を適切に保持する
ことができると共に、スパッタ発生量を低減することが
できる。この効果は組成が上述の如く調整されたワイヤ
表面に被着させた場合に有効に発揮される。ワイヤ表面
に遊離Ｃを被着させることによりスパッタ発生量を低減
する効果を得ることはできるが、ワイヤ１０ｋｇあたり
の遊離Ｃの被着量が０．００５ｇ未満であると、得られ
る効果が低下する。一方、ワイヤ１０ｋｇあたりの遊離
Ｃの被着量が２ｇを超えると、コンジット等のワイヤ送
給系における詰まり量が増加して、ワイヤ送給性が劣化
する。従って、ワイヤ１０ｋｇあたりの遊離Ｃの被着量
は０．００５乃至２ｇとする。なお、好ましくは、ワイ
ヤ１０ｋｇあたりの遊離Ｃの被着量は０．０１乃至１ｇ
である。
【００２８】また、ワイヤ表面に被着された遊離Ｃによ
る効果は、ワイヤ中のＯ含有量と相関関係を有してい
る。ワイヤ中のＯ含有量を重量％で［Ｏ］、ワイヤ表面
に被着された遊離Ｃをワイヤ１０ｋｇあたりの被着量
（ｇ）で［Ｃ］としたとき、［Ｃ］が（［Ｏ］×１０）
未満であると、十分な効果を得ることができないことが
ある。従って、ワイヤ表面への遊離Ｃの被着量とワイヤ
中のＯ含有量との関係は、数式［Ｃ］≧［Ｏ］×１０を
満足することが好ましい。
る効果は、ワイヤ中のＯ含有量と相関関係を有してい
る。ワイヤ中のＯ含有量を重量％で［Ｏ］、ワイヤ表面
に被着された遊離Ｃをワイヤ１０ｋｇあたりの被着量
（ｇ）で［Ｃ］としたとき、［Ｃ］が（［Ｏ］×１０）
未満であると、十分な効果を得ることができないことが
ある。従って、ワイヤ表面への遊離Ｃの被着量とワイヤ
中のＯ含有量との関係は、数式［Ｃ］≧［Ｏ］×１０を
満足することが好ましい。
【００２９】ワイヤ表面における遊離Ｃの被着量は、以
下に示す方法で測定することができる。先ず、ワイヤ１
０ｇを３０ミリリットルのエタノールで洗浄する。次に、この
洗浄液を例えば直径が２５ｍｍのガラスマイクロフィル
タ（イングランドＷｈａｔｍａｎ製、ＧＦ／Ｆ）を使用
して吸引濾過する。次いで、このガラスマイクロフィル
タを乾燥させた後、濾別された残渣中のＣ量
（［Ｃ］A1）を測定する。一方、ブランクテストとし
て、ワイヤを洗浄していない３０ミリリットルのエタノールを
同様のガラスマイクロフィルタを使用して吸引濾過し、
乾燥させた後、ガラスマイクロフィルタ上に存在する残
渣中のＣ量（［Ｃ］Ab）を測定する。その後、［Ｃ］ A1
から［Ｃ］Abを差し引くことにより、ワイヤ表面に付着
した油分中に含有されるＣが除去された遊離Ｃ量
（［Ｃ］A）が算出される。
下に示す方法で測定することができる。先ず、ワイヤ１
０ｇを３０ミリリットルのエタノールで洗浄する。次に、この
洗浄液を例えば直径が２５ｍｍのガラスマイクロフィル
タ（イングランドＷｈａｔｍａｎ製、ＧＦ／Ｆ）を使用
して吸引濾過する。次いで、このガラスマイクロフィル
タを乾燥させた後、濾別された残渣中のＣ量
（［Ｃ］A1）を測定する。一方、ブランクテストとし
て、ワイヤを洗浄していない３０ミリリットルのエタノールを
同様のガラスマイクロフィルタを使用して吸引濾過し、
乾燥させた後、ガラスマイクロフィルタ上に存在する残
渣中のＣ量（［Ｃ］Ab）を測定する。その後、［Ｃ］ A1
から［Ｃ］Abを差し引くことにより、ワイヤ表面に付着
した油分中に含有されるＣが除去された遊離Ｃ量
（［Ｃ］A）が算出される。
【００３０】更に、エタノール洗浄後のワイヤを１５０
ミリリットルの硝酸（硝酸１：純水２）に完全に溶解させる。
次に、この溶解液を上述の方法と同様のガラスマイクロ
フィルタを使用して吸引濾過する。次いで、このガラス
マイクロフィルタを乾燥させた後、濾別された残渣中の
Ｃ量（［Ｃ］B1）を測定する。一方、ブランクテストと
して、ワイヤを溶解していない１５０ミリリットルの硝酸（硝
酸１：純水２）を同様のガラスマイクロフィルタを使用
して吸引濾過し、乾燥させた後、ガラスマイクロフィル
タ上に存在する残渣中のＣ量（［Ｃ］Bb）を測定する。
その後、［Ｃ］ B1から［Ｃ］Bbを差し引くことにより、
ワイヤ表面に付着した伸線潤滑剤中に含有されるＣが除
去された遊離Ｃ量（［Ｃ］B）が算出される。
ミリリットルの硝酸（硝酸１：純水２）に完全に溶解させる。
次に、この溶解液を上述の方法と同様のガラスマイクロ
フィルタを使用して吸引濾過する。次いで、このガラス
マイクロフィルタを乾燥させた後、濾別された残渣中の
Ｃ量（［Ｃ］B1）を測定する。一方、ブランクテストと
して、ワイヤを溶解していない１５０ミリリットルの硝酸（硝
酸１：純水２）を同様のガラスマイクロフィルタを使用
して吸引濾過し、乾燥させた後、ガラスマイクロフィル
タ上に存在する残渣中のＣ量（［Ｃ］Bb）を測定する。
その後、［Ｃ］ B1から［Ｃ］Bbを差し引くことにより、
ワイヤ表面に付着した伸線潤滑剤中に含有されるＣが除
去された遊離Ｃ量（［Ｃ］B）が算出される。
【００３１】その後、エタノールにより洗浄されたワイ
ヤ表面の遊離Ｃ量（［Ｃ］A）と硝酸に溶解されたワイ
ヤ表面の遊離Ｃ量（［Ｃ］B）とを加算することによ
り、ワイヤ１０ｇあたりの遊離Ｃの被着量を算出するこ
とができる。本発明においては、この値をワイヤ１０ｋ
ｇあたりの被着量に換算して、遊離Ｃ量を規定してい
る。
ヤ表面の遊離Ｃ量（［Ｃ］A）と硝酸に溶解されたワイ
ヤ表面の遊離Ｃ量（［Ｃ］B）とを加算することによ
り、ワイヤ１０ｇあたりの遊離Ｃの被着量を算出するこ
とができる。本発明においては、この値をワイヤ１０ｋ
ｇあたりの被着量に換算して、遊離Ｃ量を規定してい
る。
【００３２】なお、ガラスフィルタ上のＣ量を分析する
方法としては、底に助燃剤として１ｇの粒状タングステ
ンと０．３ｇの粒状すずとを添加したるつぼを高周波誘
導炉内に配置すると共に、このるつぼの上にガラスマイ
クロフィルタを配置して、加熱した後に、燃焼赤外吸収
法によるＣ、Ｓ分析装置（例えばＨＯＲＩＢＡ ＥＭＩ
Ａ５２０）を使用して測定することができる。
方法としては、底に助燃剤として１ｇの粒状タングステ
ンと０．３ｇの粒状すずとを添加したるつぼを高周波誘
導炉内に配置すると共に、このるつぼの上にガラスマイ
クロフィルタを配置して、加熱した後に、燃焼赤外吸収
法によるＣ、Ｓ分析装置（例えばＨＯＲＩＢＡ ＥＭＩ
Ａ５２０）を使用して測定することができる。
【００３３】ワイヤ１０ｋｇあたりのＭｏＳ2 の被着
量：０．０１乃至１ｇ ［Ｃ］≧［ＭｏＳ2 ］ ワイヤ表面にＭｏＳ2を被着させると、表面に銅メッキ
が施されていないワイヤにおいて、ワイヤ送給性を向上
させることができる。ワイヤ１０ｋｇあたりのＭｏＳ2
の被着量が０．０１ｇ未満であると、ＭｏＳ2の被着効
果を十分に得ることができない。一方、ワイヤ１０ｋｇ
あたりのＭｏＳ2の被着量が１ｇを超えると、コンジッ
ト等のワイヤ送給系における詰まり量が増加して、ワイ
ヤ送給性が劣化する。従って、ワイヤ表面にＭｏＳ2を
被着させる場合は、ワイヤ１０ｋｇあたりのＭｏＳ2の
被着量を０．０１乃至１ｇとすることが好ましい。
量：０．０１乃至１ｇ ［Ｃ］≧［ＭｏＳ2 ］ ワイヤ表面にＭｏＳ2を被着させると、表面に銅メッキ
が施されていないワイヤにおいて、ワイヤ送給性を向上
させることができる。ワイヤ１０ｋｇあたりのＭｏＳ2
の被着量が０．０１ｇ未満であると、ＭｏＳ2の被着効
果を十分に得ることができない。一方、ワイヤ１０ｋｇ
あたりのＭｏＳ2の被着量が１ｇを超えると、コンジッ
ト等のワイヤ送給系における詰まり量が増加して、ワイ
ヤ送給性が劣化する。従って、ワイヤ表面にＭｏＳ2を
被着させる場合は、ワイヤ１０ｋｇあたりのＭｏＳ2の
被着量を０．０１乃至１ｇとすることが好ましい。
【００３４】なお、ワイヤ表面に被着されたＭｏＳ2は
溶滴の表面張力に影響を及ぼすので、ワイヤ表面に被着
させる遊離Ｃの被着量とＭｏＳ2の被着量との関係を適
切に調整することが好ましい。ワイヤ表面に被着された
ＭｏＳ2をワイヤ１０ｋｇあたりの被着量（ｇ）で［Ｍ
ｏＳ2］としたとき、［Ｃ］が［ＭｏＳ2］未満である
と、溶滴の表面張力を適切に保持することが困難とな
る。従って、ワイヤ表面にＭｏＳ2を被着させる場合
は、ワイヤ表面への遊離Ｃの被着量とＭｏＳ2の被着量
との関係は、数式［Ｃ］≧［ＭｏＳ2］を満足すること
が好ましい。
溶滴の表面張力に影響を及ぼすので、ワイヤ表面に被着
させる遊離Ｃの被着量とＭｏＳ2の被着量との関係を適
切に調整することが好ましい。ワイヤ表面に被着された
ＭｏＳ2をワイヤ１０ｋｇあたりの被着量（ｇ）で［Ｍ
ｏＳ2］としたとき、［Ｃ］が［ＭｏＳ2］未満である
と、溶滴の表面張力を適切に保持することが困難とな
る。従って、ワイヤ表面にＭｏＳ2を被着させる場合
は、ワイヤ表面への遊離Ｃの被着量とＭｏＳ2の被着量
との関係は、数式［Ｃ］≧［ＭｏＳ2］を満足すること
が好ましい。
【００３５】ワイヤ表面におけるＭｏＳ2の被着量は、
以下に示す方法で測定することができる。先ず、ワイヤ
５０ｇを５０ミリリットルの塩酸（塩酸１：純水１）に３０秒
間浸漬した後、この塩酸に１００ミリリットルの水を追加し
て、これを濾紙で濾過する。次に、濾過後の濾紙を１０
ミリリットルの硫酸（硫酸１：純水１）、５ミリリットルの過塩素酸
及び２０ミリリットルの硝酸の混合溶液中で、ＭｏＳ2と濾紙
とが分解するまで（硫酸の白煙がでるまで）加熱する。
その後、加熱後の溶液に１００ミリリットルの水を追加して希
釈した後、誘導結合プラズマ発光分光分析装置（ＩＣ
Ｐ）等によりＭｏ量を測定する。その後、得られたＭｏ
量をＭｏＳ2量に換算することにより、ワイヤ表面にお
けるＭｏＳ2量を求めることができる。
以下に示す方法で測定することができる。先ず、ワイヤ
５０ｇを５０ミリリットルの塩酸（塩酸１：純水１）に３０秒
間浸漬した後、この塩酸に１００ミリリットルの水を追加し
て、これを濾紙で濾過する。次に、濾過後の濾紙を１０
ミリリットルの硫酸（硫酸１：純水１）、５ミリリットルの過塩素酸
及び２０ミリリットルの硝酸の混合溶液中で、ＭｏＳ2と濾紙
とが分解するまで（硫酸の白煙がでるまで）加熱する。
その後、加熱後の溶液に１００ミリリットルの水を追加して希
釈した後、誘導結合プラズマ発光分光分析装置（ＩＣ
Ｐ）等によりＭｏ量を測定する。その後、得られたＭｏ
量をＭｏＳ2量に換算することにより、ワイヤ表面にお
けるＭｏＳ2量を求めることができる。
【００３６】ワイヤ表面に遊離Ｃ及びＭｏＳ2を被着さ
せる方法としては、遊離Ｃ又は遊離ＣとＭｏＳ2とを含
有する化合物をワイヤ送給潤滑剤に分散するか又は溶解
させて、これをワイヤ表面に塗布する方法、及び乾式又
は湿式の伸線潤滑剤に前記化合物を添加して、伸線時に
ワイヤ表面に被着させる方法等がある。従って、ワイヤ
の製造工程に適した被着方法を選択することができる。
せる方法としては、遊離Ｃ又は遊離ＣとＭｏＳ2とを含
有する化合物をワイヤ送給潤滑剤に分散するか又は溶解
させて、これをワイヤ表面に塗布する方法、及び乾式又
は湿式の伸線潤滑剤に前記化合物を添加して、伸線時に
ワイヤ表面に被着させる方法等がある。従って、ワイヤ
の製造工程に適した被着方法を選択することができる。
【００３７】また、ワイヤ表面には、遊離Ｃ及びＭｏＳ
2の他に、アーク安定剤として微量のＫ等のアルカリ金
属化合物を被着させることができる。しかし、例えばワ
イヤ全重量あたりのＫの被着量が１０重量ｐｐｍ以上と
なる場合のように、アルカリ金属化合物の被着量が多量
となる場合には、大粒のスパッタが増加することがあ
る。従って、ワイヤ表面にアルカリ金属化合物を被着さ
せる場合には、その被着量を適切に調整することが好ま
しい。
2の他に、アーク安定剤として微量のＫ等のアルカリ金
属化合物を被着させることができる。しかし、例えばワ
イヤ全重量あたりのＫの被着量が１０重量ｐｐｍ以上と
なる場合のように、アルカリ金属化合物の被着量が多量
となる場合には、大粒のスパッタが増加することがあ
る。従って、ワイヤ表面にアルカリ金属化合物を被着さ
せる場合には、その被着量を適切に調整することが好ま
しい。
【００３８】
【実施例】以下、本発明の実施例に係るガスシールドア
ーク溶接用ソリッドワイヤによりガスシールドアーク溶
接を実施した試験結果について、その比較例による試験
結果と比較して具体的に説明する。
ーク溶接用ソリッドワイヤによりガスシールドアーク溶
接を実施した試験結果について、その比較例による試験
結果と比較して具体的に説明する。
【００３９】先ず、種々の組成を有する線材の表面に遊
離Ｃ等を被着させて、直径が１．２ｍｍであるソリッド
ワイヤを作製した。次に、これを使用して下記表１に示
す溶接条件によってガスシールドアーク溶接を実施し、
スパッタ発生量を評価した。
離Ｃ等を被着させて、直径が１．２ｍｍであるソリッド
ワイヤを作製した。次に、これを使用して下記表１に示
す溶接条件によってガスシールドアーク溶接を実施し、
スパッタ発生量を評価した。
【００４０】なお、各ワイヤのスパッタ発生量は、飛散
したスパッタの重量を測定することにより１０段階で評
価した。即ち、スパッタ発生量が５００（ｍｇ／分）未
満であるものを１０、スパッタ発生量が５００（ｍｇ／
分）以上６００（ｍｇ／分）未満であるものを９、スパ
ッタ発生量が６００（ｍｇ／分）以上７００（ｍｇ／
分）未満であるものを８、スパッタ発生量が７００（ｍ
ｇ／分）以上８００（ｍｇ／分）未満であるものを７、
スパッタ発生量が８００（ｍｇ／分）以上９００（ｍｇ
／分）未満であるものを６、スパッタ発生量が９００
（ｍｇ／分）以上１０００（ｍｇ／分）未満であるもの
を５、スパッタ発生量が１０００（ｍｇ／分）以上１１
００（ｍｇ／分）未満であるものを４、スパッタ発生量
が１１００（ｍｇ／分）以上１２００（ｍｇ／分）未満
であるものを３、スパッタ発生量が１２００（ｍｇ／
分）以上１３００（ｍｇ／分）未満であるものを２、ス
パッタ発生量が１３００（ｍｇ／分）以上であるものを
１とした。ワイヤの組成及びワイヤ表面への化合物の被
着量並びにスパッタ発生量の評価結果を下記表２及び３
に示す。
したスパッタの重量を測定することにより１０段階で評
価した。即ち、スパッタ発生量が５００（ｍｇ／分）未
満であるものを１０、スパッタ発生量が５００（ｍｇ／
分）以上６００（ｍｇ／分）未満であるものを９、スパ
ッタ発生量が６００（ｍｇ／分）以上７００（ｍｇ／
分）未満であるものを８、スパッタ発生量が７００（ｍ
ｇ／分）以上８００（ｍｇ／分）未満であるものを７、
スパッタ発生量が８００（ｍｇ／分）以上９００（ｍｇ
／分）未満であるものを６、スパッタ発生量が９００
（ｍｇ／分）以上１０００（ｍｇ／分）未満であるもの
を５、スパッタ発生量が１０００（ｍｇ／分）以上１１
００（ｍｇ／分）未満であるものを４、スパッタ発生量
が１１００（ｍｇ／分）以上１２００（ｍｇ／分）未満
であるものを３、スパッタ発生量が１２００（ｍｇ／
分）以上１３００（ｍｇ／分）未満であるものを２、ス
パッタ発生量が１３００（ｍｇ／分）以上であるものを
１とした。ワイヤの組成及びワイヤ表面への化合物の被
着量並びにスパッタ発生量の評価結果を下記表２及び３
に示す。
【００４１】
【表１】
【００４２】
【表２】
【００４３】
【表３】
【００４４】上記表２及び３に示すように、実施例Ｎ
ｏ．１乃至１５は、ワイヤ組成を適切に調整していると
共に、ワイヤ表面に適正量の遊離Ｃを被着させているの
で、比較例と比較して良好な特性を有するワイヤを得る
ことができた。特に、実施例Ｎｏ．１１乃至１５は、ワ
イヤの組成及び表面における遊離Ｃの被着量が本発明の
請求項２に規定する好ましい範囲内であり、その中でも
実施例Ｎｏ．１２、１４及び１５は、ワイヤ中のＯ含有
量と遊離Ｃの被着量との関係が本発明の請求項３に規定
するより好ましい範囲内であると共に、ワイヤ表面にＭ
ｏＳ2が被着している場合はその被着量と遊離Ｃの被着
量との関係が本発明の請求項５に規定する好ましい範囲
内であるので、他の実施例と比較してスパッタ発生量が
著しく低減されたものとなった。
ｏ．１乃至１５は、ワイヤ組成を適切に調整していると
共に、ワイヤ表面に適正量の遊離Ｃを被着させているの
で、比較例と比較して良好な特性を有するワイヤを得る
ことができた。特に、実施例Ｎｏ．１１乃至１５は、ワ
イヤの組成及び表面における遊離Ｃの被着量が本発明の
請求項２に規定する好ましい範囲内であり、その中でも
実施例Ｎｏ．１２、１４及び１５は、ワイヤ中のＯ含有
量と遊離Ｃの被着量との関係が本発明の請求項３に規定
するより好ましい範囲内であると共に、ワイヤ表面にＭ
ｏＳ2が被着している場合はその被着量と遊離Ｃの被着
量との関係が本発明の請求項５に規定する好ましい範囲
内であるので、他の実施例と比較してスパッタ発生量が
著しく低減されたものとなった。
【００４５】更に、実施例Ｎｏ．１３及び１４は、ワイ
ヤ表面にＭｏＳ2が被着しており、その被着量が本発明
の請求項４に規定する好ましい範囲内であるので、ワイ
ヤ送給性が向上した。特に、実施例Ｎｏ．１４はワイヤ
表面における遊離Ｃの被着量とＭｏＳ2の被着量との関
係が本発明の請求項５に規定する好ましい範囲内である
ので、実施例Ｎｏ．１３と比較してスパッタ発生量を低
減することができた。実施例Ｎｏ．１５は、ワイヤ中に
希土類元素が含有されており、その含有量が本発明の請
求項６に規定する好ましい範囲内であるので、他の実施
例と比較してスパッタ発生量の評価結果が著しく良好な
ものとなった。
ヤ表面にＭｏＳ2が被着しており、その被着量が本発明
の請求項４に規定する好ましい範囲内であるので、ワイ
ヤ送給性が向上した。特に、実施例Ｎｏ．１４はワイヤ
表面における遊離Ｃの被着量とＭｏＳ2の被着量との関
係が本発明の請求項５に規定する好ましい範囲内である
ので、実施例Ｎｏ．１３と比較してスパッタ発生量を低
減することができた。実施例Ｎｏ．１５は、ワイヤ中に
希土類元素が含有されており、その含有量が本発明の請
求項６に規定する好ましい範囲内であるので、他の実施
例と比較してスパッタ発生量の評価結果が著しく良好な
ものとなった。
【００４６】一方、比較例Ｎｏ．１６はワイヤ表面への
遊離Ｃの被着量が本発明範囲の下限未満であるので、ス
パッタ発生量が増加した。比較例Ｎｏ．１７はスパッタ
発生量は良好な評価結果となったが、ワイヤ表面への遊
離Ｃの被着量が本発明範囲の上限を超えているので、ワ
イヤ送給性が著しく劣化した。比較例Ｎｏ．１８、２
０、２２、２４、２６及び２８はワイヤ中のＣ、Ｓｉ、
Ｍｎ、Ｔｉ、Ｓ又はＯの含有量が本発明範囲の下限未満
であるので、スパッタ発生量が増加した。比較例Ｎｏ．
１９、２１及び２３はワイヤ中のＣ、Ｓｉ又はＭｎの含
有量が本発明範囲の上限を超えているので、スパッタ発
生量が増加すると共に、伸線性が劣化した。
遊離Ｃの被着量が本発明範囲の下限未満であるので、ス
パッタ発生量が増加した。比較例Ｎｏ．１７はスパッタ
発生量は良好な評価結果となったが、ワイヤ表面への遊
離Ｃの被着量が本発明範囲の上限を超えているので、ワ
イヤ送給性が著しく劣化した。比較例Ｎｏ．１８、２
０、２２、２４、２６及び２８はワイヤ中のＣ、Ｓｉ、
Ｍｎ、Ｔｉ、Ｓ又はＯの含有量が本発明範囲の下限未満
であるので、スパッタ発生量が増加した。比較例Ｎｏ．
１９、２１及び２３はワイヤ中のＣ、Ｓｉ又はＭｎの含
有量が本発明範囲の上限を超えているので、スパッタ発
生量が増加すると共に、伸線性が劣化した。
【００４７】比較例Ｎｏ．２５はスパッタ発生量は良好
な評価結果となったが、ワイヤ中のＴｉ含有量が本発明
範囲の上限を超えているので、スラグ発生量が増加し
て、多層盛溶接性が劣化した。比較例Ｎｏ．２７はワイ
ヤ中のＳ含有量が本発明範囲の上限を超えているので、
溶接金属の耐割れ性が劣化した。比較例Ｎｏ．２９はワ
イヤ中のＯ含有量が本発明範囲の上限を超えているの
で、スパッタ発生量が著しく増加した。
な評価結果となったが、ワイヤ中のＴｉ含有量が本発明
範囲の上限を超えているので、スラグ発生量が増加し
て、多層盛溶接性が劣化した。比較例Ｎｏ．２７はワイ
ヤ中のＳ含有量が本発明範囲の上限を超えているので、
溶接金属の耐割れ性が劣化した。比較例Ｎｏ．２９はワ
イヤ中のＯ含有量が本発明範囲の上限を超えているの
で、スパッタ発生量が著しく増加した。
【００４８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
ワイヤの組成を適切に規定すると共に、ワイヤ表面への
遊離Ｃの被着量を適切に規定しているので、表面に銅メ
ッキを施すことなく、高電流での溶接時にスパッタ発生
量及びスラグ発生量を低減することができると共に、送
給性、伸線性及び耐割れ性が良好であるガスシールドア
ーク溶接用ソリッドワイヤを得ることができる。
ワイヤの組成を適切に規定すると共に、ワイヤ表面への
遊離Ｃの被着量を適切に規定しているので、表面に銅メ
ッキを施すことなく、高電流での溶接時にスパッタ発生
量及びスラグ発生量を低減することができると共に、送
給性、伸線性及び耐割れ性が良好であるガスシールドア
ーク溶接用ソリッドワイヤを得ることができる。
フロントページの続き (72)発明者 伊藤 崇明 神奈川県藤沢市宮前字裏河内100番１ 株 式会社神戸製鋼所藤沢事業所内 Ｆターム(参考） 4E084 AA44 CA24 DA10 HA04
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｃ：０．００５乃至０．１５重量％、Ｓ
ｉ：０．４乃至１．２重量％、Ｍｎ：１．０乃至２．２
重量％、Ｔｉ：０．１０乃至０．３０重量％、Ｓ：０．
０００５乃至０．０３重量％及びＯ：０．００１乃至
０．０３重量％を含有し、残部がＦｅ及び不可避的不純
物からなると共に、表面にワイヤ１０ｋｇあたり０．０
０５乃至２ｇの遊離Ｃが被着されており、銅メッキが施
されていないことを特徴とするガスシールドアーク溶接
用ソリッドワイヤ。 - 【請求項２】 前記Ｃは０．０１乃至０．０６重量％、
前記Ｓｉは０．５乃至１．０重量％、前記Ｍｎは１．４
乃至２．０重量％、前記Ｔｉは０．１８乃至０．２５重
量％、前記Ｓは０．０００５乃至０．０２重量％及び前
記Ｏは０．００１乃至０．０１５重量％であると共に、
表面に被着された前記遊離Ｃはワイヤ１０ｋｇあたり
０．０１乃至１ｇであることを特徴とする請求項１に記
載のガスシールドアーク溶接用ソリッドワイヤ。 - 【請求項３】 前記Ｏの含有量を重量％で［Ｏ］、ワイ
ヤ表面に被着された前記遊離Ｃをワイヤ１０ｋｇあたり
の被着量（ｇ）で［Ｃ］としたとき、数式［Ｃ］≧
［Ｏ］×１０を満足することを特徴とする請求項１又は
２に記載のガスシールドアーク溶接用ソリッドワイヤ。 - 【請求項４】 表面にワイヤ１０ｋｇあたり０．０１乃
至１ｇのＭｏＳ2が被着されていることを特徴とする請
求項１乃至３のいずれか１項に記載のガスシールドアー
ク溶接用ソリッドワイヤ。 - 【請求項５】 ワイヤ表面に被着された前記遊離Ｃをワ
イヤ１０ｋｇあたりの被着量（ｇ）で［Ｃ］、前記Ｍｏ
Ｓ2をワイヤ１０ｋｇあたりの被着量（ｇ）で［Ｍｏ
Ｓ2］としたとき、数式［Ｃ］≧［ＭｏＳ2］を満足する
ことを特徴とする請求項４に記載のガスシールドアーク
溶接用ソリッドワイヤ。 - 【請求項６】 更に、希土類元素：０．００１乃至０．
１重量％を含有することを特徴とする請求項１乃至５の
いずれか１項に記載のガスシールドアーク溶接用ソリッ
ドワイヤ。
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| JP31668498A JP3436494B2 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | ガスシールドアーク溶接用ソリッドワイヤ |
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ID=18079763
Family Applications (1)
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| JP31668498A Expired - Lifetime JP3436494B2 (ja) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | ガスシールドアーク溶接用ソリッドワイヤ |
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Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003225792A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-12 | Jfe Steel Kk | 炭酸ガスシールドアーク溶接用ワイヤ |
| US6696170B2 (en) | 2001-04-19 | 2004-02-24 | Kiswel Ltd. | Copper-free wire |
| JP2004188428A (ja) * | 2002-12-09 | 2004-07-08 | Jfe Steel Kk | 炭酸ガスシールドアーク溶接用鋼ワイヤおよびそれを用いた溶接方法 |
| JP2004195542A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Jfe Steel Kk | ガスシールドアーク溶接用鋼ワイヤ |
| JP2004249353A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Jfe Steel Kk | 炭酸ガスシールドアーク溶接用鋼ワイヤおよびそれを用いた溶接方法 |
| JP2005046878A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Jfe Steel Kk | 炭酸ガスシールドアーク溶接用鋼ワイヤおよびそれを用いた溶接方法 |
| JP2005046879A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Jfe Steel Kk | 炭酸ガスシールドアーク溶接用鋼ワイヤの鋼素線 |
| JP2005219071A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Jfe Steel Kk | 炭酸ガスシールドアーク溶接用鋼ワイヤおよびそれを用いた溶接方法 |
| KR100902242B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2009-06-11 | 주식회사 포스코 | 탄산가스 아크 용접용 솔리드 와이어 |
| KR100909323B1 (ko) * | 2002-12-18 | 2009-07-24 | 주식회사 포스코 | 대전류 탄산가스 아크 용접용 솔리드와이어 |
| US8901455B2 (en) | 2008-06-18 | 2014-12-02 | Lincoln Global, Inc. | Welding wire for submerged arc welding |
| US8952295B2 (en) | 2008-06-18 | 2015-02-10 | Lincoln Global, Inc. | Welding wire with perovskite coating |
| EP4011543A4 (en) * | 2019-09-17 | 2022-12-28 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | GAS WELDING WIRE |
| EP4368331A1 (en) * | 2022-11-04 | 2024-05-15 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Wire for gas-shielded arc welding |
-
1998
- 1998-11-06 JP JP31668498A patent/JP3436494B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6696170B2 (en) | 2001-04-19 | 2004-02-24 | Kiswel Ltd. | Copper-free wire |
| JP2003225792A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-12 | Jfe Steel Kk | 炭酸ガスシールドアーク溶接用ワイヤ |
| JP2004188428A (ja) * | 2002-12-09 | 2004-07-08 | Jfe Steel Kk | 炭酸ガスシールドアーク溶接用鋼ワイヤおよびそれを用いた溶接方法 |
| KR100909323B1 (ko) * | 2002-12-18 | 2009-07-24 | 주식회사 포스코 | 대전류 탄산가스 아크 용접용 솔리드와이어 |
| JP2004195542A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Jfe Steel Kk | ガスシールドアーク溶接用鋼ワイヤ |
| KR100902242B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2009-06-11 | 주식회사 포스코 | 탄산가스 아크 용접용 솔리드 와이어 |
| JP2004249353A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Jfe Steel Kk | 炭酸ガスシールドアーク溶接用鋼ワイヤおよびそれを用いた溶接方法 |
| JP2005046878A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Jfe Steel Kk | 炭酸ガスシールドアーク溶接用鋼ワイヤおよびそれを用いた溶接方法 |
| JP2005046879A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Jfe Steel Kk | 炭酸ガスシールドアーク溶接用鋼ワイヤの鋼素線 |
| JP2005219071A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Jfe Steel Kk | 炭酸ガスシールドアーク溶接用鋼ワイヤおよびそれを用いた溶接方法 |
| JP4639599B2 (ja) * | 2004-02-04 | 2011-02-23 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 炭酸ガスシールドアーク溶接方法 |
| US8901455B2 (en) | 2008-06-18 | 2014-12-02 | Lincoln Global, Inc. | Welding wire for submerged arc welding |
| US8952295B2 (en) | 2008-06-18 | 2015-02-10 | Lincoln Global, Inc. | Welding wire with perovskite coating |
| EP4011543A4 (en) * | 2019-09-17 | 2022-12-28 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | GAS WELDING WIRE |
| EP4368331A1 (en) * | 2022-11-04 | 2024-05-15 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Wire for gas-shielded arc welding |
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| Publication number | Publication date |
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